專利名稱：雙柵薄膜晶體管及包括雙柵薄膜晶體管的oled顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
以下描述涉及雙柵薄膜晶體管(TFT)及包括雙柵TFT的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)
顯示裝置。
背景技術(shù)：
在諸如液晶顯示器、有機(jī)電致發(fā)光顯示器和無機(jī)電致發(fā)光顯示器之類的平板顯示裝置中使用的薄膜晶體管(TFT)，用作控制每個(gè)像素的操作的開關(guān)器件和用作驅(qū)動(dòng)像素的驅(qū)動(dòng)器件。一般來說，每個(gè)TFT具有具有重?fù)诫s的源/漏區(qū)和形成在源/漏區(qū)之間的溝道區(qū)的有源層、與有源層絕緣并形成在與溝道區(qū)相對(duì)應(yīng)的位置處的柵電極以及分別接觸源/漏區(qū)的源/漏電極。有源層由包括非晶硅或多晶硅的半導(dǎo)體材料形成。當(dāng)有源層由非晶硅形成時(shí)，載流子的遷移率降低，使得難以具體實(shí)現(xiàn)高速操作的驅(qū)動(dòng)電路。當(dāng)有源層由多晶硅形成時(shí)，載流子的遷移率增加，但閾值電壓不均勻，使得需要布置獨(dú)立的補(bǔ)償電路。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了一種用于控制薄膜晶體管(TFT)的閾值電壓的顯
示裝置。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的方面，提供一種雙柵薄膜晶體管(TFT)，包括在基板上的第一柵電極；在所述第一柵電極上的有源層；在所述有源層上的源電極和漏電極；在所述基板以及所述源電極和漏電極上的平坦化層，所述平坦化層具有與所述有源層相對(duì)應(yīng)的開口 ；以及在所述開口中的第二柵電極。所述有源層可以包括氧化物半導(dǎo)體。所述第二柵電極可以為有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的陰極?？梢耘渲糜邢蛩龅谝粬烹姌O施加的正電壓，并且可以配置有向所述第二柵電極施加的負(fù)電壓。根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的方面，提供一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置，包括像素電極，電連接到薄膜晶體管(TFT)并且位于平坦化層上；在所述像素電極上的像素限定層(PDL)，所述像素限定層具有通過刻蝕所述PDL和所述平坦化層形成的暴露所述平坦化層中與所述TFT的有源層相對(duì)應(yīng)的一部分的第一開口，和通過刻蝕所述PDL形成的暴露所述像素電極的一部分的第二開口 ；以及位于所述第一開口和所述第二開口中的對(duì)電極。
所述TFT可以包括在基板上的第一柵電極；在所述第一柵電極上的有源層；以及在所述有源層上的源電極和漏電極。所述對(duì)電極可以為所述TFT的第二柵電極。根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的方面，提供一種制造有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的方法，所述方法包括在平坦化層上形成電連接到薄膜晶體管(TFT)的像素電極；在所述像素電極上形成像素限定層(PDL)；通過刻蝕所述PDL和所述平坦化層形成暴露所述平坦化層中與所述TFT的有源層相對(duì)應(yīng)的一部分的第一開口，并且通過蝕刻所述PDL形成暴露所述像素電極的一部分的第二開口 ；并且在所述第一開口和所述第二開口中形成對(duì)電極。在形成像素電極的操作之前，所述方法可以進(jìn)一步包括以下操作在基板上形成第一柵電極；在所述第一柵電極上形成所述有源層；在所述有源層上形成源電極和漏電極；并且在所述源電極和漏電極以及所述基板上形成所述平坦化層。在形成對(duì)電極之前，所述方法可以進(jìn)一步包括在所述第二開口中形成發(fā)光層的操作。所述對(duì)電極可以為與所述第一柵電極相對(duì)應(yīng)的第二柵電極。根據(jù)本發(fā)明的再一實(shí)施例的方面，提供一種制造雙柵薄膜晶體管(TFT)的方法， 所述方法包括在基板上形成第一柵電極；在所述第一柵電極上形成有源層；在所述有源層上形成源電極和漏電極；在所述源電極和漏電極以及所述基板上形成平坦化層；通過刻蝕所述平坦化層形成與所述有源層相對(duì)應(yīng)的開口 ；并且在所述開口中形成第二柵電極。所述第二柵電極可以為OLED顯示裝置的陰極。


通過參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，本發(fā)明的以上及其它特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更明顯，附圖中圖1為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的包括氧化物半導(dǎo)體的雙柵薄膜晶體管(TFT)的截面圖；圖2為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的包括雙柵TFT的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的截面圖；圖3至圖7為制造根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的包括雙柵TFT的OLED顯示裝置的過程的截面圖；圖8和圖9為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙柵TFT的電學(xué)特性的圖；圖10為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的OLED顯示裝置的一部分的電路圖；以及圖11為包括在圖10的OLED顯示裝置的像素中的TFT的俯視圖。
具體實(shí)施例方式下文中，將通過參照

本發(fā)明的示例性實(shí)施例來詳細(xì)地描述本發(fā)明。附圖中相同的附圖標(biāo)記指代相同的元件。在以下描述中，不再詳細(xì)地描述公知的功能或構(gòu)造，以避免因?yàn)椴槐匾募?xì)節(jié)而使得本發(fā)明的方面變得模糊。如此處所使用的那樣，術(shù)語“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)聯(lián)的所列項(xiàng)目中的任意和所有組合。
在附圖中，為了清楚起見，層和區(qū)域的厚度被放大。在整個(gè)說明書中，也應(yīng)當(dāng)理解， 當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基板之類的元件被提到位于另一元件“上”時(shí)，該元件可以直接位于該另一元件上，或者也可以存在一個(gè)或多個(gè)中間元件。近來，已開展研究來使用氧化物半導(dǎo)體作為有源層。使用氧化物半導(dǎo)體作為有源層的氧化物TFT可以以低溫過程制造，由于其非晶相而可以具有大面積，并且具有與多晶硅一樣良好的電特性。圖1為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的包括氧化物半導(dǎo)體的薄膜晶體管(TFT)的截面圖。參見圖1，該TFT為雙柵NMOS晶體管，包括底柵電極21、有源層22、形成在有源層 22側(cè)面的源/漏電極23/24、以及頂柵電極25。更詳細(xì)地說，底柵電極21形成在基板11上，并且形成柵絕緣層13以覆蓋基板11 和底柵電極21。柵絕緣層13上形成由氧化物半導(dǎo)體形成的有源層22。形成層間絕緣層15 以覆蓋有源層22。層間絕緣層15上的源/漏電極23/M經(jīng)由接觸孔連接到有源層22，并且形成平坦化層17以覆蓋源/漏電極23/24。平坦化層17上形成有像素限定層(PDL) 19， 以便防止或降低像素間的顏色混合。通過圖案化PDL 19和平坦化層17，形成與有源層22 相對(duì)應(yīng)的孔27，然后在孔27中形成頂柵電極25。有源層22可以由透明氧化物半導(dǎo)體形成，并且在源/漏電極23/M之間形成溝道。在氧化物半導(dǎo)體被用作有源層的氧化物TFT中，當(dāng)NMOS具有穩(wěn)定的特性時(shí)，閾值電壓(下文中，稱之為Vth)具有負(fù)值或接近負(fù)值的值，從而在電路操作中可能發(fā)生故障。而且，當(dāng)使用補(bǔ)償電路時(shí)，如果Vth具有負(fù)值，則可能不會(huì)正確地執(zhí)行補(bǔ)償。因此，應(yīng)當(dāng)將Vth從負(fù)值調(diào)整或者偏移為正值，并且針對(duì)這種偏移，或者可以改變工藝，或者可以調(diào)整溝道的寬度和/或長(zhǎng)度(W/L)。然而，這些方法無法保證可靠性。在本發(fā)明的實(shí)施例中，向頂柵電極25施加偏壓，使得Vth偏移為正值。被施加固定電壓的電極層可以用作TFT的頂柵電極25，其中該電極層可以來自顯示裝置的現(xiàn)有電極層中。因此，不需要單獨(dú)形成頂柵電極25，也不需要布置向頂柵電極25施加偏壓的外部電源或額外布線。以該方式，增加了顯示裝置的開口率，并且降低了導(dǎo)致工藝誤差的因素。下文中，接下來將參照有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的陰極被用作頂柵電極 25的示例進(jìn)行描述。圖2為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的包括雙柵TFT的OLED顯示裝置的截面圖。參見圖2，OLED顯示裝置由包括具有氧化物半導(dǎo)體的雙柵TFT的驅(qū)動(dòng)單元、包括有機(jī)電致發(fā)光(有機(jī)EL)的發(fā)光單元以及包括電容器Cst的存儲(chǔ)單元形成。雙柵TFT為雙柵NMOS晶體管，包括底柵電極21、有源層22、形成在有源層22側(cè)面的源/漏電極23/24。而且，在雙柵TFT中，有機(jī)EL的對(duì)電極35用作頂柵電極。更詳細(xì)地說，底柵電極21形成在基板11上方，并且形成柵絕緣層13以覆蓋基板 11和底柵電極21。柵絕緣層13上形成由氧化物半導(dǎo)體形成的有源層22。形成層間絕緣層 15以覆蓋有源層22。層間絕緣層15上的源/漏電極23/M經(jīng)由接觸孔連接到有源層22， 并且形成平坦化層17以覆蓋源/漏電極23/24。有源層22可以由透明氧化物半導(dǎo)體形成， 并且在源/漏電極23/M之間形成溝道。在平坦化層17的與有源層相對(duì)應(yīng)的區(qū)域中形成開口，并且在該開口中形成發(fā)光單元的對(duì)電極35。
有機(jī)EL由連接到雙柵TFT的源/漏電極23/M之一的像素電極31、對(duì)電極35以及包括插入像素電極31與對(duì)電極35之間的發(fā)光層的中間層33形成。像素電極31用作陽極，而對(duì)電極35用作陰極，同時(shí)用作雙柵TFT的頂柵電極TG。電容器Cst由第一電極41和第二電極43形成，其中柵絕緣層13和層間絕緣層15 插入在第一電極41與第二電極43之間。在當(dāng)前實(shí)施例中，向發(fā)光單元的對(duì)電極35(其為雙柵TFT的頂柵電極TG)施加陰極電壓(即負(fù)電壓)，并且向底柵電極21施加正電壓，從而支撐有源層22形成η溝道，將 Vth偏移為正值。圖3至圖7為制造根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的包括雙柵TFT的OLED顯示裝置的過程的截面圖。參見圖3，在基板11上形成雙柵TFT的底柵電極21。在形成雙柵TFT的底柵電極 21之前，可以在基板11上形成緩沖層(未示出)。緩沖層可以用于防止或降低基板11的雜質(zhì)滲入布置在基板11上方的層中。緩沖層可以包括氧化硅(SiO2)和/或氮化硅(SiNx)?；?1可以利用包括SW2的透明玻璃材料形成。而且，基板11可以包括塑性材料?；?1可以包括金屬箔和/或柔性基板。底柵電極21可以利用從Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、A1、Mo、W和Ti所組成的組中選擇
的金屬形成，或者可以利用諸如Al-Nd合金和Mo-W合金等的金屬合金形成，但不限于此。事實(shí)上，底柵電極21可以在考慮諸如與相鄰層的粘附性、平坦化、電阻或可形成性等性質(zhì)或特性的情況下，利用各種材料形成。參見圖4，在底柵電極21上依次形成柵絕緣層13和有源層22。在基板11和底柵電極21上形成柵絕緣層13。柵絕緣層13可以利用包括氧化硅或氮化硅的絕緣材料形成，或者可以利用絕緣有機(jī)材料形成。接下來，在柵絕緣層13上形成有源層22。有源層22可以包括與底柵電極21重疊的溝道區(qū)，并且可以包括氧化物半導(dǎo)體。有源層22可以包括包含從^uGaJru Sn、Sb、Ge、 Hf和As所組成的組中選擇的至少一種元素的氧化物半導(dǎo)體。例如，氧化物半導(dǎo)體可以包括 ZnO, SnO2, In2O3> Zn2SnO4, Ga2O3和/或HfO2中至少之一。而且，有源層22可以利用透明氧化物半導(dǎo)體形成。例如，透明氧化物半導(dǎo)體可以包括氧化鋅、氧化錫、氧化鎵銦鋅、氧化銦鋅和/或氧化銦錫，但不限于此。有源層22可以通過利用作為物理沉積的濺射方法形成。有源層22可以通過根據(jù)與TFT相對(duì)應(yīng)的電阻值而控制氧的量來形成。參見圖5，在有源層22上依次形成層間絕緣層15和源/漏電極23/24。首先，在基板11和有源層22上形成層間絕緣層15。層間絕緣層15可以利用包括氧化硅或氮化硅的絕緣材料形成，或者可以利用絕緣有機(jī)材料形成。通過選擇性地去除層間絕緣層15來形成接觸孔，并且在層間絕緣層15上形成具有單層或多層的源/漏電極23/24，以便覆蓋接觸孔。源/漏電極23/M分別經(jīng)由接觸孔接觸有源層22的兩側(cè)。源/漏電極23/M可以利用導(dǎo)電材料(例如，包括Cr、Pt、Ru、Au、 Ag、Mo、Al、W、Cu 和 / 或 AlNd 的金屬，或包括 ITO、GIZO、GZO、IZO (InZnO)或 AZO (AlZnO)的金屬或?qū)щ娧趸?形成。參見圖6，在基板11和源/漏電極23/M上形成平坦化層17，因此平坦化層17用于保護(hù)并平坦化在其下面或下方的雙柵TFT。平坦化層17可以通過利用各種方法之一形成，并且可以利用包括苯并環(huán)丁烯(BCB)或丙烯酸的有機(jī)材料或者包括SiNx的無機(jī)材料形成。而且，平坦化層17可以形成為單層、雙層或多層。在平坦化層17上形成像素電極31，并且該像素電極31經(jīng)由接觸孔四電連接到源 /漏電極23/M之一。像素電極31可以利用多種導(dǎo)電材料中的一種形成。在朝向基板11實(shí)現(xiàn)圖像的底發(fā)射型OLED顯示裝置中，像素電極31可以為透明電極，并且可以利用具有高功函數(shù)的包括 ITO、IZO、ZnO和/或In2O3的材料形成。在遠(yuǎn)離基板11實(shí)現(xiàn)圖像的頂發(fā)射型OLED顯示裝置中，像素電極31可以為反射電極，并且可以包括從Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、 Li、Ca及其組合所組成的組中選擇的材料?？梢栽诜瓷潆姌O上進(jìn)一步形成具有高功函數(shù)的包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的材料。在包括像素電極31的基板11上沉積像素限定層(PDL) 19。PDL 19限定單元像素部分。PDL 19可以根據(jù)旋涂方法利用包括從聚酰亞胺、聚酰胺、丙烯酸樹脂、BCB和酚醛樹脂所組成的組中選擇的至少一種材料的有機(jī)絕緣材料形成。PDL 19還可以利用從Si02、 SiNx、Al203、Cu0x、Tb407、Y203、Nb205和Pr2O3所組成的組中選擇的無機(jī)絕緣材料形成。而且， PDL 19可以具有有機(jī)絕緣材料和無機(jī)絕緣材料交替形成的多層結(jié)構(gòu)。通過刻蝕PDL 19和平坦化17的與有源層22相對(duì)應(yīng)的部分形成第一開口 27。還刻蝕并形成第二開口 37以暴露像素電極31的一部分。參見圖7，在第二開口 37中形成包括發(fā)光層的中間層33，并且在基板11上形成對(duì)電極35以便至少覆蓋中間層33。中間層33可以具有單層或多層結(jié)構(gòu)，其中形成來自發(fā)射層(EML)、空穴傳輸層 (HTL)、空穴注入層(HIL)、電子傳輸層(ETL)和/或電子注入層(EIL)中的一層或多層。中間層33可以利用低分子或高分子有機(jī)材料形成。在利用低分子有機(jī)材料形成中間層33的情況下，中間層33具有HTL和HIL朝向像素電極31被堆疊的結(jié)構(gòu)，并且ETL和EIL相對(duì)于EML更靠近對(duì)電極35被堆疊。除了這些層之外，相應(yīng)地還可以堆疊多種層。此處，可以使用的有機(jī)材料包括銅酞菁(CuPc)、N，N’ - 二萘-1-基-N，N，-聯(lián)苯-聯(lián)苯胺(NPB)或三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)等等。在利用高分子有機(jī)材料形成中間層33的情況下，中間層33可以具有僅HTL相對(duì)于EML更靠近像素電極31被堆疊的結(jié)構(gòu)。HTL可以根據(jù)噴墨印刷方法或旋涂方法通過利用聚-(2，4)-乙撐-二羥基噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)形成在像素電極31上。此處，可以使用包括聚苯乙炔(PPV)基材料或聚芴基材料等等的高分子有機(jī)材料，并且可以通過利用包括噴墨印刷方法、旋涂方法或利用激光的熱傳遞方法的一般方法來形成顏色圖案。對(duì)電極35可以沉積在基板11的整個(gè)表面上，并且可以覆蓋第一開口 27和第二開口 37。在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的OLED顯示裝置中，像素電極31用作陽極，并且對(duì)電極35用作陰極。對(duì)電極35覆蓋第一開口 27且用作面對(duì)底柵電極21的頂柵電極TG，并且覆蓋第二開口 37且用作面對(duì)像素電極31的陰極。在朝向基板11實(shí)現(xiàn)圖像的底發(fā)射型OLED顯示裝置中，對(duì)電極35為反射電極。這種反射電極可以利用具有低功函數(shù)的且從48、1%^1、？丨、？(1^11、慰、而、11~、0、1^、01、1^卩/ Ca、LiF/Al及其組合所組成的組中選擇的金屬形成。在朝向?qū)﹄姌O35實(shí)現(xiàn)圖像的頂發(fā)射型OLED顯示裝置中，對(duì)電極35可以為透明電極，從而可以通過沉積具有低功函數(shù)且從Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca及其組合所組成的組中選擇的金屬來形成，然后通過利用包括ΙΤΟ、ΙΖ0,ZnO和/或h203的透明導(dǎo)電材料在其上形成輔助電極層或公共電極線。盡管在圖7中未示出，但可以在對(duì)電極35上進(jìn)一步布置密封構(gòu)件(未示出)和吸濕劑(未示出)，以便保護(hù)EML免受外部濕氣或氧。圖8和圖9為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙柵TFT的電學(xué)特性的圖。圖8示出針對(duì)于不向雙柵TFT的頂柵電極施加電壓的情況(即當(dāng)雙柵TFT以與傳統(tǒng)單柵TFT基本上相同的方式操作時(shí))以及針對(duì)分別向根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙柵TFT的頂柵電極施加-3V和-6V的情況，底柵與源之間的電壓(柵電壓Vg)特性和漏與源之間的電流(漏電流Id)特性。在圖8的圖中，水平軸代表柵電壓，而垂直軸代表漏電流。而且，圖 8的圖示出漏與源之間的電壓(漏電壓Vds)分別為5. IV和0. IV。參見圖8，在傳統(tǒng)的單柵TFT中，Vth接近負(fù)電壓，但在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙柵 TFT中，Vth向右偏移，從而偏移到更大的正電壓。例如，當(dāng)向頂柵電極施加-3V或-6V時(shí)，Vg分別為約6V和12V。圖9示出Vth針對(duì)向根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙柵TFT的頂柵電極施加的偏置電壓的改變。圖9的圖中的左圖對(duì)應(yīng)于有源層的長(zhǎng)度為36 μ m的情況，而圖9的圖中的右圖對(duì)應(yīng)于有源層的長(zhǎng)度為18 μ m的情況。參見圖9，當(dāng)分別向頂柵電極施加0V、-3V和-6V的偏置電壓時(shí)，Vth偏移為正電壓。此處，Vth隨著有源層的長(zhǎng)度縮短而進(jìn)一步增加。而且，當(dāng)有源層與頂柵電極之間的距離D變化時(shí)，例如當(dāng)距離D分別設(shè)置為 800A、1600A和2000A時(shí)，Vth的改變隨著距離D減少而增加。然而，不考慮距離D的變化，Vth將隨著偏置電壓的降低而偏移到更大的正電壓。圖10為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的OLED顯示裝置的一部分的電路圖。圖11為包括在圖10的OLED顯示裝置的像素中的TFT的平面圖。參見圖10，OLED顯示裝置包括有機(jī)發(fā)光面板100、掃描驅(qū)動(dòng)器200、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300 和時(shí)序控制器400。有機(jī)發(fā)光面板100包括多條掃描線Sl-Sn、多條數(shù)據(jù)線Dl-Dm和多個(gè)像素P。多條掃描線Sl-Sn以基本上均勻的距離彼此分隔開，排列成行(例如，在行方向上延伸)，并且分別提供掃描信號(hào)。多條數(shù)據(jù)線Dl-Dm以基本上均勻的距離彼此分隔開，排列成列(例如，在列方向上延伸)，并且分別提供數(shù)據(jù)信號(hào)。多條掃描線Sl-Sn和多條數(shù)據(jù)線Dl-Dm排列成矩陣，并且在各交叉區(qū)域處形成像素。掃描驅(qū)動(dòng)器200連接到多條掃描線Sl-Sn，并且向多條掃描線Sl-Sn中的每條掃描線施加掃描信號(hào)，其中掃描信號(hào)具有柵極導(dǎo)通電壓和柵極截止電壓。掃描驅(qū)動(dòng)器200可以以使分別向多條掃描線Sl-Sn施加的多個(gè)掃描信號(hào)可以依次具有柵極導(dǎo)通電壓的方式施加多個(gè)掃描信號(hào)。在掃描信號(hào)為柵極導(dǎo)通電壓的情況下，連接到對(duì)應(yīng)掃描線的開關(guān)晶體管導(dǎo)通。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300連接到有機(jī)發(fā)光面板100的多條數(shù)據(jù)線Dl-Dm，并且向多條數(shù)據(jù)線 Dl-Dm中的每條數(shù)據(jù)線施加指示灰度級(jí)的數(shù)據(jù)信號(hào)。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300將從時(shí)序控制器400 輸入的對(duì)應(yīng)于不同灰度級(jí)的輸入圖像數(shù)據(jù)Data轉(zhuǎn)換成電壓或電流形式的數(shù)據(jù)信號(hào)。
時(shí)序控制器400可以從外部圖形控制器(未示出)接收輸入圖像數(shù)據(jù)Data和用于控制輸入圖像數(shù)據(jù)Data的顯示的輸入控制信號(hào)。輸入控制信號(hào)可以包括水平同步信號(hào) Hsync、垂直同步信號(hào)Vsync和主時(shí)鐘MCLK。時(shí)序控制器400向數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300提供輸入圖像數(shù)據(jù)Data，并且生成并分別向掃描驅(qū)動(dòng)器200和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300提供掃描控制信號(hào) CONTl和數(shù)據(jù)控制信號(hào)C0NT2。掃描控制信號(hào)CONTl可以包括用于指示掃描開始的掃描開始信號(hào)SSP以及多個(gè)時(shí)鐘信號(hào)SCLK，并且數(shù)據(jù)控制信號(hào)C0NT2可以包括時(shí)鐘信號(hào)和用于指示向特定行上的像素提供輸入圖像數(shù)據(jù)Data的水平同步開始信號(hào)STH。像素P各自包括用于控制每個(gè)像素的操作的開關(guān)器件以及作為驅(qū)動(dòng)每個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)器件的TFT和發(fā)光單元。TFT為包括氧化物半導(dǎo)體的雙柵TFT，并且可以形成為發(fā)光單元的陰極被用作頂柵電極的NMOS晶體管。TFT可以為例如如上所述的本發(fā)明的實(shí)施例。參見圖11，TFT包括位于底柵電極21上方的有源層22、與有源層22的側(cè)面重疊的源/漏電極23/24以及與有源層22的中央部分相對(duì)應(yīng)以形成頂柵電極的第一開口 27。在底柵電極21與有源層22之間插入柵絕緣層，源/漏電極23/M接觸有源層22， 其中在源/漏電極23/M與有源層22之間插入層間絕緣層，并且在源/漏電極23/M上方進(jìn)一步形成平坦化層和PDL。通過刻蝕平坦化層和PDL，在與有源層22的中央部分相對(duì)應(yīng)的位置處形成第一開口 27。在TFT用于OLED顯示裝置的情況下，可以在第一開口 27中形成用作陰極的電極層，并且該電極層還可以用作頂柵電極。圖6的TFT區(qū)域中示出沿圖11的線A-A’截取的截面圖。在上述實(shí)施例中，雙柵TFT用在OLED顯示裝置中。然而，根據(jù)本發(fā)明的其它實(shí)施例，雙柵TFT可以用在各種其它類型的顯示裝置中，例如，可以用在包括被施加固定電壓的電極層的顯示裝置中。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，被施加恒定電壓的現(xiàn)有電極層可以用作雙柵TFT的頂柵電極，因此可以簡(jiǎn)化制造工藝和組件結(jié)構(gòu)，并且可以提高開口率。雖然已參照本發(fā)明的示例型實(shí)施例具體示出并描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在不背離由所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在此處進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。
權(quán)利要求
1.一種雙柵薄膜晶體管，包括 在基板上的第一柵電極；在所述第一柵電極上的有源層； 在所述有源層上的源電極和漏電極；在所述基板以及所述源電極和漏電極上的平坦化層，所述平坦化層具有與所述有源層相對(duì)應(yīng)的開口 ；以及在所述開口中的第二柵電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙柵薄膜晶體管，其中所述有源層包括氧化物半導(dǎo)體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙柵薄膜晶體管，進(jìn)一步包括 在所述第一柵電極與所述有源層之間的柵絕緣層；以及在所述有源層與所述源電極和漏電極的至少一部分之間的層間絕緣層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙柵薄膜晶體管，其中配置有向所述第一柵電極施加的正電壓，并且配置有向所述第二柵電極施加的負(fù)電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙柵薄膜晶體管，其中所述第二柵電極為有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的陰極。
6.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，包括像素電極，電連接到薄膜晶體管并且位于平坦化層上；在所述像素電極上的像素限定層，所述像素限定層具有通過刻蝕所述像素限定層和所述平坦化層形成的暴露所述平坦化層中與所述薄膜晶體管的有源層相對(duì)應(yīng)的一部分的第一開口，和通過刻蝕所述像素限定層形成的暴露所述像素電極的一部分的第二開口 ；以及位于所述第一開口和所述第二開口中的對(duì)電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中所述薄膜晶體管包括 在基板上的第一柵電極；在所述第一柵電極上的有源層；以及在所述有源層上的源電極和漏電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，進(jìn)一步包括 在所述第一柵電極與所述有源層之間的柵絕緣層；以及在所述有源層與所述源電極和漏電極的至少一部分之間的層間絕緣層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中配置有向所述第一柵電極施加的正電壓，并且配置有向所述對(duì)電極施加的負(fù)電壓。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中所述源電極和漏電極之一連接到所述像素電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中所述對(duì)電極為所述薄膜晶體管的第二柵電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中所述有源層包括氧化物半導(dǎo)體。
13.—種制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的方法，所述方法包括 在平坦化層上形成電連接到薄膜晶體管的像素電極；在所述像素電極上形成像素限定層；通過刻蝕所述像素限定層和所述平坦化層形成暴露所述平坦化層中與所述薄膜晶體管的有源層相對(duì)應(yīng)的一部分的第一開口，并且通過蝕刻所述像素限定層形成暴露所述像素電極的一部分的第二開口 ；并且在所述第一開口和所述第二開口中形成對(duì)電極。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的方法，在形成像素電極之前，進(jìn)一步包括在基板上形成第一柵電極； 在所述第一柵電極上形成所述有源層； 在所述有源層上形成源電極和漏電極；并且在所述源電極和漏電極以及所述基板上形成所述平坦化層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的方法，其中所述像素電極電連接到所述源電極或漏電極之一。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的方法，其中所述對(duì)電極為與所述第一柵電極相對(duì)應(yīng)的第二柵電極。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的方法，進(jìn)一步包括 在所述第一柵電極與所述有源層之間形成柵絕緣層；并且在所述有源層與所述源電極和漏電極的至少一部分之間形成層間絕緣層。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的方法，在形成對(duì)電極之前進(jìn)一步包括在所述第二開口中形成發(fā)光層。
19.一種制造雙柵薄膜晶體管的方法，所述方法包括 在基板上形成第一柵電極；在所述第一柵電極上形成有源層； 在所述有源層上形成源電極和漏電極； 在所述源電極和漏電極以及所述基板上形成平坦化層； 通過刻蝕所述平坦化層形成與所述有源層相對(duì)應(yīng)的開口 ；并且在所述開口中形成第二柵電極。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的制造雙柵薄膜晶體管的方法，其中所述第二柵電極為有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的陰極。
全文摘要
一種雙柵薄膜晶體管(TFT)和包括雙柵TFT的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置，包括雙柵薄膜晶體管(TFT)，所述雙柵薄膜晶體管包括在基板上的第一柵電極；在所述第一柵電極上的有源層；在所述有源層上的源電極和漏電極；在所述基板以及所述源電極和漏電極上的平坦化層，所述平坦化層具有與所述有源層相對(duì)應(yīng)的開口；以及在所述開口中的第二柵電極。
文檔編號(hào)H01L27/32GK102315278SQ20111018655
公開日2012年1月11日 申請(qǐng)日期2011年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月7日
發(fā)明者樸惠香, 樸镕盛, 林基主 申請(qǐng)人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社