專利名稱：薄膜晶體管陣列基板及其制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種薄膜晶體管陣列基板，特別是有關(guān)于一種薄膜晶體管陣列基板及其制法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中，TFT-LCD(薄膜晶體管液晶顯示器，thin film transistor liquid crystal display)的構(gòu)造主要包含兩片玻璃基板以及配置于兩者之間的液晶層，其中上層玻璃基板表面設(shè)有彩色濾光片(Color Filter)，彩色濾光片包含了彩色光阻及黑色矩陣； 而下層玻璃基板則設(shè)有薄膜晶體管與像素電極，故一般稱為薄膜晶體管陣列基板(TFT LCD Array Substrate)0在薄膜晶體管陣列基板中，一個子像素的結(jié)構(gòu)包含了像素電極、薄膜晶體管及存儲電容，其中所述薄膜晶體管的柵極連接掃描信號線，其源極連接數(shù)據(jù)信號線，其漏極則連接所述像素電極；所述存儲電容則連接所述像素電極。通過掃描信號線對薄膜晶體管的柵極施加電壓，即可使薄膜晶體管導(dǎo)通。薄膜晶體管的源極再通過數(shù)據(jù)信號線接受數(shù)據(jù)信號并傳送到漏極，進(jìn)而寫入像素電極并存儲于所述存儲電容。除了前述的存儲電容，所述薄膜晶體管的實(shí)際結(jié)構(gòu)中還存在許多寄生電容 (parasitic capacitance)，這些寄生電容對于所述薄膜晶體管是不必要的，且會造成電荷流失而影響薄膜晶體管的操作特性。請參考圖1，圖1為一現(xiàn)有薄膜晶體管陣列基板的局部結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示， 一薄膜晶體管9位于一掃描信號線8與一資料信號線7的交叉處附近，其中，薄膜晶體管9 包含柵極電極90、半導(dǎo)體層91、漏極電極92及源極電極93，其中，所述柵極電極90是所述掃描信號線8的一部分；所述半導(dǎo)體層91是隔著一絕緣層(圖中未示)設(shè)置于所述柵極電極90上；所述漏極電極92設(shè)置于所述半導(dǎo)體層91上；所述源極電極93是自所述數(shù)據(jù)信號線7的一側(cè)延伸出而沿著所述半導(dǎo)體層91的邊緣圍繞所述漏極電極92。在漏極電極92 與柵極電極90之間會產(chǎn)生寄生電容。請進(jìn)一步參考圖2所示，為了降低前述漏極電極92與柵極電極90之間所產(chǎn)生的寄生電容，所述柵極電極90進(jìn)一步設(shè)置一個對應(yīng)漏極電極92位置的開口 900，使得所述柵極電極90對漏極電極92的重疊部分減少，進(jìn)而降低兩者之間所形成的寄生電容。然而，所述柵極電極90的開口 900會使掃描信號線8的面積變小，從而提高掃描信號線8的阻值。所述掃描信號線8的傳輸速度將會因?yàn)樽柚底兇蠖艿讲焕绊?。故，有必要提供一種薄膜晶體管陣列基板及其制法，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。

發(fā)明內(nèi)容有鑒于現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的主要目的在于提供一種薄膜晶體管陣列基板， 其可減少漏極電極與柵極電極之間所產(chǎn)生的寄生電容而不提高掃描信號線的阻值。
為達(dá)成本發(fā)明的前述目的，本發(fā)明提供一種薄膜晶體管陣列基板，其包含基板；掃描信號線，沿一水平方向設(shè)置于所述基板上，并具有一第一側(cè)邊與一相對于第一側(cè)邊的第二側(cè)邊；數(shù)據(jù)信號線，沿一垂直方向設(shè)置于所述基板上而與所述掃描信號線彼此交錯；一薄膜晶體管，形成于所述掃描信號線與所述數(shù)據(jù)信號線交叉處附近，并包含一柵極電極、一半導(dǎo)體層、一漏極電極及一源極電極，其中所述柵極電極為所述掃描信號線的一部分并具有一開口，所述開口位于所述柵極電極的中央并延伸至掃描信號線的第一側(cè)邊；所述半導(dǎo)體層絕緣地設(shè)于所述所述柵極電極上方；所述漏極電極設(shè)于所述半導(dǎo)體層上且位置對應(yīng)所述柵極電極的開口 ；所述源極電極自所述數(shù)據(jù)信號線的一側(cè)邊延伸出，并沿著所述半導(dǎo)體層的邊緣環(huán)繞所述漏極電極及所述柵極電極的開口 ；以及補(bǔ)償電極，自所述掃描信號線的第二側(cè)邊一體延伸出并對應(yīng)所述柵極電極。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述柵極電極的開口呈矩形。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述漏極電極呈倒T字形而包含一水平部及一垂直部， 所述水平部與所述掃描信號線的第一側(cè)邊及第二側(cè)邊平行，并對應(yīng)所述柵極電極的開口 ； 所述垂直部自所述水平部一側(cè)延伸而與所述掃描信號線的第一側(cè)邊垂直，并對應(yīng)所述柵極電極的開口。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述垂直部的寬度小于所述柵極電極的開口的寬度。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述補(bǔ)償電極的面積與所述開口的面積相等。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述補(bǔ)償電極呈梯形。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述補(bǔ)償電極與所述數(shù)據(jù)信號線之間的距離大于3. 5微米。本發(fā)明另提供一種薄膜晶體管陣列基板的制法，所述制法包含下列步驟于基板上形成掃描信號線及補(bǔ)償電極，其中所述掃描信號線包含一第一側(cè)邊、一相對于第一側(cè)邊的第二側(cè)邊及一開口，所述開口延伸至所述第一側(cè)邊；所述補(bǔ)償電極自所述掃描信號線的第二側(cè)邊延伸出；于掃描信號線上形成一第一絕緣層；于第一絕緣層上形成一半導(dǎo)體層，其中所述半導(dǎo)體層對應(yīng)位于所述開口上；以及于基板上形成數(shù)據(jù)信號線、漏極電極及源極電極，其中所述數(shù)據(jù)信號線與所述掃描信號線彼此絕緣交錯，所述漏極電極位于所述半導(dǎo)體層上并對應(yīng)所述掃描信號線的開口，所述源極電極自所述數(shù)據(jù)信號線的一側(cè)邊延伸出而位于所述半導(dǎo)體層上，并沿著所述半導(dǎo)體層的邊緣環(huán)繞所述漏極電極及所述柵極電極的開口。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述制法進(jìn)一步包含下列步驟于半導(dǎo)體層、漏極電極及源極電極上方形成第二絕緣層，其中所述第二絕緣層具有一開孔；所述開孔對應(yīng)使所述漏極電極部分裸露；以及于所述掃描信號線與數(shù)據(jù)信號線所定義的像素區(qū)內(nèi)形成像素電極，其中所述像素電極通過所述第二絕緣層的開孔連接所述漏極電極。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述補(bǔ)償電極呈梯形，且與所述數(shù)據(jù)信號線之間的距離大于3. 5微米。
本發(fā)明主要是根據(jù)掃描信號線的開口，在掃描信號線的相對側(cè)延伸出補(bǔ)償電極， 以避免開口提高掃描信號線阻值，且仍能減少漏極電極與柵極電極之間所產(chǎn)生的寄生電容。

圖1是現(xiàn)有薄膜晶體管陣列基板的局部結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是另一現(xiàn)有薄膜晶體管陣列基板的局部結(jié)構(gòu)示意3是本發(fā)明薄膜晶體管陣列基板第一實(shí)施例的局部結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是本發(fā)明薄膜晶體管陣列基板第二實(shí)施例的局部結(jié)構(gòu)示意圖。圖5A 5E是本發(fā)明薄膜晶體管陣列基板一較佳實(shí)施例的制作流程圖。
具體實(shí)施方式為讓本發(fā)明上述目的、特征及優(yōu)點(diǎn)更明顯易懂，下文特舉本發(fā)明較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。再者，本發(fā)明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、 「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板主要是由在一基板上設(shè)置薄膜晶體管陣列所構(gòu)成。 請參考圖3所示，圖3為本發(fā)明薄膜晶體管陣列基板第一實(shí)施例的局部結(jié)構(gòu)示意圖。如圖 3所示，除了所述基板(圖中未示)，所述薄膜晶體管陣列基板還包含一掃描信號線1、一數(shù)據(jù)信號線2、一薄膜晶體管3及一補(bǔ)償電極100。前述各元件的數(shù)目僅是用以方便說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明的各元件的數(shù)目。所述掃描信號線1沿一水平方向設(shè)置于所述基板上，并具有一第一側(cè)邊與一相對于第一側(cè)邊的第二側(cè)邊。所述數(shù)據(jù)信號線2沿一垂直方向設(shè)置于所述基板上而與所述掃描信號線1彼此絕緣交錯。所述薄膜晶體管3形成于所述掃描信號線1與所述資料信號線2交叉處附近，并包含一柵極電極30、一半導(dǎo)體層31、一漏極電極32及一源極電極33。所述柵極電極30為所述掃描信號線1的一部分，并具有一開口 300，所述開口 300 位于所述柵極電極30的中央并延伸至掃描信號線1的第一側(cè)邊。在本實(shí)施例中，所述開口 300優(yōu)選是呈矩形。所述半導(dǎo)體層31是絕緣地(優(yōu)選是通過一絕緣層)設(shè)于所述柵極電極30上方。所述漏極電極32設(shè)于所述半導(dǎo)體層31上且位置對應(yīng)所述柵極電極30的開口 300。本實(shí)施例中，所述漏極電極32優(yōu)選是呈倒T字形，其包含有一水平部3 及一垂直部 32b。所述水平部32a的延伸方向是與所述掃描信號線1的第一側(cè)邊及第二側(cè)邊平行，且所述水平部3 對應(yīng)所述柵極電極30的開口 300。所述水平部3 與所述柵極電極30部分重疊，且優(yōu)選是所述水平部32a的邊緣與所述柵極電極30重疊。所述垂直部32b自所述水平部32a的一側(cè)延伸出，與所述掃描信號線1的第一側(cè)邊垂直，并且對應(yīng)所述柵極電極30 的開口 300。所述垂直部32b的寬度優(yōu)選是小于所述柵極電極30的開口 300的寬度。所述源極電極33自所述數(shù)據(jù)信號線2的一側(cè)邊延伸出，并沿著所述半導(dǎo)體層31的邊緣環(huán)繞所述漏極電極32及所述柵極電極30的開口 300。所述補(bǔ)償電極100自所述掃描信號線1的第二側(cè)邊一體延伸出并對應(yīng)所述柵極電極30。本實(shí)施例中，所述補(bǔ)償電極100的面積優(yōu)選是與所述開口 300的面積相等，且對應(yīng)所述開口 300呈矩形。請參考圖4所示，圖4是本發(fā)明薄膜晶體管陣列基板第二實(shí)施例的局部結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明第二實(shí)施例相似于本發(fā)明第一實(shí)施例，并大致沿用相同組件名稱，但與第一實(shí)施例不同之處在于所述補(bǔ)償電極100是呈梯形。且所述補(bǔ)償電極100與所述資料信號線2 之間的距離優(yōu)選大于3. 5微米。由于在掃描信號線1的相對側(cè)延伸出補(bǔ)償電極100，本發(fā)明可避免因?yàn)殚_口 300的形成導(dǎo)致掃描信號線1的阻值變大。請參考圖5A 5E所示，圖5A 5E是本發(fā)明薄膜晶體管陣列基板一較佳實(shí)施例的制作流程圖。配合圖5A 5E，本發(fā)明薄膜晶體管陣列基板的制法包含下列步驟Sl 于基板上形成掃描信號線1及補(bǔ)償電極100，其中所述掃描信號線1包含一第一側(cè)邊、一相對于第一側(cè)邊的第二側(cè)邊及一開口 300，所述開口 300延伸至所述第一側(cè)邊； 所述補(bǔ)償電極100自所述掃描信號線1的第二側(cè)邊延伸出(如圖5A所示)；S2 于掃描信號線1上形成一第一絕緣層(圖中未示)；S3 于第一絕緣層上形成一半導(dǎo)體層31，其中所述半導(dǎo)體層31對應(yīng)位于所述開口 300上(如圖5B所示)；S4:于基板上形成數(shù)據(jù)信號線2、漏極電極32及源極電極33，其中所述數(shù)據(jù)信號線 2與所述掃描信號線1彼此絕緣交錯，所述漏極電極32呈倒T字形而位于所述半導(dǎo)體層31 上，并對應(yīng)所述掃描信號線1的開口 300，所述源極電極33自所述數(shù)據(jù)信號線2的一側(cè)邊延伸出而位于所述半導(dǎo)體層31上，并沿著所述半導(dǎo)體層31的邊緣環(huán)繞所述漏極電極32及所述柵極電極30的開口 300 (如圖5C所示)；S5 于半導(dǎo)體層31、漏極電極32及源極電極33上方形成第二絕緣層101，其中所述第二絕緣層101具有一開孔102 ；所述開孔102對應(yīng)使所述漏極電極32部分裸露(如圖 5D所示)；以及S6 于所述掃描信號線1與數(shù)據(jù)信號線2所定義的像素區(qū)內(nèi)形成像素電極34，其中所述像素電極34通過所述第二絕緣層101的開孔102連接所述漏極電極32 (如圖5E所示)°如此依照上述Sl S6的制作流程，即可完成如同圖4所示的薄膜晶體管陣列基板。綜上所述，本發(fā)明主要是根據(jù)掃描信號線的開口，在掃描信號線的相對側(cè)延伸出補(bǔ)償電極，以補(bǔ)足掃描信號線面積原本減少的部份，進(jìn)而可以避免其開口的形成造成掃描信號線阻值變大，同時可以保有減少漏極電極與柵極電極之間所產(chǎn)生的寄生電容的效果。本發(fā)明已由上述相關(guān)實(shí)施例加以描述，然而上述實(shí)施例僅為實(shí)施本發(fā)明的范例。 必需指出的是，已公開的實(shí)施例并未限制本發(fā)明的范圍。相反地，包含于權(quán)利要求書的精神及范圍的修改及均等設(shè)置均包括于本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于所述薄膜晶體管陣列基板包含基板；掃描信號線，沿一水平方向設(shè)置于所述基板上，并具有一第一側(cè)邊與一相對于第一側(cè)邊的第二側(cè)邊；數(shù)據(jù)信號線，沿一垂直方向設(shè)置于所述基板上而與所述掃描信號線彼此絕緣交錯；薄膜晶體管，形成于所述掃描信號線與所述數(shù)據(jù)信號線交叉處附近，并包含一柵極電極、一半導(dǎo)體層、一漏極電極及一源極電極，其中所述柵極電極為所述掃描信號線的一部分并具有一開口，所述開口位于所述柵極電極的中央并延伸至掃描信號線的第一側(cè)邊；所述半導(dǎo)體層絕緣地設(shè)于所述柵極電極上方；所述漏極電極設(shè)于所述半導(dǎo)體層上且位置對應(yīng)所述柵極電極的開口 ；所述源極電極自所述數(shù)據(jù)信號線的一側(cè)邊延伸出，并沿著所述半導(dǎo)體層的邊緣環(huán)繞所述漏極電極及所述柵極電極的開口 ；以及補(bǔ)償電極，自所述掃描信號線的第二側(cè)邊一體延伸出并對應(yīng)所述柵極電極。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于所述柵極電極的開口呈矩形。
3.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于所述漏極電極呈倒T字形而包含一水平部及一垂直部，所述水平部與所述掃描信號線的第一側(cè)邊及第二側(cè)邊平行， 并對應(yīng)所述柵極電極的開口 ；所述垂直部自所述水平部一側(cè)延伸而與所述掃描信號線的第一側(cè)邊垂直，并對應(yīng)所述柵極電極的開口。
4.如權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于所述垂直部的寬度小于所述柵極電極的開口的寬度。
5.如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于所述補(bǔ)償電極的面積與所述開口的面積相等。
6.如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于所述補(bǔ)償電極呈梯形。
7.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于所述補(bǔ)償電極與所述數(shù)據(jù)信號線之間的距離大于3. 5微米。
8.一種薄膜晶體管陣列基板的制法，其特征在于所述制法包含下列步驟于基板上形成掃描信號線及補(bǔ)償電極，其中所述掃描信號線包含一第一側(cè)邊、一相對于第一側(cè)邊的第二側(cè)邊及一開口，所述開口延伸至所述第一側(cè)邊；所述補(bǔ)償電極自所述掃描信號線的第二側(cè)邊延伸出；于掃描信號線上形成一第一絕緣層；于第一絕緣層上形成一半導(dǎo)體層，其中所述半導(dǎo)體層對應(yīng)位于所述開口上；以及于基板上形成數(shù)據(jù)信號線、漏極電極及源極電極，其中所述數(shù)據(jù)信號線與所述掃描信號線彼此絕緣交錯，所述漏極電極位于所述半導(dǎo)體層上并對應(yīng)所述掃描信號線的開口，所述源極電極自所述數(shù)據(jù)信號線的一側(cè)邊延伸出而位于所述半導(dǎo)體層上，并沿著所述半導(dǎo)體層的邊緣環(huán)繞所述漏極電極及所述柵極電極的開口。
9.如權(quán)利要求8所述薄膜晶體管陣列基板的制法，其特征在于所述制法進(jìn)一步包含下列步驟于半導(dǎo)體層、漏極電極及源極電極上方形成第二絕緣層，其中所述第二絕緣層具有一開孔；所述開孔對應(yīng)使所述漏極電極部分裸露；以及于所述掃描信號線與數(shù)據(jù)信號線所定義的像素區(qū)內(nèi)形成像素電極，其中所述像素電極通過所述第二絕緣層的開孔連接所述漏極電極。
10.如權(quán)利要求9所述薄膜晶體管陣列基板的制法，其特征在于所述補(bǔ)償電極呈梯形，且與所述數(shù)據(jù)信號線之間的距離大于3. 5微米。
全文摘要
本發(fā)明公開一種薄膜晶體管陣列基板及其制法。所述陣列基板包含薄膜晶體管及補(bǔ)償電極。所述薄膜晶體管的柵極電極為掃描信號線的一部分并具有一開口，所述開口延伸至掃描信號線的一側(cè)邊。所述薄膜晶體管的漏極電極位置對應(yīng)所述開口。所述薄膜晶體管的源極電極自數(shù)據(jù)信號線的一側(cè)邊延伸出并環(huán)繞漏極電極。補(bǔ)償電極自掃描信號線的另一側(cè)邊延伸出而對應(yīng)柵極電極。因此，本發(fā)明可減少漏極電極與柵極電極之間的寄生電容而不提高掃描信號線的阻值。
文檔編號H01L29/786GK102254917SQ201110189950
公開日2011年11月23日 申請日期2011年7月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月7日
發(fā)明者唐毓男, 張驄瀧, 王晶 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司