專利名稱：一種led高導(dǎo)熱絕緣基座封裝的方法及器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及LED器件封裝技術(shù)及集成電路芯片的制造技術(shù)，尤其是涉及一種高功率LED燈芯片基座采用高導(dǎo)熱絕緣基座封裝的制造技術(shù)。
背景技術(shù)：
LED這種新型光源所具有的節(jié)能、環(huán)保、壽命長(zhǎng)、啟動(dòng)速度快、能控制發(fā)光光譜和禁止帶幅的大小使亮度更高等優(yōu)點(diǎn)，使得傳統(tǒng)光源無(wú)法與其比擬而得到了空前發(fā)展。伴隨著對(duì)增加LED燈發(fā)光量的實(shí)際需求，高功率LED燈芯片應(yīng)運(yùn)而生。隨之而來(lái)的問(wèn)題是，對(duì)于LED燈而言，所輸入電能的80%都以熱的形態(tài)消耗掉。如果不能及時(shí)快速地將 LED燈芯片產(chǎn)生的這些熱量散發(fā)出去，溫升效應(yīng)不僅使LED燈的光輸出大打折扣，而且LED 芯片的壽命也將會(huì)大幅降低。LED燈的傳統(tǒng)制作技術(shù)，是從單個(gè)LED燈芯片與基座封裝的角度考慮設(shè)計(jì)散熱方法和結(jié)構(gòu)的。這種設(shè)計(jì)方法的缺點(diǎn)是用于散熱效果最好散熱方式——熱傳導(dǎo)的材料體積小、熱傳導(dǎo)散熱面積小，基座間空氣流動(dòng)通道紊亂，散熱效率低；基座需加工多個(gè)細(xì)小通孔制作工藝復(fù)雜，制作成本高；貴重金屬材料銀、鎢、鉬等消耗量大。例如中國(guó)發(fā)明專利CN 101252162A《一種高功率LED陶瓷封裝基座》就存在上述問(wèn)題。特別要指出的是，現(xiàn)有技術(shù)中的大功率LED器件，LED燈芯片與金屬基座都是電氣連通的，為提高金屬基座到散熱器的導(dǎo)熱能力，可以將金屬基座與散熱器直接相連，當(dāng)這樣的大功率LED器件用于路燈、工廠照明等場(chǎng)合，雷電以及工廠復(fù)雜的高壓電氣感應(yīng)，往往會(huì)將高于20%的器件擊穿損壞，這在LED燈具維修時(shí)已經(jīng)被反復(fù)證實(shí)。如要解決這個(gè)問(wèn)題，則需要在LED金屬基座與散熱器之間加一個(gè)絕緣材料，由于不能緊密接觸和絕緣材料的導(dǎo)熱系數(shù)很低，因此解決LED燈芯片耐擊穿和提高導(dǎo)熱能力之間的矛盾問(wèn)題是一個(gè)亟待解決的課題。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決已有技術(shù)中存在的LED燈芯片耐擊穿問(wèn)題，本發(fā)明提出了一種LED高導(dǎo)熱絕緣基座封裝的方法及器件。本發(fā)明通過(guò)采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)
實(shí)施一種LED高導(dǎo)熱絕緣基座封裝的方法的第一實(shí)施方案，所述方法包括如下步驟
①、制備一塊絕緣導(dǎo)熱板，在所述絕緣導(dǎo)熱板的上表面，在預(yù)先設(shè)計(jì)的預(yù)設(shè)位置，采用鍍或燒結(jié)工藝制作一層可焊接金屬第一基面；在所述絕緣導(dǎo)熱板的下表面，采用鍍或燒結(jié)工藝制作一層可焊接金屬第二基面；
所述可焊接金屬第一基面與可焊接金屬第二基面之間彼此絕緣；
②、制備一金屬散熱器，在所述金屬散熱器的頂面制作一層可焊接金屬第三基面，該基面能夠進(jìn)行錫焊或金屬連接；
③、在絕緣導(dǎo)熱板的可焊接金屬第一基面預(yù)設(shè)位置上涂覆高溫錫膏，該高溫錫膏熔化
4溫度> 250°C，然后將LED燈芯片鍍有金屬層的底部放置在高溫錫膏上，并緊密接觸；再將絕緣導(dǎo)熱板與LED燈芯片一同加熱到250°C以上，使LED燈芯片和絕緣導(dǎo)熱板焊接在一起； 然后將金絲線焊接在LED燈芯片電極與絕緣導(dǎo)熱板上的可焊接金屬第一基面上的線路上， 或?qū)⒔鸾z線焊接在相鄰LED燈芯片的電極上形成LED燈的電流同路；然后將與膠水混合好的熒光粉涂覆在LED燈芯片上，形成一個(gè)完整的LED封裝；
④、然后在所述金屬散熱器的可焊接金屬第三基面上，涂覆低溫焊錫膏，其熔化溫度 180°C M9°C，然后將所述LED封裝中的絕緣導(dǎo)熱板的可焊接金屬第二基面與所述低溫焊錫膏緊密接觸，將他們共同加熱到低溫焊錫膏的熔化溫度，使所述絕緣導(dǎo)熱板與所述金屬散熱器焊接成一體。步驟①所述的絕緣導(dǎo)熱板，用高導(dǎo)熱陶瓷制作，所述高導(dǎo)熱陶瓷包括導(dǎo)熱系數(shù)高于30的氧化鋁、氮化鋁；
所述可焊接金屬第一基面、可焊接金屬第二基面、可焊接金屬第三基面的金屬材料包括金、銀、銅、鎳；
所述金屬散熱器的材料包括鋁合金、鋼、銅、高導(dǎo)熱陶瓷。所述絕緣導(dǎo)熱板之上制備一只以上的LED燈芯片。LED燈芯片與可焊接金屬第一基面之間還可以用高熱銀膠粘接的方式實(shí)現(xiàn)連接。一種LED高導(dǎo)熱絕緣基座封裝的方法的第二實(shí)施方案，所述第二方案包括如下步驟
①、制備一塊絕緣導(dǎo)熱板，在所述絕緣導(dǎo)熱板的上表面，在預(yù)先設(shè)計(jì)的預(yù)設(shè)位置，采用鍍或燒結(jié)工藝制作一層可焊接金屬第一基面；在所述絕緣導(dǎo)熱板的下表面，采用鍍或燒結(jié)工藝制作一層可焊接金屬第二基面；
所述可焊接金屬第一基面與可焊接金屬第二基面之間彼此絕緣；
②、制備一金屬散熱器，在所述金屬散熱器的頂面制作一層可焊接金屬第三基面，該基面能夠進(jìn)行錫焊或金屬連接；
③、然后在金屬散熱器的可焊接金屬第三基面上涂覆高溫錫膏，其熔點(diǎn)>250°C，再將絕緣導(dǎo)熱板的可焊接金屬第二基面放在高溫錫膏上，緊密接觸，一同加熱到高于250°C，將他們焊接在一起；
④、然后在絕緣導(dǎo)熱板上有預(yù)設(shè)線路的可焊接金屬第一基面
預(yù)設(shè)位置上涂覆低溫錫膏，其熔化溫度180°C 249°C，然后將LED燈芯片的金屬面放置在低溫錫膏上，然后一同加熱到錫膏的熔化溫度，將他們焊接在一起，然后再將金絲線焊接在LED燈芯片電極與絕緣導(dǎo)熱板上的可焊接金屬第一基面上的線路上，或?qū)⒔鸾z線焊接在相鄰LED燈芯片的電極上形成LED燈的電流同路，最后再在絕緣板的芯片上涂覆熒光粉。用上述方法制作的一種LED高導(dǎo)熱絕緣基座封裝的器件，所述器件包括 絕緣導(dǎo)熱板；
金屬散熱器；
LED燈芯片；所述絕緣導(dǎo)熱板的上表面有采用鍍或燒結(jié)工藝制作的一層可焊接金屬第
一基面；
在所述絕緣導(dǎo)熱板的下表面，有采用鍍或燒結(jié)工藝制作的一層可焊接金屬第二基面； 所述可焊接金屬第一基面與可焊接金屬第二基面之間彼此絕緣；所述金屬散熱器的頂面有一層可焊接金屬第三基面；
所述可焊接金屬第三基面與可焊接金屬第二基面之間焊接或金屬連接，使所述絕緣導(dǎo)熱板與所述金屬散熱器連接成一體；
所述LED燈芯片焊接在可焊接金屬第一基面上。所述絕緣導(dǎo)熱板的結(jié)構(gòu)包括在導(dǎo)熱系數(shù)高于30的高導(dǎo)熱陶瓷薄片的兩面制備可焊接金屬第一基面和可焊接金屬第二基面的薄層。所述絕緣導(dǎo)熱板之上制備一只以上的LED燈芯片。LED燈芯片與可焊接金屬第一基面之間可以用高熱銀膠粘接的方式實(shí)現(xiàn)連接。與已有技術(shù)相比較，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是
用本發(fā)明制作的LED燈器件，LED燈芯片與金屬散熱器之間絕緣，一層絕緣導(dǎo)熱板既有高的導(dǎo)熱系數(shù)，又有極高的電氣隔離效果，從而解決了大功率LED燈器件不耐高壓的問(wèn)題， 為大功率LED燈器件在路燈、工廠照明進(jìn)一步推廣應(yīng)用，減少維修率提供了保證。


圖1為本發(fā)明多個(gè)LED燈芯片的LED高導(dǎo)熱絕緣基座封裝的方法及器件示意圖。附圖標(biāo)號(hào)說(shuō)明 1絕緣導(dǎo)熱板。
11可焊接金屬第一基
12可焊接金屬第
2金屬散熱器。
21可焊接金屬第
3焊錫膏。
4 LED燈芯片。
5焊錫膏。
具體實(shí)施例方式為了進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明的方法，現(xiàn)結(jié)合附圖所示的本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，然而所述實(shí)施例僅為提供說(shuō)明與解釋之用，不能用來(lái)限制本發(fā)明的專利保護(hù)范圍。如圖1所示，實(shí)施一種LED高導(dǎo)熱絕緣基座封裝的方法，所述第一實(shí)施方案包括如下步驟
①、制備一塊絕緣導(dǎo)熱板1，在所述絕緣導(dǎo)熱板1的上表面，在預(yù)先設(shè)計(jì)的預(yù)設(shè)位置，采用鍍或燒結(jié)工藝制作一層可焊接金屬第一基面11 ；在所述絕緣導(dǎo)熱板1的下表面，采用鍍或燒結(jié)工藝制作一層可焊接金屬第二基面12 ；
所述可焊接金屬第一基面11與可焊接金屬第二基面12之間彼此絕緣；
②、制備一金屬散熱器2，在所述金屬散熱器2的頂面制作一層可焊接金屬第三基面 21，該基面能夠進(jìn)行錫焊或金屬連接；
③、在絕緣導(dǎo)熱板1的可焊接金屬第一基面11預(yù)設(shè)位置上涂
覆高溫錫膏，該高溫錫膏熔化溫度> 250°C，然后將LED燈芯片4鍍有金屬層的底部放置在高溫錫膏上，并緊密接觸；再將絕緣導(dǎo)熱板1與LED燈芯片4 一同加熱到250°C以上， 使LED燈芯片4和絕緣導(dǎo)熱板1焊接在一起；然后將金絲線焊接在LED燈芯片4電極與絕緣導(dǎo)熱板1上的可焊接金屬第一基面11上的線路上，或?qū)⒔鸾z線焊接在相鄰LED燈芯片4 的電極上形成LED燈的電流同路；然后將與膠水混合好的熒光粉涂覆在LED燈芯片4上，形成一個(gè)完整的LED封裝；
④、然后在所述金屬散熱器2的可焊接金屬第三基面21上，
涂覆低溫焊錫膏，其熔化溫度180°C 249°C，然后將所述LED封裝中的絕緣導(dǎo)熱板1 的可焊接金屬第二基面12與所述低溫焊錫膏緊密接觸，將他們共同加熱到低溫焊錫膏的熔化溫度，使所述絕緣導(dǎo)熱板1與所述金屬散熱器2焊接成一體。步驟①所述的絕緣導(dǎo)熱板1，用高導(dǎo)熱陶瓷制作，所述高導(dǎo)熱陶瓷包括導(dǎo)熱系數(shù)高于30的氧化鋁、氮化鋁；
所述可焊接金屬第一基面11、可焊接金屬第二基面12、可焊接金屬第三基面21的金屬材料包括金、銀、銅、鎳；
所述金屬散熱器2的材料包括鋁合金、鋼、銅、高導(dǎo)熱陶瓷。所述絕緣導(dǎo)熱板1之上制備一只以上的LED燈芯片4。LED燈芯片4與可焊接金屬第一基面11之間還可以用高熱銀膠粘接的方式實(shí)現(xiàn)連接。如圖1、圖2所示，一種LED高導(dǎo)熱絕緣基座封裝的方法，其第二實(shí)施方式包括如下步驟
①、制備一塊絕緣導(dǎo)熱板1，在所述絕緣導(dǎo)熱板1的上表面，在預(yù)先設(shè)計(jì)的預(yù)設(shè)位置，采用鍍或燒結(jié)工藝制作一層可焊接金屬第一基面11 ；在所述絕緣導(dǎo)熱板1的下表面，采用鍍或燒結(jié)工藝制作一層可焊接金屬第二基面12 ；
所述可焊接金屬第一基面11與可焊接金屬第二基面12之間彼此絕緣；
②、制備一金屬散熱器2，在所述金屬散熱器2的頂面制作一層可焊接金屬第三基面 21，該基面能夠進(jìn)行錫焊或金屬連接；
③、然后在金屬散熱器2的可焊接金屬第三基面21上
涂覆高溫錫膏，其熔點(diǎn)> 250°C，再將絕緣導(dǎo)熱板1的可焊接金屬第二基面12放在高溫錫膏上，緊密接觸，一同加熱到高于250°C，將他們焊接在一起；
④、然后在絕緣導(dǎo)熱板1上有預(yù)設(shè)線路的可焊接金屬第一基面11預(yù)設(shè)位置上涂覆低溫錫膏，其熔化溫度180°C 249°C，
然后將LED燈芯片4的金屬面放置在低溫錫膏上，然后一同加熱到錫膏的熔化溫度，將他們焊接在一起，然后再將金絲線焊接在LED燈芯片4電極與絕緣導(dǎo)熱板1上的可焊接金屬第一基面11上的線路上，或?qū)⒔鸾z線焊接在相鄰LED燈芯片4的電極上形成LED燈的電流通路，最后再在絕緣板的芯片上涂覆熒光粉。如圖1、圖2所示，用上述方法制作的一種LED高導(dǎo)熱絕緣基座封裝的器件，所述器件包括
絕緣導(dǎo)熱板1 ； 金屬散熱器2 ；
LED燈芯片4 ；所述絕緣導(dǎo)熱板1的上表面有采用鍍或燒結(jié)工藝制作的一層可焊接金屬
7第一基面11 ；在所述絕緣導(dǎo)熱板1的下表面，有采用鍍或燒結(jié)工藝制作的一層可焊接金屬第二基面12 ；
所述可焊接金屬第一基面11與可焊接金屬第二基面12之間彼此絕緣；
所述金屬散熱器2的頂面有一層可焊接金屬第三基面21 ；
所述可焊接金屬第三基面21與可焊接金屬第二基面12
之間焊接或金屬連接，使所述絕緣導(dǎo)熱板1與所述金屬散熱器2連接成一體；
所述LED燈芯片4焊接在可焊接金屬第一基面11上。所述絕緣導(dǎo)熱板1的結(jié)構(gòu)包括在導(dǎo)熱系數(shù)高于30的高導(dǎo)熱陶
瓷薄片的兩面制備可焊接金屬第一基面11和可焊接金屬第二基面12的薄層。所述絕緣導(dǎo)熱板1之上制備一只以上的LED燈芯片4。LED燈芯片4與可焊接金屬第一基面11之間可以用高熱銀膠粘接的方式實(shí)現(xiàn)連接。圖1的實(shí)施例中金屬散熱器2為有翅片形式，在其他實(shí)施方式中，金屬散熱器2可以做成其他形狀。金屬散熱器2除了采用鋁合金、銅，還可以采用其他導(dǎo)熱性能好的材料。本發(fā)明可以做成大面積多只LED燈芯片4的工件，然后進(jìn)行切割，分成小的單元。本發(fā)明可以利用電鍍、釬焊、燒結(jié)、濺射等現(xiàn)有技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)可焊接金屬基面的附著，所述絕緣導(dǎo)熱板1可以選用的材料較多，在此不一一例舉。本發(fā)明可以根據(jù)實(shí)際需要自由選取基座的大小，由于基座的材料充滿LED燈芯片附近的空間，本發(fā)明工作時(shí)，LED燈芯片產(chǎn)生的熱量，以傳熱效率最高的熱傳導(dǎo)方式，通過(guò)所述絕緣導(dǎo)熱板與散熱器快速傳導(dǎo)出去。本發(fā)明圓滿解決了 LED燈具耐擊穿技術(shù)問(wèn)題。以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施只局限于這些說(shuō)明。對(duì)于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡(jiǎn)單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種LED高導(dǎo)熱絕緣基座封裝的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟①、制備一塊絕緣導(dǎo)熱板(1)，在所述絕緣導(dǎo)熱板(1)的上表面，在預(yù)先設(shè)計(jì)的預(yù)設(shè)位置，采用鍍或燒結(jié)工藝制作一層可焊接金屬第一基面(11)；在所述絕緣導(dǎo)熱板(1)的下表面，采用鍍或燒結(jié)工藝制作一層可焊接金屬第二基面(12)；所述可焊接金屬第一基面(11)與可焊接金屬第二基面(12)之間彼此絕緣；②、制備一金屬散熱器(2)，在所述金屬散熱器(2)的頂面制作一層可焊接金屬第三基面(21)，該基面能夠進(jìn)行錫焊或金屬連接；③、在絕緣導(dǎo)熱板(1)的可焊接金屬第一基面(11)預(yù)設(shè)位置上涂覆高溫錫膏，該高溫錫膏熔化溫度> 2500C，然后將LED燈芯片(4)鍍有金屬層的底部放置在高溫錫膏上，并緊密接觸；再將絕緣導(dǎo)熱板(1)與LED燈芯片(4) 一同加熱到250°C以上，使LED燈芯片(4) 和絕緣導(dǎo)熱板(1)焊接在一起；然后將金絲線焊接在LED燈芯片(4)電極與絕緣導(dǎo)熱板(1) 上的可焊接金屬第一基面(11)上的線路上，或?qū)⒔鸾z線焊接在相鄰LED燈芯片(4)的電極上形成LED燈的電流通路；然后將與膠水混合好的熒光粉涂覆在LED燈芯片(4)上，形成一個(gè)完整的LED封裝；④、然后在所述金屬散熱器(2)的可焊接金屬第三基面(21)上，涂覆低溫焊錫膏，其熔化溫度180°C M9°C，然后將所述LED封裝中的絕緣導(dǎo)熱板(1)的可焊接金屬第二基面 (12)與所述低溫焊錫膏緊密接觸，將他們共同加熱到低溫焊錫膏的熔化溫度，使所述絕緣導(dǎo)熱板(1)與所述金屬散熱器(2 )焊接成一體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED高導(dǎo)熱絕緣基座封裝的方法，其特征在于步驟①所述的絕緣導(dǎo)熱板(1)，用高導(dǎo)熱陶瓷制作，所述高導(dǎo)熱陶瓷包括導(dǎo)熱系數(shù)高于 30的氧化鋁、氮化鋁；所述可焊接金屬第一基面(11)、可焊接金屬第二基面(12)、可焊接金屬第三基面(21) 的金屬材料包括金、銀、銅、鎳；所述金屬散熱器(2)的材料包括鋁合金、鋼、銅、高導(dǎo)熱陶瓷。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED高導(dǎo)熱絕緣基座封裝的方法，其特征在于所述絕緣導(dǎo)熱板(1)之上制備一只以上的LED燈芯片(4)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED高導(dǎo)熱絕緣基座封裝的方法，其特征在于LED燈芯片(4)與可焊接金屬第一基面(11)之間用高熱銀膠粘接的方式實(shí)現(xiàn)連接。
5.一種LED高導(dǎo)熱絕緣基座封裝的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟①、制備一塊絕緣導(dǎo)熱板(1)，在所述絕緣導(dǎo)熱板(1)的上表面，在預(yù)先設(shè)計(jì)的預(yù)設(shè)位置，采用鍍或燒結(jié)工藝制作一層可焊接金屬第一基面(11)；在所述絕緣導(dǎo)熱板(1)的下表面，采用鍍或燒結(jié)工藝制作一層可焊接金屬第二基面(12)；所述可焊接金屬第一基面(11)與可焊接金屬第二基面(12)之間彼此絕緣；②、制備一金屬散熱器(2)，在所述金屬散熱器(2)的頂面制作一層可焊接金屬第三基面(21)，該基面能夠進(jìn)行錫焊或金屬連接；③、然后在金屬散熱器(2)的可焊接金屬第三基面(21)上涂覆高溫錫膏，其熔點(diǎn)彡250°C，再將絕緣導(dǎo)熱板(1)的可焊接金屬第二基面(12)放在高溫錫膏上，緊密接觸，一同加熱到高于250°C，將他們焊接在一起；④、然后在絕緣導(dǎo)熱板(1)上的可焊接金屬第一基面(11)預(yù)設(shè)位置上涂覆低溫錫膏，其熔化溫度180°C 249°C，然后將LED燈芯片(4)的金屬面放置在低溫錫膏上，然后一同加熱到錫膏的熔化溫度，將他們焊接在一起，然后再將金絲線焊接在LED燈芯片(4)電極與絕緣導(dǎo)熱板(1)上的可焊接金屬第一基面(11)上的線路上，或?qū)⒔鸾z線焊接在相鄰LED燈芯片(4)的電極上形成LED燈的電流通路，最后再在絕緣板的芯片上涂覆熒光粉。
6.一種LED高導(dǎo)熱絕緣基座封裝的器件，其特征在于，所述器件包括絕緣導(dǎo)熱板(1)；金屬散熱器(2);LED燈芯片(4);所述絕緣導(dǎo)熱板(1)的上表面有采用鍍或燒結(jié)工藝制作的一層可焊接金屬第一基面(11);在所述絕緣導(dǎo)熱板(1)的下表面，有采用鍍或燒結(jié)工藝制作的一層可焊接金屬第二基面(12)；所述可焊接金屬第一基面(11)與可焊接金屬第二基面(12 )之間彼此絕緣；所述金屬散熱器(2)的頂面有一層可焊接金屬第三基面(21)；所述可焊接金屬第三基面(21)與可焊接金屬第二基面(12)之間焊接或金屬連接，使所述絕緣導(dǎo)熱板(1)與所述金屬散熱器(2)連接成一體；所述LED燈芯片(4)焊接在可焊接金屬第一基面(11)上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LED高導(dǎo)熱絕緣基座封裝的器件，其特征在于所述絕緣導(dǎo)熱板(1)的結(jié)構(gòu)包括在導(dǎo)熱系數(shù)高于30的高導(dǎo)熱陶瓷薄片的兩面制備可焊接金屬第一基面(11)和可焊接金屬第二基面(12 )的薄層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LED高導(dǎo)熱絕緣基座封裝的器件，其特征在于所述絕緣導(dǎo)熱板(1)之上制備一只以上的LED燈芯片(4)。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LED高導(dǎo)熱絕緣基座封裝的器件，其特征在于LED燈芯片(4)與可焊接金屬第一基面(11)之間用高熱銀膠粘接的方式實(shí)現(xiàn)連接。
全文摘要
一種LED高導(dǎo)熱絕緣基座封裝的方法及器件，所述器件包括絕緣導(dǎo)熱板，金屬散熱器，LED燈芯片；所述絕緣導(dǎo)熱板的上下表面有可焊接金屬第一基面與可焊接金屬第二基面，彼此之間絕緣；所述金屬散熱器的頂面有一層可焊接金屬第三基面；所述可焊接金屬第三基面與可焊接金屬第二基面之間焊接，使所述絕緣導(dǎo)熱板與所述金屬散熱器焊接成一體；所述LED燈芯片焊接在可焊接金屬第一基面上。用本發(fā)明制作的LED燈器件，LED燈芯片與金屬散熱器之間絕緣，一層絕緣導(dǎo)熱板既有高的導(dǎo)熱系數(shù)，又有極高的電氣隔離效果，從而解決了大功率LED燈器件不耐高壓的問(wèn)題，為大功率LED燈器件在路燈、工廠照明進(jìn)一步推廣應(yīng)用，減少維修率提供了保證。
文檔編號(hào)H01L33/64GK102208498SQ20111011848
公開(kāi)日2011年10月5日 申請(qǐng)日期2011年5月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月9日
發(fā)明者王樹(shù)全 申請(qǐng)人:珠海市經(jīng)典電子有限公司