專利名稱：一種晶體硅太陽能電池三層減反射膜及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種太陽能電池制造技術(shù)，特別涉及一種晶體硅太陽能電池減反射膜及其制備方法。
背景技術(shù)：
為了提高晶體硅太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，應(yīng)減少電池表面光的反射損失，增加光的透射。減反射膜的制作直接影響著太陽能電池對入射光的反射率，對太陽能電池效率的提高起著非常重要的作用。目前已大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化的是采用高溫氣相化學(xué)沉積PECVD設(shè)備直接在擴(kuò)散完成后的硅片表面上進(jìn)行氮化硅沉積，氮化硅薄膜具有較低的減反射效果， 然而氮化硅減反射膜硅太陽能電池的反射率還不是很低，其它常規(guī)單層減反射膜材料都很難達(dá)到很好的減反射效果，因此現(xiàn)有的太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率還是很低，如何進(jìn)一步降低反射率成為一大難題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，提供一種降低電池表面對光的反射，提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率的晶體硅太陽能電池三層減反射膜及其制備方法。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)解決方案是一種晶體硅太陽能電池三層減反射膜，其是由三層膜構(gòu)成，第一層為太陽能電池晶體硅表面的二氧化硅薄膜，厚度為20 30nm，折射率為1. 15 1. 25 ；第二層為二氧化鈦和二氧化硅復(fù)合薄膜，厚度為80 90nm， 折射率為1. 30 1. 45 ；第三層為納米二氧化鈦薄膜，厚度為50 60nm，折射率為2. 12
2. 28 ο上述所述晶體硅太陽能電池三層減反射膜的制備方法，其是對經(jīng)過清洗制絨，擴(kuò)散制備PN結(jié)，刻蝕去除晶體硅片四周的PN結(jié)，清洗去除磷硅玻璃的處理步驟后的晶體硅片鍍減反射膜，其包括以下步驟1、在擴(kuò)散爐內(nèi)采用熱氧化法在晶體硅的表面生長一層厚度為20 30nm，折射率為1. 15 1. 25的二氧化硅薄膜，其中通入的氮?dú)釴2流量為5 20L/min，氧氣仏流量為 2 3L/min，溫度為800 900°C，反應(yīng)時間為10 30min ；2、采用溶膠凝膠涂覆法在步驟1的二氧化硅薄膜表面形成厚度為80 90nm，折射率為1. 30 1. 45的二氧化硅和二氧化鈦復(fù)合薄膜；3、采用溶膠凝膠涂覆法在步驟2的二氧化硅和二氧化鈦復(fù)合薄膜上再沉積厚度為50 60nm，折射率為2. 12 2. 28的二氧化鈦薄膜。本發(fā)明的三層減反射膜的制備方法中，所述的步驟2包括以下步驟A、將正硅酸四乙酯、無水乙醇和鹽酸按照摩爾比為1 0.1 0.2 6 12的比例在混合容器中混合，加熱至20 100°C，攪拌得到溶膠，陳化三天備用；B、將二氧化鈦納米粒子加入上述溶膠中，超聲分散處理30 60min，形成二氧化鈦粒子充分分散的涂覆漿體，二氧化鈦納米粒子粒徑為20 30nm，二氧化鈦粒子與溶膠重量比為1 15 20 ；C、在晶體硅經(jīng)步驟1形成的二氧化硅薄膜表面采用絲網(wǎng)印刷方法印刷一層上述漿體，隨后將印刷好漿體的產(chǎn)品置入燒結(jié)爐中，用溫度300-350°C的空氣進(jìn)行熱處理 l-2min，在二氧化硅薄膜表面再形成一層二氧化鈦和二氧化硅復(fù)合薄膜。本發(fā)明的三層減反射膜的制備方法中，所述的步驟3包括以下步驟A、將鈦酸正丁酯與無水乙醇在混合容器中混合，攪拌形成透明溶液，再滴加蒸餾水，攪拌得到淡黃色溶膠，陳化三天備用，鈦酸正丁酯、無水乙醇與蒸餾水的摩爾比為 0. 01-0. 02 1 0. 004-0. 02 ；B、將二氧化鈦納米粒子加入上述溶膠中，超聲分散處理30 60min，形成二氧化鈦粒子充分分散的涂覆漿體，二氧化鈦納米粒子粒徑為20 30nm，二氧化鈦粒子與溶膠重量比為1 15 20 ；C、在步驟2形成的二氧化鈦和二氧化硅復(fù)合薄膜的表面采用絲網(wǎng)印刷方法印刷一層上述漿體，隨后將印刷好漿體的產(chǎn)品置入燒結(jié)爐中，用溫度400-450°C的空氣進(jìn)行熱處理Ι-aiiin，在二氧化鈦和二氧化硅復(fù)合薄膜表面再形成一層二氧化鈦薄膜。由于本發(fā)明采用了上述技術(shù)方案，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下優(yōu)點(diǎn)(1)本發(fā)明方法中的三層減反射膜可以明顯降低電池表面對光的反射，晶體硅片表面對光子吸收的幾率增加，提高了太陽能電池的光電轉(zhuǎn)化效率。在太陽能電池晶體硅片表面，選擇三層減反射膜進(jìn)行膜系組合，并采用最佳的膜層厚度，以使得電池在所工作的光譜范圍內(nèi)獲得最佳的減反射效果，三層減反射膜的設(shè)計(jì)可以進(jìn)一步降低入射光在電池表面的反射，與現(xiàn)有氮化硅減反射膜相比，在光譜范圍300nm-1200nm之間的反射率降低20%以上，光電轉(zhuǎn)換效率提高0. 左右。( 本發(fā)明的三層減反射膜，第二層的復(fù)合薄膜有助于緩解第一層薄膜和第三層薄膜折射率突變使得相鄰薄膜結(jié)合力弱的缺陷。( 本發(fā)明采用的溶膠凝膠法是一種廣泛應(yīng)用于薄膜沉積的方法，其具有設(shè)備簡單，對樣品的尺寸沒有要求，不需要特殊的高壓或真空的環(huán)境，且制備得到的薄膜均勻性好的優(yōu)點(diǎn)。(4)本發(fā)明的制備方法簡單，適合規(guī)?；a(chǎn)。


圖1為本發(fā)明三層減反射膜的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體實(shí)施例對本法明做進(jìn)一步的描述。實(shí)施例1，如圖1所示，一種晶體硅太陽能電池三層減反射膜，其是由三層膜構(gòu)成， 第一層為太陽能電池晶體硅5表面的二氧化硅薄膜4，厚度為20nm，折射率為1. 15 ；第二層為二氧化鈦和二氧化硅復(fù)合薄膜3，厚度為80nm，折射率為1. 30 ；第三層為納米二氧化鈦薄膜2，厚度為50nm，折射率為2. 12。1為柵線。對經(jīng)過清洗制絨，擴(kuò)散制備PN結(jié)，刻蝕去除硅片四周的PN結(jié)，清洗去除磷硅玻璃的處理步驟后的晶體硅片鍍減反射膜，其包括以下步驟1、在擴(kuò)散爐內(nèi)采用熱氧化法在晶體硅的表面生長一層厚度為20nm，折射率為1. 15的二氧化硅薄膜，其中通入的氮?dú)釴2流量為5L/min，氧氣O2流量為3L/min，溫度為 850 °C，反應(yīng)時間為25min。2、采用溶膠凝膠涂覆法在步驟1的二氧化硅薄膜表面形成厚度為80nm，折射率為 1. 30的二氧化硅和二氧化鈦復(fù)合薄膜。其包括以下步驟A、將正硅酸四乙酯、無水乙醇和鹽酸按照摩爾比為1 0. 1 6的比例在混合容器中混合，加熱至100°C，攪拌得到溶膠，陳化三天備用；B、將二氧化鈦納米粒子加入上述溶膠中，超聲分散處理30min，形成二氧化鈦粒子充分分散的涂覆漿體，二氧化鈦納米粒子粒徑為20nm，二氧化鈦粒子與溶膠重量比為 1 15 ;C、在晶體硅經(jīng)步驟1形成的二氧化硅薄膜表面采用絲網(wǎng)印刷方法印刷一層上述漿體，隨后將印刷好漿體的產(chǎn)品置入燒結(jié)爐中，用溫度300°C的空氣進(jìn)行熱處理lmin，在二氧化硅薄膜表面再形成一層二氧化鈦和二氧化硅復(fù)合薄膜。3、采用溶膠凝膠涂覆發(fā)在步驟2的二氧化硅和二氧化鈦復(fù)合薄膜上再沉積厚度為50nm，折射率為2. 12的二氧化鈦薄膜。其包括以下步驟A、將鈦酸正丁酯與無水乙醇在混合容器中混合，攪拌形成透明溶液，再滴加蒸餾水，攪拌得到淡黃色溶膠，陳化三天備用， 鈦酸正丁酯、無水乙醇與蒸餾水的摩爾比為0.01 1 0.004 ;B、將二氧化鈦納米粒子加入上述溶膠中，超聲分散處理30min，形成二氧化鈦粒子充分分散的涂覆漿體，二氧化鈦納米粒子粒徑為20nm，二氧化鈦粒子與溶膠重量比為1 15 ;C、在步驟2形成的二氧化鈦和二氧化硅復(fù)合薄膜的表面采用絲網(wǎng)印刷方法印刷一層上述漿體，隨后將印刷好漿體的產(chǎn)品置入燒結(jié)爐中，用溫度400°C的空氣進(jìn)行熱處理lmin，在二氧化鈦和二氧化硅復(fù)合薄膜表面再形成一層二氧化鈦薄膜。實(shí)施例2，如圖1所示，一種晶體硅太陽能電池三層減反射膜，其是由三層膜構(gòu)成， 第一層為太陽能電池晶體硅5表面的二氧化硅薄膜4，厚度為30nm，折射率為1. 25 ；第二層為二氧化鈦和二氧化硅復(fù)合薄膜3，厚度為90nm，折射率為1.45 ；第三層為納米二氧化鈦薄膜2，厚度為60nm，折射率為2.觀。1為柵線。對經(jīng)過清洗制絨，擴(kuò)散制備PN結(jié)，刻蝕去除晶體硅片四周的PN結(jié)，清洗去除磷硅玻璃的處理步驟后的晶體硅片鍍減反射膜，其包括以下步驟1、在擴(kuò)散爐內(nèi)采用熱氧化法在晶體硅的表面生長一層厚度為30nm，折射率為 1. 25的二氧化硅薄膜，其中通入的氮?dú)釴2流量為20L/min，氧氣02流量為2L/min，溫度為 800 °C，反應(yīng)時間為30min。2、采用溶膠凝膠涂覆法在步驟1的二氧化硅薄膜表面形成厚度為90nm，折射率為 1. 45的二氧化硅和二氧化鈦復(fù)合薄膜。其包括以下步驟A、將正硅酸四乙酯、無水乙醇和鹽酸按照摩爾比為1 0.2 12的比例在混合容器中混合，加熱至50°C，攪拌得到溶膠，陳化三天備用；B、將二氧化鈦納米粒子加入上述溶膠中，超聲分散處理60min，形成二氧化鈦粒子充分分散的涂覆漿體，二氧化鈦納米粒子粒徑為30nm，二氧化鈦粒子與溶膠重量比為 1 20 ;C、在晶體硅經(jīng)步驟1形成的二氧化硅薄膜表面采用絲網(wǎng)印刷方法印刷一層上述漿體，隨后將印刷好漿體的產(chǎn)品置入燒結(jié)爐中，用溫度350°C的空氣進(jìn)行熱處理aiiin，在二氧化硅薄膜表面再形成一層二氧化鈦和二氧化硅復(fù)合薄膜。3、采用溶膠凝膠涂覆發(fā)在步驟2的二氧化硅和二氧化鈦復(fù)合薄膜上再沉積厚度為60nm，折射率為2. 28的二氧化鈦薄膜。其包括以下步驟A、將鈦酸正丁酯與無水乙醇在混合容器中混合，攪拌形成透明溶液，再滴加蒸餾水，攪拌得到淡黃色溶膠，陳化三天備用，鈦酸正丁酯、無水乙醇與蒸餾水的摩爾比為0.02 1 0. 02 ;B、將二氧化鈦納米粒子加入上述溶膠中，超聲分散處理60min，形成二氧化鈦粒子充分分散的涂覆漿體，二氧化鈦納米粒子粒徑為30nm，二氧化鈦粒子與溶膠重量比為1 20 ；C、在步驟2形成的二氧化鈦和二氧化硅復(fù)合薄膜的表面采用絲網(wǎng)印刷方法印刷一層上述漿體，隨后將印刷好漿體的產(chǎn)品置入燒結(jié)爐中，用溫度450°C的空氣進(jìn)行熱處理aiiin，在二氧化鈦和二氧化硅復(fù)合薄膜表面再形成一層二氧化鈦薄膜。實(shí)施例3，如圖1所示，一種晶體硅太陽能電池三層減反射膜，其是由三層膜構(gòu)成， 第一層為太陽能電池晶體硅5表面的二氧化硅薄膜4，厚度為23nm，折射率為1. 18 ；第二層為二氧化鈦和二氧化硅復(fù)合薄膜3，厚度為85nm，折射率為1. 4 ；第三層為納米二氧化鈦薄膜2，厚度為55nm，折射率為2. 15。1為柵線。對經(jīng)過清洗制絨，擴(kuò)散制備PN結(jié)，刻蝕去除硅片四周的PN結(jié)，清洗去除磷硅玻璃的處理步驟后的晶體硅片鍍減反射膜，其包括以下步驟1、在擴(kuò)散爐內(nèi)采用熱氧化法在晶體硅的表面生長一層厚度為23nm，折射率為 1. 18的二氧化硅薄膜，其中通入的氮?dú)釴2流量為lOL/min，氧氣02流量為2. 5L/min，溫度為900°C，反應(yīng)時間為IOmin。2、采用溶膠凝膠涂覆法在步驟1的二氧化硅薄膜表面形成厚度為85nm，折射率為 1. 4的二氧化硅和二氧化鈦復(fù)合薄膜。其包括以下步驟A、將正硅酸四乙酯、無水乙醇和鹽酸按照摩爾比為1 0. 15 9的比例在混合容器中混合，加熱至20°C，攪拌得到溶膠，陳化三天備用；B、將二氧化鈦納米粒子加入上述溶膠中，超聲分散處理50min，形成二氧化鈦粒子充分分散的涂覆漿體，二氧化鈦納米粒子粒徑為25nm，二氧化鈦粒子與溶膠重量比為 1 18 ;C、在晶體硅經(jīng)步驟1形成的二氧化硅薄膜表面采用絲網(wǎng)印刷方法印刷一層上述漿體，隨后將印刷好漿體的產(chǎn)品置入燒結(jié)爐中，用溫度320°C的空氣進(jìn)行熱處理1. 5min，在二氧化硅薄膜表面再形成一層二氧化鈦和二氧化硅復(fù)合薄膜。3、采用溶膠凝膠涂覆發(fā)在步驟2的二氧化硅和二氧化鈦復(fù)合薄膜上再沉積厚度為55nm，折射率為2. 15的二氧化鈦薄膜。其包括以下步驟A、將鈦酸正丁酯與無水乙醇在混合容器中混合，攪拌形成透明溶液，再滴加蒸餾水，攪拌得到淡黃色溶膠，陳化三天備用， 鈦酸正丁酯、無水乙醇與蒸餾水的摩爾比為0.015 1 0. 008 ;B、將二氧化鈦納米粒子加入上述溶膠中，超聲分散處理50min，形成二氧化鈦粒子充分分散的涂覆漿體，二氧化鈦納米粒子粒徑為25nm，二氧化鈦粒子與溶膠重量比為1 18 ;C、在步驟2形成的二氧化鈦和二氧化硅復(fù)合薄膜的表面采用絲網(wǎng)印刷方法印刷一層上述漿體，隨后將印刷好漿體的產(chǎn)品置入燒結(jié)爐中，用溫度420°C的空氣進(jìn)行熱處理1.5min，在二氧化鈦和二氧化硅復(fù)合薄膜表面再形成一層二氧化鈦薄膜。實(shí)施例4，如圖1所示，一種晶體硅太陽能電池三層減反射膜，其是由三層膜構(gòu)成， 第一層為太陽能電池晶體硅5表面的二氧化硅薄膜4，厚度為25nm，折射率為1.20 ；第二層為二氧化鈦和二氧化硅復(fù)合薄膜3，厚度為82nm，折射率為1. 35 ；第三層為納米二氧化鈦薄膜2，厚度為58nm，折射率為2. 20。1為柵線。對經(jīng)過清洗制絨，擴(kuò)散制備PN結(jié)，刻蝕去除硅片四周的PN結(jié)，清洗去除磷硅玻璃的處理步驟后的晶體硅片鍍減反射膜，其包括以下步驟1、在擴(kuò)散爐內(nèi)采用熱氧化法在晶體硅的表面生長一層厚度為25nm，折射率為1. 20的二氧化硅薄膜，其中通入的氮?dú)釴2流量為15L/min，氧氣02流量為2. 8L/min，溫度為820°C，反應(yīng)時間為20min。2、采用溶膠凝膠涂覆法在步驟1的二氧化硅薄膜表面形成厚度為82nm，折射率為 1. 35的二氧化硅和二氧化鈦復(fù)合薄膜。其包括以下步驟A、將正硅酸四乙酯、無水乙醇和鹽酸按照摩爾比為1 0. 13 10的比例在混合容器中混合，加熱至75°C，攪拌得到溶膠， 陳化三天備用；B、將二氧化鈦納米粒子加入上述溶膠中，超聲分散處理40min，形成二氧化鈦粒子充分分散的涂覆漿體，二氧化鈦納米粒子粒徑為23nm，二氧化鈦粒子與溶膠重量比為1 19 ;C、在晶體硅經(jīng)步驟1形成的二氧化硅薄膜表面采用絲網(wǎng)印刷方法印刷一層上述漿體，隨后將印刷好漿體的產(chǎn)品置入燒結(jié)爐中，用溫度330°C的空氣進(jìn)行熱處理1.75min， 在二氧化硅薄膜表面再形成一層二氧化鈦和二氧化硅復(fù)合薄膜。3、采用溶膠凝膠涂覆發(fā)在步驟2的二氧化硅和二氧化鈦復(fù)合薄膜上再沉積厚度為58nm，折射率為2. 20的二氧化鈦薄膜。其包括以下步驟A、將鈦酸正丁酯與無水乙醇在混合容器中混合，攪拌形成透明溶液，再滴加蒸餾水，攪拌得到淡黃色溶膠，陳化三天備用， 鈦酸正丁酯、無水乙醇與蒸餾水的摩爾比為0.013 1 0.01 ;B、將二氧化鈦納米粒子加入上述溶膠中，超聲分散處理40min，形成二氧化鈦粒子充分分散的涂覆漿體，二氧化鈦納米粒子粒徑為23nm，二氧化鈦粒子與溶膠重量比為1 19 ;C、在步驟2形成的二氧化鈦和二氧化硅復(fù)合薄膜的表面采用絲網(wǎng)印刷方法印刷一層上述漿體，隨后將印刷好漿體的產(chǎn)品置入燒結(jié)爐中，用溫度430°C的空氣進(jìn)行熱處理1. 75min，在二氧化鈦和二氧化硅復(fù)合薄膜表面再形成一層二氧化鈦薄膜。實(shí)施例5，一種晶體硅太陽能電池三層減反射膜，其是由三層膜構(gòu)成，第一層為太陽能電池晶體硅5表面的二氧化硅薄膜4，厚度為^nm,折射率為1.22 ；第二層為二氧化鈦和二氧化硅復(fù)合薄膜3，厚度為88nm，折射率為1. 38 ；第三層為納米二氧化鈦薄膜2，厚度為 53nm，折射率為2. 25。1為柵線。對經(jīng)過清洗制絨，擴(kuò)散制備PN結(jié)，刻蝕去除硅片四周的PN結(jié)，清洗去除磷硅玻璃的處理步驟后的硅片鍍減反射膜，其包括以下步驟1、在擴(kuò)散爐內(nèi)采用熱氧化法在晶體硅的表面生長一層厚度為^nm,折射率為 1. 22的二氧化硅薄膜，其中通入的氮?dú)釴2流量為13L/min，氧氣02流量為2. 3L/min，溫度為880°C，反應(yīng)時間為15min。2、采用溶膠凝膠涂覆法在步驟1的二氧化硅薄膜表面形成厚度為88nm，折射率為 1. 38的二氧化硅和二氧化鈦復(fù)合薄膜。其包括以下步驟A、將正硅酸四乙酯、無水乙醇和鹽酸按照摩爾比為1 0. 18 8的比例在混合容器中混合，加熱至35°C，攪拌得到溶膠，陳化三天備用；B、將二氧化鈦納米粒子加入上述溶膠中，超聲分散處理45min，形成二氧化鈦粒子充分分散的涂覆漿體，二氧化鈦納米粒子粒徑為^nm, 二氧化鈦粒子與溶膠重量比為 1 16 ;C、在晶體硅經(jīng)步驟1形成的二氧化硅薄膜表面采用絲網(wǎng)印刷方法印刷一層上述漿體，隨后將印刷好漿體的產(chǎn)品置入燒結(jié)爐中，用溫度340°C的空氣進(jìn)行熱處理1.35min，在二氧化硅薄膜表面再形成一層二氧化鈦和二氧化硅復(fù)合薄膜。3、采用溶膠凝膠涂覆發(fā)在步驟2的二氧化硅和二氧化鈦復(fù)合薄膜上再沉積厚度為53nm，折射率為2. 25的二氧化鈦薄膜。其包括以下步驟A、將鈦酸正丁酯與無水乙醇在混合容器中混合，攪拌形成透明溶液，再滴加蒸餾水，攪拌得到淡黃色溶膠，陳化三天備用，鈦酸正丁酯、無水乙醇與蒸餾水的摩爾比為0.018 1 0.015 ;B、將二氧化鈦納米粒子加入上述溶膠中，超聲分散處理45min，形成二氧化鈦粒子充分分散的涂覆漿體，二氧化鈦納米粒子粒徑為^nm, 二氧化鈦粒子與溶膠重量比為1 16 ；C、在步驟2形成的二氧化鈦和二氧化硅復(fù)合薄膜的表面采用絲網(wǎng)印刷方法印刷一層上述漿體，隨后將印刷好漿體的產(chǎn)品置入燒結(jié)爐中，用溫度440°C的空氣進(jìn)行熱處理1. 35min，在二氧化鈦和二氧化硅復(fù)合薄膜表面再形成一層二氧化鈦薄膜。
權(quán)利要求
1.一種晶體硅太陽能電池三層減反射膜，其特征在于其是由三層膜構(gòu)成，第一層為太陽能電池晶體硅表面的二氧化硅薄膜，厚度為20 30nm，折射率為1. 15 1. 25 ；第二層為二氧化鈦和二氧化硅復(fù)合薄膜，厚度為80 90nm，折射率為1. 30 1. 45 ；第三層為納米二氧化鈦薄膜，厚度為50 60nm，折射率為2. 12 2. 28。
2.—種權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池三層減反射膜的制備方法，其是對經(jīng)過清洗制絨，擴(kuò)散制備PN結(jié)，刻蝕去除晶體硅片四周的PN結(jié)，清洗去除磷硅玻璃的處理步驟后的晶體硅片鍍減反射膜，其特征在于其包括以下步驟(1)在擴(kuò)散爐內(nèi)采用熱氧化法在晶體硅的表面生長一層厚度為20 30nm，折射率為 1. 15 1. 25的二氧化硅薄膜，其中通入的氮?dú)釴2流量為5 20L/min，氧氣02流量為2 3L/min，溫度為800 900°C，反應(yīng)時間為10 30min ；(2)采用溶膠凝膠涂覆法在步驟(1)的二氧化硅薄膜表面形成厚度為80 90nm，折射率為1. 30 1. 45的二氧化硅和二氧化鈦復(fù)合薄膜；(3)采用溶膠凝膠涂覆法在步驟O)的二氧化硅和二氧化鈦復(fù)合薄膜上再沉積厚度為 50 60nm，折射率為2. 12 2. 28的二氧化鈦薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的三層減反射膜的制備方法，其特征在于所述的步驟(2)包括以下步驟A、將正硅酸四乙酯、無水乙醇和鹽酸按照摩爾比為1 0. 1 0. 2 6 12的比例在混合容器中混合，加熱至20 100°C，攪拌得到溶膠，陳化三天備用；B、將二氧化鈦納米粒子加入上述溶膠中，超聲分散處理30 60min，形成二氧化鈦粒子充分分散的涂覆漿體，二氧化鈦納米粒子粒徑為20 30nm，二氧化鈦粒子與溶膠重量比為 1 15 20 ；C、在晶體硅片襯底經(jīng)步驟(1)形成的二氧化硅薄膜表面采用絲網(wǎng)印刷方法印刷一層上述漿體，隨后將印刷好漿體的產(chǎn)品置入燒結(jié)爐中，用溫度300-350°C的空氣進(jìn)行熱處理 l-2min，在二氧化硅薄膜表面再形成一層二氧化鈦和二氧化硅復(fù)合薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或者3所述的三層減反射膜的制備方法，其特征在于所述的步驟 ⑶包括以下步驟A、將鈦酸正丁酯與無水乙醇在混合容器中混合，攪拌形成透明溶液，再滴加蒸餾水，攪拌得到淡黃色溶膠，陳化三天備用，鈦酸正丁酯、無水乙醇與蒸餾水的摩爾比為 0. 01-0. 02 1 0. 004-0. 02 ；B、將二氧化鈦納米粒子加入上述溶膠中，超聲分散處理30 60min，形成二氧化鈦粒子充分分散的涂覆漿體，二氧化鈦納米粒子粒徑為20 30nm，二氧化鈦粒子與溶膠重量比為 1 15 20 ；C、在步驟( 形成的二氧化鈦和二氧化硅復(fù)合薄膜的表面采用絲網(wǎng)印刷方法印刷一層上述漿體，隨后將印刷好漿體的產(chǎn)品置入燒結(jié)爐中，用溫度400-450°C的空氣進(jìn)行熱處理 l-2min，在二氧化鈦和二氧化硅復(fù)合薄膜表面再形成一層二氧化鈦薄膜。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種晶體硅太陽能電池三層減反射膜，其是由三層膜構(gòu)成，第一層為硅片表面的二氧化硅薄膜，厚度為20～30nm，折射率為1.15～1.25；第二層為二氧化鈦和二氧化硅復(fù)合薄膜，厚度為80～90nm，折射率為1.30～1.45；第三層為納米二氧化鈦薄膜，厚度為50～60nm，折射率為2.12～2.28。第一層二氧化硅薄膜采用熱氧化法制備，第二層復(fù)合薄膜和第三層納米二氧化鈦薄膜都采用溶膠凝膠涂覆法制備。本發(fā)明采用三層減反射膜，降低了電池表面對光的反射，提高了太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
文檔編號H01L31/18GK102222704SQ20111017394
公開日2011年10月19日 申請日期2011年6月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月27日
發(fā)明者王月勤, 王連紅 申請人:光為綠色新能源有限公司