專利名稱：提高出光效率的led制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光器件的制備工藝。
背景技術(shù)：
藍(lán)寶石襯底作為氮化鎵基LED外延生長(zhǎng)的主要襯底，其導(dǎo)電性和散熱性都比較差，采用激光剝離技術(shù)將藍(lán)寶石襯底去除后，將LED作成垂直結(jié)構(gòu)，可以有效解決散熱和出光問(wèn)題。通常的做法是采用氮化鎵N面出光，尋找與P面相匹配的反射鏡以及保護(hù)層金屬。 但利用激光剝離藍(lán)寶石襯底，目前成品率低一直是產(chǎn)業(yè)化氮化鎵基LED薄膜芯片的瓶頸。 由于藍(lán)寶石，氮化鎵膜和支撐襯底，三者的熱膨脹系數(shù)的差別產(chǎn)生的應(yīng)力，或者反射金屬與氮化鎵P面的黏附性差，都是造成剝離過(guò)程中氮化鎵膜破裂或受到損傷的重要原因。同時(shí)， 由于激光剝離中的高能量沖擊，很難使高反射率金屬與氮化鎵P面形成良好的接觸和反射效果。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種提高出光效率的LED制備方法，該方法的目的是提高出光效率和產(chǎn)品良率。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提出一種提高出光效率的LED制備方法，其包括
a.在藍(lán)寶石襯底上通過(guò)先后長(zhǎng)好緩沖層、n-GaN、發(fā)光層、p-GaN外延薄膜后，蒸鍍透明導(dǎo)電層，并進(jìn)行合金處理，生長(zhǎng)Si02保護(hù)層；
b.將粘膠涂到Si02保護(hù)層上，并與臨時(shí)支撐基板一起固化；
c.進(jìn)行激光剝離藍(lán)寶石襯底；
d.對(duì)剝離后的外延薄膜的N面進(jìn)行粗化處理；
e.在外延薄膜的N面制作透明的、可以固化的粘接材料層，并對(duì)該粘接材料層進(jìn)行固
化；
f.制備反射層，與上述粘接材料層一起進(jìn)行高溫固化；
g.在粗化表面上面的層上形成電極狀電極槽，在電極槽內(nèi)制作N電極；
h.蒸發(fā)邦定金屬層，并與導(dǎo)電導(dǎo)熱的永久性基板進(jìn)行共晶鍵合；
i.除掉臨時(shí)支撐基板和其上的粘膠，刻蝕Si02保護(hù)層，在透明導(dǎo)電層上制作P電極。優(yōu)選地所述粘接材料層為耐高溫、耐酸耐堿物質(zhì)，耐高溫溫度范圍為 300^600°，對(duì)可見(jiàn)光波段完全透明。優(yōu)選地所述粘接材料層為水玻璃。優(yōu)選地所述粘接材料層的厚度為1. 5-3微米。優(yōu)選地所述粘接材料層低溫固化后，直接蒸發(fā)所述發(fā)反射層，然后進(jìn)行高溫固化，做好電極圖形光刻后，用硝酸或過(guò)氧和氨水的混合液，或雙氧水和氨水混合液先腐蝕 Ag反射材料，用ICP刻蝕透明的所述粘接材料層，用RIE設(shè)備處理刻蝕后的表面，然后蒸發(fā) N電極。
優(yōu)選地所述臨時(shí)支撐基板為硅材質(zhì)基板和藍(lán)寶石材質(zhì)基板。優(yōu)選地所述步驟e、步驟f、步驟g依次進(jìn)行，在外延薄膜的N面制作透明的、可以低溫固化的粘接材料層，并對(duì)該粘接材料層進(jìn)行低溫固化；然后制備反射層，與上述粘接材料層一起進(jìn)行高溫固化；再在粗化表面上面的層上形成電極狀電極槽，在電極槽內(nèi)制作 N電極。優(yōu)選地所述步驟e、步驟g、步驟f依次進(jìn)行，在外延薄膜的N面制作透明的、可以固化的粘接材料層，并對(duì)該粘接材料層進(jìn)行固化；在粗化表面上面的層上形成電極狀電極槽，在電極槽內(nèi)制作N電極；制備反射層，與上述粘接材料層一起進(jìn)行高溫固化。優(yōu)選地所述低溫固化溫度為6(Γ130°，所述高溫固化溫度在15(Γ350°。優(yōu)選地所述共晶鍵合的鍵合溫度在200-400°。優(yōu)選地其特征在于所述g步驟中，使用RIE設(shè)備，分兩步刻蝕所述粘接材料層 第一步采用的刻蝕氣體為含氟基的氣體，刻蝕該粘接材料層；第二步采用的刻蝕氣體是氯基氣體、氬氣中的一種或兩種，對(duì)氮化鎵面進(jìn)行處理。含氟基的氣體為物質(zhì)中含有氟元素的氣體如氫氟酸，氯基氣體為物質(zhì)中含有氯元素的氣體如氯化氫。該發(fā)明的有益效果
本發(fā)明采用了氮化鎵P面出光，N面設(shè)置反射鏡的技術(shù)，相比現(xiàn)有技術(shù)氮化鎵P面設(shè)置反射鏡的技術(shù)方案，避免了 P面與反射鏡金屬接觸的問(wèn)題，因此解決了反射金屬與氮化鎵P 面的粘附性差，以及造成的剝離過(guò)程中氮化鎵膜破裂或受到損傷的問(wèn)題，同時(shí)解決了在激光剝離藍(lán)寶石襯底過(guò)程中的高能量沖擊下，反射鏡金屬與氮化鎵P面接觸不好和反射效果不好的問(wèn)題。本發(fā)明技術(shù)可以提高產(chǎn)品的出光效率和良率。


圖1至圖13是本發(fā)明實(shí)施例一的實(shí)施過(guò)程，圖14至圖M是實(shí)施例二的實(shí)施過(guò)程。圖1是在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)氮化鎵外延層。圖2是在外延層的P面上生長(zhǎng)透明導(dǎo)電層。圖3是生長(zhǎng)Si02層。圖4是通過(guò)粘膠邦定臨時(shí)支撐基板。圖5是去除藍(lán)寶石襯底。圖6是對(duì)緩沖層的表面進(jìn)行粗化處理。圖7是在粗化表面制作粘接材料層。圖8是在粘接材料層上制作反射層。圖9是在反射層和粘接材料層上制作電極槽。圖10是在電極槽內(nèi)制作N電極。圖11是在邦定永久性基板。圖12是去除臨時(shí)支撐基板。圖13是制作P電極。圖14是本發(fā)明實(shí)施例二的在藍(lán)寶襯底上生長(zhǎng)外延層。圖15是在外延層的P面上生長(zhǎng)透明導(dǎo)電層。圖16是生長(zhǎng)Si02層。
圖17是通過(guò)粘膠邦定臨時(shí)支撐基板。圖18是去除藍(lán)寶石襯底。圖19是對(duì)緩沖層的表面進(jìn)行粗化處理。圖20是在粗化表面制作粘接材料層。圖21是在粘接材料層上制作電極槽。圖22是在電極槽內(nèi)制作N電極。圖23是在N電極上制作反射層。圖M是邦定永久性基板。圖25是去除臨時(shí)支撐基板。圖沈是制作P電極。圖中標(biāo)識(shí)說(shuō)明外延層a、藍(lán)寶石襯底1、緩沖層2、n-GaN3、發(fā)光層4、p_GaN5、透明導(dǎo)電層6、Si02保護(hù)層7、粘膠8、臨時(shí)支撐基板9、粘接材料層10、反射層11、光刻膠12、N 電極13、邦定金屬層14、永久性基板15、P電極16、電極槽17 ；
外延層a’、藍(lán)寶石襯底1’、緩沖層2’、n-GaN3’、發(fā)光層4’、p-GaN5’、透明導(dǎo)電層6’、 Si02保護(hù)層7’、粘膠8’、臨時(shí)支撐基板9’、粘接材料層10’、反射層11’、N電極13’、邦定金屬層14’、永久性基板15，、P電極16’、電極槽17，。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明提出一種提高出光效率的LED制備方法，其包括
j.在藍(lán)寶石襯底上通過(guò)先后長(zhǎng)好緩沖層、n-GaN、發(fā)光層、p-GaN外延薄膜后，蒸鍍透明導(dǎo)電層，并進(jìn)行合金處理，生長(zhǎng)Si02保護(hù)層；
k.將粘膠涂到Si02保護(hù)層上，并與臨時(shí)支撐基板一起固化；
1.進(jìn)行激光剝離藍(lán)寶石襯底；
m.對(duì)剝離后的外延薄膜的N面進(jìn)行粗化處理；
η.在外延薄膜的N面制作透明的、可以固化的粘接材料層，并對(duì)該粘接材料層進(jìn)行固
化；
ο.制備反射層，與上述粘接材料層一起進(jìn)行高溫固化；
P.在粗化表面上面的層上形成電極狀電極槽，在電極槽內(nèi)制作N電極；
q.蒸發(fā)邦定金屬層，并與導(dǎo)電導(dǎo)熱的永久性基板進(jìn)行共晶鍵合；
r.除掉臨時(shí)支撐基板和其上的粘膠，，刻蝕Si02保護(hù)層，在透明導(dǎo)電層上制作P電極。本發(fā)明的實(shí)施例一參見(jiàn)圖1至圖13所示。在藍(lán)寶石襯底1通過(guò)MOCVD設(shè)備依次長(zhǎng)好緩沖層2、n-GaN3、發(fā)光層4、p-GaN5等外延薄膜后，蒸鍍的透明導(dǎo)電層6，透明導(dǎo)電層6可以是如氧化銦錫(ΙΤ0)，進(jìn)行高溫合金處理，高溫溫度可以是如500°C或其它合理的合金處理溫度，用PECVD設(shè)備將Si02保護(hù)層7覆蓋在透明導(dǎo)電層6上面。選擇具有感光性的粘膠8涂到Si02保護(hù)層7上面，并與臨時(shí)支撐基板9粘結(jié)，臨時(shí)支撐基板9可以是硅襯底。在110攝氏度的溫度下固化50分鐘，然后進(jìn)行激光剝離藍(lán)寶石襯底1。固化溫度和時(shí)間不限制在上述數(shù)值，其它數(shù)值，如100°C固化2小時(shí)、140攝氏度固化30分鐘等各種選擇均在保護(hù)范圍內(nèi)。因?yàn)樵趧冸x藍(lán)寶石襯底之前需要保證臨時(shí)支撐基板的穩(wěn)固。藍(lán)寶石襯底剝離后，對(duì)氮化鎵表面進(jìn)行清洗，用堿性溶液(如K0H、Na0N等溶液)在 5(T10(TC (如可以選70°C)下粗化。將粘接材料層10涂到氮化鎵粗化面后(可以將粘接材料滴到粗化面后旋轉(zhuǎn)涂膠)，然后進(jìn)行低溫固化。溫度可以在6(T13(TC (如100°C)固化，粘接材料層10的厚度可以是1. 5^3微米(如2微米)。粘接材料層10為耐高溫耐酸耐堿物質(zhì)， 耐高溫溫度范圍一般要求為30(Γ600°，且對(duì)可見(jiàn)光波段完全透明，如可以選用水玻璃。然后蒸發(fā)反射層11，反射層材料可以Ag、Al、At等常用金屬或合金，然后進(jìn)行高溫固化，溫度范圍可以是15(T350°C (如150°C)進(jìn)行固化數(shù)分鐘至數(shù)小時(shí)不等(如20分鐘)。 再涂上光刻膠12，做好電極圖形光刻后，以反射層材料為Ag為例，先腐蝕Ag反射材料，再刻蝕粘接材料層10形成電極槽17。用RIE處理后(氯氣+氬氣)，然后在電極槽17內(nèi)蒸發(fā)N 電極13。其中進(jìn)行刻蝕粘接材料層10，采用的刻蝕氣體為含氟基的氣體，還可以含有氬氣、 氧氣中的一種或兩種，主要刻蝕該粘接材料層10。蒸發(fā)邦定金屬層14，與導(dǎo)電導(dǎo)熱的硅基板進(jìn)行共晶鍵合，該硅基板為永久性基板15，鍵合環(huán)境溫度一般控制在20(T40(TC。將N面的硅基板用蠟進(jìn)行保護(hù)，然后腐蝕掉臨時(shí)支撐基板9和粘膠8，如先用氫氟酸加雙氧水加硝酸(5 2 :2)腐蝕硅基板，然后用乙酰胺在110度腐蝕掉粘膠8。用BOE腐蝕掉Si02保護(hù)層 7，在透明導(dǎo)電層6上制作P電極16。本發(fā)明的實(shí)施例二如圖14至圖M所示。 在藍(lán)寶石襯底上通過(guò)MOCVD依次長(zhǎng)好緩沖層、n-GaN,發(fā)光層、p-GaN等薄膜后，蒸鍍?chǔ)│?，500度合金處理。涂粘膠，外延層與臨時(shí)支撐Si基板粘結(jié)，在100度下固化60分鐘， Kr激光，功率500mW，進(jìn)行激光剝離藍(lán)寶石襯底。藍(lán)寶石襯底剝離后，對(duì)氮化鎵表面進(jìn)行清洗，用堿性溶液(Κ0Η溶液)在80度的條件下粗化；將水玻璃涂到氮化鎵粗化面后，然后在 80度固化15分鐘，透明物質(zhì)水玻璃的厚度在1. 5微米。在水玻璃固化后做光刻，刻蝕出電極槽后，其中進(jìn)行刻蝕透明物質(zhì)水玻璃，采用的刻蝕氣體為含氟基的氣體，刻蝕水玻璃，刻蝕速率為lOOnm/min，對(duì)氮化鎵面進(jìn)行清洗處理采用的刻蝕氣體，刻蝕氣體可以是氯基、氬氣或者氮?dú)?，或者它們的任意組合。在電極槽蒸發(fā)N電極(包括歐姆接觸層)，把電極槽填滿，然后制作Ag/Cr/Pt/或者 Ag/Ti/Pt/，Ag/Ni/Pt反射保護(hù)材料，一起在150度進(jìn)行固化20分鐘，蒸發(fā)Au邦定金屬層， 與導(dǎo)電導(dǎo)熱的硅基板進(jìn)行Au-Sn共晶鍵合，溫度在300度；將N面的硅基板用蠟進(jìn)行保護(hù)， 先用氫氟酸加雙氧水加硝酸(5 2 2)腐蝕硅基板，然后用乙酰胺在110度腐蝕掉粘膠，用 BOE腐蝕掉Si02保護(hù)層，在透明導(dǎo)電層上制作P電極。本發(fā)明的實(shí)施例三。本例與實(shí)施例二步驟上基本相同。相比實(shí)施例二，本例的臨時(shí)支撐基板為藍(lán)寶石材質(zhì)。實(shí)施例三簡(jiǎn)述如下
在藍(lán)寶石襯底通過(guò)MOCVD依次長(zhǎng)好緩沖層、n-GaN、發(fā)光層、p-GaN等薄膜后，蒸鍍IT0， 500度合金處理。將粘膠涂到用Si02保護(hù)的ITO層面上，并與臨時(shí)支撐藍(lán)寶石基板粘結(jié)，在 100度下固化60分鐘，Kr激光，功率500mW，進(jìn)行激光剝離藍(lán)寶石面。藍(lán)寶石剝離后，對(duì)氮化鎵表面進(jìn)行清洗，用堿性溶液(KOH溶液)在80度的條件下粗化；將水玻璃涂到氮化鎵粗化面后，然后在80度固化15分鐘，透明物質(zhì)水玻璃的厚度在1. 5微米。在水玻璃固化后做光刻，刻蝕出電極槽后，其中進(jìn)行刻蝕水玻璃，采用的刻蝕氣體(氯氣加氧氣)，刻蝕水玻璃， 刻蝕速率為lOOnm/min，對(duì)氮化鎵面進(jìn)行清洗處理采用的刻蝕氣體(氯氣+氬氣)。蒸發(fā)N面(歐姆)電極，把電極槽填滿，然后制作Ag/Cr/Pt/或者Ag/Ti/Pt/，Ag/Ni/Pt反射保護(hù)材料， 一起在150度進(jìn)行固化20分鐘，蒸發(fā)邦定Au金屬層，與導(dǎo)電導(dǎo)熱的硅基板進(jìn)行Au-Sn共晶鍵合，溫度在300度；然后用乙酰胺在150度下腐蝕掉粘膠，使藍(lán)寶石支撐基板脫落，再用 BOE腐蝕掉Si02保護(hù)層，然后在透明導(dǎo)電層上制作P電極。本發(fā)明是基于一種透明物質(zhì)粘接材料層將反射鏡有效的做在氮化鎵N面，然后采用干法刻蝕把固化好的透明物質(zhì)粘接材料層刻穿，得到電極形狀的氮化鎵N面并進(jìn)行處理，如此制成有效器件的工藝。本發(fā)明第一步將藍(lán)寶石襯底長(zhǎng)好GaN和做好P面透明導(dǎo)電層后，使用感光性樹脂將藍(lán)寶石襯底及外延固定在臨時(shí)支撐基板上，進(jìn)行激光剝離。這樣，P面采用透明導(dǎo)電層，形成很好的接觸，就避免了與反射金屬的接觸問(wèn)題。但是為增加出光，氮化鎵N面要進(jìn)行粗化處理，反射材料直接做到粗化面上，反射效果變差，這就需要一種液態(tài)透明物質(zhì)將粗化表面平面化，然后蒸發(fā)或者濺射反射材料。這種透明物質(zhì)要求耐高溫300-600度，對(duì)可見(jiàn)光波段完全透明，穩(wěn)定性好，更重要的是通過(guò)處理，與反射材料的黏附性滿足要求，如水玻璃。甩粘接材料層，厚度需要在1. 5-3微米，采用先低溫固化，再與反射材料一起進(jìn)行高溫固化， 可以達(dá)到很好的黏附效果。這樣做的反射效果與在粘接材料層與反射材料間插入一層黏附性好的材料相對(duì)比，有明顯出光優(yōu)勢(shì)。第二步我們要解決的是氮化鎵N面的歐姆接觸問(wèn)題，這種透明粘接材料層是不導(dǎo)電的，因此需要使用RIE設(shè)備，分兩步刻蝕該物質(zhì)，第一步采用的刻蝕氣體有氟基氣體，還可以包括氬氣、氧氣中的一種或兩種，主要刻蝕該透明物質(zhì)，刻蝕速率可以達(dá)到lOOnm/min; 第二步采用的刻蝕氣體是氯基氣體或氬氣，以及氮?dú)猓鼈兛梢匀我舛呋蛉呓M合，這步主要是對(duì)氮化鎵面進(jìn)行處理，由于第一步的刻蝕中，會(huì)產(chǎn)生鎵基殘留物或者氧化物，嚴(yán)重影響N面歐姆接觸，尤其在后面的蒸發(fā)N面歐姆接觸金屬(N電極)，合金后電壓明顯升高。當(dāng)我們分兩步進(jìn)行刻蝕處理后，合金過(guò)程中電性參數(shù)很穩(wěn)定。按照本發(fā)明技術(shù)方案，可以降低對(duì)氮化鎵膜的損傷和破壞，從而提高器件的漏電良率，對(duì)于IW的芯片，在反向電壓5V的測(cè)試條件下，漏電良率由傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的20%提高到80%。
權(quán)利要求
1.一種提高出光效率的LED制備方法，其包括在藍(lán)寶石襯底上通過(guò)先后長(zhǎng)好緩沖層、n-GaN、發(fā)光層、p_GaN外延薄膜后，蒸鍍透明導(dǎo)電層，并進(jìn)行合金處理，生長(zhǎng)Si02保護(hù)層；將粘膠涂到Si02保護(hù)層上，并與臨時(shí)支撐基板一起固化； 進(jìn)行激光剝離藍(lán)寶石襯底； 對(duì)剝離后的外延薄膜的N面進(jìn)行粗化處理；在外延薄膜的N面制作透明的、可以固化的粘接材料層，并對(duì)該粘接材料層進(jìn)行固化；制備反射層，與上述粘接材料層一起進(jìn)行高溫固化；在粗化表面上面的層上形成電極狀電極槽，在電極槽內(nèi)制作N電極；蒸發(fā)邦定金屬層，并與導(dǎo)電導(dǎo)熱的永久性基板進(jìn)行共晶鍵合；除掉臨時(shí)支撐基板和其上的粘膠，刻蝕Si02保護(hù)層，在透明導(dǎo)電層上制作P電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高出光效率的LED制備方法，其特征在于所述粘接材料層為耐高溫、耐酸耐堿物質(zhì)，耐高溫溫度范圍為30(Γ600°，對(duì)可見(jiàn)光波段完全透明。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的提高出光效率的LED制備方法，其特征在于所述粘接材料層為水玻璃材質(zhì)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的提高出光效率的LED制備方法，其特征在于所述粘接材料層的厚度為1.5-3微米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高出光效率的LED制備方法，其特征在于所述粘接材料層低溫固化后，直接蒸發(fā)所述發(fā)反射層，然后進(jìn)行高溫固化，做好電極圖形光刻后，用硝酸或過(guò)氧和氨水的混合液，或雙氧水和氨水混合液先腐蝕Ag反射材料，用RIE刻蝕透明的所述粘接材料層，用RIE設(shè)備處理刻蝕后的表面，然后蒸發(fā)N電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高出光效率的LED制備方法，其特征在于所述臨時(shí)支撐基板為硅材質(zhì)基板和藍(lán)寶石材質(zhì)基板。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高出光效率的LED制備方法，其特征在于所述步驟e、步驟f、步驟g依次進(jìn)行，在外延薄膜的N面制作透明的、可以低溫固化的粘接材料層，并對(duì)該粘接材料層進(jìn)行低溫固化；然后制備反射層，與上述粘接材料層一起進(jìn)行高溫固化；再在粗化表面上面的層上形成電極狀電極槽，在電極槽內(nèi)制作N電極；或者所述步驟e、步驟g、步驟f依次進(jìn)行，在外延薄膜的N面制作透明的、可以固化的粘接材料層，并對(duì)該粘接材料層進(jìn)行固化；在粗化表面上面的層上形成電極狀電極槽，在電極槽內(nèi)制作N電極；制備反射層，與上述粘接材料層一起進(jìn)行高溫固化。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的提高出光效率的LED制備方法，其特征在于所述低溫固化溫度為60 130°，所述高溫固化溫度在150150°。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高出光效率的LED制備方法，其特征在于所述共晶鍵合的鍵合溫度在200-400°。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高出光效率的LED制備方法，其特征在于所述g步驟中， 使用RIE設(shè)備，分兩步刻蝕所述粘接材料層第一步采用的刻蝕氣體為含氟基的氣體，刻蝕該粘接材料層；第二步采用的刻蝕氣體是氯基氣體、氬氣中的一種或兩種，對(duì)氮化鎵面進(jìn)行處理。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種提高出光效率的LED制備方法，涉及半導(dǎo)體發(fā)光器件的制備工藝。該方法的目的是提高出光效率和產(chǎn)品良率。其技術(shù)方案包括在藍(lán)寶石襯底上外延薄膜后，蒸鍍透明導(dǎo)電層，并進(jìn)行合金處理，生長(zhǎng)SiO2保護(hù)層；將粘膠涂到SiO2保護(hù)層上，并與臨時(shí)支撐基板一起固化；進(jìn)行激光剝離藍(lán)寶石襯底；對(duì)剝離后的外延薄膜的N面進(jìn)行粗化處理；在外延薄膜的N面制作透明的、可以固化的粘接材料層，并對(duì)該粘接材料層進(jìn)行固化；制備反射層，與上述粘接材料層一起進(jìn)行高溫固化；在粗化表面上面的層上制作槽內(nèi)N電極；蒸發(fā)邦定金屬層，并與導(dǎo)電導(dǎo)熱的永久性基板進(jìn)行共晶鍵合；除掉臨時(shí)支撐基板、SiO2保護(hù)層，在透明導(dǎo)電層上制作P電極。
文檔編號(hào)H01L33/00GK102244160SQ201110179480
公開日2011年11月16日 申請(qǐng)日期2011年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月30日
發(fā)明者周印華, 趙漢民, 陳棟 申請(qǐng)人:晶能光電(江西)有限公司