專利名稱：基板承載臺、基板處理裝置及基板處理系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基板承載領(lǐng)域，特別涉及一種例如在半導(dǎo)體制造工藝等的微加工領(lǐng)域中使用的基板承載臺、基板處理裝置及基板處理系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
先前，在真空中的半導(dǎo)體工藝等中的基板(硅片)處理中，為了提高處理均勻性， 而進行用以使基板表面溫度均勻化的溫度調(diào)節(jié)。作為基板溫度調(diào)節(jié)方法，一般采用如下方法，在承載基板的基板承載臺(承載臺)的內(nèi)部設(shè)置制冷劑通道，使制冷劑流入該通道，由來自基板承載臺的放射熱，冷卻承載在基板承載臺上的基板表面進行溫度調(diào)節(jié)。例如，在專利文獻1中，公開了一種等離子體處理裝置，在該等離子體處理裝置中，在基板承載臺的內(nèi)部設(shè)置2個同心圓狀的制冷劑通道，使流入外側(cè)通道的制冷劑和流入內(nèi)側(cè)通道的制冷劑的溫度成為相對不同的溫度，并通過使對接受來自腔室內(nèi)壁的放射熱的基板周緣部進行的冷卻比對基板中央部進行的冷卻強，使基板的表面溫度均勻化。[先前技術(shù)文獻][專利文獻][專利文獻1]日本專利特開平9-17770號公報

發(fā)明內(nèi)容
[發(fā)明所要解決的問題]然而，在所述專利文獻1記載的等離子體處理裝置中，流入溫度相互不同的制冷劑的2個系統(tǒng)的制冷劑通道是在1個基板承載臺的內(nèi)部鄰接，導(dǎo)致這2個系統(tǒng)的制冷劑通道的溫度相互影響，因此，有可能無法獨立控制基板的中央部和周緣部各自的冷卻。即，無法分別對承載在基板承載臺上的基板的中央部及周緣部進行精密的溫度管理、溫度控制， 從而難以使受到來自腔室內(nèi)壁的放射熱較大影響的基板周緣部的表面溫度、和受此影響較小的基板中央部的表面溫度均勻化。因此，由于基板處理中的基板表面整個面的條件未能均勻化，所以，存在無法均勻地進行基板處理的問題。進而，在等離子體處理裝置內(nèi)，因基板承載臺為一體構(gòu)成，也將成為導(dǎo)致2個系統(tǒng)的制冷劑通道的溫度相互影響，從而無法獨立控制中央部及周緣部的基板溫度的原因。因此，鑒于所述問題等，本發(fā)明的目的在于提供一種可以彼此互不影響的方式，獨立且精密地進行基板的周緣部和中心部的溫度管理、溫度控制的基板承載臺、基板處理裝置及基板處理系統(tǒng)。[解決問題的技術(shù)手段]為了達到所述目的，根據(jù)本發(fā)明，提供一種基板承載臺，其供承載基板，且包含周緣承載部件，承載所述基板的周緣部進行溫度控制；中央承載部件，承載所述基板的中央部進行溫度控制；以及支撐臺，支撐所述周緣承載部件及所述中央承載部件；且，在所述周緣承載部件和所述中央承載部件之間形成有間隙，所述周緣承載部件和所述中央承載部件相互為非接觸。另外，在此調(diào)溫表示溫度控制、溫度調(diào)節(jié)。在所述基板承載臺上承載2片以上的基板，所述周緣承載部件是由2個以上的周緣部、和使該周緣部彼此結(jié)合的周緣結(jié)合部構(gòu)成，所述中央承載部件是由形狀與所述周緣部的內(nèi)周對應(yīng)的2個以上的中央部、和使該中央部彼此結(jié)合的中央結(jié)合部構(gòu)成，在所述周緣部和所述中央部之間，沿水平方向形成有環(huán)狀的間隙，在所述周緣結(jié)合部和所述中央結(jié)合部之間，沿鉛直方向形成有間隙，所述周緣結(jié)合部及所述中央結(jié)合部可分別結(jié)合在所述支撐臺。而且，也可以在所述周緣承載部件及所述中央承載部件的內(nèi)部，設(shè)置連通到調(diào)溫介質(zhì)循環(huán)循環(huán)機構(gòu)的調(diào)溫通道。而且，根據(jù)來自其他觀點的本發(fā)明，提供一種基板處理裝置，其在真空處理空間處理基板，且包含進行基板處理的處理腔室、對所述處理腔室內(nèi)進行真空抽吸的排氣口、將處理氣體導(dǎo)入到所述處理腔室內(nèi)的處理氣體導(dǎo)入口、以及承載所述基板的基板承載臺，且，所述基板承載臺是由承載所述基板的周緣部進行溫度控制的周緣承載部件、承載所述基板的中央部進行溫度控制的中央承載部件、支撐所述周緣承載部件及所述中央承載部件的支撐臺構(gòu)成，在所述周緣承載部件和所述中央承載部件之間形成有間隙，所述周緣承載部件和所述中央承載部件相互為非接觸。在所述周緣承載部件及所述中央承載部件的內(nèi)部，也可以設(shè)置連通到調(diào)溫介質(zhì)循環(huán)機構(gòu)的調(diào)溫通道。而且，所述處理腔室也可以包含從所述基板承載臺向上方突出且支撐基板的支撐銷。進而，根據(jù)來自其他觀點的本發(fā)明，提供一種基板處理系統(tǒng)，其包含搬運基板的搬運部、進行基板處理的處理部、及進行基板加熱處理的加熱部，且，所述處理部是由進行基板處理的處理腔室、對所述處理腔室內(nèi)進行真空抽吸的排氣口、將處理氣體導(dǎo)入到所述處理腔室內(nèi)的處理氣體導(dǎo)入口、及承載所述基板的基板承載臺構(gòu)成，所述基板承載臺是由承載所述基板的周緣部進行溫度控制的周緣承載部件、承載所述基板的中央部進行溫度控制的中央承載部件、及支撐所述周緣承載部件及所述中央承載部件的支撐臺構(gòu)成，在所述周緣承載部件和所述中央承載部件之間形成有間隙，所述周緣承載部件和所述中央承載部件相互為非接觸。在所述周緣承載部件及所述中央承載部件的內(nèi)部，也可以設(shè)置連通到調(diào)溫液循環(huán)機構(gòu)的調(diào)溫通道。而且，所述處理腔室也可以包含從所述基板承載臺向上方突出且支撐基板的支撐銷。[發(fā)明的效果]根據(jù)本發(fā)明，提供一種可以彼此互不影響的方式，獨立且精密地進行基板的周緣部和中心部的溫度管理、溫度控制的基板承載臺、基板處理裝置及基板處理系統(tǒng)。


圖1是基板處理裝置的概略截面圖。圖2是關(guān)于基板承載臺的說明圖，圖2(a)是各部件(周緣承載部件、中央承載部件、支撐臺)未連結(jié)狀態(tài)下的基板承載臺的正面透視圖，圖2(b)是使各部件連結(jié)的狀態(tài)下的基板承載臺的正面透視圖。圖3是基板處理系統(tǒng)的說明圖，圖3(a)是基板處理系統(tǒng)的透視概略圖，圖3 (b)是基板處理系統(tǒng)的側(cè)視截面圖。[符號的說明]1基板處理裝置10處理腔室
20基板承載臺
22處理氣體供給機構(gòu)
23處理氣體導(dǎo)入部
25真空泵
26排氣口
28支撐銷
29升降機構(gòu)
30突起部
40周緣承載部件
41周緣部
43周緣結(jié)合部
50中央承載部件
51中央部
53中央結(jié)合部
55支撐臺
56-.59間隙57 孔部58 凸部60、62調(diào)溫通道70、71調(diào)溫介質(zhì)循環(huán)機構(gòu)100基板處理系統(tǒng)107處理部110加熱部115加熱機構(gòu)120搬運部125搬運臂130、131 閘閥W 基板Wl基板周緣部W2基板中央部
具體實施例方式以下，參照圖式對本發(fā)明的實施方式進行說明。另外，在本說明書及圖式中，對于實質(zhì)上具有相同的功能構(gòu)成的構(gòu)成要素，通過標(biāo)注相同的符號來省略重復(fù)說明。而且，在以下的本發(fā)明的實施方式中，以同時配置、處理2片基板W的基板處理裝置1為一例實施方式，進行說明。圖1是本發(fā)明實施方式的基板處理裝置1的概略截面圖。如圖1所示，基板處理裝置1是由處理腔室10、和配置在處理腔室10內(nèi)進行基板W的處理時承載基板W的基板承載臺20構(gòu)成。另外，在圖1中圖示了基板W承載在2片基板承載臺20的上表面的情形。 而且，在處理腔室10中，設(shè)置有連通到處理氣體供給機構(gòu)22的例如噴頭形狀的處理氣體導(dǎo)入部23和連通到真空泵25的排氣口 26。由此，處理腔室10內(nèi)便可進行真空抽吸，而且，在基板W處理時，從處理氣體導(dǎo)入部23將處理氣體導(dǎo)入到處理腔室10內(nèi)。而且，在處理腔室10中，設(shè)置有多根支撐銷觀，這些支撐銷28是通過貫穿基板承載臺20，向此基板承載臺20的上方突出來支撐基板W，進行基板W對基板承載臺20的承載。 支撐銷觀是由結(jié)合在支撐銷觀使支撐銷觀沿鉛直方向(圖1中的上下方向)升降的升降機構(gòu)四而構(gòu)成為升降自如。另外，如圖1所示，升降機構(gòu)四是由設(shè)置在處理腔室10外部的作為例如氣缸等的驅(qū)動部^a、和連接在驅(qū)動部29a且從驅(qū)動部29a伸入到處理腔室 10內(nèi)的升降部29b構(gòu)成。支撐銷28是安裝在升降部^b，因此，支撐銷28也和通過驅(qū)動部 29a運轉(zhuǎn)而升降的升降部29b聯(lián)動地進行升降。當(dāng)將基板W承載在基板承載臺20的上表面時，使支撐銷觀以特定的長度向基板承載臺20的上方突出，且在使基板W承載在此突出的支撐銷觀上端的狀態(tài)下，以支撐銷觀的前端接近基板承載臺20的上表面附近的方式使支撐銷觀下降，由此，將基板W承載在基板承載臺20上。而且，在基板承載臺20的上表面設(shè)置有微小的突起部30，當(dāng)如上所述，基板W在由支撐銷觀支撐的狀態(tài)下，下降到基板承載臺20的上表面附近為止時，基板W以通過基板承載臺20上表面的突起部30而懸浮在基板承載臺20上表面上的狀態(tài)(和基板承載臺20 大致不接觸的狀態(tài))承載。另外，在本實施方式的基板處理裝置1中，相對于1片基板W設(shè)置有3根支撐銷觀，而且，突起部30也相對于1片基板W設(shè)置在3個部位，通過由3根支撐銷觀對基板W進行3點支撐，而使基板W支撐、升降，并利用設(shè)置在基板承載臺20的上表面的3個部位(相對于1片基板)突起部30，而使基板W以大致不接觸的狀態(tài)承載在基板承載臺20上。在此，基板W以大致不接觸的狀態(tài)承載在基板承載臺20的上表面的原因在于，如果將基板W直接承載在基板承載臺20上，則會導(dǎo)致存在于基板承載臺20表面的顆粒等雜質(zhì)有可能附著在基板W表面。圖2是關(guān)于基板承載臺20的說明圖。在此，為了進行說明，而在圖2(a)中表示以下說明的各部件(周緣承載部件40、中央承載部件50、支撐臺5 未經(jīng)連結(jié)狀態(tài)下的基板承載臺20的正面透視圖，且在圖2(b)中表示使各部件連結(jié)狀態(tài)下的基板承載臺20的正面透視圖。在此，基板承載臺20在所述圖1所示的基板處理裝置1中，配置在處理腔室10內(nèi)時，以圖2(b)所示的各部件經(jīng)連結(jié)的狀態(tài)進行配置。如圖2所示，基板承載臺20是由承載基板周緣部Wl的周緣承載部件40、承載基板中央部W2的中央承載部件50、及支撐周緣承載部件40及中央承載部件50的支撐臺55構(gòu)成。周緣承載部件40是由2個大致圓環(huán)形狀的周緣部41、以及使2個周緣部41以水平并排配置的狀態(tài)結(jié)合的周緣結(jié)合部43構(gòu)成。而且，中央承載部件50是由2個大致圓板形狀的中央部51、以及使2個中央部51以水平并排配置的狀態(tài)結(jié)合的中央結(jié)合部53構(gòu)成。在此，周緣部41的內(nèi)周形狀和中央部51的形狀的關(guān)系是對應(yīng)關(guān)系。即，如圖2(b)所示，當(dāng)使周緣承載部件40和中央承載部件50重合時，構(gòu)成為中央部51收納在大致圓環(huán)形狀的周緣部41的中心部的空間41a。因此，空間41a的平面(上表面)形狀和中央部51的平面(上表面)形狀為大致相同形狀，且，中央部51的上表面面積變得小于空間41a的上表面面積。 而且，周緣部41的上表面面積和中央部51的上表面面積成為大致相等的面積。如上所述，由于周緣部41的形狀和中央部51的形狀的關(guān)系為對應(yīng)關(guān)系，所以，如圖2 (b)所示當(dāng)使周緣承載部件40和中央承載部件50重合時，在周緣部41和中央部51之間，沿水平方向形成有環(huán)狀間隙56。而且，如圖2(a)所示，在中央結(jié)合部53的中央部，設(shè)置有例如四邊形的孔部57，且構(gòu)成基板承載臺20時的各部件(周緣承載部件40、中央承載部件50、支撐臺55)是通過未圖示的螺絲部件而結(jié)合，中央結(jié)合部53和支撐臺55也通過未圖示的螺絲部件而結(jié)合。另外，為了進行結(jié)合，而在支撐臺55設(shè)置有形狀和孔部57對應(yīng)的凸部58。在此，在周緣結(jié)合部43和中央結(jié)合部53之間，以沿鉛直方向形成間隙59的方式進行各部件的結(jié)合，其結(jié)果，周緣承載部件40和中央承載部件50以互不接觸的狀態(tài)構(gòu)成基板承載臺20。另一方面，如圖1所示，在周緣承載部件40的內(nèi)部設(shè)置有調(diào)溫通道60，且在中央承載部件50的內(nèi)部設(shè)置有調(diào)溫通道62。各調(diào)溫通道60、62例如連通到蓄積有冷卻水等制冷劑的調(diào)溫介質(zhì)循環(huán)機構(gòu)70、71。即，可通過調(diào)溫介質(zhì)循環(huán)機構(gòu)70、71運轉(zhuǎn)，而使制冷劑在調(diào)溫介質(zhì)循環(huán)機構(gòu)70、71和各調(diào)溫通道60、62之間進行循環(huán)。另外，調(diào)溫通道60連通到調(diào)溫介質(zhì)循環(huán)機構(gòu)70，調(diào)溫通道62連通到調(diào)溫介質(zhì)循環(huán)機構(gòu)71，調(diào)溫介質(zhì)循環(huán)機構(gòu)70、71的運轉(zhuǎn)可在每一調(diào)溫通道(調(diào)溫通道60、調(diào)溫通道6 中獨立進行控制。借此，可通過控制分別流入調(diào)溫通道60、調(diào)溫通道62的制冷劑的溫度、流速等，而分別獨立控制對周緣承載部件 40的基板周緣部Wl的調(diào)溫效果(冷卻效果)和對中央承載部件50的基板中央部W2的調(diào)溫效果(冷卻效果)。即，像這樣設(shè)置的調(diào)溫通道60、62對基板W的冷卻是以如下的方式進行通過設(shè)置在周緣承載部件40內(nèi)部的調(diào)溫通道60的冷卻能力來冷卻基板周緣部W1，通過設(shè)置在中央承載部件50內(nèi)部的調(diào)溫通道62的冷卻能力來冷卻基板中央部W2，由此，分別通過不同的調(diào)溫通道的冷卻能力來冷卻基板周緣部Wl和基板中央部Ψ2。而且，基板W是以只與突起部30前端接觸的狀態(tài)承載在基板承載臺20上，且在基板W和基板承載臺20 (周緣承載部件40、中央承載部件50)之間形成有間隙75。此基板W 和基板承載臺20之間的間隙75與基板W的厚度相比極窄，所以，基板W的調(diào)溫(溫度控制)可以通過和周緣承載部件40及中央承載部件50的熱交換而進行。而且，在基板處理時，處理腔室10內(nèi)變成處理氣體環(huán)境下，所以，所述基板W和基板承載臺20之間的間隙中也有處理氣體進入，從而進一步促進基板W和周緣承載部件40及中央承載部件50的熱交換，有效地進行基板W的調(diào)溫(溫度控制)。在具備以上說明的構(gòu)成即基板承載臺20的基板處理裝置1中，進行基板處理。由本實施方式的基板處理裝置1進行的基板處理并無特別限定，但可例示例如使用作為處理氣體的HF氣體、NH3氣體，對形成在基板W表面的SW2膜進行處理，且經(jīng)由之后的加熱處理，將SiO2膜從基板W上去除的基板清洗處理等。不僅限于例示的基板清洗處理，為了在各種基板處理中，均勻地進行基板處理，而必須使處理中的基板W的表面溫度均勻，所以， 需要進行基板W的表面溫度的溫度管理、溫度控制。在基板處理中，在基板W上存在有來自比基板W溫度高的處理腔室10的內(nèi)壁的放射熱引起的供熱，尤其，基板周緣部Wl和處理腔室10的內(nèi)壁的距離短于和基板中央部W2的距離，因此，基板周緣部Wl中供熱多于基板中央部W2。因此，為了使基板W的表面溫度均勻，而必須進行基板承載臺20的基板的溫度管理、溫度控制。設(shè)置在本實施方式的基板處理裝置1中的基板承載臺20，如上所述包含周緣承載部件40和中央承載部件50，且在周緣承載部件40和中央承載部件50之間，分別形成有水平方向的間隙56和鉛直方向的間隙59，所以，周緣承載部件40和中央承載部件50相互為非接觸。由于基板處理中的處理腔室10內(nèi)處于經(jīng)真空抽吸的狀態(tài)，所以，所述間隙56、間隙59被真空隔熱，使得周緣承載部件40和中央承載部件50的溫度互不影響。即，設(shè)置在周緣承載部件40內(nèi)的調(diào)溫通道60的溫度、和設(shè)置在中央承載部件50內(nèi)的調(diào)溫通道62的溫度互不影響。因此，周緣承載部件40和中央承載部件50分別獨立地控制為特定的溫度。通過對設(shè)置在周緣承載部件40內(nèi)的調(diào)溫通道60的制冷劑溫度、和設(shè)置在中央承載部件50內(nèi)的調(diào)溫通道62的制冷劑溫度進行相互獨立的溫度管理、溫度控制，而使由調(diào)溫通道60冷卻(溫度控制)的基板周緣部W1、和由調(diào)溫通道62冷卻(溫度控制)的基板中央部W2的溫度管理、溫度控制獨立且精密地進行。因此，可以精密地使基板處理時的基板 W的整體表面溫度均勻化。即，例如當(dāng)因來自處理腔室10的內(nèi)壁的放射熱而使基板周緣部 Wl比基板中央部W2高溫時，可以通過將調(diào)溫通道60的制冷劑溫度控制為比調(diào)溫通道62的制冷劑溫度低的溫度，而和基板中央部W2相比，對基板周緣部Wl進行強冷卻，使基板W整體表面溫度均勻。另外，在所述的本發(fā)明的實施方式中，對通過調(diào)溫介質(zhì)循環(huán)機構(gòu)70、71運轉(zhuǎn)，而使制冷劑流入調(diào)溫通道60、62，冷卻基板W表面的情形進行了說明，但為了進行基板W的精密溫度控制，例如，有時也使經(jīng)加熱的特定溫度的流體流入。其次，以下對具備本實施方式的基板處理裝置1的基板處理系統(tǒng)100進行說明。 圖3是基板處理系統(tǒng)100的說明圖。另外，圖3(a)是基板處理系統(tǒng)100的透視概略圖，圖 3(b)是基板處理系統(tǒng)100的側(cè)視截面圖。如圖3所示，基板處理系統(tǒng)100主要由包含基板處理裝置1的處理部107、加熱部 110和搬運部120構(gòu)成。在此，基板處理裝置1連通到未圖示的制冷劑蓄積裝置，且處理部 107和加熱部110鄰接配置，加熱部110和搬運部120鄰接配置。在基板處理裝置1和加熱部110之間設(shè)置有閘閥130，且在加熱部110和搬運部120之間設(shè)置有閘閥131。另外，在所述未圖示的制冷劑蓄積裝置內(nèi)，配置有本實施方式中說明的調(diào)溫介質(zhì)循環(huán)機構(gòu)70、71，在加熱部110內(nèi)配置有加熱基板W的例如作為熱板等的加熱機構(gòu)115，在搬運部120配置有搬運基板W的搬運臂125。在以圖3所示方式構(gòu)成的基板處理系統(tǒng)100中，例如當(dāng)進行將形成在基板W表面的SiO2膜去除的清洗處理時，首先，通過搬運臂125運轉(zhuǎn)而將基板W從搬運部120搬運到基板處理裝置1內(nèi)，并承載在基板處理裝置1內(nèi)的基板承載臺20。在基板處理裝置1內(nèi)， 以基板W整體表面溫度保持均勻的狀態(tài)，利用HF氣體、NH3氣體等處理氣體進行基板處理。 接下來，通過搬運臂125運轉(zhuǎn)，而將由處理氣體處理的基板W搬運到加熱部110內(nèi)的加熱機構(gòu)115。在加熱部110中，對基板W實施例如熱板處理等熱處理，并通過處理氣體將基板W 上生成的生成物去除。于是，通過搬運臂125運轉(zhuǎn)，而將由這種工序清洗的基板W從基板處理系統(tǒng)100中搬出。在以上說明的本發(fā)明的基板處理系統(tǒng)100中，可以能夠在基板處理裝置1中均勻地進行基板處理的方式，精密地使基板處理時的基板W整體的表面溫度均勻化。所以，例如當(dāng)進行將形成在基板w表面的SW2膜去除的清洗處理時，處理氣體對SW2膜進行的處理可均勻且有效地進行。由此，加熱部Iio的熱處理對基板w上的多余生成物的去除也可均勻且有效地進行，從而使基板處理系統(tǒng)100中基板w的清洗處理能夠?qū)逭w均勻地進行。以上，說明了本發(fā)明的實施方式的一例，但本發(fā)明并不限定于圖示的方式。作為本領(lǐng)域技術(shù)人員，當(dāng)知在權(quán)利要求范圍記載的思想范疇內(nèi)，可設(shè)想各種變更例或者修正例，且應(yīng)理解這些變更例或者修正例當(dāng)然屬于本發(fā)明的技術(shù)范圍。例如，在所述實施方式的一例中，說明了如下情況，S卩，在周緣承載部件40和中央承載部件50之間，形成有水平方向的間隙56和鉛直方向的間隙59，且在經(jīng)真空抽吸的處理腔室10內(nèi)，間隙56、59為真空隔熱，但也可以對間隙56、59施用例如多孔陶瓷等隔熱部件。 借此，周緣承載部件40和中央承載部件50之間的隔熱性進一步提高，周緣承載部件40和中央承載部件50相互間的溫度變化引起的影響減少，從而可更精密地對設(shè)置在周緣承載部件40內(nèi)的調(diào)溫通道60的制冷劑溫度、和設(shè)置在中央承載部件50內(nèi)的調(diào)溫通道62的制冷劑溫度獨立地進行溫度管理、溫度控制。而且，對如下內(nèi)容進行了說明，S卩，在所述實施方式的基板處理裝置1中，來自處理腔室10的內(nèi)壁的放射熱的供熱，相比基板W的中心部(基板中心部W2)，更大地作用于周緣部(基板周緣部Wl)，導(dǎo)致基板W的表面溫度變得不均勻，但為了減少這個問題，且盡量抑制由處理腔室10內(nèi)壁對基板W的供熱，也可以對處理腔室10的內(nèi)壁施用隔熱部件。此時， 隔熱部件可以在處理腔室10的內(nèi)壁整面施用，而優(yōu)選在處理腔室10內(nèi)壁的基板W附近施用這些隔熱部件。而且，在所述實施方式的基板處理裝置1中，對周緣承載部件40及中央承載部件 50均以固定在處理腔室10內(nèi)的狀態(tài)進行配置的情況進行了說明，但也可以分別升降自如地配置周緣承載部件40及中央承載部件50。即，在所述實施方式中，周緣承載部件40及中央承載部件50是通過未圖示的螺絲部件結(jié)合在支撐臺55上，但也可以使周緣承載部件40 及中央承載部件50以升降自如的狀態(tài)得到支撐臺55支撐。例如，考慮在處理腔室10內(nèi)設(shè)置使周緣承載部件40及中央承載部件50分別獨立升降的控制部，在承載基板W的狀態(tài)下，使周緣承載部件40、中央承載部件50中的一個或兩者進行升降，從而控制基板W和周緣承載部件40或中央承載部件50的熱交換，將基板W的表面溫度保持為最佳值。可通過微調(diào)基板W和周緣承載部件40之間的間隔，而更精密地進行基板W表面溫度的溫度管理、溫度控制，從而可使基板的表面狀態(tài)達到預(yù)期狀態(tài)(例如， 表面溫度均勻的狀態(tài))。[產(chǎn)業(yè)上的可利用性]本發(fā)明可應(yīng)用于例如半導(dǎo)體制造工藝等的微加工領(lǐng)域中使用的基板承載臺、基板處理裝置及基板處理系統(tǒng)。
權(quán)利要求
1.一種基板承載臺，其供承載基板，且包含周緣承載部件，承載所述基板的周緣部并進行溫度控制； 中央承載部件，承載所述基板的中央部并進行溫度控制；以及支撐臺，支撐所述周緣承載部件及所述中央承載部件； 且，在所述周緣承載部件和所述中央承載部件之間形成有間隙， 所述周緣承載部件和所述中央承載部件相互為非接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板承載臺，其特征在于 在所述基板承載臺上承載2片以上的基板，所述周緣承載部件是由2個以上的周緣部、和使所述周緣部彼此結(jié)合的周緣結(jié)合部構(gòu)成，所述中央承載部件是由形狀與所述周緣部的內(nèi)周對應(yīng)的2個以上的中央部、和使所述中央部彼此結(jié)合的中央結(jié)合部構(gòu)成，在所述周緣部和所述中央部之間，沿水平方向形成有環(huán)狀的間隙， 在所述周緣結(jié)合部和所述中央結(jié)合部之間，沿鉛直方向形成有間隙， 所述周緣結(jié)合部及所述中央結(jié)合部分別結(jié)合于所述支撐臺。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板承載臺，其特征在于在所述周緣承載部件及所述中央承載部件的內(nèi)部，設(shè)置有連通到調(diào)溫介質(zhì)循環(huán)機構(gòu)的調(diào)溫通道。
4.一種基板處理裝置，其在真空處理空間中處理基板，且包含 進行基板處理的處理腔室、對所述處理腔室內(nèi)進行真空抽吸的排氣口、將處理氣體導(dǎo)入到所述處理腔室內(nèi)的處理氣體導(dǎo)入口、以及承載所述基板的基板承載臺，且，所述基板承載臺是由承載所述基板的周緣部并進行溫度控制的周緣承載部件、承載所述基板的中央部并進行溫度控制的中央承載部件、及支撐所述周緣承載部件與所述中央承載部件的支撐臺構(gòu)成，在所述周緣承載部件和所述中央承載部件之間形成有間隙， 所述周緣承載部件和所述中央承載部件相互為非接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板處理裝置，其特征在于在所述周緣承載部件及所述中央承載部件的內(nèi)部，設(shè)置有連通到制冷劑循環(huán)機構(gòu)的制冷劑通道。
6.根據(jù)權(quán)利請求4或5所述的基板處理裝置，其特征在于所述處理腔室包含從所述基板承載臺向上方突出且支撐基板的支撐銷。
7.一種基板處理系統(tǒng)，其包含搬運基板的搬運部、進行基板處理的處理部、及進行基板加熱處理的加熱部，且，所述處理部是由進行基板處理的處理腔室、對所述處理腔室內(nèi)進行真空抽吸的排氣口、將處理氣體導(dǎo)入到所述處理腔室內(nèi)的處理氣體導(dǎo)入口、及承載所述基板的基板承載臺構(gòu)成，所述基板承載臺是由承載所述基板的周緣部并進行溫度控制的周緣承載部件、承載所述基板的中央部并進行溫度控制的中央承載部件、及支撐所述周緣承載部件與所述中央承載部件的支撐臺構(gòu)成，在所述周緣承載部件和所述中央承載部件之間形成有間隙， 所述周緣承載部件和所述中央承載部件相互為非接觸。
8.根據(jù)權(quán)利請求7所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于在所述周緣承載部件及所述中央承載部件的內(nèi)部，設(shè)置有連通到調(diào)溫介質(zhì)循環(huán)機構(gòu)的調(diào)溫通道。
9.根據(jù)權(quán)利請求7或8所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于所述處理腔室包含從所述基板承載臺向上方突出且支撐基板的支撐銷。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可以分別獨立且精密地進行基板的周緣部和中心部的溫度管理、溫度控制的基板承載臺、基板處理裝置及基板處理系統(tǒng)。本發(fā)明提供一種基板承載臺，其供承載基板，且包含周緣承載部件，承載所述基板的周緣部進行溫度控制；中央承載部件，承載所述基板的中央部進行溫度控制；支撐臺，支撐所述周緣承載部件和所述中央承載部件；且，在所述周緣承載部件和所述中央承載部件之間形成有間隙，所述周緣承載部件和所述中央承載部件相互為非接觸。
文檔編號H01L21/683GK102315151SQ201110185040
公開日2012年1月11日 申請日期2011年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月30日
發(fā)明者富士原仁, 小田桐正彌, 村木雄介 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社