專利名稱：AlGaN極化紫外光電探測器及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于微電子技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種AlGaN紫外光電探測器，可用于2 363nm紫外波段的光信號探測。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體光電探測器是一種通過接收光波輻照使得半導(dǎo)體材料的電學(xué)特性發(fā)生改變，從而實現(xiàn)對目標(biāo)進(jìn)行探測和分辨的探測器。改變所使用半導(dǎo)體的材料和結(jié)構(gòu)參數(shù)可以調(diào)整響應(yīng)波長的范圍。響應(yīng)波長在紫外波段的稱為半導(dǎo)體紫外光電探測器。隨著微電子集成電路技術(shù)在航空航天方面的大量使用，原來的氣相、液相紫外探測器逐步被這種固態(tài)探測器所取代。歐洲太空局ESA的Solar Obiter計劃準(zhǔn)備在2015年實現(xiàn)，將會大量使用響應(yīng)波長在紫外波段的光電探測器；美國國防高級研究計劃局DAR-PA和國家航空和宇宙航行局NASA也不遺余力的投入巨大的財力推進(jìn)紫外焦平面陣列FPA探測器的研制。而他們都將目標(biāo)鎖定在對III族氮化物材料-AWaN的研發(fā)。AKiaN是一種從GaN到AlN的過渡材料，通過改變Al組分X，其禁帶寬度可以連續(xù)的從3. 42eV變化到6. 2eV,體材料吸收波長可以在363 200nm之間連續(xù)可調(diào)。伴隨著 III族氮化物薄膜生長技術(shù)的成熟，這種材料成為紫外區(qū)光電探測的首選材料。另外，AKiaN 是一種極化材料。由于內(nèi)部分子結(jié)構(gòu)的不對稱，正負(fù)電荷中心不重合，在沒有外加激勵的情況下就有一個電場存在，即自發(fā)極化效應(yīng)；在施加外加的應(yīng)力時，正負(fù)電荷中心的分離進(jìn)一步加劇，又會產(chǎn)生壓電極化效應(yīng)，這兩種極化效應(yīng)會在材料中產(chǎn)生很強(qiáng)的自建電場，參見 Polarization-induced charge and electron mobility in AlGaN/GaN heterostructures grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy. J. Appl. Phys 86，4520 (1999) 0 材料固有的這種極化特性可以為器件的設(shè)計提供額外的選擇條件。光信號被半導(dǎo)體材料吸收產(chǎn)生帶正電的空穴和帶負(fù)電的電子，這兩種載流子向不同的方向運動才可以在兩端產(chǎn)生可以被檢測到的電信號，實現(xiàn)這種電荷的分離需要一個電場，除了外加電場，材料內(nèi)部可以通過PN結(jié)自建電場和肖特基結(jié)實現(xiàn)。目前，基于AKiaN材料的光電探測器也正是采用這兩種結(jié)構(gòu)。1999年美國Nitronex公司研制成功AWaNP-I-N型背照射32X32列陣平面探測器數(shù)字照相機(jī)，響應(yīng)波段為320 365nm， 參見 Visible-Blind UV Digital Camera based on a 32X32 array of GaN/AlGaN p-i-n Photodiodes[Z], MRS Internet. J. Nitride Semicond. Res,1999,4:9。2006 年 M B Reine等人報道了 AKkiN 256X256 p_i_n紫外探測器和基于此結(jié)構(gòu)的焦平面陣列，參見 Solar-blind AlGaN256X256 p-i-n detectors and focal plane arrays. Proc. of SPIE Vol.6119 611901-1。肖特基結(jié)型探測器也于1998年被A Osinsky等人報道，參見khottky barriers photodetectors based on AlGaN. Appl. Phys. Lett 71 742(1998)。AWaN高濃度的P型摻雜一直是困擾國內(nèi)外科學(xué)家的難題。1989年Amano等人使用低能電子束輻照激活GaN材料中的Mg原子，這是此類材料P型摻雜的重大突破，即便如此也只能獲得表面一層低阻的P型材料，參見P-Type Conduction in Mg-Doped GaNTreated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI). Jpn. J. Appl. Phys. 28 L2112。由于目前AlGaN材料薄膜質(zhì)量的制約，AKiaN材料在與表面淀積金屬形成肖特基結(jié)時表面存在大量的缺陷，使得有源區(qū)減薄，遂穿機(jī)制明顯，暗電流很大，嚴(yán)重制約了此類結(jié)構(gòu)探測性能的提高，參見AlGaN Schottky Diodes for Detector Applications in the UV Wavelength Range. IEEE Trans. Electron Devices 56,2833(2009)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述已有技術(shù)的不足，提出一種AKiaN極化紫外光電探測器及其制作方法，以避免使用難以生長的P型摻雜材料，同時降低器件暗電流的影響，提高器件性能。實現(xiàn)本發(fā)明的目的的技術(shù)關(guān)鍵是依靠AlGaN材料自身的極化效應(yīng)替代PN結(jié)自建電場實現(xiàn)光生載流子的分離并依靠背部勢壘抑制背景暗電流。本發(fā)明的AlGaN極化紫外光電探測器，自下而上包括襯底，過渡層和GaN緩沖層， 其特征在于GaN緩沖層的上面外延有鋁組分漸變AlGaN層；鋁組分漸變AlGaN層左上方被有源區(qū)所覆蓋，未覆蓋部分淀積有底部歐姆接觸，該歐姆接觸與有源區(qū)之間設(shè)有間隙；有源區(qū)之上淀積有表面歐姆接觸電極。所述的鋁組分漸變AlGaN層分為上、下兩層，下層厚度為20 30nm，鋁組分從0% 增加到80% 100% ；上層厚度為10 20nm，鋁組分恒定，底部歐姆接觸電極制作在這一層上。所述的有源區(qū)由MGaN材料構(gòu)成，鋁組分為0% 80%，厚度限制在50 lOOnm， 以保證光輻照被充分吸收，避免出現(xiàn)應(yīng)力積累過大而導(dǎo)致的材料皴裂。本發(fā)明制作AWaN極化紫外光電探測器的方法，包括如下步驟(1)在藍(lán)寶石或碳化硅或硅或其它外延襯底材料的襯底上，外延過渡層；(2)在過渡層上淀積寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料的GaN緩沖層；(3)在GaN緩沖層上制作鋁組分漸變AWaN層首先，生長一層厚度為20 30nm的鋁組分漸變的AKiaN，鋁組分從0%增加到 80% 100% ；然后，生長厚度為10 20nm的鋁組分恒定的AlGaN ；(4)在鋁組分漸變AlGaN層上，生長鋁組分為0% 80%、厚度為50 IOOnm的有源區(qū)(5)；(5)在有源區(qū)上制作光刻膠掩膜，并通過光刻版圖進(jìn)行光刻，洗膠后在相應(yīng)位置出現(xiàn)的有源層AWaN層表面，使用離子刻蝕刻槽，其深度到達(dá)鋁組分漸變AlGaN層的表面；(6) 一次掩膜光刻同時制備表面歐姆接觸電極和底部歐姆接觸電極。本發(fā)明具有如下優(yōu)點1.本發(fā)明由于在GaN緩沖層上外延有的鋁組分漸變的AKiaN層，這一層與GaN緩沖層形成背部AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)勢壘，能夠自動屏蔽GaN緩沖層電信號的干擾，從而減小暗電流。2.本發(fā)明在鋁組分漸變MGaN層上外延生長由AWaN材料構(gòu)成的有源區(qū)，由于該有源區(qū)的內(nèi)部存在由自發(fā)極化和壓電極化產(chǎn)生的極化電場，如圖2所示，因此可利用此極化電場實現(xiàn)光生電子和空穴的分離，無需使用難以制備的P型摻雜材料；同時由有源區(qū)內(nèi)部存在的極化電場強(qiáng)度比普通PN結(jié)自建電場高兩個數(shù)量級，達(dá)到MV/cm，故內(nèi)部載流子遷移速率快，提高了器件的高頻特性；此外由于有源區(qū)AKiaN內(nèi)部存的極化電場存在于整個有源區(qū)，使器件自動工作在光伏模式，無需直流偏置即有端電壓。以下結(jié)合附圖和實施例進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容和效果


圖1是本發(fā)明的器件結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明的器件中GaN緩沖層、鋁組分漸變AlGaN層和有源區(qū)的能帶示意圖；圖3是本發(fā)明器件的制作流程圖。
具體實施例方式參照圖1，本發(fā)明AWaN極化紫外光電探測器自下而上包括襯底1、過渡層2和 GaN緩沖層3、鋁組分漸變AlGaN層4和有源區(qū)5，其中鋁組分漸變AlGaN層4分為上、下兩層，下層厚度為20 30nm，鋁組分從0%增加到80% 100%，上層厚度為10 20nm，鋁組分恒定，鋁組分漸變AlGaN層4和其下的GaN緩沖層3 —起形成一個背部勢壘，起到屏蔽 GaN緩沖層電信號干擾的作用；有源區(qū)5的厚度限制在50 IOOnm范圍內(nèi)，鋁組分為0% 80 %，覆蓋在鋁組分漸變AlGaN層4的左上方，鋁組分漸變AlGaN層4的右上方未覆蓋部分制作底部歐姆接觸電極7，該歐姆接觸7與有源區(qū)5之間留有間隙8，以保證電學(xué)隔離，該有源區(qū)5中存在的極化電場使得光生的電子和空穴向相反方向漂移，如圖2所示。從圖2的能帶結(jié)構(gòu)可見，光子被有源區(qū)5吸收以后，將價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶中，產(chǎn)生電子-空穴對，極化電場使這兩種載流子向不同的方向漂移。在有源區(qū)5的表面淀積有表面歐姆接觸電極6。參照圖3，本發(fā)明AWaN極化紫外光電探測器的制作給出如下三種實施例實施例1 步驟1，在襯底1上外延生長過渡層2，如圖3a。使用金屬有機(jī)物化學(xué)氣象淀積技術(shù)，在藍(lán)寶石襯底1上生長厚度為IOnm的AlN 過渡層2，以用來釋放晶格不匹配造成的應(yīng)力，其生長的工藝條件溫度為990°C，壓力為 122Torr，氫氣流量為4400sccm，氨氣流量為4400sccm，鋁源流量為6 μ mol/min。步驟2，在過渡層2上淀積GaN緩沖層3，如圖北。使用金屬有機(jī)物化學(xué)氣象淀積技術(shù)，在過渡層2之上生長厚度為2 μ m的GaN緩沖層3，要求GaN表面平整，沒有晶格失配導(dǎo)致的應(yīng)力積累現(xiàn)象，其工藝條件為溫度為990°C， 壓力為122Torr，氫氣流量為4400sccm，氨氣流量為4400sccm，鎵源流量為120 μ mol/min。步驟3，在GaN緩沖層3上制作鋁組分漸變AlGaN層4，如圖3c。使用金屬有機(jī)物化學(xué)氣象淀積技術(shù)，在GaN緩沖層3上先淀積20nm鋁組分漸變 AlGaN,其鋁組分從0%增加為80%，工藝條件為溫度1070°C，壓力為122Torr，氫氣流量為 4400sccm,氨氣流量為4400sccm，鎵源流量為120 μ mol/min,鋁源流量為從0 μ mol/min增長為6 μ mol/min ；然后保持80%的鋁組分不變，生長厚度為IOnm的AWaN層，生長過程中鋁源流量保持6 μ mol/min。步驟4，在鋁組分漸變AKkiN層4上生長有源區(qū)5，如圖3d。
在組分漸變AlGaN層4上生長厚度為50nm、鋁組分為0%的AlGaN有源區(qū)5，工藝條件為溫度1070°C，壓力位122Torr，氫氣流量為4400sCCm，氨氣流量為4400sCCm，鎵源流量為 120 μ mol/min,鋁源流量為 0 μ mol/min。步驟5，在有源區(qū)5上刻槽，如圖!Be。在有源區(qū)5上制作掩膜，使用等離子技術(shù)刻蝕出凹槽，該凹槽深度到達(dá)鋁組分漸變AKiaN層4，刻蝕凹槽采用的工藝條件為反應(yīng)氣體Cl2的流量為kccm，壓力為IOmTJj 率為100W。步驟6，制作表面歐姆接觸電極6和底部歐姆接觸電極7。如圖3f。再次制作光刻掩膜，使用電子束蒸發(fā)技術(shù)淀積金屬制作技術(shù)在有源區(qū)5的表面制作歐姆接觸電極6，在步驟5所刻蝕出的鋁組分漸變AlGaN層4的表面制作底部歐姆接觸電極7，通過光刻版的設(shè)計要保證底部歐姆接觸電極7和有源區(qū)5之間留有間隙，以實現(xiàn)電學(xué)隔離。淀積所使用的金屬為Ti/Al/Ni/Au組合，其中Ti的厚度為0. 01 μ m, Al的厚度為 0. 03 μ m, Ni的厚度為0. 02 μ m, Au的厚度為0. 06 μ m ；淀積金屬采用的工藝條件為真空度小于1. 8X10_3Pa，功率為1000W，蒸發(fā)速率小于3 A/s;快速熱退火的溫度為850°C，時間為 35s。實施例2 步驟1，在襯底1上外延生長過渡層2，如圖3a。使用金屬有機(jī)物化學(xué)氣象淀積技術(shù)在碳化硅襯底1上生長由厚度為5nm的AlN構(gòu)成的緩沖層2以釋放晶格不匹配造成的應(yīng)力，工藝條件溫度為990°C，壓力為122ΤΟΠ·，氫氣流量為4400sccm，氨氣流量為4400sccm，鋁源流量為6 μ mol/min ；步驟2，在過渡層2上淀積GaN緩沖層3，如圖北。本步驟與實施例一的步驟2相同。步驟3，在勢壘層3上制作鋁組分漸變MGaN層4，如圖3c。使用金屬有機(jī)物化學(xué)氣象淀積技術(shù)，在GaN緩沖層3上先淀積25nm鋁組分漸變 AlGaN,其鋁組分從0%增加為90%，工藝條件為溫度1070°C，壓力為122Torr，氫氣流量為 4400sccm,氨氣流量為4400sccm，鎵源流量為120 μ mol/min,鋁源流量為從0 μ mol/min增長為6. 5 μ mol/min ；然后保持90%的鋁組分不變，生長厚度為15nm的AWaN層，生長過程中鋁源流量保持6. 5 μ mol/min。步驟4，在鋁組分漸變AKkiN層4上生長有源區(qū)5，如圖3d。在組分漸變AlGaN層4上生長厚度為70nm、鋁組分為40%的AlGaN有源區(qū)5，工藝條件為溫度1070°C，壓力位122Torr，氫氣流量為4400sCCm，氨氣流量為4400sCCm，鎵源流量為 120 μ mol/min,鋁源流量為 4 μ mol/min。步驟5，在有源區(qū)5上刻槽，如圖!Be。本步驟與實施例一的步驟5相同。步驟6，制作表面歐姆接觸電極6和底部歐姆接觸電極7。如圖3f。再次制作光刻掩膜，使用電子束蒸發(fā)技術(shù)淀積金屬制作技術(shù)在有源區(qū)5的表面制作歐姆接觸電極6，在步驟5所刻蝕出的鋁組分漸變MGaN層4的表面制作底部歐姆接觸電極7，通過光刻版的設(shè)計要保證底部歐姆接觸電極7和有源區(qū)5之間留有間隙以實現(xiàn)電學(xué)隔離。淀積所使用的金屬為Ti/Al/Ti/Au組合，表面層Ti的厚度為0.02μπι，Al的厚度為0. 1 μ m ；中間層Ti的厚度為0. 05 μ m, Au的厚度為0. 1 μ m。淀積金屬采用的工藝條件為 真空度小于1. 8 X 10 ,功率為1000W，蒸發(fā)速率小于3 A/s;快速熱退火采用的工藝條件為 溫度為850°C，時間為35s。實施例3 步驟1，在襯底1上外延生長過渡層2，如圖3a。使用金屬有機(jī)物化學(xué)氣象淀積技術(shù)，先在硅襯底1上生長5nm厚AlN層，其工藝條件為溫度為1040°C，壓力為lOOTorr，氫氣流量為4400SCCm，氨氣流量為4400SCCm，鋁源流量為6 μ mol/min ；接著生長15個周期的AWaN/GaN超晶格，GaN勢阱的厚度為5nm，AlGaN 勢壘層的鋁組分為20%，厚度同樣為5nm，。工藝條件溫度為1040°C，壓力為lOOTorr，氫氣流量為4400sccm，氨氣流量為4400sccm，鎵源流量為120 μ mol/min,生長AlGaN時鋁源的流量為 1. 2 μ mol/min,步驟2，在過渡層2上淀積GaN緩沖層3，如圖北。與實施例一的步驟2相同。步驟3，在勢壘層3上制作鋁組分漸變AWaN層4，如圖3c。使用金屬有機(jī)物化學(xué)氣象淀積技術(shù)，在GaN緩沖層3上先淀積30nm鋁組分漸變 AlGaN，其鋁組分從0%增加為100%，工藝條件為溫度1070°C，壓力為122Torr，氫氣流量為4400sccm，氨氣流量為4400sccm，鎵源流量為120 μ mol/min,鋁源流量為從0 μ mol/min 增長為7 μ mol/min ；然后保持100%的鋁組分不變，生長厚度為20nm的AlGaN層，生長過程中鋁源流量保持7 μ mol/min。步驟4，在鋁組分漸變AKkiN層4上生長有源區(qū)5，如圖3d。在組分漸變AlGaN層4上生長厚度為lOOnm、鋁組分為80%的AlGaN有源區(qū)5，工藝條件為溫度1070°C，壓力位122Torr，氫氣流量為4400sCCm，氨氣流量為4400sCCm，鎵源流量為120 μ mol/min,鋁源流量為6 μ mol/min。步驟5，在有源區(qū)5上刻槽，如圖!Be。本步驟與實施例一的步驟5相同。步驟6，制作表面歐姆接觸電極6和底部歐姆接觸電極7。如圖3f。再次制作光刻掩膜，使用電子束蒸發(fā)技術(shù)淀積金屬制作技術(shù)在有源區(qū)5的表面制作歐姆接觸電極6，在步驟5所刻蝕出的鋁組分漸變AlGaN層4的表面制作底部歐姆接觸電極7，通過光刻版的設(shè)計要保證底部歐姆接觸電極7和有源區(qū)5之間留有間隙以實現(xiàn)電學(xué)隔離。淀積所使用的金屬為Ti/Al/Mo/Au組合，Ti的厚度為0. 03 μ m, Al的厚度為0. 16 μ m ； 中間層Ti的厚度為0. 11 μ m，Au的厚度為0. 15 μ m。淀積金屬采用的工藝條件為真空度小于1.8X10_3Pa，功率為1000W，蒸發(fā)速率小于3 A/s;快速熱退火采用的工藝條件為溫度為850°C，時間為35s。對于本研究領(lǐng)域的專業(yè)人員，在了解了本發(fā)明的內(nèi)容和原理后，能夠在不違背本發(fā)明的原理和范圍的情況下，根據(jù)本發(fā)明的方法進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種修正和改變，但是這些基于本發(fā)明的修正和改變?nèi)栽诒景l(fā)明的權(quán)利要求保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種AKiaN極化紫外光電探測器，自下而上包括襯底(1)，過渡層⑵和GaN緩沖層(3)，其特征在于GaN緩沖層(3)的上面外延有鋁組分漸變AKiaN層；鋁組分漸變 AlGaN層的左上方被有源區(qū)( 所覆蓋，未覆蓋部分淀積有底部歐姆接觸(7)，該歐姆接觸(7)與有源區(qū)(5)之間設(shè)有間隙⑶；有源區(qū)(5)之上淀積有表面歐姆接觸電極(6)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AlGaN極化紫外光電探測器，其特征在于鋁組分漸變AlGaN 層(4)分為上、下兩層，下層厚度為20 30nm，鋁組分從0%增加到80% 100% ；上層厚度為10 20nm，鋁組分恒定，底部歐姆接觸電極(7)制作在這一層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AKiaN極化紫外光電探測器，其特征在于有源區(qū)(5)由鋁組分為0% 80%的AlGaN材料構(gòu)成，厚度限制在50 lOOnm，以保證光輻照被充分吸收同時避免出現(xiàn)應(yīng)力積累過大而導(dǎo)致的材料皴裂。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AKiaN極化紫外光電探測器，其特征在于襯底(1)采用藍(lán)寶石或碳化硅或硅其它外延襯底材料。
5.一種制作MGaN極化紫外光電探測器的方法，包括如下步驟(1)在藍(lán)寶石或碳化硅或硅或其它外延襯底材料的襯底(1)上，外延過渡層O)；(2)在過渡層( 上淀積寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料的GaN緩沖層(3)；(3)在GaN緩沖層(3)上制作鋁組分漸變AlGaN層(4)首先，生長一層厚度為20 30nm的鋁組分漸變的AWaN，鋁組分從0%增加到80% 100% ；然后，生長厚度為10 20nm的鋁組分恒定的AWaN ；(4)在鋁組分漸變AlGaN層(4)上，生長鋁組分為0% 80%、厚度為50 IOOnm的有源區(qū)(5)；(5)在有源區(qū)( 上制作光刻膠掩膜，并通過光刻版圖進(jìn)行光刻，洗膠后在相應(yīng)位置出現(xiàn)的有源區(qū)( 表面，使用離子刻蝕刻槽，其深度到達(dá)鋁組分漸變AlGaN層(4)的表面；(6)一次掩膜光刻同時制備表面歐姆接觸電極(6)和底部歐姆接觸淀積(7)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于歐姆接觸電極(6)和(7)采用四層組合金屬Ti/Al/Ni/Au淀積，且Ti的厚度為0. 01 0. 03 μ m，Al的厚度為0. 03 0. 16 μ m，Ni 的厚度為0. 02 0. 11 μ m，Au的厚度為0. 06 0. 15 μ m。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于歐姆接觸電極(6)和(7)采用四層組合金屬Ti/Al/Ti/Au淀積，且Ti的厚度為0.01 0. 03 μ m，Al的厚度為0. 03 0. 16ym;Ti 的厚度為0. 02 0. 11 μ m，Au的厚度為0. 06 0. 15 μ m。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于歐姆接觸電極(6)和(7)采用四層組合金屬Ti/Al/Mo/Au淀積，且Ti的厚度為0.01 0. 03 μ m，Al的厚度為0. 03 0. 16 μ m ；Mo 的厚度為0. 02 0. 11 μ m，Au的厚度為0. 06 0. 15 μ m。
全文摘要
本發(fā)明公開一種基于AlGaN材料的紫外光電探測器結(jié)構(gòu)及其制作方法，主要解決現(xiàn)有技術(shù)對P型摻雜材料的依賴，該探測器自下而上包括襯底(1)、過渡層(2)、GaN緩沖層(3)、鋁組分漸變AlGaN層(4)和有源區(qū)(5)，鋁組分漸變AlGaN層(4)分為上、下兩層，下層厚度為20～30nm，鋁組分從0％增加到80％～100％，上層厚度為10～20nm，鋁組分為0％～80％；鋁組分漸變AlGaN層(4)左上方被有源區(qū)(5)覆蓋，右上方淀積有底部歐姆接觸(7)，該歐姆接觸與有源區(qū)之間設(shè)有間隙(8)；有源區(qū)(5)由鋁組分為0％～80％的AlGaN材料構(gòu)成，厚度為50～100nm，有源區(qū)表面淀積有表面歐姆接觸電極(6)。本發(fā)明自動工作在光伏模式，高頻特性好，暗電流小，可用于226～363nm紫外波段的光信號探測。
文檔編號H01L31/18GK102214705SQ201110140930
公開日2011年10月12日 申請日期2011年5月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月28日
發(fā)明者張偉, 毛維, 郝躍, 馬紅 申請人:西安電子科技大學(xué)