專利名稱：有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體上涉及一種具有用作電容器的一個(gè)電極的半導(dǎo)體層的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器和一種制造該OLED顯示器的方法。
背景技術(shù)：
由于有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的優(yōu)點(diǎn)，例如寬視角、快速響應(yīng)速率和相對(duì)較小的功耗以及較輕的重量和纖薄的尺寸，所以有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器作為下一代顯示器而備受關(guān)注。有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器包括薄膜晶體管、有機(jī)發(fā)光元件和電容器。這里， 電容器的兩個(gè)電極可以由金屬層制成，或者一個(gè)電極可以由金屬層制成，另一個(gè)電極可以由半導(dǎo)體層制成。另一方面，當(dāng)半導(dǎo)體層作為電容器的一個(gè)電極時(shí)，半導(dǎo)體層通常摻雜有雜質(zhì)，以提高導(dǎo)電率。然而，如果由于制造工藝的局限性而沒(méi)有將雜質(zhì)摻雜到半導(dǎo)體層的用作電容器一個(gè)電極的一部分，則有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的整體特性劣化。在該背景技術(shù)部分公開(kāi)的上述信息僅是為了加強(qiáng)對(duì)所描述的技術(shù)背景的理解，因此它可能包含不構(gòu)成在這個(gè)國(guó)家對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容
示例性實(shí)施例提供了一種由于在用作電容器一個(gè)電極的半導(dǎo)體層的一部分處未摻雜雜質(zhì)而使劣化的產(chǎn)生受到抑制的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。另外，提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的制造方法。根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器包括基底；半導(dǎo)體層圖案， 形成在所述基底上，并包括第一電容器電極；柵極絕緣層，覆蓋所述半導(dǎo)體層圖案；第一導(dǎo)電層圖案，形成在所述柵極絕緣層上，并包括第二電容器電極，所述第二電容器電極具有與所述第一電容器電極疊置的至少一部分；層間絕緣層，具有暴露所述第二電容器電極的一部分的電容器開(kāi)口，并覆蓋所述第二電容器電極；第二導(dǎo)電層圖案，形成在所述層間絕緣層上，其中，所述電容器開(kāi)口包括第一橫向側(cè)壁、第二橫向側(cè)壁和縱向側(cè)壁，所述第一橫向側(cè)壁與所述第二電容器電極平行且疊置，所述第二橫向側(cè)壁與所述第二電容器電極平行且不疊置，所述縱向側(cè)壁將所述第一橫向側(cè)壁和所述第二橫向側(cè)壁彼此連接且與所述第一電容器電極疊置。與所述電容器開(kāi)口的所述縱向側(cè)壁疊置的第一電容器電極可以是摻雜有雜質(zhì)的半導(dǎo)體層。另外，根據(jù)另一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器包括基底；半導(dǎo)體層圖案，形成在所述基底上，并包括第一電容器電極；柵極絕緣層，覆蓋所述半導(dǎo)體層圖案；第一導(dǎo)電層圖案，形成在所述柵極絕緣層上，并包括第二電容器電極，所述第二電容器電極具有與所述第一電容器電極疊置的至少一部分；層間絕緣層，包括電容器開(kāi)口和至少一個(gè)摻雜孔并覆蓋所述第二電容器電極，所述電容器開(kāi)口暴露所述第二電容器電極的一部分，所述至少一個(gè)摻雜孔與所述第二電容器電極和所述第一電容器電極疊置且暴露所述第二電容器電極的靠近所述電容器開(kāi)口的一部分；第二導(dǎo)電層圖案，形成在所述層間絕緣層上。 與至少一個(gè)摻雜孔疊置的所述第一電容器電極可以是摻雜有雜質(zhì)的半導(dǎo)體層。所述第一導(dǎo)電層圖案的區(qū)域的一部分可以由單個(gè)透明導(dǎo)電層形成，所述區(qū)域的另一部分由透明導(dǎo)電層和沉積在透明導(dǎo)電層上的多個(gè)金屬層形成。所述電容器開(kāi)口可以通過(guò)蝕刻工藝形成，所述蝕刻工藝可以包括使用含有氫氟酸 (HF)的溶液的清洗工藝。所述多個(gè)金屬層中的除了最高層之外的至少一個(gè)金屬層與所述最高層相比相對(duì)更容易地被含有氫氟酸(HF)的溶液腐蝕。所述多個(gè)金屬層中的除了最高層之外的至少一個(gè)金屬層可以包括鋁。所述第一導(dǎo)電層圖案的所述第二電容器電極的通過(guò)所述電容器開(kāi)口暴露的一部分可以由單個(gè)透明導(dǎo)電層形成。與由所述單個(gè)透明導(dǎo)電層形成的所述第二電容器電極的一部分疊置的第一電容器電極可以摻雜有雜質(zhì)。根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的制造方法包括提供基底； 在所述基底上形成包括第一電容器電極的半導(dǎo)體層圖案；形成覆蓋所述半導(dǎo)體層圖案的柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上形成包括第二電容器電極中間件的第一導(dǎo)電層圖案中間件，所述第二電容器電極中間件具有與所述第一電容器電極疊置的至少一部分；形成層間絕緣層，所述層間絕緣層具有暴露所述第二電容器電極中間件的一部分的電容器開(kāi)口并覆蓋所述第一導(dǎo)電層圖案中間件；在所述層間絕緣層上形成第二導(dǎo)電層圖案的同時(shí)，部分地蝕刻所述第一導(dǎo)電層圖案中間件，從而完成包括第二電容器電極的第一導(dǎo)電層圖案。所述電容器開(kāi)口包括第一橫向側(cè)壁、第二橫向側(cè)壁和縱向側(cè)壁，所述第一橫向側(cè)壁與所述第二電容器電極平行且疊置，所述第二橫向側(cè)壁與所述第二電容器電極平行且不疊置，所述縱向側(cè)壁將所述第一橫向側(cè)壁和所述第二橫向側(cè)壁彼此連接且與所述第一電容器電極疊置。與所述電容器開(kāi)口的所述縱向側(cè)壁疊置的第一電容器電極可以是摻雜有雜質(zhì)的半導(dǎo)體層。根據(jù)另一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的制造方法包括提供基底；在所述基底上形成包括第一電容器電極的半導(dǎo)體層圖案；形成覆蓋所述半導(dǎo)體層圖案的柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上形成包括第二電容器電極中間件的第一導(dǎo)電層圖案中間件，所述第二電容器電極中間件具有與所述第一電容器電極疊置的至少一部分；形成層間絕緣層，所述層間絕緣層包括電容器開(kāi)口和至少一個(gè)摻雜孔，所述電容器開(kāi)口暴露所述第二電容器電極中間件的一部分，所述至少一個(gè)摻雜孔與所述第二電容器電極中間件和所述第一電容器電極疊置且暴露所述第二電容器電極中間件的靠近所述電容器開(kāi)口的一部分，并且所述層間絕緣層覆蓋所述第二電容器電極中間件；在所述層間絕緣層上形成第二導(dǎo)電層圖案的同時(shí)，部分地蝕刻所述第一導(dǎo)電層圖案中間件，從而完成包括第二電容器電極的第一導(dǎo)電層圖案。 還可以包括通過(guò)至少一個(gè)摻雜孔將雜質(zhì)摻雜到所述第一電容器電極。
在有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的制造方法中，所述第一導(dǎo)電層圖案的區(qū)域的一部分可以由單個(gè)透明導(dǎo)電層形成，所述區(qū)域的另一部分由透明導(dǎo)電層和沉積在透明導(dǎo)電層上的多個(gè)金屬層形成?？梢酝ㄟ^(guò)蝕刻工藝形成所述電容器開(kāi)口，所述蝕刻工藝可以包括使用含有氫氟酸 (HF)的溶液的清洗工藝。所述多個(gè)金屬層中的除了最高層之外的至少一個(gè)金屬層與所述最高層相比可相對(duì)更容易地被含有氫氟酸(HF)的溶液腐蝕。所述多個(gè)金屬層中的除了最高層之外的至少一個(gè)金屬層可以包括鋁。所述第一導(dǎo)電層圖案的所述第二電容器電極的通過(guò)所述電容器開(kāi)口暴露的至少一部分可以由所述單個(gè)透明導(dǎo)電層形成。與由所述單個(gè)透明導(dǎo)電層形成的所述第二電容器電極的至少一部分疊置的第一電容器電極可以摻雜有雜質(zhì)。根據(jù)示例性實(shí)施例，所述有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器可以抑制由在用作電容器一個(gè)電極的半導(dǎo)體層中摻雜雜質(zhì)的一個(gè)區(qū)域產(chǎn)生的劣化。另外，提供了所述有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的所述制造方法。


當(dāng)結(jié)合附圖考慮時(shí)，通過(guò)參考以下詳細(xì)描述，本發(fā)明變得更好地理解，同時(shí)本發(fā)明的更完整的認(rèn)識(shí)和本發(fā)明的許多附隨的優(yōu)點(diǎn)將變得易于顯而易見(jiàn)，在附圖中相同的標(biāo)號(hào)指示相同或類似的組件，其中圖1至圖17是順序地示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的制造工藝的布局圖和剖視圖；圖1示出了根據(jù)第一示例性實(shí)施例的在基底上形成半導(dǎo)體層圖案的第一工藝；圖2示出了圖1的與II-II線對(duì)應(yīng)的一部分的剖視圖；圖3示出了根據(jù)第一示例性實(shí)施例的在基底上形成第一導(dǎo)電層圖案中間件的下一個(gè)工藝；圖4示出了圖3的與IV-IV線對(duì)應(yīng)的一部分的剖視圖；圖5和圖6示出了形成并蝕刻覆蓋圖4的第一導(dǎo)電層圖案中間件的層間絕緣層的下一個(gè)工藝；圖7是圖6的與VIII-VIII線和IX-IX線相鄰的一部分的近觀圖；圖8和圖9分別是與VIII-VIII線和IX-IX線對(duì)應(yīng)的根據(jù)第一示例性實(shí)施例的由層間絕緣層的蝕刻得到的剖視圖；圖10和圖11分別示出了形成覆蓋在圖8和圖9中示出的層的暴露表面的第二導(dǎo)電層圖案的下一個(gè)工藝；圖12和圖13分別示出了在圖10和圖11中示出的圖案上形成光致抗蝕劑層的下一個(gè)工藝；圖14和圖15分別示出了將光致抗蝕劑層圖案化并對(duì)在圖12和圖13中示出的圖案執(zhí)行光刻工藝的下一個(gè)工藝；圖16和圖17示出了通過(guò)圖1-15的工藝形成的圖案的布局7
圖18至圖23是順序地示出根據(jù)第二示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的制造工藝的布局圖和剖視圖；圖18和圖19示出了通過(guò)第二示例性實(shí)施例的工藝形成的圖案的布局圖，其中，圖 19是圖18的與XX-XX線相鄰的一部分的近觀圖；圖20示出了圖19的與XX-XX線對(duì)應(yīng)的一部分的剖視圖；圖21示出了根據(jù)第二示例性實(shí)施例的在基底上形成第二導(dǎo)電層圖案和光致抗蝕劑層的下一個(gè)工藝；圖22示出了將光致抗蝕劑層圖案化并執(zhí)行光刻工藝的下一個(gè)工藝；圖23示出了通過(guò)圖18-22的工藝形成有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的圖案的布局圖。
具體實(shí)施例方式在下文中將參照附圖更充分地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的所有情況下，所描述的實(shí)施例可以以各種不同的方式修改。附圖和描述應(yīng)當(dāng)視為本質(zhì)上說(shuō)明性的，而不是限制性的。相同的標(biāo)號(hào)在整個(gè)說(shuō)明書中指示相同的元件。另外，這里，將主要描述第一示例性實(shí)施例，并且將主要針對(duì)與第一示例性實(shí)施例的構(gòu)造不同的構(gòu)造來(lái)描述其它示例性實(shí)施例。另外，為了理解和便于描述起見(jiàn)，任意地示出了在附圖中示出的每個(gè)組件的尺寸和厚度，但是本發(fā)明不限于此。在附圖中，為了清楚起見(jiàn)，夸大了層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。在附圖中，為了理解和便于描述起見(jiàn)，夸大了一些層和區(qū)域的厚度。將理解的是，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基底的元件被稱作“在”另一元件“上”時(shí)，該元件可以直接在另一元件上， 或者也可以存在中間元件。接下來(lái)，將參照?qǐng)D1至圖17描述根據(jù)第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED) 顯示器101及其制造方法。首先，將以根據(jù)沉積順序的第一薄膜晶體管10、第二薄膜晶體管20和電容器 80 (參見(jiàn)圖16和圖2 為重點(diǎn)來(lái)描述根據(jù)第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器101的制造方法。具體地說(shuō)，將詳細(xì)地描述電容器80的兩個(gè)電極交叉的一個(gè)區(qū)域。如圖1和圖2中所示，圖1和圖2示出了在基底上形成半導(dǎo)體層圖案的第一工藝， 其中，圖2是沿圖1的II-II線截取的剖視圖。在圖2中，在基底111上形成緩沖層120。基底111被形成為由玻璃、石英、陶瓷或塑料制成的透明絕緣基底。然而，示例性實(shí)施例不限于此。另外，當(dāng)基底111由塑料制成時(shí)，基底111可以為柔性基底。通過(guò)使用對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)已知的化學(xué)氣相沉積或物理氣相沉積，將緩沖層120形成為包括氧化硅層和氮化硅層中的至少一個(gè)層的單層或者多層。緩沖層120防止從基底111產(chǎn)生的濕氣或雜質(zhì)的擴(kuò)散或滲透，使表面平整，并在用于形成半導(dǎo)體層的結(jié)晶工藝期間控制熱的傳遞速度。根據(jù)基底111的類型和工藝條件，可以將緩沖層120省略。接下來(lái)，如圖1中所示，在緩沖層120上形成半導(dǎo)體層圖案131、132和138。半導(dǎo)
8體層圖案131、132和138包括多個(gè)有源層131和132以及第一電容器電極138。半導(dǎo)體層圖案131、132和138由多晶硅層形成。可以使用形成非晶硅然后使非晶硅結(jié)晶的方法來(lái)形成多晶硅層。可以使用對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)已知的各種結(jié)晶方法來(lái)執(zhí)行非晶硅層的結(jié)
曰
曰曰°接下來(lái)，形成覆蓋半導(dǎo)體層圖案131、132和138的柵極絕緣層140。使用對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)已知的各種絕緣材料中的任何絕緣材料(例如，正硅酸四乙酯(TE0S)、氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2))來(lái)形成柵極絕緣層140。接下來(lái)，如圖3和圖4中所示，圖3和圖4示出了在基底上形成第一導(dǎo)電層圖案中間件的下一個(gè)工藝，其中，圖4是沿圖3的IV-IV線截取的剖視圖，IV-IV線與圖1的II-II
線重合。如圖3中所示，形成第一導(dǎo)電層圖案中間件1510、1520、1530、K40、1550、1580和 7100，其中，第一導(dǎo)電層圖案中間件1580包括第二電容器電極中間件1580，第一導(dǎo)電層圖案中間件7100包括像素電極中間件7100。如圖4中所示，第二電容器電極中間件1580包括透明導(dǎo)電層1581以及沉積在透明導(dǎo)電層1581上的多個(gè)金屬層1582、1583和1584。其它第一導(dǎo)電層圖案中間件1510、 1520U530U540U550和7100(在圖4中未示出)基本上具有與第二電容器電極中間件 1580類似的多層結(jié)構(gòu)。第二電容器電極中間件1580的至少一個(gè)金屬層1582或1583由金屬制成，所述金屬使用氫氟酸(HF)溶液比最高的金屬層1584相對(duì)更容易被腐蝕。例如，多個(gè)金屬層的至少一個(gè)金屬層1582或1583包括鋁。詳細(xì)地說(shuō)，多個(gè)金屬層1582、1583和1584可以具有鉬 (Mo)/鋁(Al)/鉬(Mo)沉積的結(jié)構(gòu)。接下來(lái)，圖5和圖6示出了形成并蝕刻覆蓋圖4的第一導(dǎo)電層圖案中間件的層間絕緣層的下一個(gè)工藝。如圖5中所示，形成覆蓋第一導(dǎo)電層圖案中間件1510、1520、1530、巧40、1550和 1580的層間絕緣層160。另外，如圖6中所示，蝕刻層間絕緣層160的一部分，以形成暴露第二電容器電極中間件1580的一部分的電容器開(kāi)口 168。這里，可以與電容器開(kāi)口 168 —起形成暴露像素電極中間件7100的全部或一部分的開(kāi)口。圖7是圖6的接近于VIII-VIII線和IX-IX線的一部分的近觀圖。如圖7中所示，電容器開(kāi)口 168包括與第二電容器電極中間件1580平行且疊置的第一橫向側(cè)壁1681、與第二電容器電極中間件1580平行且不疊置的第二橫向側(cè)壁1682以及將第一橫向側(cè)壁1681和第二橫向側(cè)壁1682連接且與第一電容器電極138疊置的縱向側(cè)壁 1685。用于形成電容器開(kāi)口 168的蝕刻工藝包括使用含有氫氟酸(HF)的溶液的清洗工藝。圖8和圖9分別是與VIII-VIII線和IX-IX線對(duì)應(yīng)的根據(jù)第一示例性實(shí)施例的由層間絕緣層的蝕刻得到的剖視圖，VIII-VIII線與圖1的II-II線重合。因此，如圖8和圖9中所示，在側(cè)表面通過(guò)層間絕緣層160的電容器開(kāi)口 168暴露的第二電容器電極中間件1580中產(chǎn)生底切1589。這是因?yàn)槎鄠€(gè)金屬層1582或1583的至少一個(gè)金屬層(158 被氫氟酸溶液腐蝕。在第二電容器電極中間件1580的面對(duì)第二橫向側(cè)壁1682的側(cè)表面處產(chǎn)生底切1589，所述第二橫向側(cè)壁1682與第二電容器電極中間件 1580平行且不疊置。接下來(lái)，圖10和圖11分別示出了形成覆蓋在圖8和圖9中示出的層的暴露表面的第二導(dǎo)電層圖案的下一個(gè)工藝。如圖10和圖11中所示，在層間絕緣層160上且在第二電容器電極中間件1580和柵極絕緣層140的暴露的上表面部分上形成用于形成第二導(dǎo)電層圖案的導(dǎo)電層1700。因此，第二電容器電極中間件1580的側(cè)部保持暴露。導(dǎo)電層1700包括金屬層。由層間絕緣層160的電容器開(kāi)口 168產(chǎn)生的階梯高度可以使導(dǎo)電層1700的一部分?jǐn)嚅_(kāi)。接下來(lái)，圖12和圖13分別示出了在圖10和圖11中示出的圖案上形成光致抗蝕劑層的下一個(gè)工藝。如圖12和圖13中所示，在上面描述的導(dǎo)電層1700以及第二電容器電極中間件 1580的剩余的暴露的側(cè)部上涂覆光致抗蝕劑層800。接下來(lái)，圖14和圖15分別示出了將光致抗蝕劑層圖案化并對(duì)在圖12和圖13中示出的圖案執(zhí)行光刻工藝的下一個(gè)工藝。如圖14和圖15中所示，然后將光致抗蝕劑層800圖案化，以形成光致抗蝕劑層圖案801，然后，如圖16中所示，使用光致抗蝕劑層圖案801通過(guò)光刻工藝形成第一導(dǎo)電層圖案(151、152、153、154、155、158 和 710)和第二導(dǎo)電層圖案(171、173、174、176 和 177)。即， 在形成第二導(dǎo)電層圖案(171、173、174、176和177)的同時(shí)，將第一導(dǎo)電層圖案中間件1510、 1520、1530、1540、1550、1580和7100部分地蝕刻，從而一起完成第一導(dǎo)電層圖案(151、152、 153、154、155、158和710)。被部分地蝕刻的第一導(dǎo)電層圖案中間件1510、1520、1530、1540、 1550,1580和7100可以是第二電容器電極158的中間件和像素電極710的中間件。圖16示出了由上述工藝形成的圖案的布局圖，圖17是圖16的與XIV-XIV線和 XV-XV線相鄰的一部分的近觀圖。如圖16和圖17中所示，第一導(dǎo)電層圖案(151、152、153、154、155、158和710)包括柵極(掃描)線151和152、電容器線153、源電極154和155、第二電容器電極158以及像素電極710。另外，第二導(dǎo)電層圖案(171、173、174、176和177)包括數(shù)據(jù)線171、源電極173和 174以及漏電極176和177。圖14和圖15的標(biāo)號(hào)178指示從漏電極177延伸的延伸部。另外，如圖14和圖15中所示，第二電容器電極158主要由通過(guò)電容器開(kāi)口 168暴露的單個(gè)透明導(dǎo)電層1581形成。即，在形成第二導(dǎo)電層圖案(171、173、174、176和177)的工藝中，一起去除形成在透明導(dǎo)電層1581上的多個(gè)金屬層1582、1583和1584。如上所述，通過(guò)電容器開(kāi)口 168暴露的第二電容器電極158必須由單個(gè)透明導(dǎo)電層形成，然而，如圖14和圖15中所示，光致抗蝕劑材料流入到當(dāng)?shù)诙娙萜麟姌O中間件 1580的部分側(cè)表面被底切時(shí)形成的空間中，使得金屬層1582多余地保留在第二電容器電極158的區(qū)域的一部分中的透明導(dǎo)電層1581上。接下來(lái)，在第一電容器電極138中摻雜雜質(zhì)。雜質(zhì)可以為P型或N型。雜質(zhì)可以是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)已知的各種材料。雜質(zhì)傳遞到通過(guò)電容器開(kāi)口 168暴露的且由單個(gè)透明導(dǎo)電層1581制成的第二電容器電極158，并通過(guò)透明導(dǎo)電層1581和柵極絕緣層140摻雜到第一電容器電極138。另一方面，如上所述，第二電容器電極158的通過(guò)電容器開(kāi)口 168暴露的一部分 (但在該部分中，金屬層1582保留在透明導(dǎo)電層1581上)防止雜質(zhì)的傳遞。因此，如圖17中所示，第一電容器電極138具有第一非摻雜區(qū)NP1，在第一非摻雜區(qū)NPl中，雜質(zhì)的摻雜被保留有金屬層的第二電容器電極158阻擋。第一非摻雜區(qū)NPl面對(duì)上面描述的電容器開(kāi)口 168的第二橫向側(cè)壁1682。另外，第一電容器電極138包括第二非摻雜區(qū)NP2，第二非摻雜區(qū)NP2面對(duì)電容器開(kāi)口 168的第一橫向側(cè)壁1681且與層間絕緣層160疊置。第二非摻雜區(qū)NP2被層間絕緣層160覆蓋，使得第二電容器電極158的多個(gè)金屬層1582、1583和1584被去除，由此雜質(zhì)未被摻雜。如上所述，由于第一非摻雜區(qū)NPl和第二非摻雜區(qū)NP2，所以第一電容器電極138 包括具有高電阻的區(qū)域。然而，面對(duì)電容器開(kāi)口 168的縱向側(cè)壁1685的第一電容器電極 138摻雜有雜質(zhì)。因此，第一電容器電極138在第一非摻雜區(qū)NPl和第二非摻雜區(qū)NP2之間摻雜有雜質(zhì)，由此確保具有相對(duì)低的電阻的電通路。同時(shí)，如果電容器開(kāi)口 168單獨(dú)地由第一橫向側(cè)壁1681或第二橫向側(cè)壁1682形成，則非摻雜區(qū)域與第一電容器電極138交叉，從而產(chǎn)生根據(jù)電阻增加的電路驅(qū)動(dòng)的劣化。然而，在第一示例性實(shí)施例中，電容器開(kāi)口 168具有分別形成第一橫向側(cè)壁1681 和第二橫向側(cè)壁1682并通過(guò)第一電容器電極138上的縱向側(cè)壁1685將它們連接的結(jié)構(gòu)， 由此可以在非摻雜區(qū)域NPl和NP2之間確保摻雜區(qū)域，從而可以有效地確保電通路。另外，像素電極710可以與第二電容器電極158的區(qū)域的所述一部分一起由單個(gè)透明導(dǎo)電層制成。接下來(lái)，雖然未示出，但是在第二導(dǎo)電層圖案(171、173、174、176和177)上形成像素限定層。如圖16中所示，像素限定層具有暴露像素電極710的像素開(kāi)口 181。另外，雖然未示出，但是在像素限定層上順序地形成有機(jī)發(fā)射層和共電極，以形成有機(jī)發(fā)光元件。對(duì)于有機(jī)發(fā)射層，可以使用低分子量有機(jī)材料或高分子量有機(jī)材料。有機(jī)發(fā)射層沿相對(duì)于發(fā)射層而朝向像素電極710的方向包括空穴傳輸層和空穴注入層，并且還沿朝向共電極(未示出)的方向包括電子傳輸層和電子注入層。另外，如果需要，則可以堆疊各種層。另外，根據(jù)第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器101使用像素電極 710作為陽(yáng)極，并使用共電極(未示出)作為陰極。然而，該示例性實(shí)施例不限于此，像素電極710和共電極(未示出)的極性可以相反。另外，在第一示例性實(shí)施例中，共電極(未示出)由包括反射材料的材料制成。即， 有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器101具有后發(fā)光結(jié)構(gòu)。詳細(xì)地說(shuō)，共電極(未示出)可以由 Al、Ag、Mg、Li、Ca、LiF/Ca 或 LiF/Al 制成。雖然未示出，但有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器101還可以包括用于防止?jié)駳饣蜓跬溉氲接袡C(jī)發(fā)射層(未示出)中的密封構(gòu)件。通過(guò)根據(jù)第一示例性實(shí)施例的上述制造方法制造的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器101由于電容器80的第一電容器電極138中的雜質(zhì)的非摻雜區(qū)域而抑制了電路驅(qū)動(dòng)的劣化。
接下來(lái)，將參照?qǐng)D18至圖23描述根據(jù)第二示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管 (OLED)顯示器102和制造方法。一直到形成第一導(dǎo)電層圖案中間件1510、1520、1530、巧40、1550、1580和7100，根
據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的制造方法與第一示例性實(shí)施例相同。圖18和圖19示出了通過(guò)第二示例性實(shí)施例的工藝形成的圖案的布局圖，其中，圖 19是與XX-XX線相鄰的圖18的近觀圖。如圖18和圖19中所示，形成覆蓋第一導(dǎo)電層圖案中間件1510、1520、1530、巧40、 1550、1580和7100的層間絕緣層160。另外，部分地蝕刻層間絕緣層160，以形成暴露第二電容器電極中間件1580的一部分的電容器開(kāi)口 168和至少一個(gè)摻雜孔1688。摻雜孔1688與第二電容器電極中間件1580和第一電容器電極138的一部分疊置，并被設(shè)置為接近電容器開(kāi)口 168。另外，用于形成電容器開(kāi)口 168的蝕刻工藝包括使用含有氫氟酸(HF)的溶液的清洗工藝。圖20示出了圖19的與XX-XX線對(duì)應(yīng)的一部分的剖視圖。如圖20中所示，在側(cè)表面通過(guò)層間絕緣層160的電容器開(kāi)口 168暴露的第二電容器電極中間件1580中產(chǎn)生底切1589。這是因?yàn)樾纬傻诙娙萜麟姌O中間件1580的多個(gè)金屬層1582、1583和1584中的至少一個(gè)金屬層(158 被氫氟酸溶液腐蝕。圖21示出了根據(jù)第二示例性實(shí)施例的在基底上形成第二導(dǎo)電層圖案和光致抗蝕劑層的下一個(gè)工藝。接下來(lái)，如圖21中所示，在第一導(dǎo)電層圖案中間件1510、1520、1530、1540、1550、 1580,7100和層間絕緣層160上形成用于形成第二導(dǎo)電層圖案(171、173、174、176和177) 的導(dǎo)電層1700，并在導(dǎo)電層1700上涂覆光致抗蝕劑層800。圖22示出了將光致抗蝕劑層圖案化并執(zhí)行光刻工藝的下一個(gè)工藝。在圖22中，在將光致抗蝕劑層800圖案化以形成光致抗蝕劑層圖案801之后，使用光致抗蝕劑層圖案801通過(guò)光刻工藝形成第一導(dǎo)電層圖案(151、152、153、154、155、158 和710)和第二導(dǎo)電層圖案(171、173、174、176和177)。即，在形成第二導(dǎo)電層圖案(171、 173、174、176和177)的同時(shí)，部分地蝕刻第一導(dǎo)電層圖案中間件1510、1520、1530、1540、 1550、1580 和 7100，從而一起完成第一導(dǎo)電層圖案(151、152、153、154、155、158 和 710)。被部分地蝕刻的第一導(dǎo)電層圖案中間件1510、1520、1530、巧40、1550、1580和7100可以是第二電容器電極158的中間件和像素電極710的中間件。如圖23中所示，第一導(dǎo)電層圖案(151、152、153、154、155、158和710)包括柵極線 151和152、電容器線153、源電極154和155、第二電容器電極158以及像素電極710。另外，第二導(dǎo)電層圖案(171、173、174、176和177)包括數(shù)據(jù)線171、源電極173和 174以及漏電極176和177。圖22的標(biāo)號(hào)178是從漏電極177延伸的擴(kuò)展部。另外，如圖22中所示，使用單個(gè)透明導(dǎo)電層1581形成第二電容器電極158的通過(guò)電容器開(kāi)口 168暴露的大部分。即，在形成第二導(dǎo)電層圖案(171、173、174、176和177)的工藝中，一起去除形成在透明導(dǎo)電層1581上的多個(gè)金屬層1582、1583和1584。如上所述，通過(guò)電容器開(kāi)口 168暴露的第二電容器電極158應(yīng)使用單個(gè)透明導(dǎo)電層形成，然而，如圖21和圖22中所示，光致抗蝕劑材料流入到當(dāng)?shù)诙娙萜麟姌O中間件
121580的部分側(cè)表面被底切時(shí)形成的空間中，使得金屬層1582在第二電容器電極158的部分區(qū)域中多余地保留在透明導(dǎo)電層1581上。另外，雖然覆蓋了層間絕緣層160，但通過(guò)第一電容器電極138和第二電容器電極 158彼此疊置的區(qū)域中的摻雜孔1688去除第二電容器電極158的多個(gè)金屬層1582、1583和 1584，從而暴露單個(gè)透明導(dǎo)電層1581。接下來(lái)，第一電容器電極138摻雜有雜質(zhì)。雜質(zhì)可以為P型或N型。雜質(zhì)可以包括對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)已知的各種材料。雜質(zhì)傳遞到通過(guò)電容器開(kāi)口 168和摻雜孔1688暴露的且由單個(gè)透明導(dǎo)電層1581 形成的第二電容器電極158，并摻雜到第一電容器電極138。另一方面，如上所述，第二電容器電極158的通過(guò)電容器開(kāi)口 168暴露的一部分 (但在該部分中，金屬層1582保留在透明導(dǎo)電層1581上)防止雜質(zhì)的傳遞。然而，在形成有摻雜孔1688的區(qū)域中通過(guò)摻雜孔1688去除透明導(dǎo)電層1581上的金屬層1582，使得雜質(zhì)順利地傳遞到第二電容器電極158，并可以摻雜到第一電容器電極138。另外，金屬層1582、1583和1584保留在摻雜孔1688和電容器開(kāi)口 168之間的相對(duì)小的空間中，從而會(huì)防止雜質(zhì)的摻雜。然而，使雜質(zhì)沿橫向方向橫向漫延預(yù)定的距離，使得雜質(zhì)可以充分地?cái)U(kuò)散到摻雜孔1688和電容器開(kāi)口 168之間的相對(duì)小的間隙。因此，由于未摻雜雜質(zhì)而具有高電阻的區(qū)域，所以第一電容器電極138可以抑制電路驅(qū)動(dòng)的劣化。即，第一電容器電極138沒(méi)有被非摻雜區(qū)域斷開(kāi)，從而可以有效地確保電傳輸路徑。圖23示出了通過(guò)圖18-22的工藝形成有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的圖案的布局圖。接下來(lái)，根據(jù)第二示例性實(shí)施例，使用與第一示例性實(shí)施例的方法相同的方法來(lái)形成像素限定層(未示出)、有機(jī)發(fā)射層(未示出)、共電極(未示出)和密封構(gòu)件(未示出)，從而形成有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器102，如圖23中所示。由于在電容器80的第一電容器電極138中未摻雜雜質(zhì)的區(qū)域，所以通過(guò)根據(jù)第二示例性實(shí)施例的制造方法制造的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器102可以抑制電路驅(qū)動(dòng)的劣化。雖然已經(jīng)結(jié)合當(dāng)前被視為實(shí)際的示例性實(shí)施例的內(nèi)容描述了本公開(kāi)，但應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不限于所公開(kāi)的實(shí)施例，而是相反，本發(fā)明意圖覆蓋包括在權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等同布置。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括 基底；半導(dǎo)體層圖案，形成在所述基底上，并包括第一電容器電極； 柵極絕緣層，覆蓋所述半導(dǎo)體層圖案；第一導(dǎo)電層圖案，形成在所述柵極絕緣層上，并包括第二電容器電極，所述第二電容器電極具有與所述第一電容器電極疊置的至少一部分；層間絕緣層，具有暴露所述第二電容器電極的一部分的電容器開(kāi)口，并覆蓋所述第二電容器電極；第二導(dǎo)電層圖案，形成在所述層間絕緣層上，其中，所述電容器開(kāi)口包括第一橫向側(cè)壁、第二橫向側(cè)壁和縱向側(cè)壁，所述第一橫向側(cè)壁與所述第二電容器電極平行且疊置，所述第二橫向側(cè)壁與所述第二電容器電極平行且不疊置，所述縱向側(cè)壁將所述第一橫向側(cè)壁和所述第二橫向側(cè)壁彼此連接且與所述第一電容器電極疊置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，與所述電容器開(kāi)口的所述縱向側(cè)壁疊置的第一電容器電極是摻雜有雜質(zhì)的半導(dǎo)體層。
3.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括 基底；半導(dǎo)體層圖案，形成在所述基底上，并包括第一電容器電極； 柵極絕緣層，覆蓋所述半導(dǎo)體層圖案；第一導(dǎo)電層圖案，形成在所述柵極絕緣層上，并包括第二電容器電極，所述第二電容器電極具有與所述第一電容器電極疊置的至少一部分；層間絕緣層，包括電容器開(kāi)口和至少一個(gè)摻雜孔并覆蓋所述第二電容器電極，所述電容器開(kāi)口暴露所述第二電容器電極的一部分，所述至少一個(gè)摻雜孔與所述第二電容器電極和所述第一電容器電極疊置且暴露所述第二電容器電極的靠近所述電容器開(kāi)口的一部分；第二導(dǎo)電層圖案，形成在所述層間絕緣層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，與所述至少一個(gè)摻雜孔疊置的第一電容器電極是摻雜有雜質(zhì)的半導(dǎo)體層。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，所述第一導(dǎo)電層圖案的區(qū)域的一部分由單個(gè)透明導(dǎo)電層形成，所述區(qū)域的另一部分由透明導(dǎo)電層和沉積在透明導(dǎo)電層上的多個(gè)金屬層形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，所述電容器開(kāi)口通過(guò)蝕刻工藝形成，所述蝕刻工藝包括使用含有氫氟酸的溶液的清洗工藝。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，所述多個(gè)金屬層中的除了最高層之外的至少一個(gè)金屬層與所述最高層相比相對(duì)更容易地被所述含有氫氟酸的溶液腐蝕。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，所述多個(gè)金屬層中的除了最高層之外的至少一個(gè)金屬層包括鋁。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，所述第一導(dǎo)電層圖案的所述第二電容器電極的通過(guò)所述電容器開(kāi)口暴露的所述一部分由單個(gè)透明導(dǎo)電層形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，與由所述單個(gè)透明導(dǎo)電層形成的所述第二電容器電極的所述一部分疊置的第一電容器電極摻雜有雜質(zhì)。
11.一種用于制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法，所述方法包括 提供基底；在所述基底上形成包括第一電容器電極的半導(dǎo)體層圖案； 形成覆蓋所述半導(dǎo)體層圖案的柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上形成包括第二電容器電極中間件的第一導(dǎo)電層圖案中間件，所述第二電容器電極中間件具有與所述第一電容器電極疊置的至少一部分；形成層間絕緣層，所述層間絕緣層具有暴露所述第二電容器電極中間件的一部分的電容器開(kāi)口并覆蓋所述第一導(dǎo)電層圖案中間件；在所述層間絕緣層上形成第二導(dǎo)電層圖案的同時(shí)，部分地蝕刻所述第一導(dǎo)電層圖案中間件，從而完成包括第二電容器電極的第一導(dǎo)電層圖案，其中，所述電容器開(kāi)口包括第一橫向側(cè)壁、第二橫向側(cè)壁和縱向側(cè)壁，所述第一橫向側(cè)壁與所述第二電容器電極平行且疊置，所述第二橫向側(cè)壁與所述第二電容器電極平行且不疊置，所述縱向側(cè)壁將所述第一橫向側(cè)壁和所述第二橫向側(cè)壁彼此連接且與所述第一電容器電極疊置。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，與所述電容器開(kāi)口的所述縱向側(cè)壁疊置的第一電容器電極是摻雜有雜質(zhì)的半導(dǎo)體層。
13.一種用于制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法，所述方法包括 提供基底；在所述基底上形成包括第一電容器電極的半導(dǎo)體層圖案； 形成覆蓋所述半導(dǎo)體層圖案的柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上形成包括第二電容器電極中間件的第一導(dǎo)電層圖案中間件，所述第二電容器電極中間件具有與所述第一電容器電極疊置的至少一部分；形成層間絕緣層，所述層間絕緣層包括電容器開(kāi)口和至少一個(gè)摻雜孔，所述電容器開(kāi)口暴露所述第二電容器電極中間件的一部分，所述至少一個(gè)摻雜孔與所述第二電容器電極中間件和所述第一電容器電極疊置且暴露所述第二電容器電極中間件的靠近所述電容器開(kāi)口的一部分，并且所述層間絕緣層覆蓋所述第二電容器電極中間件；在所述層間絕緣層上形成第二導(dǎo)電層圖案的同時(shí)，部分地蝕刻所述第一導(dǎo)電層圖案中間件，從而完成包括第二電容器電極的第一導(dǎo)電層圖案。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，所述方法還包括通過(guò)所述至少一個(gè)摻雜孔將雜質(zhì)摻雜到所述第一電容器電極。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述第一導(dǎo)電層圖案的區(qū)域的一部分由單個(gè)透明導(dǎo)電層形成，所述區(qū)域的另一部分由透明導(dǎo)電層和沉積在透明導(dǎo)電層上的多個(gè)金屬層形成。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，通過(guò)蝕刻工藝形成所述電容器開(kāi)口，所述蝕刻工藝包括使用含有氫氟酸的溶液的清洗工藝。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述多個(gè)金屬層中的除了最高層之外的至少一個(gè)金屬層與所述最高層相比相對(duì)更容易地被所述含有氫氟酸的溶液腐蝕。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述多個(gè)金屬層中的除了最高層之外的至少一個(gè)金屬層包括鋁。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述第一導(dǎo)電層圖案的所述第二電容器電極的通過(guò)所述電容器開(kāi)口暴露的至少一部分由所述單個(gè)透明導(dǎo)電層形成。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，與由所述單個(gè)透明導(dǎo)電層形成的所述第二電容器電極的所述至少一部分疊置的第一電容器電極摻雜有雜質(zhì)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法。在有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器和制造方法中，OLED顯示器包括基底；半導(dǎo)體層圖案，形成在基底上，并包括第一電容器電極；柵極絕緣層，覆蓋半導(dǎo)體層圖案；第一導(dǎo)電層圖案，形成在柵極絕緣層上，并包括第二電容器電極，第二電容器電極具有與第一電容器電極疊置的至少一部分；層間絕緣層，具有暴露第二電容器電極的一部分的電容器開(kāi)口，并覆蓋第二電容器電極；第二導(dǎo)電層圖案，形成在層間絕緣層上，其中，電容器開(kāi)口包括與第二電容器電極平行且疊置的第一橫向側(cè)壁、與第二電容器電極平行且不疊置的第二橫向側(cè)壁以及將第一橫向側(cè)壁和第二橫向側(cè)壁彼此連接且與第一電容器電極疊置的縱向側(cè)壁。
文檔編號(hào)H01L51/52GK102479798SQ201110165818
公開(kāi)日2012年5月30日 申請(qǐng)日期2011年6月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月25日
發(fā)明者樸鐘賢, 樸鮮, 李律圭, 金大宇 申請(qǐng)人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社