專利名稱：半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體器件制造方法以及電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體器件制造方法以及電子裝置，具體地，涉及通過(guò)將第二半導(dǎo)體芯片安裝在設(shè)有電子電路部(例如固體攝像元件部)的第一半導(dǎo)體芯片上而封裝得到的半導(dǎo)體器件、該半導(dǎo)體器件的制造方法以及設(shè)置有該半導(dǎo)體器件的電子裝置。
背景技術(shù)：
稱為“芯片堆疊(chip-on-chip，CoC)封裝件”的封裝結(jié)構(gòu)已被投入實(shí)際應(yīng)用，該封裝結(jié)構(gòu)包含有多個(gè)層疊起來(lái)并密封在一個(gè)封裝件內(nèi)的半導(dǎo)體芯片，以便實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的小型化、高功能性等。CoC封裝件也適用于例如將存儲(chǔ)器元件與處理器元件層疊起來(lái)而得到的結(jié)構(gòu)，并且，在CoC封裝件的作為系統(tǒng)級(jí)封裝(System in Package, SIP)型半導(dǎo)體器件的實(shí)際應(yīng)用上已經(jīng)取得了進(jìn)展。例如，當(dāng)如同日本專利特許公報(bào)第2008-192815號(hào)(下文中稱為專利文獻(xiàn)1)中那樣用CoC封裝件形成SIP時(shí)，主要考慮的是將倒裝芯片連接(flip chip connection)應(yīng)用于上部半導(dǎo)體芯片與下部半導(dǎo)體芯片之間的連接。在將倒裝芯片連接應(yīng)用于CoC封裝件中的半導(dǎo)體芯片之間的連接的情況下，將第一半導(dǎo)體芯片(下段側(cè)半導(dǎo)體芯片)安裝在設(shè)有外部連接端子等的布線板上。第二半導(dǎo)體芯片(上段側(cè)半導(dǎo)體芯片)以倒裝芯片連接的方式安裝至第一半導(dǎo)體芯片。也就是說(shuō)，通過(guò)將設(shè)置在第一半導(dǎo)體芯片的上表面上的凸塊電極與設(shè)置在第二半導(dǎo)體芯片的下表面上的凸塊電極彼此連接起來(lái)，來(lái)形成第一半導(dǎo)體芯片與第二半導(dǎo)體芯片間的電連接及機(jī)械連接。另外，向第一半導(dǎo)體芯片與第二半導(dǎo)體芯片間的間隔中填充了底部填充樹脂層 (underfill resin layer)以提高連接可靠性等。例如，日本專利特許公報(bào)第2005-276879號(hào)、日本專利特許公報(bào)第2008-252027號(hào)和日本專利特許公報(bào)第2008-124140號(hào)(下文中分別稱為專利文獻(xiàn)2、專利文獻(xiàn)3和專利文獻(xiàn)4)公開了這樣的技術(shù)在CoC封裝件的第一半導(dǎo)體芯片與第二半導(dǎo)體芯片間的間隔被填充有底部填充樹脂層的結(jié)構(gòu)情況下，形成壩體來(lái)阻止底部填充樹脂層的流動(dòng)。上述壩體主要用來(lái)在第二半導(dǎo)體芯片安裝區(qū)域的外周部處防止由于底部填充樹脂層流入到形成于第一半導(dǎo)體芯片上的電子電路部(諸如Al電極等)中而造成的樹脂污染。
在上述構(gòu)造而成的CoC封裝件中，當(dāng)進(jìn)行樹脂硬化反應(yīng)時(shí)，從底部填充樹脂層的形成于第二半導(dǎo)體芯片的外周部處的倒角會(huì)散發(fā)出反應(yīng)氣體。在專利文獻(xiàn)1 4中，當(dāng)縮短了諸如Al電極等電子電路部與上部半導(dǎo)體芯片間的距離以便使CoC封裝件小型化時(shí)，上述氣體就會(huì)污染諸如Al電極等電子電路部。于是，出現(xiàn)了引線接合不良以及可靠性劣化，這樣就難以使CoC封裝件小型化。另外，在下部半導(dǎo)體芯片上形成有固體攝像元件部的情況下，即使當(dāng)固體攝像元件部與上部半導(dǎo)體芯片之間形成有壩體時(shí)，從上述底部填充樹脂層的倒角散發(fā)出的反應(yīng)氣體仍會(huì)污染固體攝像元件部，因此使攝像特性劣化。另外，目前正在研究這樣的半導(dǎo)體器件該半導(dǎo)體器件中，在玻璃基板或類似基板上形成有新布線，并且設(shè)有固體攝像部的半導(dǎo)體芯片是處于倒裝芯片連接的狀態(tài)。為了防止用于保護(hù)凸塊電極的樹脂污染固體攝像部的光接收面，正在研究在凸塊電極與設(shè)有固體攝像部的半導(dǎo)體芯片之間形成壩體的技術(shù)。然而，參照日本專利特許公報(bào)第2007-533131號(hào)、日本專利特許公報(bào)第 2002-118207號(hào)和日本專利特許公報(bào)Hei 06-204442號(hào)(下文中分別稱為專利文獻(xiàn)5、專利文獻(xiàn)6和專利文獻(xiàn)7)等，示出了僅在玻璃基板側(cè)形成有由樹脂制成的壩體，并且示出了在形成有固體攝像部的半導(dǎo)體芯片側(cè)存在著密封性方面的問(wèn)題。另外，該技術(shù)本質(zhì)上只能在層疊的半導(dǎo)體芯片或者設(shè)有固體攝像部的半導(dǎo)體芯片的外周部中形成凸塊電極。另外，在專利文獻(xiàn)6和專利文獻(xiàn)7所公開的半導(dǎo)體器件中，在Al電極側(cè)沒(méi)有形成壩體，因此Al電極很可能會(huì)被污染。

發(fā)明內(nèi)容
需要解決的問(wèn)題是當(dāng)形成在下部半導(dǎo)體芯片上的電子電路部與上部半導(dǎo)體芯片間的距離縮短時(shí)，從位于上部半導(dǎo)體芯片與下部半導(dǎo)體芯片間的底部填充樹脂層的倒角散發(fā)出的反應(yīng)氣體會(huì)污染電子電路部。因此，難以通過(guò)縮短上部半導(dǎo)體芯片與形成在下部半導(dǎo)體芯片上的電子電路部間的距離來(lái)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的小型化和高度集成化。本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案提供了一種半導(dǎo)體器件，其包括第一半導(dǎo)體芯片，所述第一半導(dǎo)體芯片設(shè)有電子電路部和第一連接部，所述電子電路部至少形成在所述第一半導(dǎo)體芯片的一個(gè)表面上，所述第一連接部形成在與形成有所述電子電路部的所述表面相同的表面上；第二半導(dǎo)體芯片，所述第二半導(dǎo)體芯片設(shè)有第二連接部，所述第二連接部形成在所述第二半導(dǎo)體芯片的一個(gè)表面上，所述第二半導(dǎo)體芯片安裝在所述第一半導(dǎo)體芯片上，且所述第一連接部與所述第二連接部通過(guò)凸塊彼此連接；壩體，所述壩體用于填充所述第一半導(dǎo)體芯片與所述第二半導(dǎo)體芯片間的間隔，且形成在所述第二半導(dǎo)體芯片的外緣的至少一部分上，所述第二半導(dǎo)體芯片的所述外緣的所述至少一部分位于形成有所述電子電路部的區(qū)域側(cè)；以及底部填充樹脂層，所述底部填充樹脂層填充在所述第一半導(dǎo)體芯片與所述第二半導(dǎo)體芯片間的所述間隔中，所述壩體防止所述底部填充樹脂層從所述第二半導(dǎo)體芯片的所述外緣向所述電子電路部側(cè)突出。在本發(fā)明上述實(shí)施方案的半導(dǎo)體器件中，設(shè)有第二連接部(所述第二連接部形成在所述第二半導(dǎo)體芯片的一個(gè)表面上)的第二半導(dǎo)體芯片安裝在設(shè)有電子電路部(所述電子電路部至少形成在所述第一半導(dǎo)體芯片的一個(gè)表面上)和第一連接部(所述第一連接部形成在與形成有所述電子電路部的所述表面相同的表面上)的第一半導(dǎo)體芯片上，所述第一半導(dǎo)體芯片與所述第二半導(dǎo)體芯片通過(guò)凸塊在所述第一連接部和所述第二連接部處彼此連接。在此情況下，在所述第二半導(dǎo)體芯片的外緣的至少一部分上形成了用于填充所述第一半導(dǎo)體芯片與所述第二半導(dǎo)體芯片間的間隔的壩體，所述第二半導(dǎo)體芯片的所述外緣的所述至少一部分位于形成有所述電子電路部的區(qū)域側(cè)。在所述第一半導(dǎo)體芯片與所述第二半導(dǎo)體芯片間的所述間隔中填充了底部填充樹脂層，所述壩體防止所述底部填充樹脂層從所述第二半導(dǎo)體芯片的所述外緣向所述電子電路部側(cè)突出。另外，本發(fā)明另一實(shí)施方案提供了一種半導(dǎo)體器件制造方法，所述方法包括如下步驟至少在第一半導(dǎo)體芯片的一個(gè)表面上形成電子電路部，并且在與形成有所述電子電路部的所述表面相同的表面上形成第一連接部；在第二半導(dǎo)體芯片的一個(gè)表面上形成第二連接部；將所述第二半導(dǎo)體芯片安裝在所述第一半導(dǎo)體芯片上，且使所述第一連接部與所述第二連接部通過(guò)凸塊彼此連接；在所述第二半導(dǎo)體芯片的外緣的至少一部分上形成用于填充所述第一半導(dǎo)體芯片與所述第二半導(dǎo)體芯片間的間隔的壩體，所述第二半導(dǎo)體芯片的所述外緣的所述至少一部分位于形成有所述電子電路部的區(qū)域側(cè)；以及形成底部填充樹脂層，所述底部填充樹脂層填充在所述第一半導(dǎo)體芯片與所述第二半導(dǎo)體芯片間的所述間隔中，所述壩體防止所述底部填充樹脂層從所述第二半導(dǎo)體芯片的所述外緣向所述電子電路部側(cè)突出。在本發(fā)明上述實(shí)施方案的半導(dǎo)體器件制造方法中，至少在第一半導(dǎo)體芯片的一個(gè)表面上形成了電子電路部，并且在與形成有所述電子電路部的表面相同的表面上形成了第
一連接部。另外，在第二半導(dǎo)體芯片的一個(gè)表面上形成了第二連接部。接著，將所述第二半導(dǎo)體芯片安裝到所述第一半導(dǎo)體芯片上，且通過(guò)凸塊使所述第一連接部與所述第二連接部彼此連接。在上述方法中，在所述第二半導(dǎo)體芯片的外緣的至少一部分上形成了用于填充所述第一半導(dǎo)體芯片與所述第二半導(dǎo)體芯片間的間隔的壩體，所述第二半導(dǎo)體芯片的所述外緣的所述至少一部分位于形成有所述電子電路部的區(qū)域側(cè)。然后，以填充在所述第一半導(dǎo)體芯片與所述第二半導(dǎo)體芯片間的間隔中的方式形成了底部填充樹脂層，所述壩體防止所述底部填充樹脂層從所述第二半導(dǎo)體芯片的所述外緣向所述電子電路部側(cè)突出。本發(fā)明又一實(shí)施方案提供了一種電子裝置，其包括固體攝像器件；光學(xué)系統(tǒng)，所述光學(xué)系統(tǒng)用于將入射光引導(dǎo)至所述固體攝像器件的攝像部；以及信號(hào)處理電路，所述信號(hào)處理電路用于對(duì)所述固體攝像器件的輸出信號(hào)進(jìn)行處理。其中，所述固體攝像器件包括 第一半導(dǎo)體芯片，所述第一半導(dǎo)體芯片設(shè)有固體攝像部和第一連接部，所述固體攝像部至少形成在所述第一半導(dǎo)體芯片的一個(gè)表面上，所述第一連接部形成在與形成有所述固體攝像部的所述表面相同的表面上；第二半導(dǎo)體芯片，所述第二半導(dǎo)體芯片設(shè)有第二連接部，所述第二連接部形成在所述第二半導(dǎo)體芯片的一個(gè)表面上，所述第二半導(dǎo)體芯片安裝在所述第一半導(dǎo)體芯片上，且所述第一連接部與所述第二連接部通過(guò)凸塊彼此連接；壩體，所述壩體用于填充所述第一半導(dǎo)體芯片與所述第二半導(dǎo)體芯片間的間隔，且形成在所述第二半導(dǎo)體芯片的外緣的至少一部分上，所述第二半導(dǎo)體芯片的所述外緣的所述至少一部分位于形成有所述固體攝像部的區(qū)域側(cè)；以及底部填充樹脂層，所述底部填充樹脂層填充在所述第一半導(dǎo)體芯片與所述第二半導(dǎo)體芯片間的所述間隔中，所述壩體防止所述底部填充樹脂層從所述第二半導(dǎo)體芯片的所述外緣向所述固體攝像部側(cè)突出。本發(fā)明上述實(shí)施方案的電子裝置包括固體攝像器件、用于將入射光引導(dǎo)至所述固體攝像器件的攝像部的光學(xué)系統(tǒng)、以及用于對(duì)所述固體攝像器件的輸出信號(hào)進(jìn)行處理的信號(hào)處理電路。在上述固體攝像器件中，設(shè)有第二連接部(所述第二連接部形成在所述第二半導(dǎo)體芯片的一個(gè)表面上)的第二半導(dǎo)體芯片安裝在設(shè)有固體攝像部(所述固體攝像部至少形成在所述第一半導(dǎo)體芯片的一個(gè)表面上)和第一連接部(所述第一連接部形成在與形成有所述固體攝像部的所述表面相同的表面上)的第一半導(dǎo)體芯片上，所述第一半導(dǎo)體芯片與所述第二半導(dǎo)體芯片通過(guò)凸塊在所述第一連接部和所述第二連接部處彼此連接。另外，在所述第二半導(dǎo)體芯片的外緣的至少一部分(所述第二半導(dǎo)體芯片的所述外緣的這部分位于形成有所述固體攝像部的區(qū)域側(cè))上形成了用于填充所述第一半導(dǎo)體芯片與所述第二半導(dǎo)體芯片間的間隔的壩體。此外，在所述第一半導(dǎo)體芯片與所述第二半導(dǎo)體芯片間的所述間隔中填充了底部填充樹脂層，所述壩體防止所述底部填充樹脂層從所述第二半導(dǎo)體芯片的所述外緣向所述固體攝像部側(cè)突出。在本發(fā)明上述實(shí)施方案的半導(dǎo)體器件中，所述壩體防止了位于所述第一半導(dǎo)體芯片與所述第二半導(dǎo)體芯片間的所述底部填充樹脂層從所述第二半導(dǎo)體芯片的所述外緣向所述電子電路部側(cè)突出。因此，在所述電子電路部附近沒(méi)有形成所述底部填充樹脂層的倒角，從而防止了從倒角散發(fā)出的反應(yīng)氣體對(duì)所述電子電路部造成污染。因此，能夠縮短所述第二半導(dǎo)體芯片與形成在所述第一半導(dǎo)體芯片上的所述電子電路部之間的距離，由此實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的小型化以及高度集成化。根據(jù)本發(fā)明上述實(shí)施方案的半導(dǎo)體器件制造方法，形成壩體了從而防止位于所述第一半導(dǎo)體芯片與所述第二半導(dǎo)體芯片間的所述底部填充樹脂層從所述第二半導(dǎo)體芯片的所述外緣向所述電子電路部側(cè)突出。因此，在所述電子電路部附近沒(méi)有形成所述底部填充樹脂層的倒角，從而能夠防止從所述倒角散發(fā)出的反應(yīng)氣體對(duì)所述電子電路部造成污
^fe ο因此，能夠縮短所述第二半導(dǎo)體芯片與形成在所述第一半導(dǎo)體芯片上的所述電子電路部之間的距離，由此實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的小型化以及高度集成化。在用于構(gòu)成本發(fā)明上述實(shí)施方案的電子裝置的固體攝像器件中，所述壩體防止了位于所述第一半導(dǎo)體芯片與所述第二半導(dǎo)體芯片間的所述底部填充樹脂層從所述第二半導(dǎo)體芯片的所述外緣向所述固體攝像部側(cè)突出。因此，在所述固體攝像部附近沒(méi)有形成所述底部填充樹脂層的倒角，從而防止了從所述倒角散發(fā)出的反應(yīng)氣體對(duì)所述固體攝像部造成污染。因此，能夠縮短所述第二半導(dǎo)體芯片與形成在所述第一半導(dǎo)體芯片上的所述固體攝像部之間的距離，由此實(shí)現(xiàn)固體攝像器件的小型化以及高度集成化。


圖IA是本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的平面圖；圖IB和圖IC分別是沿圖IA 中的X-X'線和Y-Y'線得到的示意性截面圖。圖2A是本發(fā)明第一實(shí)施例中的第一半導(dǎo)體芯片的平面圖；圖2B和圖2C分別是沿圖2A中的X-X'線和Y-Y'線得到的示意性截面圖。圖3A是本發(fā)明第一實(shí)施例中的第二半導(dǎo)體芯片的平面圖；圖3B和圖3C分別是沿圖3A中的X-X'線和Y-Y'線得到的示意性截面圖。圖4A是示出了本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造工序的平面圖；圖4B和圖 4C分別是沿圖4A中的X-X'線和Y-Y'線得到的示意性截面圖。圖5A是示出了本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造工序的平面圖；圖5B和圖 5C分別是沿圖5A中的X-X'線和Y-Y'線得到的示意性截面圖。圖6A是示出了本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造工序的平面圖；圖6B和圖 6C分別是沿圖6A中的X-X'線和Y-Y'線得到的示意性截面圖。圖7A是本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的平面圖；圖7B和圖7C分別是沿圖7A 中的X-X'線和Y-Y'線得到的示意性截面圖。圖8A是本發(fā)明第三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的平面圖；圖8B和圖8C分別是沿圖8A 中的X-X'線和Y-Y'線得到的示意性截面圖。圖9A和圖9B是示出了本發(fā)明第四實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造工序的截面圖，也是與圖IA 圖IC所示的半導(dǎo)體器件中的X-X'線和Y-Y'線相對(duì)應(yīng)的示意性截面圖。圖IOA是本發(fā)明第五實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的平面圖；圖IOB和圖IOC分別是沿圖 IOA中的X-X'線和Y-Y'線得到的示意性截面圖。圖IlA和圖IlB是示出了本發(fā)明第五實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造工序的截面圖， 也是與圖IOA 圖IOC所示的半導(dǎo)體器件中的X-X'線和Y-Y'線相對(duì)應(yīng)的示意性截面圖。圖12是第六實(shí)施例的電子裝置的示意性框圖。
具體實(shí)施例方式下面參照附圖，說(shuō)明本發(fā)明的固體攝像器件、該固體攝像器件的制造方法、設(shè)計(jì)方法以及電子裝置的優(yōu)選實(shí)施例。順便提及地，將會(huì)按照下面的順序進(jìn)行說(shuō)明。1.第一實(shí)施例(半導(dǎo)體器件的基本構(gòu)造及制造方法)2.第二實(shí)施例(其中將電子電路部與第二半導(dǎo)體芯片形成得彼此相鄰的構(gòu)造)3.第三實(shí)施例(其中按照沿著第二半導(dǎo)體芯片的外緣的形狀而形成有壩體的構(gòu)造)4.第四實(shí)施例(使用樹脂膜作為底部填充樹脂層的制造方法)5.第五實(shí)施例(其中壩體由樹脂形成的構(gòu)造)6.第六實(shí)施例(應(yīng)用于電子裝置)第一實(shí)施例
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半導(dǎo)體器件的構(gòu)造圖IA是本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的平面圖。圖IB和圖IC分別是沿圖IA中的X-X' 線和Y-Y'線得到的示意性截面圖。至少在第一半導(dǎo)體芯片10的一個(gè)表面上形成有電子電路部。作為上述電子電路部，例如形成有固體攝像部11。在固體攝像部11中，例如，各個(gè)像素的光電二極管被形成為彼此分開，并且以矩陣形式排列有多個(gè)包含光電二極管的像素，由此形成光接收面。例如，視需要，在光接收面上形成有絕緣膜、濾色器和片上透鏡等。另外，作為電子電路部，例如形成有焊盤電極12。焊盤電極12例如由鋁形成。焊盤電極12埋置在第一半導(dǎo)體芯片10的頂層附近。 焊盤電極12的一部分通過(guò)焊盤開口部12a而在頂面?zhèn)嚷冻觥Ａ硗?，作為電子電路部，可以包含有例如比較器和DA轉(zhuǎn)換器等其他的周邊電路部。例如，與固體攝像部11、焊盤電極12等相連接的內(nèi)部布線13被形成得埋置在第一半導(dǎo)體芯片10內(nèi)。在第一半導(dǎo)體芯片10的與該第一半導(dǎo)體芯片10的形成有電子電路部的那個(gè)表面相同的表面上，形成有作為第一連接部的凸塊底層膜20。另一方面，在第二半導(dǎo)體芯片30上形成有布線31等，并且在第二半導(dǎo)體芯片30 的一個(gè)表面上形成有作為第二連接部的凸塊底層膜32。第二半導(dǎo)體芯片30安裝在第一半導(dǎo)體芯片10上，第一半導(dǎo)體芯片10與第二半導(dǎo)體芯片30利用凸塊24在凸塊底層膜20及凸塊底層膜32處彼此連接起來(lái)。在此情況下，在第二半導(dǎo)體芯片30的外緣的至少一部分上形成有用于填充第一半導(dǎo)體芯片10與第二半導(dǎo)體芯片30間的間隔的壩體25，上述外緣的至少一部分位于形成有電子電路部的區(qū)域側(cè)。另外，在本實(shí)施例中，在第一半導(dǎo)體芯片10側(cè)還形成有凸塊底層膜22，并且在第二半導(dǎo)體芯片30側(cè)還形成有凸塊底層膜34。上述壩體25被形成得將凸塊底層膜22與凸塊底層膜34相互連接起來(lái)。壩體25由與形成凸塊24用的導(dǎo)電層相同的層形成。在第一半導(dǎo)體芯片10上的如下區(qū)域中形成有凸塊23 這些區(qū)域是在被形成得要對(duì)第一半導(dǎo)體芯片10與第二半導(dǎo)體芯片30間的間隔進(jìn)行填充的區(qū)域以外的區(qū)域。壩體25與凸塊23 —起形成了環(huán)形。用底部填充樹脂層26填充第一半導(dǎo)體芯片10與第二半導(dǎo)體芯片30間的間隔，壩體25防止底部填充樹脂層26從第二半導(dǎo)體芯片30的外緣向電子電路部側(cè)突出。在本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中，底部填充樹脂層26在第二半導(dǎo)體芯片30的未形成有壩體25的外周部處形成了倒角26a。然而，上述壩體25防止了底部填充樹脂層26從第二半導(dǎo)體芯片30的外緣向電子電路部側(cè)突出。 例如，為了防止來(lái)自上述倒角的反應(yīng)氣體造成污染，確保上述倒角與電子電路部之間的距離在200 μ m以上是很重要的。 在本實(shí)施例中，能夠確保底部填充樹脂層26的倒角與諸如固體攝像部、焊盤電極
9等電子電路部之間的距離在200 μ m以上。因此，能夠防止在樹脂硬化反應(yīng)時(shí)從底部填充樹脂層26的倒角散發(fā)出的反應(yīng)氣體對(duì)電子電路部造成污染。在上述實(shí)施例中，已經(jīng)示出了其中將固體攝像部和焊盤電極作為電子電路部的構(gòu)造。然而，本實(shí)施例還適用于這樣的情況該情況中，存在固體攝像部和焊盤電極中的一者或者存在期望免受其他反應(yīng)氣體的污染的電子電路部。如上所述，在本實(shí)施例中，當(dāng)電子電路部被設(shè)置在分別與第二半導(dǎo)體芯片的相對(duì)兩邊相鄰的各個(gè)部分中時(shí)，在上述兩邊上都形成有壩體。當(dāng)電子電路部被設(shè)置在另外的一邊或者多邊處時(shí)，在該一邊或者該多邊上形成有壩體就足夠了。形成壩體25用的材料可由與形成在第一半導(dǎo)體芯片或第二半導(dǎo)體芯片上的凸塊相同的層來(lái)形成，或者可以是不同的層。例如，可以使用諸如Cu、An或Ti等金屬，或者可以使用諸如Sn、SnAg, SnAgCu, SnCu或AuSn等焊料。因此，能夠使第二半導(dǎo)體芯片與諸如焊盤電極或固體攝像部等電子電路部彼此接近，由此可使半導(dǎo)體器件小型化。半導(dǎo)體器件制造方法下面參照?qǐng)D2A至圖2C、圖3A至圖3C、圖4A至圖4C、圖5A至圖5C以及圖6A至圖 6C來(lái)說(shuō)明本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件制造方法。圖2A是本實(shí)施例中的第一半導(dǎo)體芯片的平面圖。圖2B和圖2C分別是沿圖2A中的X-X'線和Y-Y'線得到的示意性截面圖。至少在第一半導(dǎo)體芯片10的一個(gè)表面上形成電子電路部。作為上述電子電路部， 形成了例如固體攝像部11。在固體攝像部11中，例如，以彼此分開的方式形成各像素的光電二極管，并且以矩陣形式將多個(gè)包含有光電二極管的像素排列起來(lái)，由此形成光接收面。例如，視需要，在光接收面上形成絕緣膜、濾色器和片上透鏡等。另外，作為電子電路部，形成了例如焊盤電極12。焊盤電極12例如由鋁形成。將焊盤電極12形成得埋置在第一半導(dǎo)體芯片10的頂層附近。形成焊盤開口部12a以使得焊盤電極12的一部分露出。另外，作為電子電路部，可以包含有例如比較器和DA轉(zhuǎn)換器等其他的周邊電路部。另外，例如，以埋置在第一半導(dǎo)體芯片10內(nèi)的方式形成與固體攝像部11、焊盤電極12等相連接的內(nèi)部布線13。在第一半導(dǎo)體芯片10的與該第一半導(dǎo)體芯片10的形成有電子電路部的那個(gè)表面相同的表面上，形成作為第一連接部的凸塊底層膜20。另外，在第二半導(dǎo)體芯片的安裝區(qū)域(包含形成壩體用的區(qū)域)的外周部處，形成環(huán)形的凸塊底層膜22。在上述凸塊底層膜20和凸塊底層膜22上分別形成由焊料等制成的凸塊21和凸塊23。凸塊23以環(huán)形形成在上述的第二半導(dǎo)體芯片安裝區(qū)域的外周部處。圖3A是本實(shí)施例中的第二半導(dǎo)體芯片的平面圖。圖3B和圖3C分別是沿圖3A中的X-X'線和Y-Y'線得到的示意性截面圖。在第二半導(dǎo)體芯片30上形成布線31等，并且在第二半導(dǎo)體芯片30的一個(gè)表面上形成作為第二連接部的凸塊底層膜32。另外，在第二半導(dǎo)體芯片的外緣兩邊上形成線型形狀的凸塊底層膜34，上述第二半導(dǎo)體芯片的外緣兩邊是形成壩體用的區(qū)域。在上述凸塊底層膜32和凸塊底層膜34上分別形成由焊料等制成的凸塊33和凸塊35。凸塊35以線型形狀形成在上述第二半導(dǎo)體芯片的外緣兩邊上。圖4A是示出了本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造工序的平面圖。圖4B和圖4C分別是沿圖4A中的X-X'線和Y-Y'線得到的示意性截面圖。根據(jù)情況適當(dāng)?shù)乩锰淄?collet) 40等，使上述第一半導(dǎo)體芯片10的凸塊21和凸塊23與第二半導(dǎo)體芯片30的凸塊33和凸塊35對(duì)準(zhǔn)，然后將第二半導(dǎo)體芯片30安裝在第一半導(dǎo)體芯片10上。圖5A是示出了本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造工序的平面圖。圖5B和圖5C分別是沿圖5A中的X-X'線和Y-Y'線得到的示意性截面圖。根據(jù)情況適當(dāng)?shù)乩煤割^(bonding head) 41等，在焊料熔點(diǎn)以下通過(guò)按壓接觸而在表面氧化物膜中形成破壞點(diǎn)，然后在加熱到焊料熔化溫度以后，通過(guò)在X方向和Y方向上的振動(dòng)操作使焊料相互連接，從而將凸塊21和凸塊33合并起來(lái)成為凸塊24。與此同時(shí)，在形成壩體用的區(qū)域中，凸塊23和凸塊35合并起來(lái)成為凸塊25。如上所述，在本實(shí)施例中，當(dāng)電子電路部設(shè)置在分別與第二半導(dǎo)體芯片的相對(duì)兩邊相鄰的各個(gè)部分中時(shí)，在上述兩邊上均形成壩體。當(dāng)電子電路部設(shè)置在另外的一邊或者多邊處時(shí)，在該一邊或者多邊上形成壩體。另外，甚至在將由焊料制成的凸塊連接起來(lái)之前就涂敷了焊劑也是沒(méi)有問(wèn)題的。 順便提及地，形成壩體用的凸塊23及凸塊35每一者可以與第一半導(dǎo)體芯片10的凸塊21 及第二半導(dǎo)體芯片30的凸塊33同時(shí)形成，也可以單獨(dú)形成。圖6A是示出了本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造工序的平面圖。圖6B和圖6C分別是沿圖6A中的X-X'線和Y-Y'線得到的示意性截面圖。將底部填充樹脂層26形成得使其填充在第一半導(dǎo)體芯片10與第二半導(dǎo)體芯片30 間的間隔中，壩體25防止底部填充樹脂層26從第二半導(dǎo)體芯片30的外緣向諸如固體攝像部11、焊盤電極12等電子電路部這側(cè)突出。例如，使用給料器26d，將液態(tài)形式的樹脂注入到第一半導(dǎo)體芯片10與第二半導(dǎo)體芯片30間的間隔中，該樹脂將會(huì)形成底部填充樹脂層。在填充上述樹脂時(shí)，例如最好形成有樹脂注入口和空氣出口，從而確?？諝饽軌驈牡谝话雽?dǎo)體芯片10與第二半導(dǎo)體芯片30間的間隔中逸出的通道。如上所述，在本實(shí)施例中，電子電路部設(shè)置在分別與第二半導(dǎo)體芯片的相對(duì)兩邊相鄰的各個(gè)部分中。將除了上述兩邊以外的另外兩邊中的一者作為樹脂注入口，而另一者作為空氣出口。如上所述在第一半導(dǎo)體芯片10與第二半導(dǎo)體芯片30間的間隔中用樹脂形成底部填充樹脂層26以后，進(jìn)行熱硬化處理。
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在上述熱硬化處理中，從底部填充樹脂層26的倒角會(huì)散發(fā)出反應(yīng)氣體。在本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件制造方法中，上述壩體25防止了底部填充樹脂層26從第二半導(dǎo)體芯片30的外緣向電子電路部側(cè)突出。在底部填充樹脂層26的倒角與諸如固體攝像部、焊盤電極等電子電路部之間能夠確保200 μ m以上的距離。因此，能夠防止在樹脂硬化反應(yīng)時(shí)從底部填充樹脂層26的倒角散發(fā)出的反應(yīng)氣體對(duì)電子電路部造成污染。因此，在本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件制造方法中，能夠使第二半導(dǎo)體芯片與例如焊盤電極或固體攝像部等電子電路部彼此接近，從而能夠使半導(dǎo)體器件小型化。第二實(shí)施例半導(dǎo)體器件的構(gòu)造圖7A是本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的平面圖。圖7B和圖7C分別是沿圖7A中的X-X' 線和Y-Y'線得到的示意性截面圖。在層疊的第二半導(dǎo)體芯片的設(shè)有壩體25 (以防止底部填充樹脂層26從第二半導(dǎo)體芯片30的外緣向電子電路部側(cè)突出)的外周區(qū)域中，沒(méi)有形成底部填充樹脂層26的倒角。本實(shí)施例具有這樣的布局諸如焊盤電極、固體攝像部等電子電路部與第二半導(dǎo)體芯片在形成有壩體25的區(qū)域中彼此相鄰。此種情況下的“相鄰”是指電子電路部與第二半導(dǎo)體芯片間的距離為零或接近于零。除了上述不同以外，第二實(shí)施例的構(gòu)造與第一實(shí)施例的構(gòu)造相類似。雖然在未形成有上述壩體25的區(qū)域中形成了倒角，但是在面朝著電子電路部的所有各邊上均形成有壩體。因此，甚至在其中倒角與電子電路部彼此最為接近的部分中，也能夠確保倒角與電子電路部之間具有200 μ m以上的足夠距離。因此，能夠防止在樹脂硬化反應(yīng)時(shí)從底部填充樹脂層26的倒角散發(fā)出的反應(yīng)氣體對(duì)電子電路部造成污染。于是，能夠使第二半導(dǎo)體芯片與例如焊盤電極、固體攝像部等電子電路部彼此接近，從而能夠使半導(dǎo)體器件小型化。第三實(shí)施例半導(dǎo)體器件的構(gòu)造圖8A是本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的平面圖。圖8B和圖8C分別是沿圖8A中的X-X' 線和Y-Y'線得到的示意性截面圖。壩體是按照沿著第二半導(dǎo)體芯片的外緣的形狀而形成。具體地，在本實(shí)施例中，在第一半導(dǎo)體芯片10側(cè)的環(huán)形凸塊23中形成有凹狀部27，該凸塊23在如下部分中形成壩體該部分中，固體攝像部11被布置得與第二半導(dǎo)體芯片30的區(qū)域靠近。當(dāng)諸如焊盤電極12、固體攝像部11等電子電路部存在于第二半導(dǎo)體芯片30附近且電子電路部的長(zhǎng)度比第二半導(dǎo)體芯片30的側(cè)壁的長(zhǎng)度短時(shí)，僅在靠近電子電路部的部分中形成壩體就足夠了。除了上述不同以外，第三實(shí)施例的構(gòu)造與第一實(shí)施例的構(gòu)造相類似。在本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中，底部填充樹脂層26在第二半導(dǎo)體芯片30的未形成有壩體25的外周部處形成了倒角26a。然而，上述壩體25防止底部填充樹脂層26從第二半導(dǎo)體芯片30的外緣向電子電路部側(cè)突出。在本實(shí)施例中，關(guān)于底部填充樹脂層26的倒角與諸如固體攝像部、焊盤電極等電子電路部之間的距離，能夠確保200 μ m以上的足夠距離。因此，能夠防止在樹脂硬化反應(yīng)時(shí)從底部填充樹脂層26的倒角散發(fā)出的反應(yīng)氣體對(duì)電子電路部造成污染。于是，能夠使第二半導(dǎo)體芯片與諸如焊盤電極、固體攝像部等電子電路部彼此接近，從而能夠使半導(dǎo)體器件小型化。如上所述，即使當(dāng)壩體形成區(qū)域僅位于電子電路部附近時(shí)，也能夠獲得前述的效^ ο第四實(shí)施例半導(dǎo)體器件制造方法圖9A和圖9B是示出了本實(shí)施例的半導(dǎo)體器的件制造工序的截面圖，也是與圖 IA 圖IC所示的半導(dǎo)體器件中的X-X'線和Y-Y'線相對(duì)應(yīng)的示意性截面圖。當(dāng)形成底部填充樹脂層時(shí)，可以在第二半導(dǎo)體芯片30上形成膜狀的底部填充樹脂層26f，并且作為底部填充樹脂層的樹脂的填充過(guò)程可以在與第一半導(dǎo)體芯片10進(jìn)行凸塊連接的同時(shí)予以執(zhí)行。或者，可以在第一半導(dǎo)體芯片10上形成膜狀的底部填充樹脂層26f，并且作為底部填充樹脂層的樹脂的填充過(guò)程可以在與第二半導(dǎo)體芯片30進(jìn)行凸塊連接的同時(shí)予以執(zhí)行。如圖9A和圖9B所示，對(duì)膜狀的底部填充樹脂層26f進(jìn)行按壓從而使其填充在第一半導(dǎo)體芯片10與第二半導(dǎo)體芯片30間的間隔中，而多余部分被排出到該間隔的外部。因此，預(yù)先設(shè)置有作為樹脂排放口的部分以便上述多余部分能夠排出是很重要的。如上所述，在本實(shí)施例中，電子電路部設(shè)置在與第二半導(dǎo)體芯片的相對(duì)兩邊相鄰的各個(gè)部分中。將除了上述兩邊以外的另外兩邊的區(qū)域作為樹脂排放口。除了上述不同以外，第四實(shí)施例的構(gòu)造與第一實(shí)施例的構(gòu)造相類似。在本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件制造方法中，上述壩體25防止底部填充樹脂層26從第二半導(dǎo)體芯片30的外緣向電子電路部側(cè)突出。能夠確保底部填充樹脂層26的倒角與諸如固體攝像部、焊盤電極等電子電路部之間具有200 μ m以上的距離。因此，能夠防止在樹脂硬化反應(yīng)時(shí)從底部填充樹脂層26的倒角散發(fā)出的反應(yīng)氣體對(duì)電子電路部造成污染。于是，在本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件制造方法中，能夠使第二半導(dǎo)體芯片與諸如焊盤電極、固體攝像部等電子電路部彼此接近，從而能夠使半導(dǎo)體器件小型化。第五實(shí)施例半導(dǎo)體器件的構(gòu)造圖IOA是本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的平面圖。圖IOB和圖IOC分別是沿圖IOA中的 X-X'線和Y-Y'線得到的示意性截面圖。
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用于防止底部填充樹脂層26從第二半導(dǎo)體芯片30的外緣向電子電路部側(cè)突出的壩體可以是樹脂材料。該樹脂材料的具體示例是光敏硬化樹脂或者熱硬化樹脂，例如環(huán)氧樹脂或丙烯酸樹脂等。具體地，在本實(shí)施例中，在第一半導(dǎo)體芯片10側(cè)形成有替代凸塊底層膜22及凸塊 23用的樹脂層23r。在第二半導(dǎo)體芯片30側(cè)形成有替代凸塊底層膜34及凸塊35用的樹脂層35r。另外，第二半導(dǎo)體芯片30的位于電子電路部側(cè)的外周部上，通過(guò)使上述樹脂層 23r和樹脂層35r彼此粘接從而形成由樹脂制成的壩體25r。除了上述不同以外，第五實(shí)施例的構(gòu)造與第一實(shí)施例的構(gòu)造相類似。在本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中，底部填充樹脂層26在第二半導(dǎo)體芯片30的未形成有壩體25r的外周部處具有倒角26a。然而，上述壩體25r防止底部填充樹脂層26從第二半導(dǎo)體芯片30的外緣向電子電路部側(cè)突出。在本實(shí)施例中，能夠確保底部填充樹脂層26的倒角與諸如固體攝像部、焊盤電極等電子電路部之間具有200 μ m以上的足夠距離。因此，能夠防止在樹脂硬化反應(yīng)時(shí)從底部填充樹脂層26的倒角散發(fā)出的反應(yīng)氣體對(duì)電子電路部造成污染。于是，能夠使第二半導(dǎo)體芯片與諸如焊盤電極、固體攝像部等電子電路部彼此接近，從而能夠使半導(dǎo)體器件小型化。半導(dǎo)體器件制造方法圖IlA和圖IlB是示出了本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造工序的截面圖，也是與圖 IOA 圖IOC所示的半導(dǎo)體器件中的X-X'線和Y-Y'線相對(duì)應(yīng)的示意性截面圖。在本實(shí)施例中，在第一半導(dǎo)體芯片10側(cè)圖形化地形成樹脂層23r來(lái)替代凸塊底層膜22和凸塊23。另外，在第二半導(dǎo)體芯片30側(cè)圖形化地形成樹脂層35r來(lái)替代凸塊底層膜34和凸塊35?？梢酝ㄟ^(guò)如下方式來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形化地形成上述樹脂層的方法通過(guò)膜層疊法或旋轉(zhuǎn)涂敷法等將樹脂材料形成為膜，然后進(jìn)行光刻工序等。例如，可以使用諸如環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂等光敏硬化樹脂或者熱硬化樹脂作為樹脂層23r和樹脂層35r。接著，在第二半導(dǎo)體芯片30的位于電子電路部側(cè)的外周部處，通過(guò)使樹脂層23r 和樹脂層35r相互粘接從而形成由樹脂制成的壩體25r。為了使樹脂層23r與第一半導(dǎo)體芯片10之間、樹脂層35r與第二半導(dǎo)體芯片30 之間以及樹脂層23r與樹脂層35r之間粘合，在凸塊連接時(shí)進(jìn)行加熱，或者進(jìn)行單獨(dú)硬化。除了上述不同以外，第五實(shí)施例的構(gòu)造與第一實(shí)施例的構(gòu)造相類似。在本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件制造方法中，上述壩體25r防止底部填充樹脂層26從第二半導(dǎo)體芯片30的外緣向電子電路部側(cè)突出。能夠確保底部填充樹脂層26的倒角與諸如固體攝像部、焊盤電極等電子電路部之間具有200 μ m以上的距離。
因此，能夠防止在樹脂硬化反應(yīng)時(shí)從底部填充樹脂層26的倒角散發(fā)出的反應(yīng)氣體對(duì)電子電路部造成污染。于是，在本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件制造方法中，能夠使第二半導(dǎo)體芯片與諸如焊盤電極或固體攝像部等電子電路部彼此接近，從而能夠使半導(dǎo)體器件小型化。第六實(shí)施例應(yīng)用于電子裝置圖12是本實(shí)施例的電子裝置的示意性框圖。本實(shí)施例的電子裝置是能夠拍攝靜態(tài)圖像或能夠拍攝動(dòng)態(tài)圖像的視頻電子裝置的示例。本實(shí)施例的電子裝置包括有圖像傳感器(具有固體攝像元件部的半導(dǎo)體器件)50、光學(xué)系統(tǒng)51和信號(hào)處理電路53等。在本實(shí)施例中，將前述各實(shí)施例任一者的包含固體攝像元件部的半導(dǎo)體器件合并進(jìn)來(lái)作為上述圖像傳感器50。光學(xué)系統(tǒng)51把來(lái)自被攝物體的圖像光(入射光)在圖像傳感器50的攝像面上形成圖像。因此，在一定的周期內(nèi)在圖像傳感器50中累積相應(yīng)的信號(hào)電荷。所累積起來(lái)的信號(hào)電荷作為輸出信號(hào)Vout而被取出。快門裝置對(duì)圖像傳感器50的光照周期和圖像傳感器50的遮光周期進(jìn)行控制。圖像處理部提供用于對(duì)圖像傳感器50的傳輸操作及快門裝置的快門操作進(jìn)行控制的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。根據(jù)從圖像處理部提供的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(時(shí)序信號(hào))進(jìn)行圖像傳感器50的信號(hào)傳輸。信號(hào)處理電路53對(duì)圖像傳感器50的輸出信號(hào)Vout進(jìn)行各種信號(hào)處理，隨后將結(jié)果作為視頻信號(hào)輸出。將經(jīng)過(guò)信號(hào)處理后得到的視頻信號(hào)存儲(chǔ)在諸如存儲(chǔ)器等存儲(chǔ)媒介中， 或者輸出至監(jiān)視器。另外，本發(fā)明不限于應(yīng)用于被設(shè)置在半導(dǎo)體器件中的對(duì)入射可見(jiàn)光量的分布進(jìn)行感測(cè)并將該分布攝取為圖像的固體攝像元件部。本發(fā)明能夠應(yīng)用于如下的固體攝像部將紅外線、X射線或粒子等的入射量的分布攝取為圖像的固體攝像部，廣義上來(lái)說(shuō)，一般是例如用于感測(cè)諸如壓力或電容等其他物理量的分布并將該分布攝取為圖像的指紋檢測(cè)傳感器等固體攝像部。另外，本發(fā)明能夠應(yīng)用于例如數(shù)碼照相電子裝置、攝像電子裝置以及諸如手機(jī)等具有攝像功能的電子裝置?？梢允褂蒙鲜鰣D像傳感器50來(lái)作為具有固體攝像元件部的半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件是用于攝像電子裝置和數(shù)碼照相電子裝置以及諸如手機(jī)等移動(dòng)裝置的電子裝置模塊等。本發(fā)明不限于上述說(shuō)明。例如，雖然已經(jīng)把焊盤電極和固體攝像部作為電子電路部進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明的實(shí)施例也適用于其他的電子電路部。本發(fā)明的實(shí)施例適用于作為固體攝像部的諸如互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體 (Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)圖像傳感器和電荷耦合器件(Charge Coupled Device, CCD)圖像傳感器等各種傳感器。另外，在不背離本發(fā)明的精神的情況下，能夠進(jìn)行各種改變。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，依據(jù)設(shè)計(jì)要求和其他因素，可以在本發(fā)明所附的權(quán)利要求或其等同物的范圍內(nèi)進(jìn)行各種修改、組合、次組合及改變。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，其包括第一半導(dǎo)體芯片，所述第一半導(dǎo)體芯片設(shè)有電子電路部和第一連接部，所述電子電路部至少形成在所述第一半導(dǎo)體芯片的一個(gè)表面上，所述第一連接部形成在與形成有所述電子電路部的所述表面相同的表面上；第二半導(dǎo)體芯片，所述第二半導(dǎo)體芯片設(shè)有第二連接部，所述第二連接部形成在所述第二半導(dǎo)體芯片的一個(gè)表面上，所述第二半導(dǎo)體芯片安裝在所述第一半導(dǎo)體芯片上，且所述第一連接部與所述第二連接部通過(guò)凸塊彼此連接；壩體，所述壩體用于填充所述第一半導(dǎo)體芯片與所述第二半導(dǎo)體芯片間的間隔，且形成在所述第二半導(dǎo)體芯片的外緣的至少一部分上，所述第二半導(dǎo)體芯片的所述外緣的所述至少一部分位于形成有所述電子電路部的區(qū)域側(cè)；以及底部填充樹脂層，所述底部填充樹脂層填充在所述第一半導(dǎo)體芯片與所述第二半導(dǎo)體芯片間的間隔中，所述壩體防止所述底部填充樹脂層從所述第二半導(dǎo)體芯片的所述外緣向所述電子電路部側(cè)突出。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述壩體由與形成所述凸塊用的導(dǎo)電層相同的層形成。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述壩體由樹脂形成。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述電子電路部是焊盤電極。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述電子電路部是固體攝像部。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述電子電路部與所述第二半導(dǎo)體芯片彼此相鄰地形成。
7.如權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述壩體按照沿著所述第二半導(dǎo)體芯片的所述外緣的形狀而形成。
8.一種半導(dǎo)體器件制造方法，所述方法包括如下步驟至少在第一半導(dǎo)體芯片的一個(gè)表面上形成電子電路部，并且在與形成有所述電子電路部的所述表面相同的表面上形成第一連接部；在第二半導(dǎo)體芯片的一個(gè)表面上形成第二連接部；將所述第二半導(dǎo)體芯片安裝在所述第一半導(dǎo)體芯片上，且使所述第一連接部與所述第二連接部通過(guò)凸塊彼此連接；在所述第二半導(dǎo)體芯片的外緣的至少一部分上形成用于填充所述第一半導(dǎo)體芯片與所述第二半導(dǎo)體芯片間的間隔的壩體，所述第二半導(dǎo)體芯片的所述外緣的所述至少一部分位于形成有所述電子電路部的區(qū)域側(cè)；以及形成底部填充樹脂層，所述底部填充樹脂層填充在所述第一半導(dǎo)體芯片與所述第二半導(dǎo)體芯片間的所述間隔中，所述壩體防止所述底部填充樹脂層從所述第二半導(dǎo)體芯片的所述外緣向所述電子電路部側(cè)突出。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，在形成所述壩體的步驟中，所述壩體由與形成所述凸塊用的導(dǎo)電層相同的層形成。
10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，在形成所述壩體的步驟中，所述壩體由樹脂形成。
11.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，在至少在所述第一半導(dǎo)體芯片的一個(gè)表面上形成所述電子電路部的步驟中，形成焊盤電極作為所述電子電路部。
12.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，在至少在所述第一半導(dǎo)體芯片的一個(gè)表面上形成所述電子電路部的步驟中，形成固體攝像部作為所述電子電路部。
13.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，在安裝所述第二半導(dǎo)體芯片的步驟中，將所述第二半導(dǎo)體芯片安裝成與所述電子電路部相鄰。
14.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，在形成所述壩體的步驟中，所述壩體按照沿著所述第二半導(dǎo)體芯片的所述外緣的形狀而形成。
15.如權(quán)利要求8至14任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，在形成所述底部填充樹脂層的步驟中，通過(guò)在所述第二半導(dǎo)體芯片的形成有所述第二連接部的表面?zhèn)葘盈B樹脂膜，并將所述第二半導(dǎo)體芯片安裝到所述第一半導(dǎo)體芯片上，來(lái)形成所述底部填充樹脂層。
16.一種電子裝置，其包括固體攝像器件；光學(xué)系統(tǒng)，所述光學(xué)系統(tǒng)用于將入射光引導(dǎo)至所述固體攝像器件的攝像部；以及信號(hào)處理電路，所述信號(hào)處理電路用于對(duì)所述固體攝像器件的輸出信號(hào)進(jìn)行處理，其中，所述固體攝像器件包括第一半導(dǎo)體芯片，所述第一半導(dǎo)體芯片設(shè)有固體攝像部和第一連接部，所述固體攝像部至少形成在所述第一半導(dǎo)體芯片的一個(gè)表面上，所述第一連接部形成在與形成有所述固體攝像部的所述表面相同的表面上；第二半導(dǎo)體芯片，所述第二半導(dǎo)體芯片設(shè)有第二連接部，所述第二連接部形成在所述第二半導(dǎo)體芯片的一個(gè)表面上，所述第二半導(dǎo)體芯片安裝在所述第一半導(dǎo)體芯片上，且所述第一連接部與所述第二連接部通過(guò)凸塊彼此連接；壩體，所述壩體用于填充所述第一半導(dǎo)體芯片與所述第二半導(dǎo)體芯片間的間隔，且形成在所述第二半導(dǎo)體芯片的外緣的至少一部分上，所述第二半導(dǎo)體芯片的所述外緣的所述至少一部分位于形成有所述固體攝像部的區(qū)域側(cè)；以及底部填充樹脂層，所述底部填充樹脂層填充在所述第一半導(dǎo)體芯片與所述第二半導(dǎo)體芯片間的所述間隔中，所述壩體防止所述底部填充樹脂層從所述第二半導(dǎo)體芯片的所述外緣向所述固體攝像部側(cè)突出。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體器件制造方法以及電子裝置。所述半導(dǎo)體器件包括第一半導(dǎo)體芯片，在所述第一半導(dǎo)體芯片的一個(gè)表面上形成有電子電路部和第一連接部；第二半導(dǎo)體芯片，在所述第二半導(dǎo)體芯片的一個(gè)表面上形成有第二連接部，所述第二半導(dǎo)體芯片安裝在所述第一半導(dǎo)體芯片上，且所述第一連接部與所述第二連接部通過(guò)凸塊彼此連接；壩體，所述壩體形成在所述第二半導(dǎo)體芯片的外緣的一部分上并填充所述第一半導(dǎo)體芯片與所述第二半導(dǎo)體芯片間的間隔，所述外緣的所述一部分位于形成有所述電子電路部的區(qū)域側(cè)；以及底部填充樹脂層，它填充在所述間隔中，所述壩體防止所述底部填充樹脂層從所述第二半導(dǎo)體芯片的所述外緣向所述電子電路部側(cè)突出。
文檔編號(hào)H01L21/56GK102244068SQ20111011748
公開日2011年11月16日 申請(qǐng)日期2011年5月6日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月14日
發(fā)明者尾崎裕司, 脅山悟 申請(qǐng)人:索尼公司