專(zhuān)利名稱(chēng)：表面處理裝置及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ー種基板表面處理裝置及方法，尤其涉及針對(duì)基板的單ー個(gè)面進(jìn)行處理的裝置及方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)代科技產(chǎn)品中半導(dǎo)體設(shè)備的應(yīng)用相當(dāng)廣泛，尤其是通訊、計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)、光電相關(guān)等電子設(shè)備中，半導(dǎo)體的硅基板存在是不可或缺的，而隨著市場(chǎng)對(duì)這些電子產(chǎn)品的需求日益増加，如何快速、有效率的改良半導(dǎo)體的生產(chǎn)エ藝并提供足供應(yīng)付市場(chǎng)需求的半導(dǎo)體組件是各家廠商努力的目標(biāo)。在一般半導(dǎo)體生產(chǎn)エ藝中，會(huì)依硅基板應(yīng)用所需的設(shè)計(jì)條件不同而エ藝各有差異，其中有濕式化學(xué)蝕刻エ藝，此種濕エ藝有多種エ藝上的應(yīng)用，例如，光阻劑剝除、氮化硅及氧化硅的去除等。一般而言，濕式化學(xué)蝕刻的硬設(shè)備包括用以進(jìn)行主蝕刻反應(yīng)(main etch process)、中介清洗(intermediary wash)、漂洗(rinse),及干燥(drying)等多個(gè)處理工藝。而濕式蝕刻エ藝中有一種蝕刻方式是將娃基板浸入蝕刻液中，使蝕刻液同時(shí)將娃基板的上下兩個(gè)表面同時(shí)進(jìn)行蝕刻，另外ー種蝕刻方式則是針對(duì)硅基板的單ー個(gè)表面進(jìn)行蝕刻エ藝，且不對(duì)基板上除了欲蝕刻表面以外的面進(jìn)行處理，為達(dá)成此目的，在エ藝中蝕刻液只能觸及被指定蝕刻的表面，若非指定面的表面受蝕刻液沾染影響時(shí)，會(huì)影響到半導(dǎo)體組件的整體功能性，甚至可能會(huì)導(dǎo)致的部分范圍無(wú)法使用而必須放棄，所以硅基板進(jìn)行單ー個(gè)面的蝕刻エ藝時(shí)，如何有效避免蝕刻液沾染波及非指定蝕刻的表面，成為業(yè)界一直關(guān)注的議題?，F(xiàn)有技術(shù)中，對(duì)硅基板單ー個(gè)面進(jìn)行蝕刻時(shí)避免非指定蝕刻面沾染到蝕刻液的方法有多種，有的技術(shù)是另附加保護(hù)層(如光阻劑或黏膠)于硅基板非指定蝕刻的面上，以避免エ藝中侵蝕液的沾染，然而此法于蝕刻完成后必須多一道清除保護(hù)層的エ藝，不僅増加エ藝上的繁瑣，同時(shí)若清除不完全時(shí)還可能有殘膠而造成硅基板表面的污染，或者是在清除保護(hù)層的過(guò)程中而使基板產(chǎn)生刮傷，十分不便。有鑒于此，如何針對(duì)上述現(xiàn)有針對(duì)基板單ー個(gè)面的蝕刻方法及裝置所存在的缺點(diǎn)進(jìn)行研發(fā)改良，讓使用者能夠更方便使用且制作成本降到最低，實(shí)為相關(guān)業(yè)界所需努力研發(fā)的目標(biāo)。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)不盡理想之處，本發(fā)明提供了ー種基板表面處理蝕刻裝置，包含多個(gè)傳送裝置及涌泉座，多個(gè)傳送裝置用以傳輸基板，基板具有下表面。涌泉座分別間隔排列，井分別與對(duì)應(yīng)的傳送裝置組配形成有第一積液空間，且各涌泉座設(shè)置有注液ロ，而各注液ロ分別連通對(duì)應(yīng)的第一積液空間，且各第一積液空間可積存由各注液ロ所注入的處理液，藉此，經(jīng)由各傳送裝置所傳輸?shù)幕宓南卤砻婵山佑|處理液。因此，本發(fā)明的主要目的是提供ー種基板表面處理裝置，此種基板表面處理裝置藉由涌泉座與傳送裝置所形成的第一積液空間，使基板的下表面藉由傳送裝置傳送經(jīng)過(guò)涌泉座時(shí)與處理液接觸進(jìn)行處理，達(dá)到處理基板指定單ー個(gè)面的效果。本發(fā)明的再一目的在是提供ー種基板表面處理裝置，涌泉座與傳送裝置所形成的第一積液空間，于涌泉座設(shè)置注液ロ而持續(xù)將處理液注入第一積液空間，以有效保持第一積液空間內(nèi)的處理液濃度，因此可達(dá)到提升基板表面處理均勻度的目的。此外，本發(fā)明再提供ー種基板表面處理方法，包含提供多個(gè)傳送裝置；提供至少ー個(gè)涌泉座，各涌泉座分別間隔排列，并設(shè)置有注液ロ，且各涌泉座可與對(duì)應(yīng)的傳送裝置組配形成有第一積液空間；執(zhí)行注液步驟，由各注液ロ將處理液注入至第一積液空間；執(zhí)行表面處理步驟，由各傳送裝置傳送基板依序通過(guò)各第一積液空間，以使各基板的下表面接觸處理液。
因此，本發(fā)明的主要目的是提供ー種基板表面處理方法，此種基板表面處理方法藉由傳送裝置將基板傳送通過(guò)涌泉座，再利用涌泉座與傳送裝置之間形成第一積液空間積存處理液，并使基板的下表面接觸處理液以進(jìn)行基板下表面的處理，達(dá)到處理基板單ー個(gè)面的效果。本發(fā)明的再一目的是提供ー種基板表面處理方法，涌泉座與傳送裝置所形成的第ー積液空間，于涌泉座設(shè)置注液ロ而持續(xù)將處理液注入第一積液空間，以有效保持第一積液空間內(nèi)的處理液濃度，因此可達(dá)到提升基板表面處理均勻度的目的。


圖I,為本發(fā)明基板表面處理裝置示意圖；圖2A，為本發(fā)明涌泉座立體示意圖；圖2B,為本發(fā)明多個(gè)第一翼板與ー個(gè)基座組合不意圖；圖3，為本發(fā)明包含第二翼板示意圖；圖4A,為本發(fā)明設(shè)置隔片不意圖；圖4B，為本發(fā)明設(shè)置隔片另ー實(shí)施態(tài)樣示意圖；圖5A,為本發(fā)明設(shè)置阻隔條不意圖；圖5B，為本發(fā)明設(shè)置阻隔條另ー實(shí)施態(tài)樣示意圖；圖6，為本發(fā)明基板表面處理方法流程圖。主要組件符號(hào)說(shuō)明基板表面處理裝置I基板10下表面101處理液100傳送裝置11涌泉座12注液ロ121第一翼板122基座123擋板124
第二翼板125排液ロ126第一積液空間13第二積液空間14隔片15隔片一端151
隔片ー側(cè)152隔片另ー側(cè)153阻隔條1具體實(shí)施例方式由于本發(fā)明公開(kāi)ー種表面處理裝置及方法，以下文中所対照的附圖，表達(dá)與本發(fā)明特征有關(guān)的結(jié)構(gòu)示意，并未亦不需要依據(jù)實(shí)際尺寸完整繪制，事先聲明。首先請(qǐng)參考圖I，本發(fā)明第一實(shí)施例提供ー種基板表面處理裝置I，包含有多個(gè)傳送裝置11及至少ー個(gè)涌泉座12。傳送裝置11可用來(lái)傳輸基板10，其所傳送的基板10具有下表面101 ;涌泉座12分別間隔排列，井分別與對(duì)應(yīng)的傳送裝置11組配形成第一積液空間13，且各涌泉座12設(shè)置有注液ロ 121，各注液ロ 121分別與其對(duì)應(yīng)的第一積液空間13連通，而注液ロ 121可提供基板10表面處理時(shí)所需的處理液100，當(dāng)注液ロ 121在每單位時(shí)間內(nèi)所注入的處理液100的流量大于處理液100排出第一積液空間13的量時(shí)，則剛注入的處理液100會(huì)積存于第一積液空間13中，而先前注入的處理液100則溢流出第一積液空間13，藉此，傳送裝置11傳送基板10通過(guò)涌泉座12時(shí)下表面101便可直接或間接地接觸處理液100，以進(jìn)行基板10下表面101的處理工藝。當(dāng)然，由于注液ロ 121持續(xù)將尚未接觸基板10的處理液100注入第一積液空間13，而接觸過(guò)基板10的處理液100則溢流或排出該第一積液空間13，進(jìn)而可有效保持第一積液空間13內(nèi)的處理液100濃度，因此可達(dá)到提升基板10表面處理均勻度的目的。請(qǐng)ー并參考圖2A，更進(jìn)一歩地，該涌泉座12包含有第一翼板122及基座123，第一翼板122連設(shè)于基座123的ー側(cè),故第一積液空間13可藉由傳送裝置11、第一翼板122及基座123組配形成。再者，在本發(fā)明各實(shí)施例中所述的涌泉座12中，還可以包含至少ー檔板124，各檔板124分別設(shè)置于基座123的端部，使得文件板124與傳送裝置11、第一翼板122及基座123形成第一積液空間13，藉由檔板124的設(shè)置而可提升該第一積液空間13的積液能力。此外,在本發(fā)明另一實(shí)施例中，涌泉座12亦可以為多個(gè)第一翼板122與一個(gè)基座123的組合(請(qǐng)參考圖2B)，各第一翼板122分別間隔地排列且連設(shè)于基座123上，并藉由第一翼板122與其所對(duì)應(yīng)的傳送裝置11及該基座13組配形成第一積液空間13，在基座123可設(shè)置有排液ロ 126，藉以將多余的處理液103排出涌泉座12。請(qǐng)參考圖3，涌泉座12在基座123相對(duì)于第一翼板122的一側(cè)可進(jìn)一步再設(shè)置第ニ翼板125，第二翼板125連設(shè)于基座123上，同時(shí)藉由第二翼板125、傳送裝置11及基座123可形成第二積液空間14，當(dāng)然，第一積液空間13內(nèi)的處理液100亦會(huì)流至該第二積液空間14而匯積于其內(nèi)，而得以減緩第一積液空間13內(nèi)處理液由構(gòu)件間隙泄漏的現(xiàn)象，以提升第一積液空間13的積液效果，并加強(qiáng)對(duì)傳送裝置11的刷洗，以避免生成物黏附傳送裝置11。此外，在基座11上可再設(shè)置排液ロ 126，排液ロ 126與第二積液空間14連通，因此，當(dāng)?shù)谝环e液空間13中的處理液100在與基板10接觸后，可流至第二積液空間14，再透過(guò)排液ロ 126排出涌泉座12，使得第一積液空間13的液位高度高干與第二積液空間14。在前述各實(shí)施例的涌泉座12中，可再包含有隔片15，請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D4A，隔片15對(duì)應(yīng)于各涌泉座12設(shè)置，其中隔片15的一端部151連設(shè)于涌泉座12的基座123上，且隔片15的ー側(cè)152抵靠于傳送裝置11，另ー側(cè)153與涌泉座12組配形成第一積液空間13，再者，隔片15為可撓性材質(zhì)，藉由隔片15的設(shè)置而減少傳送裝置11與涌泉座12的組合間隙，進(jìn)而提升該第一積液空間13的積液效果，以達(dá)到最佳的表面處理工藝。同樣地，隔片15的配置亦可應(yīng)用于多個(gè)第一翼板122與一個(gè)基座123的組合中，請(qǐng)參考圖4B，藉由隔片15與涌泉座12組配形成的第一積液空間13，用來(lái)積存處理液100以進(jìn)行基板10的表面處理。 請(qǐng)參考圖5A及圖5B，在本發(fā)明的基板表面處理裝置I的各種實(shí)施例中，可進(jìn)ー步包含有阻隔條16，阻隔條16夾置于涌泉座12的基座123與傳送裝置11之間，使阻隔條16與涌泉座12、傳送裝置11組配形成第一積液空間13。藉由阻隔條16的設(shè)置，可減少自傳送裝置11與基座123之間的間隙所泄漏出的處理液100的量，進(jìn)而提升該第一積液空間13的積液效果。請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D6，為本發(fā)明第二實(shí)施例的基板表面處理方法，包含有(I)提供多個(gè)傳送裝置(11);(2)提供至少ー個(gè)涌泉座(12)，各涌泉座(12)分別間隔排列，并設(shè)置有注液ロ(121)，且各涌泉座(12)可與對(duì)應(yīng)的傳送裝置(11)組配形成第一積液空間(13)；(3)執(zhí)行注液步驟，由各注液ロ(121)將處理液(100)注入至第一積液空間(13)；(4)執(zhí)行表面處理步驟，由傳送裝置(11)傳送基板(10)依序通過(guò)各第一積液空間
(13)，使各基板(10)的下表面(101)與處理(100)液接觸。在上述步驟(4)中，傳送裝置(11)在傳送基板(10)的過(guò)程中，同時(shí)令基板(10)的下表面(101)與處理液(100)接觸，而基板(10)接觸處理液(100)的方式可為直接接觸的方式或?yàn)殚g接接觸的方式，直接接觸是指使基板(10)的下表面(101)與第一積液空間(13)中的處理液(100)直接接觸以進(jìn)行基板(10)下表面(101)的處理；而間接接觸的方式是指利用傳送裝置(11)作為媒介，以汲取第一積液空間(13)中的處理液(100)，再將處理液(100)沾附到基板(10)下表面(101)，藉由處理液(100)的表面張カ而沾附于基板(10)的下表面(101)，以進(jìn)行基板(10)下表面(101)的表面處理；又，控制處理液(100)注入第一積液空間(13)的流量，使其溢流穩(wěn)定，則藉第一積液空間(13)的液面表面彎月(meniscus)現(xiàn)象亦可令處理液(100)沾附基板(10)的下表面(101)，而令處理液(100)直接接觸基板
(10)及間接接觸基板二者同時(shí)發(fā)生。本發(fā)明所提出的基板表面處理裝置及方法，藉由涌泉座12與傳送裝置11間形成第一積液空間13所積存的處理液100進(jìn)行基板10的表面處理，與現(xiàn)有技術(shù)中的表面處理方式是使基板欲處理的表面其整個(gè)表面與處理液接觸不同。亦即，于本發(fā)明的各實(shí)施例中，基板10則是透過(guò)傳送裝置11依序傳送通過(guò)各第一積液空間13，使基板10在通過(guò)該第一積液空間13之際，僅基板10的下表面101的局部與第一積液空間13的處理液100接觸，再經(jīng)由傳送裝置11的傳送，進(jìn)而達(dá)到基板10整個(gè)下表面101接觸處理液100的目的，而在各個(gè)第一積液空間13之間，則未提供處理液100，藉此，對(duì)基板10下表面101間斷性地提供處理液100，而有效避免處理液100攀爬至基板10的上表面，又，前述之處理液100為蝕刻液。
以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，并非用以限定本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍；同時(shí)以上的描述對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)可明了與實(shí)施，因此其它未脫離本發(fā)明所公開(kāi)的精神下所完成的等效改變或修飾，均應(yīng)包含于下述權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種基板表面處理裝置，包含 多個(gè)傳送裝置，傳輸至少一基板，該基板具有一下表面；及 至少一涌泉座，各涌泉座分別間隔排列，并分別與對(duì)應(yīng)的傳送裝置組配形成有一第一積液空間，且各涌泉座設(shè)置有至少一注液口，而所述注液口分別連通對(duì)應(yīng)的第一積液空間，且所述第一積液空間可積存由所述注液口所注入的處理液；藉此經(jīng)由所述傳送裝置所傳輸?shù)幕宓南卤砻婵山佑|處理液。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基板表面處理裝置，其中，所述涌泉座包含一第一翼板及一基座，所述第一翼板連設(shè)于所述基座，所述傳送裝置、所述第一翼板及該基座形成所述第一積液空間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板表面處理裝置，其中，所述涌泉座進(jìn)一步包含一第二翼板，所述第二翼板連設(shè)于所述基座，而相對(duì)于所述第一翼板的一側(cè)，且所述傳送裝置、所述第二翼板及所述基座形成所述第二積液空間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板表面處理裝置，其中，所述涌泉座設(shè)置有至少一排液口，且所述排液口連通所述第二積液空間。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基板表面處理裝置，其中，所述涌泉座包含多個(gè)第一翼板及一基座，各第一翼板分別間隔排列而連設(shè)于所述基座上，且各個(gè)第一翼板分別與其對(duì)應(yīng)的傳送裝置及所述基座形成所述第一積液空間。
6.根據(jù)權(quán)利要求2至5中任一項(xiàng)所述的基板表面處理裝置，其中所述涌泉座還包括有至少一擋板，所述擋板分別連設(shè)于所述基座，所述傳送裝置、所述第一翼板、所述擋板及所述基座形成所述第一積液空間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板表面處理裝置，還包括有至少一隔片，其分別對(duì)應(yīng)各涌泉座，隔片的一端部連設(shè)于所述基座，隔片的一側(cè)靠抵所述傳送裝置，而隔片的另一側(cè)則與涌泉座組配形成所述第一積液空間。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板表面處理裝置，還包括有至少一阻隔條，其分別對(duì)應(yīng)各涌泉座，阻隔條夾置于所述基座與所述傳送裝置之間，且阻隔條、所述涌泉座與所述傳送裝置組配形成所述第一積液空間。
9.一種基板表面處理方法，其主要包含有 提供多個(gè)傳送裝置； 提供至少一涌泉座，各涌泉座分別間隔排列，并設(shè)置有至少一注液口，且各涌泉座可與對(duì)應(yīng)的傳送裝置組配形成有一第一積液空間； 執(zhí)行注液步驟，由所述注液口將處理液注入至所述第一積液空間 '及 執(zhí)行表面處理步驟，由所述傳送裝置傳送至少一基板依序通過(guò)所述第一積液空間，以使所述基板的下表面接觸處理液。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板表面處理方法，其中，所述基板的所述下表面直接接觸所述處理液。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板表面處理方法，其中，所述基板的所述下表面經(jīng)由所述傳送裝置而間接接觸所述處理液。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11中任一項(xiàng)所述的基板表面處理方法，其中，所述基板通過(guò)所述第一積液空間之際，所述基板的下表面的局部與所述第一積液空間的處理液接觸，再經(jīng)由傳送裝置的傳送，以使基板整個(gè)下表面接觸處理液?！?br> 全文摘要
本發(fā)明提供一種表面處理裝置及方法，包含有傳送裝置及涌泉座。傳送裝置用以傳輸基板，且涌泉座分別與對(duì)應(yīng)的傳送裝置組配形成第一積液空間，各涌泉座設(shè)置有注液口，注液口連通對(duì)應(yīng)的第一積液空間，且第一積液空間可積存由注液口所注入的處理液，藉由傳送裝置所傳輸?shù)幕迤湎卤砻婵山佑|處理液，進(jìn)行基板的表面處理工藝。
文檔編號(hào)H01L21/67GK102856238SQ20111018924
公開(kāi)日2013年1月2日 申請(qǐng)日期2011年6月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月27日
發(fā)明者張書(shū)省, 蔡嘉雄, 劉仕偉, 茹振宗 申請(qǐng)人:均豪精密工業(yè)股份有限公司