專利名稱：Oled照明基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種照明基板及其制造方法，尤其涉及一種OLED照明基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，已經(jīng)開發(fā)出重量輕且體積小的各種類型的平板照明裝置。在各種類型的平板照明裝置中，由于有機發(fā)光二極管(OLED)來照明，通常具有能耗低，能平面化，大型化等諸多優(yōu)點，已經(jīng)成為下一代照明裝置的焦點。圖IA為現(xiàn)有的有機發(fā)光二極管照明裝置的像素結(jié)構(gòu)示意圖，現(xiàn)有OLED照明器件一般包括基板1和后蓋2，其中，基板1上沉淀有陽極3，陽極3上設有非常薄的多層有機功能層4，以及位于有機功能層4上的陰極5。OLED發(fā)光的原理就是通過在陰極5，陽極3之間加直流電驅(qū)動而使有機功能層4發(fā)光，如圖IB所示?，F(xiàn)在技術(shù)中，基板1上的陽極3采用直接蒸鍍或沉淀形成整體的大面積陽極，此類方法雖然簡單，但是現(xiàn)有技術(shù)中的陽極會使得電流聚集時產(chǎn)生很大的電流強度，并進一步帶來較強的電流聚集效應，產(chǎn)生的大電流導致電極被燒壞，發(fā)生陰陽極短路和發(fā)光不均勻等問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種OLED照明基板及其制造方法，可有效解決大電流導致的電極被燒壞，發(fā)生陰陽極短路以及發(fā)光不均勻等問題。本發(fā)明為解決上述技術(shù)問題而采用的技術(shù)方案是提供一種OLED照明基板，包括基板，所述基板上依次設置有陽極、有機功能層和陰極，其中，所述基板和陽極之間設有電阻層，所述電阻層劃分成多個塊狀電阻，所述陽極被分割成多個子陽極，每個子陽極和一個塊狀電阻相串聯(lián)，多個塊狀電阻通過互聯(lián)線相連在一起。上述的OLED照明基板，其中，所述多個塊狀電阻為矩形塊狀電阻，所述矩形塊狀電阻的寬度為1納米 1米，長度為1納米 1米。上述的OLED照明基板，其中，所述多個子陽極為矩形塊狀子陽極，所述矩形塊狀子陽極大小和所述矩形塊狀電阻大致相同。本發(fā)明為解決上述技術(shù)問題還提供一種上述OLED照明基板制造方法，包括如下步驟提供一基板，并在該基板上沉積第一金屬層和第一光刻膠層，曝光顯影之后，采用干刻或者濕刻形成電源的互聯(lián)線圖形和電源接線端子；在刻蝕后的第一金屬層上繼續(xù)沉積第一絕緣層和第二光刻膠層，曝光顯影之后，采用干刻或者濕刻形成接觸孔圖形；在刻蝕后的第一絕緣層上繼續(xù)沉積形成電阻層和第三光刻膠層，曝光顯影之后，采用干刻或者濕刻形成多個塊狀電阻層圖形；在刻蝕后的電阻層上繼續(xù)沉積形成第二絕緣層和第四光刻膠層，曝光顯影之后，采用干刻或者濕刻形成通孔圖形；在刻蝕后的第二絕緣層繼續(xù)沉積形成陽極層和第五光刻膠層，曝光顯影之后，采用干刻或者濕刻形成多個塊狀陽極層圖形；最后在刻蝕后的陽極層上依次形成有機功能層和陰極覆蓋在陽極上，形成OLED照明基板。上述的OLED制造方法，其中，所述第一金屬層材料為鉬鎢、鉬鋁鉬或鎂銀合金。上述的OLED制造方法，其中，所述第一絕緣層材料為二氧化硅、氮化硅或正硅酸乙酯。上述的OLED制造方法，其中，所述電阻層材料為多晶硅或氧化銦錫。上述的OLED制造方法，其中，所述陽極層材料為氧化銦錫或鎂銀合金。本發(fā)明對比現(xiàn)有技術(shù)有如下的有益效果本發(fā)明提供的OLED照明基板及其制造方法，通過在電源和陽極之間加入串聯(lián)電阻層，從而起到了電流限制的作用，整塊大面積的陽極被分割為較小面積的子陽極，被電阻隔離的陽極，產(chǎn)生的匯聚電流強度會減弱，減弱了電流聚集效應，減少陰陽極短路機率，從而解決電極容易被燒壞，以及發(fā)光不均勻的問題。


圖IA為現(xiàn)有的有機發(fā)光二極管照明裝置的像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖IB為現(xiàn)有的有機發(fā)光二極管照明裝置的像素等效電路示意圖；圖2為本發(fā)明的電阻驅(qū)動有機發(fā)光顯示裝置結(jié)構(gòu)示意圖3為本發(fā)明的電阻驅(qū)動有機發(fā)光顯示裝置的像素等效電路示意圖；圖4為本發(fā)明的OLED照明基板制造方法示意圖。圖中
1基板2后蓋3陽極
4有機功能層5陰極
具體實施例方式下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步的描述。圖2為本發(fā)明的電阻驅(qū)動有機發(fā)光顯示裝置結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明的電阻驅(qū)動有機發(fā)光顯示裝置的像素等效電路示意圖。請參見圖1 圖3，本發(fā)明的OLED照明基板包括基板1，所述基板1上依次設置有陽極3、有機功能層4和陰極5，其中，所述基板1和陽極3之間設有電阻層，所述電阻層劃分成多個塊狀電阻，所述陽極3被分割成多個子陽極，每個子陽極和一個塊狀電阻相串聯(lián)，多個塊狀電阻通過互聯(lián)線相連在一起。圖2中電阻驅(qū)動有機發(fā)光顯示裝置101由OLED照明像素102的列陣構(gòu)成。所有的OLED照明像素102均連接到第一電源電壓ELVDD和第二電源電壓ELVSS。電阻器件與OLED器件串聯(lián)后分別連接到第一電源電壓ELVDD和第二電源電壓ELVSS。由于串聯(lián)電阻的電流限制作用，使得該短路的OLED像素器件不會影響到其他OLED像素器件的正常工作，極大的提高了整個OLED照明器件的良率和可靠性。減弱了電流匯聚效應，減少陰陽極容易短路，電極容易被燒壞，以及發(fā)光不均勻的問題。圖4為本發(fā)明的OLED照明基板制造方法示意圖。請繼續(xù)參照圖4，本發(fā)明的OLED照明基板制造方法包括如下步驟
步驟S401 在基板上采用濺射或者其他方法沉積形成第一金屬層，所述基板為絕緣基
4板，如玻璃基板；第一金屬層可選鉬鎢，鉬鋁鉬，鎂銀合金等材料；在第一金屬層上涂敷第一光刻膠層，曝光顯影之后，采用干刻或者濕刻形成電源互聯(lián)線圖形和電源接線端子，互聯(lián)線圖形可以為網(wǎng)格狀，條狀，或者其他任意形狀；原來的電源接線端子現(xiàn)在要在互聯(lián)線層上實現(xiàn)；進入步驟S402 ；
步驟S402，在刻蝕后的第一金屬層上繼續(xù)形成第一絕緣層，第一絕緣層可選二氧化硅，氮化硅，正硅酸乙酯(TEOS)等；所述第一絕緣層完全覆蓋互聯(lián)線，在第一絕緣層上涂覆第二光刻膠層，曝光顯影之后，采用干刻或者濕刻形成接觸孔圖形，接觸孔圖形形狀為任意形狀；進入步驟S403 ；
步驟S403，在刻蝕后的第一絕緣層上繼續(xù)形成電阻層，電阻層可選用多晶硅，氧化銦錫等；刻蝕電阻層之前涂覆第三光刻膠層，曝光顯影之后，采用干刻或者濕刻形成多個塊狀電阻層圖形，電阻層圖形通過接觸孔圖形和電源互聯(lián)線圖形相連；電阻層圖形優(yōu)選為矩形塊狀，矩形塊狀電阻的線寬范圍為1納米 1米，電阻的線寬設計的越小則電阻的阻值就越大，通過電阻的電流就越小，矩形塊狀電阻的長度范圍為1納米 1米，電阻的長度設計的越大則電阻的阻值就越大，通過電阻的電流就越小；對于底發(fā)射技術(shù)，矩形塊狀電阻的面積設計可以增加發(fā)光材料的發(fā)光面積；進入步驟S404 ；
步驟S404，在刻蝕后的電阻層上繼續(xù)形成第二絕緣層；第二絕緣層選用材料與第一絕緣層情況相同，在第二絕緣層上涂覆第四光刻膠層，曝光顯影之后，采用干刻或者濕刻形成通孔圖形，通孔圖形形狀為任意形狀；進入步驟S405
步驟S405，在刻蝕后的第二絕緣層繼續(xù)上形成陽極層；陽極層可選用氧化銦錫，鎂銀合金等；所述陽極層通過通孔圖形和電阻層相連；刻蝕陽極材料層之前涂覆第五光刻膠層，曝光顯影之后，采用干刻或者濕刻形成多個塊狀陽極層圖形，陽極層圖形形狀優(yōu)選為多個矩形塊狀子陽極，矩形塊狀子陽極大小優(yōu)選和矩形塊狀電阻大小大致相同；進入步驟S406 ；
步驟S406，在刻蝕后的陽極層上依次形成有機功能層和陰極覆蓋在陽極上，形成OLED照明基板。將OLED照明基板與后蓋封合，形成OLED照明器件。綜上所述，現(xiàn)有技術(shù)的OLED照明器件中基本上通過蒸鍍或沉積形成整體的陽極，但是形成的整塊大面積的陽極上往往會出現(xiàn)電流聚集效應，聚集后的大電流進而極易導致電極被燒壞，發(fā)生陰陽極短路和發(fā)光不均勻等問題。電流聚集效應的產(chǎn)生原因，一是在陰陽極形成過程中容易存在微缺陷，而微缺陷會直接誘導電流聚集，二是陰極和陽極電流采用整體設計，導致陰極和陽極的連續(xù)面積較大，陰極和陽極的電阻相對較小，一旦整個陽極上的電流聚集，形成的匯聚電流強度過大。微缺陷是難以完全避免的?；诖?，本發(fā)明通過將電阻串聯(lián)在電源互聯(lián)線和陽極之間，將整個陽極細分，電阻起到了電路限制和隔離OLED照明像素的作用，減弱了電流匯聚效應和強度，減少陰陽極容易短路，從而解決電極容易燒壞，以及發(fā)光不均勻等問題。即使某個OLED像素器件內(nèi)部發(fā)生短路，由于串聯(lián)電阻的電流限制作用，使得該短路的OLED像素器件不會影響到其他OLED像素器件的正常工作，極大的提高了整個OLED照明器件的良率和可靠性。雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作些許的修改和完善，因此本發(fā)明的保護范圍當以權(quán)利要求書所界定的為準。
權(quán)利要求
1.一種OLED照明基板，包括基板(1)，所述基板(1)上依次設置有陽極(3)、有機功能層(4)和陰極(5)，其特征在于，所述基板(1)和陽極(3)之間設有電阻層，所述電阻層劃分成多個塊狀電阻，所述陽極C3)被分割成多個子陽極，每個子陽極和一個塊狀電阻相串聯(lián)，多個塊狀電阻通過互聯(lián)線相連在一起。
2.如權(quán)利要求1所述的OLED照明基板，其特征在于，所述多個塊狀電阻為矩形塊狀電阻，所述矩形塊狀電阻的寬度為1納米 1米，長度為1納米 1米。
3.如權(quán)利要求2所述的OLED照明基板，其特征在于，所述多個子陽極為矩形塊狀子陽極，所述矩形塊狀子陽極大小和所述矩形塊狀電阻大致相同。
4.一種如權(quán)利要求1所述的OLED照明基板制造方法；其特征在于，所述方法依次包括如下步驟提供一基板，并在該基板上沉積第一金屬層和第一光刻膠層，曝光顯影之后，采用干刻或者濕刻形成電源的互聯(lián)線圖形和電源接線端子；在刻蝕后的第一金屬層上繼續(xù)沉積第一絕緣層和第二光刻膠層，曝光顯影之后，采用干刻或者濕刻形成接觸孔圖形；在刻蝕后的第一絕緣層上繼續(xù)沉積形成電阻層和第三光刻膠層，曝光顯影之后，采用干刻或者濕刻形成多個塊狀電阻層圖形；在刻蝕后的電阻層上繼續(xù)沉積形成第二絕緣層和第四光刻膠層，曝光顯影之后，采用干刻或者濕刻形成通孔圖形；在刻蝕后的第二絕緣層繼續(xù)沉積形成陽極層和第五光刻膠層，曝光顯影之后，采用干刻或者濕刻形成多個塊狀陽極層圖形；最后在刻蝕后的陽極層上依次形成有機功能層和陰極覆蓋在陽極上，形成OLED照明基板。
5.如權(quán)利要求4所述的OLED照明基板制造方法；其特征在于，所述第一金屬層材料為鉬鎢、鉬鋁鉬或鎂銀合金。
6.如權(quán)利要求4所述的OLED照明基板制造方法；其特征在于，所述第一絕緣層材料為 二氧化硅、氮化硅或正硅酸乙酯。
7.如權(quán)利要求4所述的OLED照明基板制造方法；其特征在于，所述電阻層材料為多晶硅或氧化銦錫。
8.如權(quán)利要求4所述的OLED照明基板制造方法；其特征在于，所述陽極層材料為氧化銦錫或鎂銀合金。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種OLED照明基板及其制造方法，所述OLED照明基板包括基板，所述基板上依次設置有陽極、有機功能層和陰極,其中，所述基板和陽極之間設有電阻層，所述電阻層劃分成多個塊狀電阻，所述陽極被分割成多個子陽極，每個子陽極和一個塊狀電阻相串聯(lián)，多個塊狀電阻通過互聯(lián)線相連在一起。本發(fā)明提供的OLED照明基板及其制造方法，通過在電源和陽極之間加入串聯(lián)電阻層，從而起到了電流限制的作用，整塊大面積的陽極被分割為較小面積的子陽極，被電阻隔離的陽極，產(chǎn)生的匯聚電流強度會減弱，減弱了電流聚集效應，減少陰陽極短路機率，從而解決電極容易被燒壞，以及發(fā)光不均勻的問題。
文檔編號H01L51/56GK102376895SQ20111017513
公開日2012年3月14日 申請日期2011年6月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月27日
發(fā)明者朱暉, 邱勇, 高孝裕, 黃秀頎 申請人:昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司