專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。更具體地，本發(fā)明涉及一種橫向擴(kuò)散金屬氧化物(lateral Double Diffusion Metal Oxide Semiconductor, LDMOS)半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
在高壓功率集成電路中常采用高壓LDMOS滿足耐高壓、實(shí)現(xiàn)功率控制等方面的要求。也經(jīng)常在射頻功率電路中采用LDM0S。與晶體管相比，在關(guān)鍵器件特性方面，如增益、線性度、開(kāi)關(guān)性能、散熱性能以及減少級(jí)數(shù)等方面，LDMOS具有明顯的優(yōu)勢(shì)。目前，LDMOS由于
更容易與CMOS工藝兼容而被廣泛采用。圖11示出了現(xiàn)有技術(shù)的LDMOS的示意圖。所示的LDMOS在襯底200上具有輕摻雜的N型漂移區(qū)210 (N-)，在該漂移區(qū)中設(shè)有重?fù)诫s的N型漏區(qū)280 (N+)。該LDMOS在襯底200上具有P阱，重?fù)诫s的源區(qū)290設(shè)置在該P(yáng)阱中。柵極絕緣層270位于柵極300之下。對(duì)于LDMOS器件來(lái)說(shuō)，由于N-漂移區(qū)210具有很高的電阻，因此源區(qū)290到漏區(qū)280將承受高電壓，由此如圖11中的箭頭所示，漏極與柵極存在重疊區(qū)域，重疊區(qū)域的漏極電阻很低，漏端的高壓沒(méi)有經(jīng)過(guò)高電阻區(qū)域分壓直接加在了漏極和柵極的重疊區(qū)域，容易造成漏極和柵極重疊區(qū)域的氧化層擊穿，而使器件失效。在現(xiàn)有的LDMOS器件中，可以通過(guò)增加?xùn)艠O絕緣層270的厚度來(lái)提高漏極與柵極的重疊區(qū)域的擊穿電壓。然而，厚的柵極絕緣層270將使得器件的性能變差。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，包括位于襯底上的柵極；位于柵極兩側(cè)的源區(qū)和漏區(qū)；柵極絕緣層，位于所述襯底與所述柵極之間，所述柵極絕緣層具有第一厚度部分和第二厚度部分，其中所述第一厚度部分至少位于所述漏區(qū)與柵極之間，所述第一厚度部分的厚度大于所述第二厚度部分的厚度。優(yōu)選地，其中所述第一厚度部分還位于所述源區(qū)與柵極之間。優(yōu)選地，漏區(qū)在從漏區(qū)到柵極中心的方向上不延伸超出柵極絕緣層的第一厚度部分。優(yōu)選地，源區(qū)在從源區(qū)到柵極中心的方向上不延伸超出柵極絕緣層的第一厚度部分。優(yōu)選地，柵極絕緣層的第一厚度部分的厚度可以為大于等于I納米且小于等于200納米。優(yōu)選地，柵極絕緣層的第二厚度部分的厚度可以為大于等于0. 5納米且小于200納米。優(yōu)選地，半導(dǎo)體器件的漏區(qū)具有第一導(dǎo)電類型并位于第一導(dǎo)電類型的輕摻雜漂移區(qū)中，源區(qū)具有第一導(dǎo)電類型，并且位于第二導(dǎo)電類型的阱中。
根據(jù)本發(fā)明第二方面，提供了一種半導(dǎo)體裝置，包括如本發(fā)明第一方面的半導(dǎo)體器件。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供了一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟提供半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底上形成圖案化的絕緣層，該圖案化的絕緣層形成開(kāi)口以暴露襯底的上表面的一部分；在襯底上形成第一柵極絕緣層和掩模層；蝕刻掩模層，以使得在開(kāi)口內(nèi)在第一柵極絕緣層上殘留掩模層的至少一部分；利用掩模層的殘留部分蝕刻第一柵極絕緣層，以在開(kāi)口內(nèi)暴露出襯底的一部分；在所暴露的襯底部分上形成第二柵極絕緣層，其中第二柵極絕緣層的厚度小于第一柵極絕緣層的厚度。優(yōu)選地，去除掩模層的步驟可以進(jìn)一步包括去除掩模層，使得掩模層的殘留部分位于開(kāi)口內(nèi)，并依附于開(kāi)口的至少一個(gè)側(cè)壁。優(yōu)選地，在開(kāi)口中形成第二柵極絕緣層的步驟之后可以進(jìn)一步包括在襯底上形成柵極；在柵極兩側(cè)形成具有第一導(dǎo)電類型的輕摻雜的漂移區(qū)和具有第二導(dǎo)電類型的阱， 以及在漂移區(qū)中形成重?fù)诫s的第一導(dǎo)電類型的漏區(qū)，以及在第二導(dǎo)電類型的阱中形成源區(qū)。優(yōu)選地，其中去除掩模層的步驟可以包括利用干法蝕刻去除掩模層。優(yōu)選地，在開(kāi)口中形成第二柵極絕緣層的步驟可以包括在開(kāi)口中熱生長(zhǎng)第二柵極絕緣層，第二柵極絕緣層的厚度范圍可以為大于等于O. 5納米且小于200納米。優(yōu)選地，在開(kāi)口中形成第一柵極絕緣層和掩模層可以包括沉積第一柵極絕緣層，第一柵極絕緣層的厚度范圍可以為大于等于I納米且小于等于200納米。優(yōu)選地，其中利用圖案化的絕緣層在襯底上形成開(kāi)口的步驟可以包括在襯底上形成絕緣層，絕緣層包括氮化物絕緣層和氧化物絕緣層；蝕刻絕緣層以在襯底上形成開(kāi)口，暴露襯底的一部分。優(yōu)選地，可以進(jìn)一步包括沉積多晶硅，以填充開(kāi)口 ；利用化學(xué)機(jī)械拋光工藝去除多晶硅，保留位于開(kāi)口中的多晶硅部分以形成柵極；去除圖案化的絕緣層；在柵極兩側(cè)形成柵極隔離物；在柵極兩側(cè)形成源區(qū)和漏區(qū)。


閱讀了以下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述后將會(huì)更好地理解本發(fā)明，在附圖中類似的附圖標(biāo)記指示類似的元件，并且在附圖中圖I是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例在其制造的一個(gè)階段期間的半導(dǎo)體器件的剖面圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例在其制造的一個(gè)階段期間的半導(dǎo)體器件的剖面圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例在其制造的一個(gè)階段期間的半導(dǎo)體器件的剖面圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例在其制造的一個(gè)階段期間的半導(dǎo)體器件的剖面圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例在其制造的一個(gè)階段期間的半導(dǎo)體器件的剖面圖。
圖6是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例在其制造的一個(gè)階段期間的半導(dǎo)體器件的剖面圖。圖7是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例在其制造的一個(gè)階段期間的半導(dǎo)體器件的剖面圖。圖8是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例在其制造的一個(gè)階段期間的半導(dǎo)體器件的剖面圖。圖9是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例在其制造的一個(gè)階段期間的半導(dǎo)體器件的剖面圖。圖10是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的完成的半導(dǎo)體器件的剖面圖。
圖11是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體器件的剖視圖。將意識(shí)到，為了使說(shuō)明簡(jiǎn)化和清楚，圖中示出的要素沒(méi)有必要按比例繪制。例如，為了促進(jìn)和提高清楚性和理解性，一些元件的尺寸相對(duì)于其它元件的尺寸放大了。此外，在這些圖中，重復(fù)附圖標(biāo)記用于表示相對(duì)應(yīng)或類似的元件。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明提出了一種新穎的半導(dǎo)體器件，包括位于襯底上的柵極，位于柵極兩側(cè)的源區(qū)和漏區(qū)；柵極絕緣層，位于襯底與柵極之間，柵極絕緣層具有第一厚度部分和第二厚度部分，柵極絕緣層的第一厚度部分位于漏區(qū)與柵極之間，該第一厚度部分的厚度大于第二厚度部分的厚度?？梢愿鶕?jù)設(shè)計(jì)的需要選擇該第一厚度部分的厚度，例如，根據(jù)漏極到柵極的擊穿電壓來(lái)選擇該第一厚度部分的厚度，并且該柵極絕緣層的第二厚度部分的厚度可以被選擇為小于第一厚度部分的厚度。較厚的第一厚度部分保證了半導(dǎo)體器件在漏區(qū)到柵極的區(qū)域可以承受更高的電壓，而較薄的第二厚度部分則保證了器件的優(yōu)異的性能。以下結(jié)合附圖通過(guò)舉例的方式描述本發(fā)明的具體實(shí)施方式
。參見(jiàn)附圖1，提供半導(dǎo)體襯底100，所述半導(dǎo)體襯底例如是硅襯底。在襯底100中配置橫向相鄰的N阱110和P阱120。在N阱110和P阱120上沉積氧化物絕緣層130和氮化物絕緣層140。在一個(gè)實(shí)施例中，氧化物絕緣層130可以由氧化硅(SiO2)構(gòu)成，氮化物絕緣層140可以由氮化硅(SiN)構(gòu)成。很顯然，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以使用其他任何適當(dāng)?shù)难趸?、氮化物?或其組合來(lái)實(shí)現(xiàn)這里的氧化物絕緣層130和氮化物絕緣層140。當(dāng)形成如附圖I中所示的結(jié)構(gòu)之后，在其上涂敷光刻膠，利用光掩模(未示出)進(jìn)行光刻在光刻膠中形成圖案，然后蝕刻氧化物絕緣層130和氮化物絕緣層140從而形成開(kāi)口，從而同時(shí)暴露N阱110和P阱120的至少一部分，如圖2所示。在圖3中，沉積第一柵極絕緣層150，隨后共形地沉積氮化物絕緣層160。注意，如在下文中將討論的，這里的第一柵極絕緣層150的一部分隨后將會(huì)被用作完成的器件中的柵極絕緣層的一部分，而氮化物絕緣層160的一部分將會(huì)被用作蝕刻掩模層。因此，在沉積第一柵極絕緣層150時(shí)，應(yīng)當(dāng)考慮將其沉積至期望的厚度。如下文將討論的，此處第一柵極絕緣層150的厚度與漏極到柵極能夠耐受的擊穿電壓的幅值有關(guān)。恰當(dāng)?shù)剡x擇第一柵極絕緣層150的厚度可以獲得更高的擊穿電壓，在一個(gè)實(shí)施例中，第一柵極絕緣層150的厚度范圍為大于等于I納米且小于等于200納米。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)器件的應(yīng)用或期望的器件性能來(lái)選擇此處的第一柵極絕緣層150的厚度。在圖4中，蝕刻氮化物絕緣層160，使得氮化物絕緣層160的至少一部分180殘留在開(kāi)口的側(cè)壁上，從而在開(kāi)口中暴露出第一柵極絕緣層150的至少一部分。在一個(gè)實(shí)施例中，利用干法蝕刻去除氮化物絕緣層160。根據(jù)通過(guò)適當(dāng)?shù)剡x擇干法蝕刻處理的條件，由于圖4中的開(kāi)口側(cè)壁的存在，會(huì)自然地在開(kāi)口的兩個(gè)側(cè)壁上殘留一部分氮化物絕緣層160。換言之，此處選擇的蝕刻步驟應(yīng)當(dāng)有意地在側(cè)壁上保留氮化物絕緣層160的至少一部分，例如各向異性的干法蝕刻。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以使用其他各種適當(dāng)?shù)姆椒▉?lái)實(shí)現(xiàn)相同的效果，例如利用光掩模蝕刻、研磨等。為了簡(jiǎn)明起見(jiàn)，氮化物絕緣層160的殘留部分在下文中被稱為殘留部分180。如參考下文的描述將會(huì)變得清楚的，此處的殘留部分180隨后會(huì)作為蝕刻掩模。在圖5中，利用殘留部分180作為掩模對(duì)第一柵極絕緣層150進(jìn)行蝕刻。由于殘
留部分180的存在，位于殘留部分180之下的部分第一柵極絕緣層150被保留下來(lái)。如在下文將討論的，該第一柵極絕緣層150的殘留部分155隨后將被用作柵極絕緣層的一部分。參考圖6，通過(guò)開(kāi)口在襯底上熱生長(zhǎng)第二柵極絕緣層170。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以使用其他的技術(shù)通過(guò)開(kāi)口在襯底上形成第二柵極絕緣層170，例如沉積后利用掩模去除不需要的部分等。為了確保良好的器件性能，選擇第二柵極絕緣層170的厚度，使其小于第一柵極絕緣層150的厚度。恰當(dāng)?shù)剡x擇第二柵極絕緣層170的厚度可以獲得更好的器件性能，在一個(gè)實(shí)施例中，第二柵極絕緣層170的厚度范圍為大于等于O. 5納米且小于200納米。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)器件的應(yīng)用或期望的器件性能來(lái)選擇此處的第一柵極絕緣層150的其他厚度。正如附圖6中所示，第二柵極絕緣層170與第一柵極絕緣層的殘留部分155之間形成了臺(tái)階。第二柵極絕緣層170與第一柵極絕緣層的殘留部分155 二者共同構(gòu)成了完成的器件中的柵極絕緣層。例如，第一柵極絕緣層的殘留部分155構(gòu)成了完成的柵極絕緣層的第一厚度部分，第二柵極絕緣層170構(gòu)成了完成的柵極絕緣層的第二厚度部分。第一厚度部分的厚度大于第二厚度部分的厚度。在圖7中，在圖6的器件上沉積多晶硅。在附圖8中，通過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光(ChemicalMechanical Polishing)工藝來(lái)去除多余的多晶娃,在開(kāi)口中形成柵極。在圖9中，在圖8的器件上通過(guò)選擇性蝕刻的方法去除氮化物絕緣層140和氧化物絕緣層130，形成如附圖9所示的器件。最后，如本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的，在柵極兩側(cè)形成間隔物，并對(duì)N阱110和P阱120進(jìn)行摻雜形成源區(qū)和漏區(qū)，從而完成LDMOS的制造，如附圖10所示。應(yīng)當(dāng)注意，在根據(jù)本發(fā)明的LDMOS器件中，漏區(qū)位于第一柵極絕緣層的殘留部分155之下，且在從漏區(qū)到柵極中心的方向上不延伸超出該殘留部分155的范圍。由此，較厚的殘留部分155可以保證較高的漏區(qū)至柵極的擊穿電壓。類似的，在另一個(gè)實(shí)施例中，源區(qū)也位于第一柵極絕緣層的殘留部分155之下，且在從源區(qū)到柵極中心的方向上不延伸超出該殘留部分155的范圍?？梢愿鶕?jù)間隔物的寬度、摻雜時(shí)間等工藝條件的選擇來(lái)實(shí)現(xiàn)上述結(jié)構(gòu)。此外，由于可能為了實(shí)際應(yīng)用而設(shè)計(jì)各種尺寸的半導(dǎo)體器件，因此，在形成氮化物絕緣層的殘留部分180和第一柵極絕緣層的殘留部分155時(shí)，可以預(yù)先考慮需要形成的漏區(qū)的尺寸，并由此來(lái)選擇蝕刻絕緣層160的條件。盡管以上參考附圖描述了根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，然而，應(yīng)當(dāng)理解的是，除非明確地指出，否則這里給出的實(shí)施例僅僅是出于講述本發(fā)明而給出的例子，并非意圖以任何方式限制本發(fā)明。在閱讀了本申請(qǐng)之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠在不違背本發(fā)明精神和保護(hù)范圍的情況下做出各種修改、變型。而這些修改、變型仍應(yīng)當(dāng)被視為落入本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。例如，對(duì)于LDMOS器件而言，由于僅漏區(qū)與柵極交疊部分會(huì)承受較高的電壓，因此僅保證該部分處的柵極絕緣層更厚即可。因此，在附圖5中，可以利用光掩模去除源極與柵極交疊部分的第一柵極絕緣層150的殘留部分和殘留部分180。進(jìn)而，在圖6中，形成的第二柵極絕緣層170將額外覆蓋源極與柵極交疊部分。這樣的變型不會(huì)影響本發(fā)明的有益的技術(shù)效果，因而仍然應(yīng)當(dāng)被視為落入本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中，柵極絕緣層的兩側(cè)部分具有第一厚度，以及柵極絕緣層的其他部分具有第二厚度，第二厚度小于第一厚度。換言之，在一個(gè)實(shí)施例中，根據(jù)本發(fā)明的柵極絕緣層位于溝道區(qū)上方的部分的厚度小于該柵極絕緣層位于漏區(qū)與 柵極交疊部分的厚度。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件，柵極絕緣層與漏區(qū)交疊的部分的厚度較大，由此可以保證器件能夠耐受較高的擊穿電壓。另一方面，柵極絕緣層位于溝道區(qū)上方的部分的厚度較小，由此可以保證器件的性能不會(huì)劣化。本領(lǐng)域技術(shù)人員完全能夠明白本文中所討論的各種術(shù)語(yǔ)，例如，輕摻雜的范圍通常包括1E13 lE15/cm2，而重?fù)诫s的范圍通常包括5E14 lE16/cm2。然而，上述術(shù)語(yǔ)不應(yīng)該僅僅局限于此處為了舉例說(shuō)明而給出的例子，而應(yīng)當(dāng)從輕摻雜與重?fù)诫s的摻雜濃度的對(duì)比來(lái)進(jìn)行區(qū)分。應(yīng)當(dāng)理解，盡管參考了特定的導(dǎo)電類型(例如，N型)來(lái)描述了本發(fā)明，然而，根據(jù)器件的類型，可以采取相反的導(dǎo)電類型來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。詞語(yǔ)“近似”或“大約”等的使用是指該詞語(yǔ)所形容的值或位置被期望非常接近于說(shuō)明的值或位置。然而，本領(lǐng)域中公知的是，總是存在微小的偏差妨礙了所述值或位置完全與所說(shuō)明的相同。在本領(lǐng)域中眾所周知的是，直到約百分之十(10% )(并且對(duì)于半導(dǎo)體摻雜濃度直到百分之二十(20% ))的偏差被認(rèn)為是與所述的理想目標(biāo)合理的偏差。此外，盡管一些氧化物或氮化物絕緣層在附圖和本文中被示出為單層，然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)理解，可以根據(jù)應(yīng)用選擇一層或多層的氧化物和/或氮化物絕緣層，此時(shí)可以根據(jù)所選擇的絕緣層的組分相應(yīng)地改變工藝。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包括 位于襯底上的柵極； 位于所述柵極兩側(cè)的源區(qū)和漏區(qū)； 柵極絕緣層，位于所述襯底與所述柵極之間，所述柵極絕緣層具有第一厚度部分和第二厚度部分，其中所述第一厚度部分至少位于所述漏區(qū)與柵極之間，所述第一厚度部分的厚度大于所述第二厚度部分的厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求I的半導(dǎo)體器件，其中所述第一厚度部分還位于所述源區(qū)與柵極之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2的半導(dǎo)體器件，所述漏區(qū)在從所述漏區(qū)到所述柵極中心的方向上不延伸超出柵極絕緣層的所述第一厚度部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的半導(dǎo)體器件，所述源區(qū)在從所述源區(qū)到所述柵極中心的方向上不延伸超出柵極絕緣層的所述第一厚度部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求I或2的半導(dǎo)體器件，所述柵極絕緣層的第一厚度部分的厚度范圍為大于等于I納米且小于等于200納米。
6.根據(jù)權(quán)利要求I或2的半導(dǎo)體器件，所述柵極絕緣層的第二厚度部分的厚度范圍為大于等于O. 5納米且小于200納米。
7.根據(jù)權(quán)利要求2的半導(dǎo)體器件，所述漏區(qū)具有第一導(dǎo)電類型并位于第一導(dǎo)電類型的輕摻雜漂移區(qū)中，所述源區(qū)具有第一導(dǎo)電類型，并且位于第二導(dǎo)電類型的阱中。
8.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟 提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成圖案化的絕緣層，該圖案化的絕緣層形成開(kāi)口以暴露所述襯底的上表面的一部分； 在所述襯底上形成第一柵極絕緣層和掩模層； 蝕刻所述掩模層，以使得在所述開(kāi)口內(nèi)在所述第一柵極絕緣層上殘留所述掩模層的至少一部分； 利用所述掩模層的殘留部分蝕刻所述第一柵極絕緣層，以在所述開(kāi)口內(nèi)暴露出襯底的一部分； 在所暴露的襯底部分上形成第二柵極絕緣層，其中所述第二柵極絕緣層的厚度小于所述第一柵極絕緣層的厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，所述去除所述掩模層的步驟進(jìn)一步包括 去除所述掩模層，使得所述掩模層的殘留部分位于所述開(kāi)口內(nèi)，并依附于所述開(kāi)口的至少一個(gè)側(cè)壁。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，在所述開(kāi)口中形成第二柵極絕緣層的步驟之后進(jìn)一步包括 在所述襯底上形成柵極； 在所述柵極兩側(cè)形成具有第一導(dǎo)電類型的輕摻雜的漂移區(qū)和具有第二導(dǎo)電類型的阱，以及在所述漂移區(qū)中形成重?fù)诫s的第一導(dǎo)電類型的漏區(qū)，以及在所述第二導(dǎo)電類型的阱中形成源區(qū)。
11.根據(jù)權(quán)利要求8至10中的任意一項(xiàng)的方法，其中去除所述掩模層的步驟包括 利用干法蝕刻去除所述掩模層。
12.根據(jù)權(quán)利要求8至10中的任意一項(xiàng)的方法，在所述開(kāi)口中形成第二柵極絕緣層的步驟包括在所述開(kāi)口中熱生長(zhǎng)第二柵極絕緣層，所述第二柵極絕緣層的厚度范圍為大于等于O. 5納米且小于200納米。
13.根據(jù)權(quán)利要求8至10中的任意一項(xiàng)的方法，在所述開(kāi)口中形成第一柵極絕緣層和掩模層包括沉積所述第一柵極絕緣層，所述第一柵極絕緣層的厚度范圍為大于等于I納米且小于等于200納米。
14.根據(jù)權(quán)利要求8至10中的任意一項(xiàng)的方法，其中利用圖案化的絕緣層在襯底上形成開(kāi)口的步驟包括 在所述襯底上形成絕緣層，所述絕緣層包括氮化物絕緣層和氧化物絕緣層； 蝕刻所述絕緣層以在所述襯底上形成開(kāi)口，暴露所述襯底的一部分。
15.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，進(jìn)一步包括 沉積多晶硅，以填充所述開(kāi)口 ； 利用化學(xué)機(jī)械拋光工藝去除多晶硅，保留位于所述開(kāi)口中的多晶硅部分以形成柵極； 去除所述圖案化的絕緣層； 在所述柵極兩側(cè)形成柵極隔離物； 在所述柵極兩側(cè)形成源區(qū)和漏區(qū)。
16.一種半導(dǎo)體裝置，包括如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件。
全文摘要
公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。該半導(dǎo)體器件包括柵極，以及柵極兩側(cè)源區(qū)和漏區(qū)，其中柵極絕緣層位于溝道區(qū)上方的部分的厚度小于該柵極絕緣層位于漏區(qū)與柵極交疊部分的厚度。較厚的第一厚度部分保證了半導(dǎo)體器件在漏區(qū)到柵極的區(qū)域可以承受更高的電壓，而較薄的第二厚度部分則保證了器件的優(yōu)異的性能。
文檔編號(hào)H01L21/28GK102820335SQ20111015293
公開(kāi)日2012年12月12日 申請(qǐng)日期2011年6月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月9日
發(fā)明者劉金華 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司