專利名稱：發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光器件和照明系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
通常，氮化物發(fā)光器件具有包括紫外、藍(lán)光以及綠光的發(fā)光區(qū)域。通常通過(guò)在藍(lán)寶石襯底上形成緩沖層然后在緩沖層上形成具有多量子阱結(jié)構(gòu)的有源層來(lái)形成GaN氮化物發(fā)光器件。氮化物發(fā)光器件經(jīng)受處理以產(chǎn)生藍(lán)光或者綠光然后以發(fā)光芯片的形式將其安裝在封裝上。然后，熒光體被應(yīng)用于封裝中以便于形成白光，從而制造白光發(fā)光器件。然而， 在封裝制造工藝中，被施加到發(fā)光芯片上的熒光體具有不均勻性并且被以與透明硅的混合物的形式施加到封裝，因此不利之處在于容易受到發(fā)光芯片產(chǎn)生的熱的影響。

發(fā)明內(nèi)容
因此，鑒于上述問(wèn)題已經(jīng)提出本發(fā)明，并且本發(fā)明提供了一種在制造發(fā)光芯片的工藝中實(shí)現(xiàn)發(fā)光層的發(fā)光器件。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，通過(guò)提供下述發(fā)光器件能夠完成上述和其它的實(shí)施例， 該發(fā)光器件包括反射層；在反射層上的發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；以及發(fā)光層，該發(fā)光層插入在反射層和光透射電極層之間。在一個(gè)實(shí)施例中，發(fā)光器件可以包括發(fā)光層，該發(fā)光層包括黃熒光體、YAG、TAG、硫化物、硅酸鹽、鋁酸鹽、氮化物、碳化物、氮硅酸鹽、硼酸鹽、氟化物和磷酸鹽熒光體、以及R、G 以及B三色熒光體中的至少一個(gè)。在一個(gè)實(shí)施例中，發(fā)光器件可以包括具有0. 5 μ m至4 μ m的厚度的發(fā)光層。在一個(gè)實(shí)施例中，發(fā)光器件可以包括具有1 μ m至2 μ m的厚度的發(fā)光層。在一個(gè)實(shí)施例中，發(fā)光器件可以包括具有金屬和金屬氧化物中的至少一個(gè)的反射層。 在一個(gè)實(shí)施例中，發(fā)光器件可以包括具有圖案結(jié)構(gòu)的發(fā)光層。在一個(gè)實(shí)施例中，圖案結(jié)構(gòu)包括相互隔開(kāi)0. Ιμπι至Ιμπι的預(yù)定距離的圖案單元。在一個(gè)實(shí)施例中，圖案結(jié)構(gòu)包括多個(gè)孔，其中反射層可以通過(guò)孔連接到光透射電極層。在另一實(shí)施例中，發(fā)光器件可以包括具有至少兩個(gè)層的發(fā)光層。在另一實(shí)施例中，發(fā)光器件可以包括發(fā)光層，該發(fā)光層包括具有R熒光體的第一層、具有G熒光體的第二層、以及具有B熒光體的第三層。在另一實(shí)施例中，發(fā)光器件可以包括具有粗糙結(jié)構(gòu)的反射層。
在另一實(shí)施例中，發(fā)光器件可以包括具有至少兩個(gè)層的反射層。在另一實(shí)施例中，發(fā)光器件可以包括反射層，該反射層包括具有第一折射率的第一層；和第二層，該第二層具有第二折射率，其中第二折射率可以不同于第一折射率。在另一實(shí)施例中，第一層和第二層可以被重復(fù)地層壓。在另一實(shí)施例中，發(fā)光器件可以包括電流阻擋層，其中電流阻擋層可以插入在光透射電極層和發(fā)光結(jié)構(gòu)之間。在另一實(shí)施例中，電流阻擋層包括二氧化硅(SiO2)或者氧化鋁(Al2O3)中的至少一個(gè)。在另一實(shí)施例中，發(fā)光器件可以包括反射層；在反射層上的支撐構(gòu)件；在支撐構(gòu)件上的發(fā)光結(jié)構(gòu)，發(fā)光結(jié)構(gòu)設(shè)置有第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；以及發(fā)光層，該發(fā)光層插入在反射層和光透射電極層之間。在另一實(shí)施例中，支撐構(gòu)件可以包圍發(fā)光層。在另一實(shí)施例中，支撐構(gòu)件可以包圍發(fā)光層和反射層。


結(jié)合附圖，根據(jù)下述詳細(xì)的描述，將會(huì)更加清楚地理解本實(shí)施例，其中圖1是示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光器件的概念圖；圖2是示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖；圖3是示出根據(jù)另一實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖；圖4是示出根據(jù)另一實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖；圖5A是示出根據(jù)另一實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖；圖5B是示出根據(jù)另一實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖；圖6A是示出根據(jù)另一實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖；圖6B是示出根據(jù)另一實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖；圖6C是示出根據(jù)另一實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖；圖7至圖14是示出用于制造根據(jù)另一實(shí)施例的發(fā)光器件的一系列工藝的視圖；圖15A是示出包括根據(jù)另一實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的發(fā)光裝置的透視圖；圖15B是示出包括根據(jù)另一實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的發(fā)光裝置的截面圖；圖15C是示出包括根據(jù)另一實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的發(fā)光裝置的截面圖；圖16A是示出根據(jù)另一實(shí)施例的包括發(fā)光器件封裝的照明裝置的透視圖；圖16B是示出包括根據(jù)另一實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的照明裝置的截面圖；圖17是示出包括根據(jù)另一實(shí)施例的發(fā)光器件的液晶顯示器的分解透視圖；以及圖18是示出包括根據(jù)另一實(shí)施例的發(fā)光器件的液晶顯示器的分解透視圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將會(huì)詳細(xì)地參考本發(fā)明的實(shí)施例，在附圖中示出其示例。在可能的地方，在附圖中將會(huì)使用相同的附圖標(biāo)記來(lái)表示相同或者類似的部件。在實(shí)施例的描述之前，將會(huì)理解的是，當(dāng)諸如層(膜)、區(qū)域、圖案或者結(jié)構(gòu)的元件被稱為在諸如襯底、層(膜)、區(qū)域、焊盤(pán)、或者圖案的另一元件“上”或者“下”時(shí)，它能夠直接地在另一元件“上，，或者“下，，或者在其間間接地形成有中間元件。此外，將會(huì)基于附圖中的圖示描述每層的“上”或者“下”。在附圖中，為了描述的方便和清楚，每層的厚度或者尺寸被夸大、省略、或者示意性示出。因此，各元件的尺寸沒(méi)有完全反映其實(shí)際的尺寸。在下文中，將會(huì)參考附圖更加詳細(xì)地描述本實(shí)施例。圖1是示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光器件的概念圖。參考圖1，根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光器件10包括支撐構(gòu)件1 ；反射層2，該反射層2布置在支撐構(gòu)件1上；發(fā)光層3，該發(fā)光層3布置在反射層2上；以及發(fā)光結(jié)構(gòu)4，該發(fā)光結(jié)構(gòu) 4布置在發(fā)光層3上。在從發(fā)光結(jié)構(gòu)4發(fā)射的光當(dāng)中，直接光在方向Pl上行進(jìn)以直接地放出到外部，但是當(dāng)通過(guò)反射層2反射并且被導(dǎo)向到外部或者反射層2時(shí)，在方向P2和P3上行進(jìn)的間接光經(jīng)過(guò)發(fā)光層3并且因此被發(fā)光層3中存在的熒光體激勵(lì)。因此，除了在發(fā)光層3中存在的熒光體之外，發(fā)光器件不要求額外的熒光體并且在發(fā)光器件封裝工藝中沒(méi)有形成額外的發(fā)光層，因此解決了封裝工藝的問(wèn)題。例如，能夠解決下述問(wèn)題，即由于在包圍發(fā)光器件10的密封劑中形成的熒光體而導(dǎo)致密封劑劣化。同時(shí)，在方向(Pl)上從發(fā)光結(jié)構(gòu)4直接地發(fā)射到外部的光與在方向(P2，P3)上朝著反射層2行進(jìn)的光的比率大約是1 2。在本實(shí)施例中，Pl (P2+P3)的比率是1 2。然而，比率是可以取決于發(fā)光結(jié)構(gòu) 4的結(jié)構(gòu)而增加或者減少的變量，并且顯然的是，比率不限于此。同時(shí)，如上所述，本實(shí)施例可以應(yīng)用于垂直發(fā)光器件、水平發(fā)光器件以及倒裝芯片，并且不限于此。圖2是示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖。參考圖2，根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件100包括支撐構(gòu)件110;反射層，該反射層布置在支撐構(gòu)件Iio上；發(fā)光層140，該發(fā)光層140布置在反射層130上；第一光透射電極層 150，該第一光透射電極層150布置在發(fā)光層140上；以及發(fā)光結(jié)構(gòu)170，該發(fā)光結(jié)構(gòu)170布置在第一光透射電極層150上。支撐構(gòu)件110可以由導(dǎo)熱材料制成并且可以是由諸如金屬或者導(dǎo)電陶瓷的導(dǎo)電材料構(gòu)成的導(dǎo)電支撐襯底。支撐構(gòu)件110可以是單層，或者包括金屬層(未示出)和絕緣層(未示出)的雙層或者多層。S卩，支撐構(gòu)件110可以由從Au、Ni、W、Mo、Cu、Al、Ta、Ag、Pt以及Cr、或者其合金中選擇的金屬制成。另外，支撐構(gòu)件110可以被實(shí)現(xiàn)為諸如Si、Ge、GaAs、aiO、SiC、SiGe、GaN 或者Ga2O3的載體晶片。這樣的支撐構(gòu)件110有利于從發(fā)光器件100發(fā)射的光的放出并且因此提高發(fā)光器件100的熱穩(wěn)定性。附著層112可以被層壓在支撐構(gòu)件110上，并且由對(duì)布置在其下的材料表現(xiàn)出優(yōu)異的附著性的金屬制成。附著層112包括勢(shì)壘金屬或者結(jié)合金屬，但不限于此，并且例如，包括鈦(Ti)、金 (Au)、錫(Sn)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鎵(Ga) JB (In) (Bi)、銅(Cu)、銀(Ag)以及鉭(Ta)中的至少一個(gè)。通過(guò)接合不同的附著層(未示出)可以形成附著層112，但是不限于此。
同時(shí)，附著層112可以進(jìn)一步包括擴(kuò)散勢(shì)壘層120。因此，附著層112和擴(kuò)散勢(shì)壘層120可以整合在單層中，或者擴(kuò)散勢(shì)壘層120布置在附著層上或者下面使得這些層相互分離。不限制附著層112和擴(kuò)散勢(shì)壘層120的構(gòu)造和層壓順序。同時(shí)，附著層112和擴(kuò)散勢(shì)壘層120中的至少一個(gè)形成在支撐構(gòu)件110上，但是本發(fā)明不限于此。反射層130可以布置在擴(kuò)散勢(shì)壘層120上。反射層130可以插入在支撐構(gòu)件110和發(fā)光層140之間，并且由從Ag、Ni、Al、Rh、 Pd、Ir、Ru、Mg、Si、Pt、Au、Hf以及其組合中選擇的高反射材料組成，可以是使用諸如ΙΖ0、 ΙΖΤ0、ΙΑΖ0、IGZO、IGTO、AZO以及ATO的光透射材料和金屬材料形成的多層。同時(shí)，反射層 130可以是通過(guò)層壓具有不同折射率的多個(gè)層形成的分布式布拉格反射鏡(DBR)，并且不限于此。另外，反射層130可以是層壓的IZ0/Ni、AZ0/Ag、IZ0/Ag/Ni、AZ0/Ag/Ni等。同時(shí)， 反射層130可以包括諸如粗糙結(jié)構(gòu)或者經(jīng)構(gòu)圖的結(jié)構(gòu)的任何結(jié)構(gòu)并且具有光子晶體結(jié)構(gòu)， 并且不限于此。發(fā)光層140可以布置在反射層130上。熒光體可以存在于發(fā)光層140中并且可以是藍(lán)光發(fā)光熒光體、藍(lán)綠光發(fā)光熒光體、綠光發(fā)光熒光體、黃綠光發(fā)光熒光體、黃光發(fā)光熒光體、黃紅光發(fā)光熒光體、橙色光發(fā)光熒光體以及紅光發(fā)光熒光體中的至少一個(gè)，并且不限于此。S卩，通過(guò)從發(fā)光器件100發(fā)射的第一光激勵(lì)熒光體以產(chǎn)生第二光。例如，在發(fā)光器件100是藍(lán)光發(fā)光二極管并且熒光體是黃熒光體的情況下，通過(guò)藍(lán)光激勵(lì)黃熒光體以發(fā)射黃光，從藍(lán)光發(fā)光二極管發(fā)射的藍(lán)光與通過(guò)藍(lán)光激勵(lì)的黃光混合以允許發(fā)光器件100呈現(xiàn)白光。類似地，在發(fā)光器件100是綠光發(fā)光二極管的情況下，可以示例洋紅熒光體，或者藍(lán)和紅熒光體的組合，并且在發(fā)光器件100是紅光發(fā)光二極管的情況下，可以示例青熒光體，或者藍(lán)和綠熒光體的組合。這樣的熒光體可以是已知的熒光體，諸如YAG、TAG、硫化物、硅酸鹽、鋁酸鹽、氮化物、碳化物、氮硅酸鹽、硼酸鹽、氟化物以及磷酸鹽。優(yōu)選地，在發(fā)光結(jié)構(gòu)170發(fā)射紫外光的情況下，發(fā)光層140可以包括所有R、G以及 B熒光體。R、G以及B熒光體可以是通過(guò)分別地層壓R發(fā)光層、G發(fā)光層以及B發(fā)光層形成的單發(fā)光層140，或者R、G以及B熒光體可以分布在單發(fā)光層140中。通過(guò)薄涂覆這些熒光體，然后進(jìn)行濺射、或者納米墨水印刷可以形成發(fā)光層140， 并且不限于此。另外，通過(guò)形成由環(huán)氧樹(shù)脂、聚硅氧烷或者其它樹(shù)脂材料組成的層、在其上分散熒光體并且通過(guò)熱或者紫外照射進(jìn)行固化可以形成發(fā)光層140，并且不限于此。發(fā)光層140使從發(fā)光結(jié)構(gòu)170發(fā)射的光能夠呈現(xiàn)類白光。然而，從發(fā)光結(jié)構(gòu)170 直接地發(fā)射到外部的光可以是藍(lán)色的，并且根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光器件100輸出藍(lán)白光，其具有比傳統(tǒng)的白光稍高的色溫。同時(shí)，在方向(Pl)上從發(fā)光結(jié)構(gòu)170直接地發(fā)射到外部的光與在方向(P2，P3)上朝著反射層2行進(jìn)的光的比率大約是1 2。因此，從根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光器件100發(fā)射的光可以是類白光。白光的色溫可以取決于藍(lán)光的比率而改變，并且根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光器件100輸出藍(lán)白光，S卩，具有高色溫的白光。
另外，如上所述，Pl (P2+P3)的比率被限定為1 2。然而，此比率是可以取決于發(fā)光結(jié)構(gòu)170的結(jié)構(gòu)而增加或者減少的變量，并且顯然的是該比率不限于此。發(fā)光層140激勵(lì)從發(fā)光結(jié)構(gòu)170產(chǎn)生的第一顏色的光以產(chǎn)生第二顏色的光。當(dāng)發(fā)光層140極薄時(shí)，其光學(xué)特性可能劣化，并且當(dāng)發(fā)光層140極厚時(shí)，亮度可能減少。因此，發(fā)光層140可以具有0. 5 μ m至4 μ m的厚度范圍，并且優(yōu)選地，具有1 μ m至2 μ m的厚度范圍。光透射電極層150可以布置在發(fā)光層140上。光透射電極層150 可以由從 ΙΤ0、IZO (In-ZnO)、GZO (Ga-ZnO)、AZO (Al-ZnO)、 AGZO (Al-Ga ZnO) ,IGZO (In-Ga ZnO) ,1 r Ox, RuOx, RuOx/1 TO, Ni /1 r 0x/Au 以及 Ni/Ir0x/Au/IT0 中選擇的至少一個(gè)組成，并且部分地或者整體地形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)170的底部上以防止電流集邊。電流阻擋層(CBL，160)可以布置在光透射電極層150和發(fā)光結(jié)構(gòu)170之間。電流阻擋層160防止其中電流集中在電極184的底部的電流集邊。電流阻擋層160可以由二氧化硅(SiO2)或者包含二氧化硅(SiO2)的氧化鋁(Al2O3)組成。包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層171、有源層172以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層173的發(fā)光結(jié)構(gòu) 170可以形成在光透射電極層150上。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層171可以形成在光透射電極層150上。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層171 可以被實(shí)現(xiàn)為摻雜有P型摻雜物的P型半導(dǎo)體層?？梢詮木哂衕/lyGiimNa)彡χ彡1， 0 ^ y ^ 1,0 ^ x+y ^ 1)的組成式的諸如 GaN、AlN、AlGaN、hGaN、hN、InAlGaN 以及 AlInN 的半導(dǎo)體材料中選擇P型半導(dǎo)體層并且其可以摻雜有諸如Mg、Zn、Ca、Sr以及Ba的ρ型摻雜物。有源層172布置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層171上?？梢允褂糜蒊II_V族元素組成的化合物半導(dǎo)體材料以單或者多量子阱結(jié)構(gòu)、量子線結(jié)構(gòu)、量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)等來(lái)形成有源層172。在有源層172具有量子阱結(jié)構(gòu)的情況下，例如，它可以具有包括具有InxAly(iai_x_yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的組成式的阱層和具有 InaAlbGa1^bN(0彡a彡1，0彡b彡1，0彡a+b彡1)的組成式的勢(shì)壘層的單或者多量子阱結(jié)構(gòu)。阱層可以由具有小于勢(shì)壘層的帶隙的帶隙的材料形成。導(dǎo)電包覆層(未示出)可以布置在有源層172上和/或下面。導(dǎo)電包覆層(未示出)可以由AKiaN基半導(dǎo)體組成，并且可以具有高于有源層172的帶隙。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層173可以形成在有源層172上。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層173可以被實(shí)現(xiàn)為η型半導(dǎo)體層，例如，可以從諸如feiN、A1N、AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN以及AlInN 的具有hxAly(iai_x_yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的組成式的半導(dǎo)體材料中選擇 η型半導(dǎo)體層并且其可以摻雜有諸如Si、Ge、Sn、Se以及Te的η型摻雜物。通過(guò)諸如金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、分子束外延(MBE)以及氫化物氣相外延(HVPE)的方法，可以形成第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層171、有源層172以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層173，并且不限于此。另外，摻雜在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層171和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層173中的導(dǎo)電摻雜物的濃度可以是均勻的或者非均勻的。即，多個(gè)半導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)可以變化并且沒(méi)有限制。同時(shí)，發(fā)光結(jié)構(gòu)170可以包括布置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層171下面的具有與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層171的極性相反的極性的第三導(dǎo)電半導(dǎo)體層(未示出)。另外，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層171可以被實(shí)現(xiàn)為ρ型半導(dǎo)體層，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層173可以被實(shí)現(xiàn)為η型半導(dǎo)體層。因此，發(fā)光結(jié)構(gòu)層170可以包括N-P結(jié)、P-N結(jié)、N-P-N結(jié)以及P-N-P結(jié)結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)，并且不限于此。第二光透射電極層180可以形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層173上。第二光透射電極層180可以由與第一光透射電極層150相同的材料組成并且不限于此。電極184和光提取結(jié)構(gòu)182形成在第二光透射電極層150上。可以使用導(dǎo)電材料，例如，從In、Co、Si、Ge、Au、Pd、Pt、Ru、Re、Mg、Zn、Hf、Ta、Rh、 Ir、W、Ti、Ag、Cr、Mo、Nb、Al、Ni、Cu以及WTi、或者其合金中選擇的金屬，以單或者多層形成電極184。光提取結(jié)構(gòu)182可以形成在第二光透射電極層180上以將來(lái)自于有源層172的光均勻地分散到外部。光提取結(jié)構(gòu)182可以采取規(guī)則的棱鏡或者不規(guī)則的圖案的形狀，或者可以采取凸透鏡或者凹透鏡的形狀，并且可以具有其它的形狀。光提取結(jié)構(gòu)182可以具有大約0. Ium至大約3um的高度并且具有隨機(jī)的尺寸且是不規(guī)則的，并且不限于此。光提取結(jié)構(gòu)182可以具有不平坦的上表面，其包括從紋理圖案、粗糙圖案或者不平坦圖案中選擇的至少一個(gè)。光提取結(jié)構(gòu)182的側(cè)截面可以具有諸如圓柱體、多棱柱體、圓錐體、多棱椎、截圓錐以及角錐臺(tái)，并且優(yōu)選地具有圓錐或者多棱錐形狀。鈍化層190可以形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)170的兩側(cè)上，以防止發(fā)光結(jié)構(gòu)170的損壞。在圖2中，從發(fā)光結(jié)構(gòu)170發(fā)射的光的一部分被放出到外部并且剩余的光通過(guò)第一光透射電極層150并且朝著反射層130行進(jìn)。在方向(Pl)上從發(fā)光結(jié)構(gòu)170直接地發(fā)射到外部的光與在方向(P2，P3)上朝著反射層130行進(jìn)的光的比率大約是1 2至1 3。 以此比率通過(guò)布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)170下面的發(fā)光層140能夠?qū)崿F(xiàn)白光。在下文中，假定發(fā)光結(jié)構(gòu)170發(fā)射藍(lán)光，將會(huì)描述發(fā)光層140。從發(fā)光結(jié)構(gòu)170發(fā)射的間接光經(jīng)過(guò)發(fā)光層140并且通過(guò)布置在發(fā)光層140中的熒光體激勵(lì)。因此，通過(guò)熒光體激勵(lì)藍(lán)色間接光以產(chǎn)生白光。同時(shí)，當(dāng)間接光通過(guò)反射層130 反射并且朝著發(fā)光結(jié)構(gòu)170行進(jìn)時(shí)，它經(jīng)過(guò)發(fā)光層140。清楚的是，也通過(guò)發(fā)光層140中的熒光體激勵(lì)通過(guò)反射層130反射的間接光以產(chǎn)生白光。發(fā)光層140和反射層130形成在發(fā)光器件100中，從發(fā)光器件100發(fā)射的光通過(guò)在發(fā)光器件100中存在的反射層130和發(fā)光層140產(chǎn)生白光，因此消除了額外的熒光體的需要并且使得在發(fā)光器件封裝工藝中沒(méi)有形成發(fā)光層140并且因此解決了封裝工藝中包括的問(wèn)題。另外，消除了在形成在發(fā)光器件封裝中并且包圍發(fā)光器件100的密封劑中形成熒光體的需要，并且能夠解決與密封劑劣化相關(guān)的問(wèn)題。圖3是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖。參考圖3，根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光器件100可以包括發(fā)光層140，該發(fā)光層140包括圖案結(jié)構(gòu)142。發(fā)光層140可以包括以預(yù)定的距離構(gòu)圖以提供多個(gè)孔的圖案結(jié)構(gòu)142。圖案結(jié)構(gòu) 142可以包括彼此間隔預(yù)定或者任意距離的多個(gè)孔，并且不限于此。發(fā)光層140包括圖案結(jié)構(gòu)142，因此防止發(fā)光結(jié)構(gòu)170與布置在下面的層之間的隔
8離。這增加發(fā)光結(jié)構(gòu)170的電流擴(kuò)散效果。另外，發(fā)光層140包括圖案結(jié)構(gòu)142，從而使得從發(fā)光結(jié)構(gòu)170朝著反射層130行進(jìn)的間接光能夠產(chǎn)生類藍(lán)顏色。此行為是由于下述事實(shí)，當(dāng)間接光從反射層130反射并且到達(dá)外部時(shí)，通過(guò)發(fā)光層140的間接光的比例增加。這意味著能夠取決于形成在發(fā)光層140上的圖案的寬度來(lái)控制從根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件100發(fā)射的光的色溫。藍(lán)光增加色溫，而紅光減少色溫。圖案結(jié)構(gòu)142可以具有0. Ιμπι至Ιμπι的構(gòu)圖距離，并且構(gòu)圖距離可以取決于發(fā)光層140的厚度和制造的容易度而增加或者減少，并且不限于此。圖4是示出根據(jù)第三實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖。參考圖4，根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光器件100可以包括發(fā)光層140，該發(fā)光層140包括多個(gè)層。發(fā)光層140可以包括至少兩個(gè)層，并且不限于此。優(yōu)選地，各層可以包括至少一種類型的熒光體。例如，第一層141包括R熒光體，第二層142包括G熒光體，并且第三層143 包括B熒光體，并且不限于此。發(fā)光層140包括多個(gè)層并且各層包括至少一種類型的熒光體，因此使得存在于發(fā)光層140中的熒光體能夠均勻地分布并且提高發(fā)光器件100的光分布。同時(shí)，第一層141、第二層142以及第三層143具有不同的折射率。第一層141、第二層142以及第三層143具有不同的折射率，從而防止當(dāng)從發(fā)光結(jié)構(gòu)170發(fā)射的間接光經(jīng)過(guò)各層時(shí)可能出現(xiàn)的全內(nèi)反射，并且因此提高發(fā)光器件100的光提取效率。同時(shí)，第一層141、第二層142以及第三層143可以包括粗糙部(未示出)。粗糙部(未示出)可以形成在第一層141、第二層142以及第三層143中的至少一個(gè)上并且不限于此。另外，粗糙部(未示出)的截面可以具有諸如圓柱體、多棱柱體、圓錐體、多棱椎、截圓錐、角錐臺(tái)以及球體的各種形狀，并且不限于此。第一層141、第二層142以及第三層143包括粗糙部(未示出)，因此防止當(dāng)從發(fā)光結(jié)構(gòu)170發(fā)射的間接光經(jīng)過(guò)各層時(shí)可能出現(xiàn)的全內(nèi)反射，并且因此提高發(fā)光器件100的光提取效率。圖5Α和圖5Β是示出根據(jù)第四實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖。參考圖5Α，反射層130可以包括粗糙結(jié)構(gòu)131。粗糙結(jié)構(gòu)131可以是規(guī)則的或者不規(guī)則的圖案，并且可以采取凸透鏡或者凹透鏡的形狀，或者可以具有其它的形狀。粗糙結(jié)構(gòu)131的側(cè)截面可以具有諸如圓柱體、多棱柱體、圓錐體、多棱椎、截圓錐以及角錐臺(tái)的各種形狀，并且不限于此。同時(shí)，參考圖5Β，反射層130可以是包括具有不同折射率的多個(gè)層的分布式布拉格反射鏡(DBR)。反射層130可以包括具有第一折射率的第一層132和具有不同于第一折射率的第二折射率的第二層134。在圖5Β中描述第一和第二層132和134，但是其不限于此。反射層130可以包括具有不同的折射率的多個(gè)層(未示出)。S卩，反射層130具有其中具有不同折射率的層132和134重復(fù)交替地層壓的結(jié)構(gòu)。例如，第一層132可以具有低折射率，并且第二層134可以具有高折射率，但是本發(fā)明不限于此。同時(shí)，假定λ是從有源層172產(chǎn)生的光的波長(zhǎng)，η是介質(zhì)的折射率并且m是奇數(shù)， 反射層130可以具有可以通過(guò)下面所述獲得的層壓結(jié)構(gòu)重復(fù)交替地層壓具有πιλ/如的厚度和低折射率的第一層132以及具有高折射率的第二層134以在特定的波長(zhǎng)區(qū)域(λ)中獲得95%或者更高的光反射率。因此，具有低折射率的第一層132和具有高折射率的第二層134可以具有基準(zhǔn)波長(zhǎng)的λ/4的厚度，并且層132和134可以具有2 A至IOum的厚度。另外，組成反射層130 的層 132 和 134 可以包括 A1203、Si02、Ti02、TiNx、InOx、SiNx 或者T%0y(x，y 常數(shù))，或者包括MxOy(Μ 金屬，0 氧化物，x, y 常數(shù))，但是本發(fā)明不限于此。在示例中，具有低折射率的第一層132可以利用具有1. 4的折射率的SiO2或者具有1. 6的折射率的Al2O3，具有高折射率的第二層134可以利用具有2或者更高的折射率的 TiO2，但是本發(fā)明不限于此。同時(shí)，具有低折射率的第一層132和具有高折射率的第二層134之間的介質(zhì)的折射率增加，以便于提高反射率，并且不限于此。因?yàn)榉瓷鋵?30具有比振蕩波長(zhǎng)的帶隙大的帶隙，所以它不吸收光并且可以實(shí)現(xiàn)
高反射率。圖6A至圖6C是示出根據(jù)第五實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖。參考圖6A至圖6C，根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光器件200可以包括反射層210 ；發(fā)光層 220，該發(fā)光層220布置在反射層210上；支撐構(gòu)件230，該支撐構(gòu)件230布置在發(fā)光層220 上；以及發(fā)光結(jié)構(gòu)對(duì)0，該發(fā)光結(jié)構(gòu)240布置在支撐構(gòu)件230上；發(fā)光結(jié)構(gòu)M0，該發(fā)光結(jié)構(gòu) 240包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層對(duì)2、有源層M4以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層M6。在上面已經(jīng)描述了反射層210和發(fā)光層220并且因此省略其詳細(xì)描述。支撐構(gòu)件230由光透射材料組成并且可以是不同于半導(dǎo)體層的諸如藍(lán)寶石 (Al2O3)的異質(zhì)襯底或者與半導(dǎo)體層相同的諸如GaN的同質(zhì)襯底。另外，支撐構(gòu)件230可以是具有比藍(lán)寶石(Al2O3)襯底高的導(dǎo)熱性的SiC襯底，并且不限于此。盡管未示出，但是緩沖層(未示出)可以布置在支撐構(gòu)件230上，以減少支撐構(gòu)件 230和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層242之間的晶格失配并且有利于半導(dǎo)體層的生長(zhǎng)。緩沖層(未示出)可以具有包括AlN和GaN的AlInN/GaN層壓結(jié)構(gòu)、Inpa^N/GaN 層壓結(jié)構(gòu)或者Al JrvGEtmN/lr^GahN/GaN層壓結(jié)構(gòu)。發(fā)光結(jié)構(gòu)240布置在支撐構(gòu)件230上并且發(fā)光結(jié)構(gòu)240可以包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層M2、有源層M4以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層M6。例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層242可以是η型半導(dǎo)體層并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層246可以是P型半導(dǎo)體層，并且不限于此。同時(shí)，在上面已經(jīng)描述了各η型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層并且因此省略其詳細(xì)描述。第一電極252可以形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層242上，并且第二電極2Μ可以形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層246上。通過(guò)去除有源層244和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層246的一些區(qū)域暴露第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層242的一些區(qū)域，并且第一電極252形成在暴露的區(qū)域中的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層242的上表面上。即，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層242設(shè)置有面向有源層M4的上表面和面向支撐構(gòu)件230的下表面，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層242的上表面包括暴露的區(qū)域，并且第一電極252布置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層M2的上表面的暴露的區(qū)域中。使用特定的蝕刻方法可以執(zhí)行第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層M2的一些區(qū)域的暴露，但是不限于此。作為蝕刻方法，可以使用濕法蝕刻方法或者干法蝕刻方法。第一和第二電極252和2M可以由導(dǎo)電材料制成，例如，由從In、Co、Si、Ge、Au、 Pd、Pt、Ru、Re、Mg、Zn、Hf、Ta、Rh、Ir、W、Ti、Ag、Cr、Mo、Nb、Al、Ni、Cu 以及 WTi，或者其合金中選擇的一個(gè)制成，并且可以形成為單層或者多層結(jié)構(gòu)。然而，第一和第二電極252和邪4 的形成不限于此。同時(shí)，如圖6A中所示，支撐構(gòu)件230可以布置在發(fā)光層220上，或者，如圖6B中所示，支撐構(gòu)件230包圍發(fā)光層220，或者，如圖6C中所示，支撐構(gòu)件230包圍發(fā)光層220和反射層210，并且不限于此。支撐構(gòu)件230包圍發(fā)光層220、反射層210、或者發(fā)光層220，以確保支撐構(gòu)件230、 發(fā)光層220以及反射層210之間可靠的連接。如圖6A和圖6B中所示，根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件200可以是垂直發(fā)光器件、水平發(fā)光器件或者倒裝芯片，并且不限于此。圖7至圖14是示出用于制造根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光器件的一系列工藝的視圖。首先，如圖7中所示，包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的發(fā)光結(jié)構(gòu)320形成在第一支撐構(gòu)件310上，并且電流阻擋層330形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)320上。第一支撐構(gòu)件310可以是藍(lán)寶石襯底，但是不限于此。然后，光透射電極層340形成在包括電流阻擋層330的發(fā)光結(jié)構(gòu)320上。這時(shí)，假定發(fā)光結(jié)構(gòu)320發(fā)射藍(lán)光。然后，如圖8中所示，發(fā)光層350形成在光透射電極層340上。發(fā)光層350具有 1 μ m至2 μ m的厚度。同時(shí)，在發(fā)光層350形成之后，它可以進(jìn)一步進(jìn)行構(gòu)圖工藝。然后，如圖9中所示，反射層360形成在發(fā)光層350上，并且，如圖10中所示，擴(kuò)散勢(shì)壘層370和附著層380順序地形成在其上。然后，如圖11中所示，第二支撐構(gòu)件390附著到附著層380。圖11的工藝是用于在第一支撐構(gòu)件310被去除之前形成子支撐構(gòu)件以替代第一支撐構(gòu)件310的工藝。然后，如圖12中所示，第一支撐構(gòu)件310被去除。去除第一支撐構(gòu)件310的工藝可以是LLO工藝。通過(guò)將具有300nm至400nm的波長(zhǎng)范圍的激光照射到第一支撐構(gòu)件310 和發(fā)光結(jié)構(gòu)320之間的邊界，并且使第一支撐構(gòu)件310與發(fā)光結(jié)構(gòu)320分離來(lái)執(zhí)行LLO工藝。當(dāng)通過(guò)圖12中所示的LLO工藝去除第一支撐構(gòu)件310時(shí)，第二支撐構(gòu)件390可以替代第一支撐構(gòu)件310，如圖13中所示。同時(shí)，為了保護(hù)發(fā)光結(jié)構(gòu)320的暴露的區(qū)域，通過(guò)鈍化工藝在發(fā)光結(jié)構(gòu)的兩側(cè)處形成鈍化層395。最后，光提取結(jié)構(gòu)3 形成在圖14中所示的發(fā)光結(jié)構(gòu)320上，并且電極322形成在其上。同時(shí)，如圖2中所示，光提取結(jié)構(gòu)3M可以形成在設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)320的表面上的第二光透射電極層(未示出)上，但是其不限于此。圖15A至圖15C是示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的透視圖和截面圖。參考圖15A至圖15C，發(fā)光器件封裝500包括主體510，該主體510包括腔體520 ；第一和第二引線框架540和550，該第一和第二引線框架540和550安裝在主體510上；發(fā)光器件530，該發(fā)光器件530電連接到第一和第二引線框架540和550 ；以及密封劑(未示出)，該密封劑填充腔體520以覆蓋發(fā)光器件530。主體510可以由從諸如聚鄰苯二甲酰胺(PPA)的樹(shù)脂材料、硅(Si)、鋁(Al)、氮化鋁(AlN)、光敏玻璃(PSG)、聚酰胺9T(PA9T)、間規(guī)聚笨乙烯(SPS)、金屬材料、藍(lán)寶石 (Al2O3)、氧化鈹(BeO)以及印制電路板(PCB)中選擇的至少一個(gè)構(gòu)成?？梢酝ㄟ^(guò)諸如注入成型和蝕刻的工藝形成主體510，并且不限于此。主體510的內(nèi)表面可以包括傾斜表面。從發(fā)光器件530發(fā)射的光的反射角可以取決于傾斜表面的角度而變化。因此，能夠控制放出到外部的光的取向角。隨著光的取向角減少，從發(fā)光器件530發(fā)射到外部的光的會(huì)聚性增加。另一方面， 隨著光的取向角增加，從發(fā)光器件530到外部的光的會(huì)聚性減少。同時(shí)，從頂部看時(shí)，設(shè)置在主體510中的腔體520可以具有包括圓形、矩形、多邊形、橢圓形以及具有曲線角的形狀的各種形狀，但是本發(fā)明不限于此。可以以倒裝芯片的方式，將發(fā)光器件530電連接到第一和第二引線框架540和 550。同時(shí)，根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光器件530包括反射層(未示出)以提高發(fā)光效率。腔體520被填充有密封劑(未示出)使得密封劑覆蓋發(fā)光器件530。密封劑(未示出)可以由硅、環(huán)氧樹(shù)脂或者其它樹(shù)脂材料構(gòu)成，并且可以通過(guò)使用密封劑材料填充腔體520，隨后通過(guò)UV或者熱固化來(lái)形成。另外，密封劑(未示出)可以包括熒光體，并且取決于從發(fā)光器件530發(fā)射的光的波長(zhǎng)來(lái)選擇熒光體以允許發(fā)光器件封裝呈現(xiàn)白光。同時(shí)，因?yàn)楦鶕?jù)一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光器件530包括發(fā)光層(未示出)和反射層(未示出)，因此熒光體沒(méi)有存在于密封劑(未示出)中并且因此防止了在發(fā)光器件封裝工藝中產(chǎn)生的問(wèn)題。第一和第二引線框架540和550可以包括從鈦(Ti)、銅(Cu)、鎳(Ni)、金(Au)、鉻 (Cr)、鉭(Ta)、鉬(Pt)、錫(Sn)、銀(Ag)、磷(P)、鋁(Al)、銦(In)、鈀(Pd)、鈷(Co)、硅(Si)、 鍺(Ge)、鉿(Hf)、釕(Ru)、鐵(Fe)以及其合金中選擇的金屬材料。另外，第一和第二引線框架540和550可以具有單層或者多層結(jié)構(gòu)，但是不限于此。第一和第二引線框架540和550相互隔開(kāi)并且電分離。發(fā)光器件530安裝在第一和第二引線框架540和550上，并且第一和第二引線框架540和550直接地接觸發(fā)光器件 530，或者通過(guò)諸如焊料構(gòu)件(未示出)的導(dǎo)電材料電連接至發(fā)光器件530。另外，發(fā)光器件 530可以通過(guò)引線結(jié)合電連接到第一和第二引線框架540和550，但是本發(fā)明不限于此。因此，當(dāng)電源連接到第一和第二引線框架540和550時(shí)，電力可以被提供給發(fā)光器件530。同時(shí)，多個(gè)引線框架(未示出)可以安裝在主體510中并且各引線框架(未示出)電連接到發(fā)光器件530，但是本發(fā)明不限于此。同時(shí)，參考圖15C，根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝500可以包括光學(xué)片580并且光學(xué)片580可以包括基底582和棱鏡圖案584。基底582是形成棱鏡圖案584的支撐件，其由表現(xiàn)優(yōu)異的熱穩(wěn)定性的透明材料構(gòu)成。例如，可以從由聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚丙烯、聚乙烯、聚苯乙烯以及環(huán)氧丙浣組成的組中選擇這樣的透明材料，但是不限于此。另外，基底582可以包括熒光體(未示出)。例如，通過(guò)在組成基底582的材料中各向同性地分散熒光體(未示出)，然后進(jìn)行固化可以形成基底582。當(dāng)根據(jù)此方法形成基底582時(shí)，熒光體(未示出)能夠各向同性地分散在基底582中。同時(shí)，折射和集中光的棱鏡圖案584可以布置在基底582上。用于棱鏡圖案584 的材料可以是丙烯酸樹(shù)脂，并且不限于此。棱鏡圖案584包括沿一個(gè)方向布置在基底582的一個(gè)表面上的多個(gè)線性棱鏡，從而線性棱鏡相互平行并且沿著軸向方向截取的線性棱鏡的截面可以采取三角形的形狀。棱鏡圖案584能夠集中光。為此，當(dāng)光學(xué)片580附著到圖5的發(fā)光器件封裝500 時(shí)，能夠提高光的直線性并且因此能夠增強(qiáng)發(fā)光器件封裝500的亮度。同時(shí)，棱鏡圖案584可以包括熒光體(未示出)。通過(guò)在分散的狀態(tài)下將熒光體與形成棱鏡圖案584的丙烯酸樹(shù)脂混合以產(chǎn)生糊或者漿并且然后形成棱鏡圖案584，可以使得熒光體(未示出)均勻地存在于棱鏡圖案584 中。在熒光體(未示出)存在于棱鏡圖案584中的情況下，提高了發(fā)光器件封裝500 的光均勻性和分布級(jí)別，并且因此由于通過(guò)熒光體(未示出)的光的分散效果和通過(guò)棱鏡圖案584的光的集中效果使得能夠改進(jìn)發(fā)光器件封裝500的取向角。多個(gè)根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝500布置在基板上，并且諸如導(dǎo)光板、棱鏡片以及擴(kuò)散片的光學(xué)構(gòu)件可以布置在發(fā)光器件封裝500的光通路上。發(fā)光器件封裝、基板以及光學(xué)構(gòu)件可以用作照明單元。在另一實(shí)施例中，可以實(shí)現(xiàn)包括在前述實(shí)施例中已經(jīng)公開(kāi)的發(fā)光器件或者發(fā)光器件封裝的顯示裝置、指示裝置以及照明裝置。例如，照明裝置可以包括燈、街燈等。圖16A是示出包括根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的照明裝置的透視圖。圖16B 是示出沿著圖16A的照明裝置的線C-C’截取的截面的截面圖。參考圖16A和圖16B，照明裝置600可以包括主體610、連接到主體610的蓋630 以及布置在主體610的兩端處的端帽650。發(fā)光器件模塊640連接到主體610的底部，并且主體610可以由表現(xiàn)優(yōu)異的導(dǎo)電性和散熱效果的金屬材料構(gòu)成，以將從發(fā)光器件封裝644產(chǎn)生的熱通過(guò)主體610的頂部放出到外部。根據(jù)需要，發(fā)光器件封裝644以多種顏色和多行安裝在PCB 642上以組成陣列，并且可以相互隔開(kāi)預(yù)定的距離或者不同的距離，以控制亮度。PCB 642可以是金屬芯 PCB (MPPCB)或者由FR4制成的PCB。特別地，每個(gè)發(fā)光器件封裝644包括發(fā)光器件(未示出)，并且發(fā)光器件(未示出) 包括反射層(未示出)以提高光提取效率并且因此提高發(fā)光器件封裝644和照明裝置的發(fā)光效率。發(fā)光器件封裝644包括擴(kuò)展的引線框架(未示出)以改進(jìn)熱輻射并且因此增強(qiáng)發(fā)光器件封裝644的可靠性和效率，并且延長(zhǎng)包括發(fā)光器件封裝644的照明裝置600和發(fā)光器件封裝644的壽命。蓋630可以采用圓形的形狀以包圍主體610的底部，并且不限于此。
蓋630針對(duì)異物保護(hù)發(fā)光器件模塊640。另外，蓋630防止從發(fā)光器件封裝644 產(chǎn)生的眩光，并且包括擴(kuò)散顆粒以將光均勻地放出到外部。另外，棱鏡圖案等可以形成在蓋 630的內(nèi)表面和外表面中的至少一個(gè)上。替代地，熒光體可以應(yīng)用于蓋630的內(nèi)表面和外表面中的至少一個(gè)上。同時(shí)，蓋630應(yīng)具有優(yōu)秀的光透射率，從而能夠?qū)陌l(fā)光器件封裝644產(chǎn)生的光通過(guò)蓋630放出到外部，并且蓋630應(yīng)具有足夠的耐熱性，從而能夠耐受從發(fā)光器件封裝644 發(fā)出的熱。優(yōu)選地，蓋630由包括聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)或者聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等的材料構(gòu)成。端帽650布置在主體610的兩端，并且可以用于密封電源裝置(未示出)。另外， 端帽650可以包括電源插腳652，允許照明裝置600在沒(méi)有使用任何額外的裝置的情況下被應(yīng)用于從其已經(jīng)去除熒光燈的常規(guī)端子。圖17是示出包括根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光器件的液晶顯示器的分解透視圖。圖17示出邊緣光型液晶顯示裝置700，該邊緣光型液晶顯示裝置700包括液晶顯示面板710和將光提供到液晶顯示面板710的背光單元770。液晶顯示面板710使用從背光單元770提供的光來(lái)顯示圖像。液晶顯示面板710 包括濾色器基板712和薄膜晶體管基板714，所述濾色器基板712和薄膜晶體管基板714彼此面對(duì)從而液晶插入其間。濾色器基板712能夠?qū)崿F(xiàn)要通過(guò)液晶顯示面板710顯示的圖像的顏色。薄膜晶體管基板714通過(guò)驅(qū)動(dòng)膜717電連接到其上安裝多個(gè)電路組件的印刷電路板718。薄膜晶體管基板714響應(yīng)于從印刷電路板718提供的驅(qū)動(dòng)信號(hào)并且可以將來(lái)自于印刷電路板718的驅(qū)動(dòng)電壓施加給液晶。薄膜晶體管基板714包括在由諸如玻璃或者塑料的透明材料構(gòu)成的其它基板上形成為薄膜的像素電極和薄膜晶體管。背光單元770包括發(fā)光器件模塊720 ；導(dǎo)光板730，該導(dǎo)光板730將從發(fā)光器件模塊720發(fā)射的光轉(zhuǎn)換為表面光源并且將光提供到液晶顯示面板710 ；多個(gè)膜750、766以及 764，其使來(lái)自于導(dǎo)光板730的光的亮度均勻化并且因此改進(jìn)垂直入射；以及反射片747，該反射片747將發(fā)射到導(dǎo)光板730的背面的光反射到導(dǎo)光板730。發(fā)光器件模塊720包括多個(gè)發(fā)光器件封裝7M和在其上安裝發(fā)光器件封裝724以形成陣列的PCB 722。特別地，發(fā)光器件封裝7M包括發(fā)光器件(未示出)，并且發(fā)光器件(未示出)包括反射層(未示出)以提高光提取效率，并且從而提高背光單元770和發(fā)光器件封裝7M 的發(fā)光效率。同時(shí)，背光單元770包括擴(kuò)散膜766，該擴(kuò)散膜766朝著液晶顯示面板710擴(kuò)散從導(dǎo)光板730入射的光；棱鏡膜750，該棱鏡膜750集中擴(kuò)散的光并且因此改進(jìn)垂直入射；以及保護(hù)膜764，該保護(hù)膜764保護(hù)棱鏡膜750。圖18是示出包括根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光器件的液晶顯示器的分解透視圖。沒(méi)有詳細(xì)地描述在圖17中示出并且描述的內(nèi)容。圖18示出直接型液晶顯示裝置800，該直接型液晶顯示裝置800包括液晶顯示面板810和將光提供到液晶顯示面板810的背光單元870。
已經(jīng)在圖17中描述了液晶顯示面板810并且省略其詳細(xì)的解釋。背光單元870包括多個(gè)發(fā)光器件模塊823 ；反射片824 ；下底座830，其中容納發(fā)光器件模塊823和反射片824 ；擴(kuò)散板840，該擴(kuò)散板840布置在發(fā)光器件模塊823上；以及多個(gè)光學(xué)膜860。每個(gè)發(fā)光器件模塊823包括多個(gè)發(fā)光器件封裝822和其上安裝發(fā)光器件封裝822 以形成陣列的PCB 821。特別地，發(fā)光器件封裝822包括發(fā)光器件(未示出)，并且發(fā)光器件(未示出)包括反射層以提高光提取效率，并且從而提高背光單元870和發(fā)光器件封裝822的發(fā)光效率。反射片擬4朝著液晶顯示面板810反射從發(fā)光器件封裝822產(chǎn)生的光以提高發(fā)光效率。同時(shí)，從發(fā)光器件模塊823發(fā)射的光入射到擴(kuò)散板840上，并且光學(xué)膜860布置在擴(kuò)散板840上。光學(xué)膜860包括擴(kuò)散膜866、棱鏡膜850以及保護(hù)膜864。盡管為示例性目的已經(jīng)公開(kāi)本發(fā)明的實(shí)施例，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會(huì)理解的是，在不脫離如隨附的權(quán)利要求中公開(kāi)的本發(fā)明的范圍和精神的情況下，各種修改、添加以及替代是可能的。例如，可以修改在實(shí)施例中詳細(xì)地描述的各要素。此外，將會(huì)理解的是， 在隨附的權(quán)利要求中定義的本發(fā)明的范圍覆蓋與這些修改、添加和替代有關(guān)的不同之處。
1權(quán)利要求
1.一種發(fā)光器件，包括反射層；在所述反射層上的發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；以及發(fā)光層，所述發(fā)光層插入在所述反射層和光透射電極層之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述發(fā)光層包括黃熒光體、YAG、TAG、硫化物、硅酸鹽、鋁酸鹽、氮化物、碳化物、氮硅酸鹽、硼酸鹽、氟化物和磷酸鹽熒光體、以及R、G及B三色熒光體中的至少一個(gè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述發(fā)光層具有0.5 μ m至4 μ m的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述發(fā)光層具有1μ m至2 μ m的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述發(fā)光層包括圖案結(jié)構(gòu)，其中所述圖案結(jié)構(gòu)包括圖案單元，所述圖案單元相互隔開(kāi)0. 1 μ m至1 μ m的預(yù)定距離。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述發(fā)光層包括包含R熒光體的第一層、包含G熒光體的第二層、以及包含B熒光體的第三層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述反射層包括具有第一折射率的第一層；和具有第二折射率的第二層，其中所述第二折射率不同于所述第一折射率。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，進(jìn)一步包括電流阻擋層，其中所述電流阻擋層插入在所述光透射電極層和所述發(fā)光結(jié)構(gòu)之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，其中所述電流阻擋層包括二氧化硅(SiO2)或者氧化鋁 (Al2O3)中的至少一個(gè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，進(jìn)一步包括支撐構(gòu)件；和光透射電極層，其中所述支撐構(gòu)件在所述反射層下或者上面，并且所述光透射電極層插入在所述發(fā)光層和所述發(fā)光結(jié)構(gòu)之間。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種發(fā)光器件，該發(fā)光器件包括反射層；在反射層上的發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；以及發(fā)光層，該發(fā)光層插入在反射層和光透射電極層之間。因此，在芯片形成工藝中形成發(fā)光層以最小化由環(huán)氧樹(shù)脂組成的熒光體的非均勻施加并且簡(jiǎn)化發(fā)光器件的制造。
文檔編號(hào)H01L33/14GK102255017SQ20111013649
公開(kāi)日2011年11月23日 申請(qǐng)日期2011年5月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月20日
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