專利名稱：一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光電材料領(lǐng)域，尤其涉及一種有機電致發(fā)光器件。本發(fā)明還涉及該有機電致發(fā)光器件的制備方法。
背景技術(shù)：
有機電致發(fā)光器件(OLED)是基于有機材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件,其典型結(jié)構(gòu)是在ITO玻璃上制作一層幾十納米厚的有機發(fā)光材料作發(fā)光層,發(fā)光層上方有ー層低功函數(shù)的金屬電極，當(dāng)電極上加有電壓時，發(fā)光層就產(chǎn)生光福射。OLED器件具有主動發(fā)光、發(fā)光效率高、功耗低、輕、薄、無視角限制等優(yōu)點，被業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為是最有可能在未來的照明和顯示器件市場上占據(jù)霸主地位的新一代器件。作為ー 項嶄新的照明和顯示技木，OLED技術(shù)在過去的十多年里發(fā)展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越來越多的照明和顯示廠家紛紛投入研發(fā)，大大的推動了 OLED的產(chǎn)業(yè)化進程，使得OLED產(chǎn)業(yè)的成長速度驚人，目前已經(jīng)到達了大規(guī)模量產(chǎn)的前夜。然而，有機電致發(fā)光器件受到濕氣和潮氣侵蝕后，會引起有機電致發(fā)光器件內(nèi)部功能層材料發(fā)生老化，進而失效，從而縮短有機電致發(fā)光器件的壽命。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供ー種壽命較長的有機電致發(fā)光器件。本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層；其特征在于，該有機電致發(fā)光器件還包括保護層、第一防腐蝕層、第二防腐蝕層，所述保護層層疊在所述陰極層表面，所述第一防腐層包覆封裝依次層疊的所述陽極基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層、保護層；所述第二防腐層包覆封裝在所述第一防腐層表面；其中，所述保護層的材質(zhì)為SiO ;所述第一防腐蝕層的材質(zhì)為Al2O3或AlN ;所述第二防腐蝕層的材質(zhì)為ZrO 或 ZrO2。上述有機電致發(fā)光器件中，各功能層材料如下所述陽極基板的材質(zhì)為ITO玻璃或ITO聚對苯ニ甲酸こニ酯；其中，ITO為導(dǎo)電陽極，玻璃基板或聚對苯ニ甲酸こニ酯基板為襯底；所述空穴注入層的材質(zhì)為MoO3或WO3 ；所述空穴傳輸層的材質(zhì)為N，N’ -(I-萘基)-N，N’ - ニ苯基-4，4’ -聯(lián)苯ニ胺或N，N’ -ニ苯基-N，N’ -雙(3-甲基苯基)-(1，I’ -聯(lián)苯基)-4，4’ -ニ胺；所述發(fā)光層的材質(zhì)為N-芳基苯并咪唑摻雜三(2-苯基吡啶)合銥或雙(4，6- ニ氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥形成的摻雜混合物；所述電子傳輸層的材質(zhì)為8-羥基喹啉鋁或者4-聯(lián)苯酚基-ニ(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(III)；所述電子注入層的材質(zhì)為CsF或LiF ；
所述陰極層的材質(zhì)為鋁或銀。本發(fā)明的另一目的在于提供上述有機電致發(fā)光器件的制備方法，其步驟如下SI、清洗陽極基板，隨后對陽極基板的陽極層表面進行活化處理；S2、在陽極基板的陽極層表面依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層；S3、在所述陰極層的表面制備ー層保護層，所述保護層的材質(zhì)為SiO ；S4、在所述保護層的表面制備ー層第一防腐蝕層，所述第一防腐蝕層的材質(zhì)為 Al2O3 或 AlN;S5、在所述第一防腐蝕層的表面制備ー層第二防腐蝕層，所述第二防腐蝕層的材料為ZrO或ZrO2 ； 上述エ藝步驟完成后，制得所述有機電致發(fā)光器件。為了獲得一個優(yōu)良的多層封裝效果，在制備上述有機電致發(fā)光器件時，還包括如下步驟S6、重復(fù)多次步驟S4，完后再重復(fù)多次步驟S5 ;或者交替重復(fù)步驟S4和S5多次。本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件，由于采用了 SiO層、Al2O3或AlN層和ZrO或ZrO2層進行封裝；SiO層可以有效保護該器件的有機功能層遭到濕氣破壞，Al2O3或AlN層可以防止有機功能層的晶化，ZrO或ZrO2層可以提高有機功能層的防腐蝕性，且Al2O3 (或AlN) /ZrO(或ZrO2)界面處形成鋁酸鹽增強膜層致密性；有鑒于此，本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件的水氧滲透率達10_4g/m2 ·天；因此，該有機電致發(fā)光器件在受到濕氣和潮氣侵蝕后，可以有效避免水滲透到有機電致發(fā)光器件的內(nèi)部，從而減緩其內(nèi)部功能層材料老化進度，進而延長其使用壽命。


圖I為本發(fā)明有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明有機電致發(fā)光器件的制作エ藝流程圖；圖3為本發(fā)明實施例I的有機電致發(fā)光器件和對比例的有機電致發(fā)光器件的壽命曲線圖。
具體實施例方式本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件，如圖I所示，包括依次層疊的包括依次層疊的陽極基板101、空穴注入層102、空穴傳輸層103、發(fā)光層104、電子傳輸層105、電子注入層106、陰極層107 ;其中，該有機電致發(fā)光器件還包括保護層108、第一防腐蝕層109、第二防腐蝕層110，所述保護層層108疊在所述陰極層109表明，所述第一防腐層109包覆封裝依次層疊的所述陽極基板101、空穴注入層102、空穴傳輸層103、發(fā)光層104、電子傳輸層105、電子注入層106、陰極層107、保護層108 ;所述第二防腐層110包覆封裝在所述第一防腐層109表面；其中，所述保護層108的材質(zhì)為SiO ;所述第一防腐蝕層109的材質(zhì)為Al2O3或AlN ;所述第二防腐蝕層110的材質(zhì)為ZrO或Zr02。上述有機電致發(fā)光器件中，各功能層的材料如下所述陽極基板101的材質(zhì)為ITO玻璃或ITO聚對苯ニ甲酸こニ酯(PET);其中，ITO為導(dǎo)電陽極，玻璃或聚對苯ニ甲酸こニ酯為襯底；所述空穴注入層102的材質(zhì)為MoO3或WO3 ;所述空穴注入層的厚度為10 15nm ；所述空穴傳輸層103的材質(zhì)為N，N’ - (I-萘基)-N，N’ - ニ苯基-4，4’ -聯(lián)苯ニ胺(NPB)或者 N，N’ - ニ苯基-N，N’ -雙(3-甲基苯基)-(1，I’ -聯(lián)苯基)-4，4’ - ニ胺(TH))；所述空穴傳輸層的厚度為40 60nm ；所述發(fā)光層104的材質(zhì)為N-芳基苯并咪唑(TPBi)摻雜三(2_苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)或者雙(4，6-ニ氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)形成的摻雜混合物，即TPBi Ir(ppy)dg合物或者TPBi Firpic混合物，且TPBi為主體材料，Ir (ppy) 3和Firpic為摻雜材料，摻雜材料的摻雜比例為5 20wt% (質(zhì)量百分含量，下同)；所述發(fā)光層的厚度為10 50nm ；所述電子傳輸層105的材質(zhì)為8-羥基喹啉鋁(Alq3)或者4_聯(lián)苯酚基-ニ(2_甲 基-8-羥基喹啉)合鋁(III) (BAlq);所述電子傳輸層的厚度為20 80nm ；所述電子注入層106的材質(zhì)為CsF或LiF ;所述電子注入層的厚度為I 2nm ;所述陰極層107的材質(zhì)為招(Al)和銀(Ag);所述陰極層的厚度為80 200nm ；所述保護層的厚度100 150nm ;其中，所述保護層的材質(zhì)為SiO ;所述保護層用于保護陰極層；所述第一防腐蝕層的厚度20 50nm，其中，所述第一防腐蝕層的材質(zhì)為Al2O3或AlN ;所述第一防腐蝕層用于防止有機電致發(fā)光器件器件內(nèi)有機功能層的腐蝕和老化；所述第二防腐蝕層的厚度20 50nm，其中，所述第二防腐蝕層的材質(zhì)為ZrO或ZrO2;所述第二防腐蝕層用于進一歩防止有機電致發(fā)光器件器件內(nèi)有機功能層的腐蝕和老化。本發(fā)明的另ー目的在于提供上述有機電致發(fā)光器件的制備方法，如圖2所示，其步驟如下SI、清洗陽極基板，隨后對陽極基板的陽極層表面進行活化處理；S2、采用真空蒸鍍的方法或溶液涂敷的方法，在陽極基板的陽極層表面依次制備功能層，如，空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層，且所述空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層的厚度依次為10 15nm、40 60nm、10 50nm、20 80nm、l 2nm、80 200nm ；S3、采用真空蒸鍍的方法，在所述陰極層的表面制備ー層厚度100 150nm的SiO為材質(zhì)的保護層；S4、采用磁控濺射或ALD (原子層沉積方式)，在所述SiO層的表面制備厚度20 50nm的Al2O3或AlN為材質(zhì)的第一防腐蝕層；S5、采用磁控濺射或ALD (原子層沉積方式)，在所述第一防腐蝕層的表面制備厚度20 50nm的ZrO或ZrO2為材質(zhì)的第二防腐蝕層。上述エ藝步驟完成后，制得所述有機電致發(fā)光器件。為了獲得更好的封裝效果，該制備方法還應(yīng)包括如下步驟S6、重復(fù)多次(至少3次以上)步驟S4，完后再重復(fù)多次(至少3次以上)步驟S5 ;或者交底重復(fù)至少3次以上步驟S4和S5。上述步驟S6，是為了獲得ー個優(yōu)良的多層封裝效果，此時獲得多層第一防腐蝕層后在層疊多層第二防腐蝕層。對于步驟S6，也可以這樣操作交替重復(fù)步驟S4和步驟S5多次；此時，第一防腐蝕層和第二防腐蝕層交替疊加。上述制備方法制得的有機電致發(fā)光器件，由于采用了 SiO層、Al2O3或AlN層和ZrO或ZrO2層進行封裝；SiO層可以有效保護該器件的有機功能層遭到濕氣破壞，Al2O3或AlN層可以防止有機功能層的晶化，ZrO或21<)2層可以提高有機功能層的防腐蝕性，且Al2O3(或AIN)/ZrO (或ZrO2)界面處形成鋁酸鹽增強膜層致密性；有鑒于此，本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件的水氧滲透率達10_4g/m2 ·天；因此，該有機電致發(fā)光器件在受到濕氣和潮氣侵蝕后，可以有效避免水滲透到有機電致發(fā)光器件的內(nèi)部，從而減緩其內(nèi)部功能層材料老化進度，進而延長其使用壽命。
下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明的較佳實施例作進ー步詳細說明。實施例I本實施例的有機電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)如下ITO 玻璃 /Mo03/NPB/TPBi : FIrpic/Alq3/LiF/Al/Si0/Al203/Zr0。下面是上述有機電致發(fā)光器件的制備エ藝I、將ITO玻璃(其中，ΙΤ0，即氧化銦錫，為陽極層，起導(dǎo)電作用；玻璃為基板；ITO玻璃采用購買獲得)基板依次采用洗潔精、こ醇、丙酮、純水清洗，且各清洗階段均在超聲波清洗機進行清洗，毎次清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次的方法，然后再用烘箱烘干待用；2、對洗凈后的ITO玻璃進行表面活化處理，以增加ITO表面層的含氧量，提高ITO表面的功函數(shù)；ΙΤ0厚度IOOnm ；3、采用真空蒸鍍的方法，在ITO表面依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層；且空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層的所對應(yīng)材料依次為Mo03、NPB、TPBi FIrpic (其中，F(xiàn)iric為摻雜材料，摻雜比例15wt% )、Alq3、LiF、Al ;其中，空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層的厚度分別為10nm、40nm、10nm、20nm、lnm、80nm ；4、在真空度5X10_5Pa、蒸發(fā)速度0.5A/S的真空鍍膜設(shè)備中，在陰極層的表面蒸鍍ー層厚度為IOOnm的SiO層；5、采用磁控濺射方式，在SiO層上制備ー層Al2O3層，厚度為20nm，本底真空度2 X KT4Pa ；6、采用磁控濺射方式，在Al2O3膜上制備ー層ZrO層，厚度20nm，本底真空度2 X KT4Pa ；7、重復(fù)3次步驟4，完后再重復(fù)3次步驟5，制得有機電致發(fā)光器件。實施例2本實施例的有機電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)如下ITO 玻璃 /TO3/TPD/TPBi : Ir (ppy) 3/Alq3/LiF/Al/Si0/AlN/Zr02。下面是上述有機電致發(fā)光器件的制備エ藝I、將ITO玻璃(其中，ΙΤ0，即氧化銦錫，為陽極層，起導(dǎo)電作用；玻璃為基板；ITO玻璃采用購買獲得)基板依次采用洗潔精、こ醇、丙酮、純水清洗，且各清洗階段均在超聲波清洗機進行清洗，毎次清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次的方法，然后再用烘箱烘干待用；2、對洗凈后的ITO玻璃進行表面活化處理，以增加ITO表面層的含氧量，提高ITO表面的功函數(shù)；ΙΤ0厚度IOOnm ；3、采用溶液涂敷的方法，在ITO表面依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層；且空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層的所對應(yīng)材料依次為W03、TPD、TPBi Ir(ppy)3(其中，Ir(ppy)3為摻雜材料，摻雜比例10wt% )、Alq3、LiF、Al ;其中，空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層的厚度分別為15nm、60nm、50nm、80nm、2nm、200nm ；4、在真空度5X10_5Pa、蒸發(fā)速度0.5A/S的真空鍍膜設(shè)備中，在陰極層的表面蒸鍍ー層厚度為150nm的SiO層； 5、采用ALD (原子層沉積方式)，在SiO層上制備ー層AlN層，厚度為50nm，本底真空度 2 X KT4Pa ；6、采用磁控濺射方式，在AlN層上制備ー層ZrO2層，厚度50nm，本底真空度2 X KT4Pa ；7、重復(fù)5次步驟4，完后再重復(fù)5次步驟5，制得有機電致發(fā)光器件。實施例3本實施例的有機電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)如下ITO 玻璃 /TO3/TPD/TPBi : Ir (ppy) 3/BAlq/CsF/Ag/Si0/AlN/Zr02。下面是上述有機電致發(fā)光器件的制備エ藝I、將ITO玻璃(其中，ΙΤ0，即氧化銦錫，為陽極層，起導(dǎo)電作用；玻璃為基板；ITO玻璃采用購買獲得)基板依次采用洗潔精、こ醇、丙酮、純水清洗，且各清洗階段均在超聲波清洗機進行清洗，毎次清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次的方法，然后再用烘箱烘干待用；2、對洗凈后的ITO玻璃進行表面活化處理，以增加ITO表面層的含氧量，提高ITO表面的功函數(shù)；ΙΤ0厚度IOOnm ；3、采用真空蒸鍍的方法，在ITO表面依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層；且空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層的所對應(yīng)材料依次為W03、TPD、TPBi Ir(ppy)3(其中，Ir(ppy)3為摻雜材料，摻雜比例20wt% )、BAlq、CsF、Ag ;其中，空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層的厚度分別為12nm、50nm、30nm、60nm、I. 5nm、120nm ；4、在真空度5X10_5Pa、蒸發(fā)速度0.5A/S的真空鍍膜設(shè)備中，在陰極層的表面蒸鍍ー層厚度為125nm的SiO層；5、采用磁控濺射方式，在SiO層上制備ー層AlN層，厚度為35nm，本底真空度2 X KT4Pa ；6、采用磁控濺射方式，在AlN層上制備ー層ZrO2層，厚度35nm，本底真空度2 X KT4Pa ；7、重復(fù)6次步驟4，完后再重復(fù)6次步驟5，制得有機電致發(fā)光器件。實施例4
本實施例的有機電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)如下ITO 聚對苯ニ 甲酸こニ酯基板 /Mo03/NPB/TPBi:FIrpic/BAlq/CsF/Ag/Si0/Al203/ZrO0下面是上述有機電致發(fā)光器件的制備エ藝I、將ITO聚對苯ニ甲酸こニ酯(其中，ΙΤ0，即氧化銦錫，為陽極層，起導(dǎo)電作用；聚對苯ニ甲酸こニ酯為基板；ΙΤ0聚對苯ニ甲酸こニ酯基板采用購買獲得)基板依次采用洗潔精、こ醇、丙酮、純水清洗，且各清洗階段均在超聲波清洗機進行清洗，毎次清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次的方法，然后再用烘箱烘干待用；2、對洗凈后的ITO聚對苯ニ甲酸こニ酯基板進行表面活化處理，以增加ITO表面層的含氧量，提聞ITO表面的功函數(shù)；ΙΤ0厚度IOOnm ；3、采用真空蒸鍍的方法，在ITO表面依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層；且空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層的所對應(yīng)材料依次為Mo03、NPB、TPBi FIrpic (其中，F(xiàn)Irpic為摻雜材料，摻雜比例5wt% )、BAlq、CsF、Ag ;其中，空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層的厚度分別為12nm、55nm、30nm、40nm、I. 8nm、180nm ；4、在真空度5X10_5Pa、蒸發(fā)速度0.5A/S的真空鍍膜設(shè)備中，在陰極層的表面蒸鍍ー層厚度為140nm的SiO層；5、采用磁控濺射方式，在SiO層上制備ー層Al2O3層，厚度為40nm，本底真空度2 X KT4Pa ；6、采用磁控濺射方式，在Al2O3層上制備ー層ZrO層，厚度40nm，本底真空度2X 10_4Pa ;制得有機電致發(fā)光器件。7、交替重復(fù)步驟4和步驟5各3次，制得有機電致發(fā)光器件。對比例本對比例的有機電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)如下ITO 玻璃 /Mo03/NPB/TPBi:FIrpic/Alq3/LiF/Al/Si0。下面是上述有機電致發(fā)光器件的制備エ藝I、將ITO玻璃(其中，ΙΤ0，即氧化銦錫，為陽極層，起導(dǎo)電作用；玻璃為基板；ITO玻璃采用購買獲得)基板依次采用洗潔精、こ醇、丙酮、純水清洗，且各清洗階段均在超聲波清洗機進行清洗，毎次清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次的方法，然后再用烘箱烘干待用；2、對洗凈后的ITO玻璃進行表面活化處理，以增加ITO表面層的含氧量，提高ITO表面的功函數(shù)；ΙΤ0厚度IOOnm ；3、采用真空蒸鍍的方法，在ITO表面依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層；且空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層的所對應(yīng)材料依次為Mo03、NPB、TPBi FIrpic (其中，F(xiàn)irpic為摻雜材料，摻雜比例15wt% )、Alq3、LiF、Al ;其中，空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層的厚度分別為10nm、40nm、10nm、20nm、lnm、80nm ；4、在真空度5X10_5Pa、蒸發(fā)速度0.5A/S的真空鍍膜設(shè)備中，在陰極層的表面蒸鍍ー層厚度為IOOnm的SiO層，制得有機電致發(fā)光器件。
圖3為本發(fā)明實施例I的有機電致發(fā)光器件和對比例的有機電致發(fā)光器件的壽命曲線圖；其中，曲線I代表本發(fā)明實施例I的有機電致發(fā)光器件的壽命曲線，曲線2代表對比例的有機電致發(fā)光器件的壽命曲線。從圖3中可看出，初始亮度1920cd/m2下，實施例I制得有機電致發(fā)光器件的使用壽命是對比例制得有機電致發(fā)光器件的使用壽命至少5倍 以上。應(yīng)當(dāng)理解的是，上述針對本發(fā)明較佳實施例的表述較為詳細，并不能因此而認(rèn)為是對本發(fā)明專利保護范圍的限制，本發(fā)明的專利保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層；其特征在于，該有機電致發(fā)光器件還包括保護層、第一防腐蝕層、第二防腐蝕層，所述保護層層疊在所述陰極層表面，所述第一防腐層包覆封裝依次層疊的所述陽極基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、明極層、保護層；所述第二防腐層包覆封裝在所述第一防腐層表面；其中，所述保護層的材質(zhì)為SiO ;所述第一防腐蝕層的材質(zhì)為Al2O3或AlN ;所述第二防腐蝕層的材質(zhì)為ZrO或Zr02。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陽極基板的材質(zhì)為ITO玻璃或ITO聚對苯ニ甲酸こニ酷。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材質(zhì)為MoO3 或 WO3。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層的材質(zhì)為 N，N’ - (I-萘基)-N，N’ - ニ苯基-4，4’ -聯(lián)苯ニ胺或N，N’ - ニ苯基-N，N’ -雙(3-甲基苯基)-(1，1’ -聯(lián)苯基)-4,4’ - ニ胺。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的材質(zhì)為N-芳基苯并咪唑摻雜三(2-苯基吡啶)合銥或雙(4，6-ニ氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥形成的摻雜混合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸層的材質(zhì)為8-羥基喹啉鋁或者4-聯(lián)苯酚基-ニ(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(III)。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子注入層的材質(zhì)為CsF 或 LiF。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陰極層的材質(zhì)為鋁或銀。
9.一種如權(quán)利要求I所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在干，該制備方法包括如下步驟 51、清洗陽極基板，隨后對陽極基板的陽極層表面進行活化處理； 52、在陽極基板的陽極層表面依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層； 53、在所述陰極層的表面制備ー層保護層，所述保護層的材質(zhì)為SiO； 54、在所述保護層的表面制備ー層第一防腐蝕層，所述第一防腐蝕層的材質(zhì)為Al2O3或AlN ； 55、在所述第一防腐蝕層的表面制備ー層第二防腐蝕層，所述第二防腐蝕層的材料為ZrO 或 ZrO2 ； 上述エ藝步驟完成后，制得所述有機電致發(fā)光器件。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，還包括如下步驟 .56、重復(fù)多次步驟S4，完后再重復(fù)多次步驟S5;或者交替重復(fù)步驟S4和S5多次。
全文摘要
本發(fā)明屬于光電材料領(lǐng)域，其公開了一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法；該器件包括依次層疊的陽極基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層、保護層、第一防腐蝕層、第二防腐蝕層；第一防腐層封裝依次層疊的所述陽極基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層、保護層；第二防腐層封裝在第一防腐層表面；其中，保護層的材質(zhì)為SiO；第一防腐蝕層的材質(zhì)為Al2O3或AlN；第二防腐蝕層的材質(zhì)為ZrO或ZrO2。本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件，在受到濕氣和潮氣侵蝕后，可以有效避免水滲透到有機電致發(fā)光器件的內(nèi)部，從而減緩其內(nèi)部功能層材料老化進度，進而延長其使用壽命。
文檔編號H01L51/54GK102856503SQ20111017749
公開日2013年1月2日 申請日期2011年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月28日
發(fā)明者周明杰, 王平, 鐘鐵濤, 黃輝 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司