專利名稱：發(fā)光二極管以及包括其的背光單元和液晶顯示器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光二極管以及包括它的背光單元和IXD器件，該發(fā)光二極管基本上避免了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)而產(chǎn)生的一個(gè)或多個(gè)問題。本發(fā)明的目的是提供適于改善光效率的發(fā)光二極管及其制造方法。本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在下文的說明書中闡述，它們一部分根據(jù)說明書顯見，或者可以通過實(shí)施實(shí)施例來領(lǐng)會(huì)。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)將通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中具體闡述的結(jié)構(gòu)而實(shí)現(xiàn)和獲得。根據(jù)本實(shí)施例的一個(gè)大體方面，發(fā)光二極管包括發(fā)光芯片；裝載該發(fā)光芯片的第一引線框架，該第一引線框架包括自裝載有發(fā)光芯片的區(qū)域向外延伸的第一至第四傾斜面，第一和第二傾斜面在第一方向上彼此對稱地設(shè)置而第三和第四傾斜面在與第一方向垂直的第二方向上彼此對稱地設(shè)置；與第一引線框架隔開固定距離的第二引線框架；配置以將第一和第二引線框架分別連接至發(fā)光芯片的第一和第二導(dǎo)線；和配置以包括第一和第二引線框架的模制框架，該模制框架包括在第一引線框架的第一方向上彼此對稱地設(shè)置的第一和第二反射面，和在第一引線框架的第二方向上彼此對稱地設(shè)置的第三和第四反射面。根據(jù)本實(shí)施例另一方面的背光單元包括配置有導(dǎo)電圖案的印刷電路板；發(fā)光二極管；和配置以散射和會(huì)聚自發(fā)光二極管發(fā)射的光的光學(xué)片，其中該發(fā)光二極管分別配置以包括發(fā)光芯片；裝載該發(fā)光芯片的第一引線框架，該第一引線框架包括自裝載有該發(fā)光芯片的區(qū)域向外延伸的第一至第四傾斜面，第一和第二傾斜面在第一方向上彼此對稱地設(shè)置而第三和第四傾斜面在與第一方向垂直的第二方向上彼此對稱地設(shè)置；與第一引線框架隔開固定距離的第二引線框架；配置以將第一和第二引線框架分別連接至發(fā)光芯片的第一和第二導(dǎo)線；和配置以包括第一和第二引線框架的模制框架，該模制框架包括在第一引線框架的第一方向上彼此對稱地設(shè)置的第一和第二反射面，和在第一引線框架的第二方向上彼此對稱地設(shè)置的第三和第四反射面。根據(jù)本實(shí)施例又一方面的IXD器件，包括安裝至印刷電路板的發(fā)光二極管；配置以散射和會(huì)聚自發(fā)光二極管發(fā)射的光的光學(xué)片；和在光學(xué)片上設(shè)置的液晶顯示面板，該發(fā)光二極管配置以包括發(fā)光芯片；裝載有該發(fā)光芯片的第一引線框架，該第一引線框架包括自裝載有該發(fā)光芯片的區(qū)域向外延伸的第一至第四傾斜面，第一和第二傾斜面在第一方向上彼此對稱地設(shè)置而第三和第四傾斜面在與第一方向垂直的第二方向內(nèi)彼此對稱地設(shè)置；與第一引線框架以固定距離隔開的第二引線框架；配置以將第一和第二引線框架分別連接至發(fā)光芯片的第一和第二導(dǎo)線；和配置以包括第一和第二引線框架的模制框架，該模制框架包括在第一引線框架的第一方向上彼此對稱地設(shè)置的第一和第二反射面，和在第一引線框架的第二方向上彼此對稱地設(shè)置的第三和第四反射面。在閱讀下述附圖和詳細(xì)描述之后，其它的系統(tǒng)、方法、特征和優(yōu)點(diǎn)對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員將是或者將變成顯而易見的。所有這些附加系統(tǒng)、方法、特征和優(yōu)點(diǎn)將包括在本說明書內(nèi)，在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)以及由權(quán)利要求所保護(hù)。不應(yīng)將在這一部分的任何內(nèi)容視為對權(quán)利要求的限制。下面結(jié)合實(shí)施例討論其它方面和優(yōu)點(diǎn)。應(yīng)理解，本發(fā)明的上述概述和下述詳細(xì)描述是示例性和解釋性的，并且旨在提供如要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。


包括附圖以提供實(shí)施例的進(jìn)一步理解，并且附圖并入并構(gòu)成本申請一部分，附示了本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例，并和說明書一起用于解釋本發(fā)明。在附圖中圖1是圖示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的配置有發(fā)光二極管的IXD器件的分解透視圖；圖2是圖示根 據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光二極管的透視圖；圖3是圖示沿著圖2中的線1-1’的發(fā)光二極管的剖視圖；和圖4是圖示沿著圖2中的另一線1-1’的發(fā)光二極管的剖視圖；圖5是圖示圖2的發(fā)光二極管的平面視圖；和圖6是圖示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光二極管的剖視圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將詳細(xì)參考本發(fā)明的實(shí)施例，其例子在附圖中圖示。將在下文中介紹的這些實(shí)施例作為例子提供從而將它們的精神傳遞給本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員。因此，這些實(shí)施例可以以不同形狀實(shí)施，因而并不限于在此描述的這些實(shí)施例。而且，在附圖中為了便于描述可放大表示該器件的尺寸和厚度。盡可能在包括附圖的本說明書的全文中使用相同的參考標(biāo)記表示相同或類似部件。圖1是圖示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的包括發(fā)光二極管的IXD器件的分解透視圖。如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的包括發(fā)光二極管的IXD器件包括配置以顯示圖像的IXD面板110 ；以及設(shè)置在IXD面板110之下以將光施加給IXD面板110的背光單元 120。IXD器件進(jìn)一步包括配置以支撐IXD面板110的下緣的面板導(dǎo)板119。IXD面板110包括彼此相對設(shè)置的薄膜晶體管基板111和濾色片基板113，兩者組合以在它們之間維持均勻的盒間隙。LCD面板110還包括介于該兩個(gè)基板之間的液晶層 (未圖示)。雖然在附圖中未詳細(xì)圖示薄膜晶體管基板111和濾色片基板113，但現(xiàn)在將予以詳細(xì)描述。薄膜晶體管基板111包括彼此交叉的多條柵線和多條數(shù)據(jù)線；以及在該多條柵線與多條數(shù)據(jù)線的交叉點(diǎn)處形成的薄膜晶體管。彼此交叉的多條柵線和多條數(shù)據(jù)線限定像素。薄膜晶體管分別連接至像素電極，所述像素電極各包括在像素內(nèi)。另一方面，濾色片基板113包括與所述像素相對的紅色、綠色和藍(lán)色濾色片；配置以形成每個(gè)濾色片邊框的黑矩陣；以及覆蓋濾色片和黑矩陣的公共電極。黑矩陣形成為遮蔽柵線、數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管。此外，該IXD器件包括在IXD面板110的邊沿上設(shè)置的驅(qū)動(dòng)印刷電路板(PCB) 115。 驅(qū)動(dòng)PCB 115將驅(qū)動(dòng)信號(hào)施加給在IXD面板110上的柵線和數(shù)據(jù)線。為此，利用COF(膜上芯片)117將驅(qū)動(dòng)器PCB 115電連接至IXD面板110。該COF 117可以用載帶封裝(TCP)替代。設(shè)置在IXD面板110之下的背光單元120包括上表面打開的底蓋180 ；設(shè)置在底蓋180的內(nèi)側(cè)表面并配置有導(dǎo)電圖案的PCB 160;裝載在PCB 160上并配置以分別發(fā)射光的多個(gè)發(fā)光二極管150 ；以及與該多個(gè)發(fā)光二極管150平行設(shè)置的導(dǎo)光板140。導(dǎo)光板140 將發(fā)光二極管150發(fā)射出的點(diǎn)光轉(zhuǎn)換成二維光。背光單元120還包括設(shè)置在導(dǎo)光板140之下并配置成將從導(dǎo)光板140向下前進(jìn)的光朝IXD面板110反射的反射板170 ；以及設(shè)置在導(dǎo)光板140之上并配置成使來自導(dǎo)光板140的入射光散射和會(huì)聚的光學(xué)片130?？梢允褂梅謩e發(fā)射紅光、綠光和藍(lán)光的紅色、綠色和藍(lán)色發(fā)光二極管的組合來配置根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光二極管150?？商娲兀鶕?jù)本實(shí)施例的發(fā)光二極管150可以僅包括發(fā)射白光的白色發(fā)光二極管。
根據(jù)本實(shí)施例的這種發(fā)光二極管150形成為光效率提高的結(jié)構(gòu)?，F(xiàn)在將參考圖2 至圖5詳細(xì)描述根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光二極管150。圖2是圖示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光二極管的透視圖，圖3是圖示發(fā)光二極管沿著圖2中的線1-1’的剖視圖。圖4是圖示發(fā)光二極管沿著圖2中的另一線11-11’的透視圖，而圖5是圖示圖2的發(fā)光二極管的平面圖。參見圖2至圖5，根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光二極管150包括第一和第二引線框架151和 152、發(fā)光芯片155、模制框架153和硅層154。第一和第二引線框架分別接收外部驅(qū)動(dòng)信號(hào)。 發(fā)光芯片155裝載到第一引線框架151上。模制框架153圍繞第一和第二引線框架151和 152。硅層154填充于通過模制框架153形成的開口內(nèi)。該發(fā)光二極管150還包括第一和第二導(dǎo)線156和157。第一導(dǎo)線156用于使發(fā)光芯片155的第一電極板(未圖示)和第一引線框架151電連接。第二導(dǎo)線157用于使發(fā)光芯片155的第二電極板(未圖示)和第二引線框架152電連接。發(fā)光芯片155相當(dāng)于實(shí)質(zhì)上產(chǎn)生光的光源。這樣的發(fā)光芯片155包括彼此連接的 P型半導(dǎo)體和η型半導(dǎo)體。P型半導(dǎo)體提供正空穴而η型半導(dǎo)體提供電子。盡管未在附圖中圖示，但是覆蓋發(fā)光芯片155的硅層形成為包括熒光材料。該熒光材料用于將在發(fā)光芯片155中產(chǎn)生的固定光譜光轉(zhuǎn)換成白光。第一引線框架151包括配置成自發(fā)光芯片155所處區(qū)域向外且向上傾斜的第一至第四傾斜面151a至151d。第一和第二傾斜面151a和151b在第一方向上彼此對稱形成。 第三和第四傾斜面151c和151d在與第一方向垂直的第二方向上彼此對稱地形成。而且，第一引線框架151包括第一平頂面151e、第五傾斜面151i和第一突出部 151j。第一平頂面形成為自第一傾斜面151a延伸并彎向與發(fā)光二極管150的下表面平行的水平方向。第五傾斜面151i形成為自第一平頂面151e向外延伸并彎向發(fā)光二極管150 的向下方向。第一突出部151 j形成為自第五傾斜面151i延伸并自發(fā)光二極管150向外突出ο第一引線框架151還包括自第二傾斜面151b延伸的第二平頂面151f。第二平頂面151f形成為彎向與發(fā)光二極管150的下表面平行的水平方向。此外，第一引線框架151包括第三和第四平頂面151g和151h。第三平頂面151g 形成為自第三傾斜面151c向外延伸并彎向與發(fā)光二極管150的下表面平行的水平方向。第四平頂面151h形成為自第四傾斜面151d向外延伸并彎向與發(fā)光二極管150的下表面平行的水平方向。普通的發(fā)光二極管通常包括平板型的引線框架。因此，外部濕氣沿著平坦的引線框架侵入普通發(fā)光二極管的內(nèi)部。相反地，根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光二極管包括具有上述由第一傾斜面151a、第一平頂面151e和第五傾斜面151i以及第一突出部151 j構(gòu)成的彎曲結(jié)構(gòu)的弓丨線框架。因此，根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光二極管可以防止外部濕氣入侵。
第二引線框架152包括第五平頂面152a、第六傾斜面152b和第二突出部152c。第五平頂面152a與第一引線框架151隔開固定距離并與第一和第二平頂面151a和151f并行設(shè)置。第六傾斜面152b形成為自第五平頂面152a延伸并彎向發(fā)光二極管150的向下方向。第二突出部152c形成為自第六傾斜面152b延伸并在發(fā)光二極管150向外的方向上突
出ο

以這種方式，第二引線框架152設(shè)有第五平頂面152a、第六傾斜面152b和第二突出部152c。因此，本實(shí)施例的發(fā)光二極管可以不受外部濕氣侵入。而且，第一和第二引線框架151和152的總面積變得大于平板型的普通引線框架的總面積。因此，第一和第二引線框架151和152允許本實(shí)施例的發(fā)光二極管具有出色的熱輻射特性。模制框架153具有圍繞發(fā)光二極管150的邊沿的結(jié)構(gòu)。該模制框架153可以通過擠壓工藝形成。更具體地，模制框架153具有圍繞發(fā)光二極管150邊沿的屏障結(jié)構(gòu)。這樣的模制框架153被配置成包括第一至第五反射面153a至153e，它們形成為朝發(fā)光二極管150的內(nèi)部方向(即，向發(fā)光芯片155)向下傾斜。第一至第五反射面153a至153e反射自發(fā)光芯片 155發(fā)出的光，從而提高發(fā)光二極管150的光效率。第一至第四反射面153a至153d自發(fā)光芯片所處區(qū)域向外以及向上形成。第一和第二反射面153a和153b具有在第一方向上彼此對稱的傾角。第三和第四反射面153c和 153d具有在第二方向上彼此對稱的傾角，該第二方向與將第一和第二反射面153a和153b 彼此連接的第一方向垂直。第五反射面153e與第二反射面153b隔開固定距離。然而，第五反射面153e具有與第二反射面153b相同的傾角。第一和第二反射面153a和153b分別形成在第一引線框架151的第一和第二傾斜面151a和151b之上。換句話說，模制框架153的第一反射面153a形成在第一引線框架 151的第一傾斜面151a的斜面上，而第二反射面153b形成在第一引線框架151的第二傾斜面151b的斜面上。在模制框架153的擠壓工藝中形成第一和第二反射面153a和153b。而且，第一和第二反射面153a和153b以恒定厚度形成在第一和第二傾斜面151a和151b上。第一和第二反射面153a和153b可以具有與第一和第二傾斜面151a和151b相同的傾角。然而，第一和第二反射面153a和153b并不限于與第一和第二傾斜面151a和151b 相同的傾角。換句話說，第一和第二反射面153a和153b可以具有與第一和第二傾斜面151a 和151b不同的其它傾角。將第一和第二反射面153a和153b相對于參考線的傾角θ設(shè)置為80°或更低(或更小)，該參考線定義為與發(fā)光二極管150的下表面垂直的向上方向。模制框架153配置為在第一和第二反射面153a和153b之間形成有第一開口 159。 該第一開口 159露出了一部分第一引線框架151，在該部分中可以安裝發(fā)光芯片155和第一導(dǎo)線156。第一開口 150露出的第一引線框架151的區(qū)域僅提供發(fā)光芯片155的區(qū)域d2和用于在第一引線框架151上焊接第一導(dǎo)線156的區(qū)域。換句話說，該第一開口 150具有將發(fā)光芯片155安裝至第一引線框架151以及將第一導(dǎo)線156焊接至第一引線框架151所必需的最小尺寸。 該模制框架153進(jìn)一步配置為在第二和第五反射面153b和153e之間形成有第二開口 158。該第二開口 158用于連接第二導(dǎo)線157和第二引線框架152。第二開口 158使第二引線框架152露出將第二導(dǎo)線157與第二引線框架152相連所必需的區(qū)域。換句話說，以比第二導(dǎo)線157的直徑更大的尺寸但卻可以僅提供用于將第二導(dǎo)線157焊接至第二引線框架152的空間的最小尺寸形成第二開口 158。因此，該最小化的第二開口 158可以使發(fā)光二極管150的光效率提高。第三和第四反射面153c和153d分別形成在第一引線框架151的第三和第四傾斜面151c和151d上。換句話說，模制框架153的第三反射面153c形成在第一引線框架151 的第三傾斜面151c的斜面上，而第四反射面153d形成在第一引線框架151的第四傾斜面 15Id的斜面上。在模制框架153的擠壓工藝中形成第三和第四反射面153c和153d。而且，第三和第四反射面153c和153d以恒定厚度形成在第三和第四傾斜面151c和151d上。第三和第四反射面153c和153d可以具有與第三和第四傾斜面151c和151d相同的傾角。然而，第三和第四反射面153c和153d并不限于與第三和第四傾斜面151c和151d 相同的傾角。換句話說，第三和第四反射面153c和153d可以具有與第三和第四傾斜面151c 和15Id不同的其它傾角。將第三和第四反射面153c和153d相對于參考線的傾角θ設(shè)置為80°或更低(或更小)，該參考線定義為與發(fā)光二極管150的下表面垂直的向上方向。如上所述，本實(shí)施例的發(fā)光二極管150包括第一和第二引線框架151和152，該第一和第二引線框架151和152具有通過第一至第六傾斜面151a、151b、151c、151d、151i和 152b、第一至第五平頂面151e、151f、151g、151h和152a和第一和第二突出部151j和152c 實(shí)現(xiàn)的彎曲結(jié)構(gòu)。因此，能夠安全地使該發(fā)光二極管150免于外部濕氣侵入。而且，本實(shí)施例的發(fā)光二極管150使模制框架153包括第一至第四反射面153a至 153d，該些第一至第四反射面153a至153d設(shè)置在第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)151a至151d的第一至第四傾斜面151a至151d上，并分別具有高反射率。因此，發(fā)光二極管150可以將其光效率提高百分之十或者更高。圖6是圖示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光二極管的剖視圖。除了第一和第二反射面253a和253b之外，圖6所示的另一實(shí)施例的發(fā)光二極管具有與上述圖3的一種實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)。因此，將省略在本發(fā)明一實(shí)施例中與另一實(shí)施例重復(fù)的描述。而且，根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光二極管將使用相同的參考標(biāo)記表述與根據(jù)一實(shí)施例相同的單元。第一和第二反射面253a和253b在第一引線框架151上。在模制框架153的擠壓工藝中同時(shí)形成第一和第二反射面253a和253b。而且，第一和第二反射面253a和253b以恒定的厚度形成在第一引線框架151上。第一和第二反射面253a和253b形成為與參考線平行，該參考線定義為與發(fā)光二極管150的下表面垂直的向上方向。換句話說，第一和第二反射面253a和253b形成為與發(fā)光二極管150的下表面垂直。
第一反射面253可以形成為高架平臺(tái)結(jié)構(gòu)。盡管在附圖中未圖示，但是模制框架153包括與第一和第二反射面253a和253b 成直角形成的第三和第四反射面。該第三和第四反射面以與第一和第二反射面253a和 253b相同的方式，平行于參考線形成，該參考線定 義為與發(fā)光二極管150的下表面垂直的向上方向。盡管僅通過上述實(shí)施例有限地解釋了本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明并不限制于這些實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明的精神的情況下，可以對其進(jìn)行各種改變或修改。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)僅由權(quán)利要求書及其等同范圍來確定。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管，包括 發(fā)光芯片；裝載該發(fā)光芯片的第一引線框架，該第一引線框架包括自裝載有該發(fā)光芯片的區(qū)域向外延伸的第一至第四傾斜面，第一和第二傾斜面在第一方向上彼此對稱地設(shè)置，而第三和第四傾斜面在與第一方向垂直的第二方向上彼此對稱地設(shè)置； 與第一引線框架以固定距離隔開的第二引線框架； 將第一和第二引線框架分別連接至發(fā)光芯片的第一和第二導(dǎo)線；以及圍繞第一和第二引線框架的模制框架，該模制框架包括在第一引線框架的第一方向上彼此對稱地設(shè)置的第一和第二反射面，和在第一引線框架的第二方向上彼此對稱地設(shè)置的第三和第四反射面。
2.如權(quán)利要求1的發(fā)光二極管，其中第一至第四反射面分別形成在第一至第四傾斜面的斜面上。
3.如權(quán)利要求1的發(fā)光二極管，其中第一至第四反射面形成為具有與第一至第四傾斜面相同的傾角。
4.如權(quán)利要求1的發(fā)光二極管，其中第一引線框架包括自第一傾斜面延伸且彎向與發(fā)光二極管的下表面平行的水平方向的第一平頂面； 自第一平頂面延伸且斜彎向發(fā)光二極管下表面的第五傾斜面； 自第五傾斜面延伸且自發(fā)光二極管的側(cè)面向外突出的第一突出部； 自第二傾斜面延伸且彎向與發(fā)光二極管的下表面平行的水平方向的第二平頂面； 自第三傾斜面延伸且彎向與發(fā)光二極管的下表面平行的水平方向的第三平頂面；和自第四傾斜面延伸且彎向與發(fā)光二極管的下表面平行的水平方向的第四平頂面。
5.如權(quán)利要求4的發(fā)光二極管，其中第二引線框架包括 與第一和第二平頂面并行形成的第五平頂面；自第五平頂面延伸并斜彎向發(fā)光二極管的下表面的第六傾斜面；和自第六傾斜面延伸且自發(fā)光二極管的另一側(cè)面向外突出的第二突出部。
6.如權(quán)利要求1的發(fā)光二極管，其中該模制框架配置為具有在第一和第四反射面之間的第一開口，該第一開口對應(yīng)于發(fā)光芯片的區(qū)域以及將第一導(dǎo)線焊接至第一引線框架必需的區(qū)域。
7.如權(quán)利要求5的發(fā)光二極管，其中該模制框架進(jìn)一步形成有部分地露出第五平頂面且用于將第二導(dǎo)線焊接至第二引線框架的第二開口。
8.如權(quán)利要求1的發(fā)光二極管，其中第一至第四反射面形成為具有相對于參考線大約 O 80°的傾角，該參考線定義為與發(fā)光二極管的下表面垂直的向上方向。
9.一種背光單元，包括設(shè)有導(dǎo)電圖案的印刷電路板； 發(fā)光二極管，分別包括 發(fā)光芯片；裝載該發(fā)光芯片的第一引線框架，該第一引線框架包括自裝載有該發(fā)光芯片的區(qū)域向外延伸的第一至第四傾斜面，第一和第二傾斜面在第一方向上彼此對稱地設(shè)置而第三和第四傾斜面在與第一方向垂直的第二方向上彼此對稱地設(shè)置；與第一引線框架隔開固定距離的第二引線框架；配置以將第一和第二引線框架分別連接至發(fā)光芯片的第一和第二導(dǎo)線；和配置以圍繞第一和第二引線框架的模制框架，該模制框架包括在第一引線框架的第一方向上彼此對稱地設(shè)置的第一和第二反射面，和在第一引線框架的第二方向上彼此對稱地設(shè)置的第三和第四反射面；和用來散射和會(huì)聚自發(fā)光二極管發(fā)射的光的光學(xué)片。
10.如權(quán)利要求9的背光單元，其中第一至第四反射面分別形成在第一至第四傾斜面的斜面上。
11.如權(quán)利要求9的背光單元，其中第一至第四反射面形成為具有與第一至第四傾斜面相同的傾角。
12.如權(quán)利要求9的背光單元，其中第一引線框架包括自第一傾斜面延伸且彎向與發(fā)光二極管的下表面平行的水平方向的第一平頂面； 自第一平頂面延伸且斜彎向發(fā)光二極管下表面的第五傾斜面； 自第五傾斜面延伸且自發(fā)光二極管的一側(cè)面向外突出的第一突出部； 自第二傾斜面延伸且彎向與發(fā)光二極管的下表面平行的水平方向的第二平頂面； 自第三傾斜面延伸且彎向與發(fā)光二極管的下表面平行的水平方向的第三平頂面；和自第四傾斜面延伸且彎向與發(fā)光二極管的下表面平行的水平方向的第四平頂面。
13.如權(quán)利要求12的背光單元，其中第二引線框架包括 與第一和第二平頂面并行形成的第五平頂面；自第五平頂面延伸且斜彎向發(fā)光二極管的下表面的第六傾斜面；和自第六傾斜面延伸且自發(fā)光二極管的另一側(cè)面向外突出的第二突出部。
14.如權(quán)利要求9的背光單元，其中該模制框架配置為具有在第一和第四反射面之間的第一開口，該第一開口對應(yīng)于發(fā)光芯片的區(qū)域和將第一導(dǎo)線焊接至第一引線框架必需的區(qū)域。
15.如權(quán)利要求13的背光單元，其中該模制框架進(jìn)一步形成有部分地露出第五平頂面且用于將第二導(dǎo)線焊接至第二引線框架的第二開口。
16.如權(quán)利要求9的背光單元，其中第一至第四反射面形成為具有相對于參考線大約呈0 80°的傾角，該參考線定義為與發(fā)光二極管的下表面垂直的向上方向。
17.一種LCD器件，包括安裝至印刷電路板的發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管包括 發(fā)光芯片；裝載該發(fā)光芯片的第一引線框架，該第一引線框架包括自裝載有該發(fā)光芯片的區(qū)域向外延伸的第一至第四傾斜面，第一和第二傾斜面在第一方向上彼此對稱地設(shè)置而第三和第四傾斜面在與第一方向垂直的第二方向上彼此對稱地設(shè)置； 與第一引線框架隔開固定距離的第二引線框架；配置以將第一和第二引線框架分別連接至發(fā)光芯片的第一和第二導(dǎo)線；和圍繞第一和第二引線框架的模制框架，該模制框架包括在第一引線框架的第一方向上彼此對稱地設(shè)置的第一和第二反射面，和在第一引線框架的第二方向上彼此對稱地設(shè)置的第三和第四反射面；用來散射和會(huì)聚自發(fā)光二極管發(fā)射的光的光學(xué)片；和設(shè)在光學(xué)片上的液晶顯示面板。
18.如權(quán)利要求17的液晶顯示單元，其中第一至第四反射面分別形成在第一至第四傾斜面上的斜面上。
19.如權(quán)利要求17的液晶顯示單元，其中第一至第四反射面形成為具有與第一至第四傾斜面相同的傾角。
20.如權(quán)利要求17的液晶顯示，其中第一引線框架包括自第一傾斜面延伸且彎向與發(fā)光二極管的下表面平行的水平方向的第一平頂面； 自第一平頂面延伸且斜彎向發(fā)光二極管下表面的第五傾斜面； 自第五傾斜面延伸且自發(fā)光二極管的一側(cè)面向外突出的第一突出部； 自第二傾斜面延伸且彎向與發(fā)光二極管的下表面平行的水平方向的第二平頂面； 自第三傾斜面延伸且彎向與發(fā)光二極管的下表面平行的水平方向的第三平頂面；和自第四傾斜面延伸且彎向與發(fā)光二極管的下表面平行的水平方向的第四平頂面。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種適合于改善光效率的發(fā)光二極管以及包括該發(fā)光二極管的背光單元和液晶顯示器件。該發(fā)光二極管包括發(fā)光芯片；裝載有發(fā)光芯片的第一引線框架，該第一引線框架包括自裝載有發(fā)光芯片的區(qū)域向外延伸且在第一方向上彼此對稱地設(shè)置的第一至第四傾斜面，和與第一方向垂直的第二方向上彼此對稱地設(shè)置的第三和第四傾斜面；與第一引線框架隔開固定距離的第二引線框架；將第一和第二引線框架分別連接至發(fā)光芯片的第一和第二導(dǎo)線；和圍繞第一和第二引線框架的模制框架，該模制框架包括在第一引線框架的第一方向上彼此對稱地設(shè)置的第一和第二反射面，和在第一引線框架的第二方向上彼此對稱地設(shè)置的第三和第四反射面。
文檔編號(hào)H01L33/48GK102299240SQ20111018486
公開日2011年12月28日 申請日期2011年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月28日
發(fā)明者樸喜正, 柳東現(xiàn) 申請人:樂金顯示有限公司