專利名稱：發(fā)光器件封裝的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光器件封裝。
背景技術：
發(fā)光器件例如可以包括發(fā)光二極管(LED)，發(fā)光二極管(LED)是能夠將電能轉換成光的半導體器件。包括發(fā)光器件的側視型發(fā)光器件封裝具有緊湊而纖細的本體。這種發(fā)光器件封裝已經應用在膝上型計算機、監(jiān)視器、電視機和各種其它顯示裝置中。然而，側視型發(fā)光器件封裝的纖細本體存在一定問題，限制了能夠安裝的發(fā)光器件的尺寸和數(shù)目。此外，由于其本體的尺寸很緊湊，所以該發(fā)光器件封裝的本體或者在該本體中填充的樹脂材料易于因為熱和光而發(fā)生熱分解。此外，當減少該發(fā)光器件封裝的尺寸時，其本體的尺寸以及引線框架的尺寸和厚度受到限制。近年來，對于在引線框架朝向本體的外表面彎曲時防止對發(fā)光器件封裝的本體造成損壞方面的研究已經取得了進展。

發(fā)明內容
實施例提供一種發(fā)光器件封裝，其能夠在引線框架彎曲時有效防止對發(fā)光器件封裝造成的損壞。根據(jù)一個實施例，提供了一種發(fā)光器件封裝，包括發(fā)光器件，該發(fā)光器件包括至少一個發(fā)光二極管；以及本體，該本體包括第一引線框架和第二引線框架，所述發(fā)光器件安裝在該第一引線框架上，該第二引線框架與第一引線框架間隔開，其中，所述第一引線框架和第二引線框架中的至少一個引線框架沿著第一方向從所述本體的外表面以預定長度延伸到彎曲區(qū)域，然后沿著與該第一方向交叉的第二方向彎曲。根據(jù)另一實施例，提供了一種發(fā)光器件封裝，包括發(fā)光器件，該發(fā)光器件包括至少一個發(fā)光二極管；以及本體，該本體包括第一引線框架和第二引線框架，所述發(fā)光器件安裝在該第一引線框架上，該第二引線框架與第一引線框架間隔開，其中，所述第一引線框架和第二引線框架中的至少一個引線框架沿著第一方向從所述本體的外表面以預定長度延伸到彎曲區(qū)域，然后沿著與該第一方向交叉的第二方向彎曲，并且其中，所述本體具有與所述發(fā)光器件鄰近的多個內表面，并且所述多個內表面中的第一內表面和第二內表面中的至少一個設置有延伸部，該延伸部在朝向發(fā)光器件的方向上延伸并且與所述第一引線框架及第二引線框架中的至少一個引線框架的上部接觸。根據(jù)實施例，以如下方式來執(zhí)行在該發(fā)光器件封裝處設置的引線框架的彎曲即， 引線框架超出封裝本體的外表面地向外延伸，然后經受彎曲而與本體的外表面齊平，有利地，這可以使引線框架彎曲時對本體造成的損害最小。此外，根據(jù)實施例，這些發(fā)光器件設置在引線框架上從而在本體的縱向中心軸線上對準，這可以提高從小型發(fā)光器件封裝發(fā)射的光的亮度均勻性。


將參考以下附圖來詳細描述實施例，其中相同的附圖標記表示相同的元件，其中圖1是圖示了根據(jù)第一實施例的發(fā)光器件封裝的頂部透視圖；圖2是圖示了在圖1所示的發(fā)光器件封裝中包括的引線框架的構造的平面圖；圖3是圖示了引線框架被朝向圖1所示的發(fā)光器件封裝的本體的外表面彎曲的狀態(tài)的平面圖；圖4是圖示了圖1所示的第一引線框架的構造的視圖；圖5是圖示了圖1所示的第二引線框架的構造的視圖；圖6是圖示了本體和上電極之間的布置關系的參考圖；圖7是圖示了本體和下電極之間的布置關系的參考圖；圖8是圖示了當下電極在從本體向內的位置處彎曲時發(fā)生破裂的可能性的構想圖；圖9是圖示了發(fā)光器件和靜電放電(ESD)器件之間的連接的參考圖；圖10是圖示了包括在根據(jù)實施例的發(fā)光器件封裝中的發(fā)光器件之間的布線的參考圖；圖11是圖示了圖1所示的發(fā)光器件封裝的第二實施例的平面圖；圖12是圖示了圖11所示的發(fā)光器件封裝的本體的內表面的局部透視圖；圖13是圖示了包括根據(jù)實施例的發(fā)光器件封裝的背光單元的第一實施例的透視圖；圖14是圖示了包括根據(jù)實施例的發(fā)光器件封裝的、背光單元的第二實施例的透視圖；并且圖15是圖示了包括根據(jù)實施例的發(fā)光器件封裝的、照明設備的透視圖。
具體實施例方式在下文中，將參考附圖來詳細描述示例性實施例，其中，在說明書和附圖的所有地方均使用相同的附圖標記來表示相同或基本相同的器件。應當理解，在這些圖中，當一個層 (或者膜、區(qū)域、圖案或基板)被稱為在另一個層(或者膜、區(qū)域、圖案或基板)“上”或“下” 時，它可以直接位于另一個層(或者膜、區(qū)域、圖案或基板)上或下，或者也可以存在有中間層。在這些圖中，為了圖示的清楚起見，各個層或膜的尺寸(例如大小或厚度)可以被夸大、省略或示意性地示出。因此，這些圖中的器件的尺寸并不完全反映各個器件的真實尺寸。在此描述的角度和方向是以圖中示出的那些角度和方向為基礎的。未在這里清楚描述的LED陣列結構的角度和位置的基準點是以圖中示出的那些基準點為基礎的。圖1是圖示了根據(jù)第一實施例的發(fā)光器件封裝的頂部透視圖，圖2是圖示了在圖1 所示的發(fā)光器件封裝中包括的引線框架的構造的平面圖，而圖3是圖示了引線框架被朝向圖1所示的發(fā)光器件封裝的本體的外表面彎曲的狀態(tài)的平面圖。參考圖1至圖3，該發(fā)光器件封裝包括發(fā)光器件30、40、50以及本體10，該本體10 包括第一引線框架92和第二引線框架91，發(fā)光器件30、40和50設置在第一引線框架92 上，該第二引線框架91與第一引線框架92分隔開，本體10在內部、在第一引線框架92和第二引線框架91之上限定有空腔20。所述多個發(fā)光器件30、40和50可以設置在第一引線框架92上并且在本體10的縱向中心軸線R上對準?？梢栽O置有耐受外部ESD沖擊的靜電放電(ESD)器件60，以防止對發(fā)光器件30、 40和50造成損壞。在此情形中，ESD器件60可以與發(fā)光器件30、40和50中的至少一個并聯(lián)。與第一引線框架92設有單個發(fā)光器件(未示出)時相比，當設有多個發(fā)光器件 30,40和50時，能夠減小每個發(fā)光器件的尺寸、發(fā)光量和發(fā)熱量。例如，如果第一引線框架92設有單個0. 3W級發(fā)光器件，則0. 3W級發(fā)光器件的尺寸、發(fā)光量和發(fā)熱量必然大于0. IW級發(fā)光器件的尺寸、發(fā)光量和發(fā)熱量。當利用三個0. Iff級發(fā)光器件來代替單個0. 3W級發(fā)光器件時，每個0. Iff級發(fā)光器件的發(fā)光量和發(fā)熱量大致為0. 3W級發(fā)光器件的發(fā)光量和發(fā)熱量的三分之一。在假定同一制造商使用同一技術制造出不同種類的發(fā)光器件封裝的情況下，將能清楚地理解以上描述。因此，在該實施例中，每個均具有較低功率的多個發(fā)光器件30、40和50可以設置在第一引線框架92上，并沿著中心軸線R以預定的間隔布置。利用這種構造，由發(fā)光器件30、40和50產生的光和熱能夠以遍布在整個空腔20 內的方式均勻分布，這能夠使本體10、空腔20或者在空腔20中填充的樹脂材料(未示出) 的熱分解最小化?？涨?0具有開口，從發(fā)光器件30、40和50發(fā)射的光通過該開口，被引導到外部。 可以將樹脂材料填充到空腔20中，以將發(fā)光器件30、40和50與外界隔離或者改變從發(fā)光器件30、40和50發(fā)出的光的屬性。該樹脂材料可以包括磷光體和光漫射材料中的至少一種。根據(jù)從發(fā)光器件30、40和50發(fā)射的光的波長，該樹脂材料可以含有一種磷光體或者含有兩種或更多種磷光體?？商娲兀摌渲牧峡梢园ê辛坠怏w的第一樹脂材料(未示出)和不含磷光體的第二樹脂材料，所述第一樹脂材料和第二樹脂材料彼此疊置在空腔20內。例如，如果發(fā)光器件30、40和50適于發(fā)射藍色光并且根據(jù)實施例的發(fā)光器件封裝要求發(fā)射白光，則該樹脂材料可以包含黃色磷光體。當然，可以根據(jù)從發(fā)光器件封裝發(fā)射的光的期望波長來確定該樹脂材料中含有的磷光體。
發(fā)光器件30、40和50可以共同連接到單個ESD器件60。該ESD器件60可以保護根據(jù)實施例的發(fā)光器件免于過壓、電涌、靜電和其它噪聲。ESD器件60可以是齊納(kner) 二極管、壓敏電阻(Varistor)或者瞬態(tài)電壓抑制 (TVS) 二極管。在本實施例中，在第二引線框架91上設有單個ESD器件60。發(fā)光器件30、40和50具有連接在一起的陽極端子和連接在一起的陰極端子。具體地，發(fā)光器件30的陽極端子、發(fā)光器件40的陽極端子、和發(fā)光器件50的陽極端子具有共同連接點。類似地，發(fā)光器件30、40和50的陰極端子也具有共同連接點。ESD器件60連接到發(fā)光器件30、40和50的共陽極端子，例如連接到第二引線框架 91，并且還連接到發(fā)光器件30、40和50的共陰極端子，例如連接到第一引線框架92。利用這種連接，與ESD器件連接到多個發(fā)光器件中的每一個發(fā)光器件的傳統(tǒng)ESD器件連接方法相比，能夠最小化該ESD器件60的面積。如上所述，在根據(jù)實施例的發(fā)光器件封裝中，三個發(fā)光器件30、40和50可以設置在第一引線框架92上，并且單一 ESD器件60可以設置在第二引線框架91上。第一引線框架92可以包括暴露于本體10的外部并且與發(fā)光器件30、40和50的共陰極端子相對應的下電極80。第二引線框架91可以包括暴露于本體10的外部并且與發(fā)光器件30、40和50的共陽極端子相對應的上電極70。上電極70從本體10的縱向上表面處暴露，從而把由發(fā)光器件30、40和50產生的熱量的一部分散發(fā)到空氣中。下電極80適于通過印刷電路板(未示出)來發(fā)出熱量，當根據(jù)該實施例的發(fā)光器件封裝被焊接到該印刷電路板(未示出)時，該印刷電路板電連接到下電極80。上電極70的部分區(qū)域嵌入在空腔20中并且連接到各個發(fā)光器件30、40和50的陽極端子或陰極端子中的任一個。暴露于本體10外部的上電極70的其余區(qū)域朝向本體10 的縱向外表面15彎曲。在此情形中，如果上電極70的彎曲區(qū)域BD沒有足夠地支承本體10，例如，如果上電極70未能支承本體10，則使得本體10變得與上電極70分離，則本體10可能由于在本體 10和上電極70之間的間隙而破裂。另外，因為上電極70的彎曲區(qū)域BD被圍繞用作支點的本體10彎曲，所以本體10 的與彎曲區(qū)域BD接觸的部分可能會損壞或凹陷，或者可能在上電極70彎曲時破裂。為了防止本體10在上電極70的彎曲區(qū)域BD處凹陷或破裂，優(yōu)選在使上電極70 朝向本體10的外表面15彎曲之前，先使上電極70超過本體10的外表面15地向外延伸。并且，第一引線框架92和第二引線框架91中的至少一個引線框架相對于本體10 的外表面15以一定的彎曲角度(未示出)彎曲，并且該彎曲角度在30度到90度的范圍內。在圖2中，上電極70被圖示為超出本體10的外表面15地向外延伸一段預定長度 tl。此后，如圖3所示，上電極70可以朝向外表面15彎曲。在上電極70朝向本體10的外表面15彎曲的狀態(tài)下，上電極70的內表面優(yōu)選與本體10的外表面15齊平，并且上電極70的外表面優(yōu)選向外高于本體10的外表面15?？梢曰谏想姌O70的厚度來確定上電極70超出本體10的外表面15的預定長度 tl。在該實施例中，上電極70超出外表面15的預定長度tl可以是上電極70的厚度
7的0. 7倍至0. 9倍。例如，如果假設上電極70的厚度是1mm，則上電極70以0. 7mm至0. 9mm的預定長度tl從外表面15延伸，然后朝向外表面15彎曲，從而如圖3所示地與外表面15形成緊密接觸。采用上電極70的厚度的0. 7倍至0. 9倍的比率是為了允許上電極70以與上電極 70的厚度成比例的方式從外表面15延伸。 即，考慮到以下事實來確定該預定長度11 S卩，上電極70的厚度越大，則上電極70 的彎曲區(qū)域BD的內表面和外表面之間的距離越大。因此，在該實施例中，考慮到該彎曲區(qū)域BD的內表面和外表面之間的、增加的距離，作為使上電極70在本體10的外表面15處直接彎曲的替代，在上電極70朝向本體10 的外表面15彎曲之前，先使上電極70以其厚度的0. 7倍至0. 9倍的預定長度tl從上電極 70及本體10之間的界面處延伸。這允許上電極70的內表面與本體10無間隙地形成緊密接觸，防止了當上電極70向本體10施加過大的力時而對本體10造成的損壞。圖1到圖3圖示了朝向本體10彎曲該上電極70的操作。然而，當然應該理解，也能夠使下電極80以與上電極70相同的方式朝向本體10彎曲。類似地，下電極80能夠以其厚度的0. 7倍至0. 9倍的長度從下電極80和本體10 之間的界面處延伸，然后朝向本體10的相應外表面彎曲。下電極80的描述將由上電極70 的彎曲操作代替。再次參考圖2，三個發(fā)光器件30、40和50可以布置在第一引線框架92的中心軸線R上，第二引線框架91可以布置在發(fā)光器件30、40和50的上側，而第一引線框架92可以布置在發(fā)光器件30、40和50的下側。第二引線框架91可以是發(fā)光器件30、40和50的共陽極端子和共陰極端子中的任一個，而第一引線框架92可以是發(fā)光器件30、40和50的共陽極端子和共陰極端子中的另一個。假設發(fā)光器件30、40和50分別具有陽極端子和陰極端子，則發(fā)光器件30、40和50 的陽極端子和陰極端子可以分別共同連接到第一引線框架92和第二引線框架91。可以在第二引線框架91和第一引線框架92之間設置有絕緣壩(insulating dam) 100，以使引線框架91和92電絕緣。雖然圖中未示出，但其間插入有絕緣壩100的第二引線框架91和第一引線框架92 可以分別設有用于發(fā)光器件30、40、50與ESD器件60 (例如齊納二極管)的電連接的多個焊盤(未示出)。稍后將參考附圖來詳細描述這一點。圖4是圖示了圖1所示的第一引線框架的構造的視圖，而圖5是圖示了圖1所示的第二引線框架的構造的視圖。首先參考圖4，當發(fā)光器件封裝被焊接到印刷電路板(未示出)時，下電極80可以用來散發(fā)熱量。參考圖5，上電極70和第二引線框架91可以采取金屬板的形式。暴露于本體10 外部的上電極70可以具有適合于實現(xiàn)增強的散熱特性的U形形狀。優(yōu)選地，當圖4所示的第一引線框架92和圖5所示的第二引線框架91彼此鄰近地布置時，它們相互接合。
具體地，第二引線框架91和第一引線框架92可以彼此疊置地布置，從而第二引線框架91的向下突出的凸出區(qū)域91a和91b接合到第一引線框架92的凹部區(qū)域9 和92b中。圖6是圖示了本體和上電極之間的布置關系的參考圖，而圖7是圖示了本體和下電極之間的布置關系的參考圖。首先，參考圖6，上電極70能夠以上電極70的厚度t的0. 8倍的預定長度從外表面15沿第一方向A向外延伸，之后可以彎曲成與外表面15齊平。該圖示出了上電極70，該上電極70以其厚度0. 8倍的預定長度沿第一方向A延伸，似乎應從外表面15向外極大地凸升。然而，因為上電極70或下電極80的厚度在0. Imm 至0. 3mm的范圍內，所以當上電極70以其厚度0. 8倍(即80% )的長度延伸時，彎曲的上電極70看起來與外表面15基本齊平。下面，參考圖7，下電極80能夠以與其厚度d2相等的長度沿第一方向A延伸，之后可以沿第二方向B彎曲，從而平行于本體10的外表面15。當下電極80在本體10的彎曲區(qū)域DB處開始沿第二方向B彎曲時，優(yōu)選該下電極80的內表面的彎曲開始位置Cl與本體 10的邊緣豎直對準。但是，下電極80的外表面的彎曲開始位置C2不與本體10的邊緣豎直對準。下電極80的外表面的彎曲開始位置C2可以隨著厚度d2而改變。 或者，該彎曲開始位置C2處設置有凹槽(未示出)，并且該凹槽具有V形或U形形狀。這允許下電極80在其彎曲期間向本體10施加最小的沖擊并且足以支承該本體 10。如果彎曲開始位置Cl以距離dl從本體10的邊緣向內移位，則在本體10和下電極80之間的界面處出現(xiàn)間隙，從而在下電極80的相應位置處引起破裂。并且，上電極70與外表面15之間的距離(未示出)是上電極70和下電極80中的至少一個電極的厚度的0. 1倍至0. 9倍?；蛘?，該距離等于所述預定長度。現(xiàn)在將參考圖8來描述當下電極80在從本體10向內移位的位置處開始彎曲時而引起的破裂。圖8概念性地圖示了當下本體80在從本體10向內移位的位置處彎曲時破裂的可能性。參考圖8，當下電極80在從本體10向內移位的位置處開始彎曲時，在下電極80和本體10的彎曲區(qū)域DB之間出現(xiàn)了間隙D，這防止了下電極80支承所述本體10的彎曲區(qū)域 DB。因此，本體10的未受到下電極80支承的彎曲區(qū)域DB較不能抵抗外部沖擊。隨著間隙D的增大，彎曲區(qū)域DB越來越脫離于下電極80，由此更不能抵抗外部沖擊。因此，下電極80有必要被構造為在彎曲區(qū)域DB和下電極80之間無間隙D的情況下支承該本體10的彎曲區(qū)域DB。圖9圖示了根據(jù)實施例的、發(fā)光器件封裝的發(fā)光器件和ESD器件之間的連接。這里，優(yōu)選參考以前側透視圖示出了根據(jù)實施例的發(fā)光器件的圖1來閱讀以下對圖9的描述。
參考圖9，該發(fā)光器件封裝包括發(fā)光器件30、40和50的共陽極端子和共陰極端子， 從而僅這兩個端子暴露于本體10的外部。因為ESD器件60的兩個端子連接到發(fā)光器件30、40和50的陰極端子和陽極端子， 所以能夠保護所有的發(fā)光器件30、40和50免于靜電放電沖擊。雖然ESD器件60被圖示為齊納二極管，但當然也可以使用壓敏電阻或TVS 二極管。這三個發(fā)光器件30、40、50以及單個ESD器件60、即這四個器件散布在本體10的整個底表面11上。在此情形中，發(fā)光器件30、40和50之間的距離可以大于圖9所示的發(fā)光器件之間的距離，這使得發(fā)光器件30、40和50之間的熱干擾較小。圖10是圖示了包括在根據(jù)實施例的發(fā)光器件封裝中的各個發(fā)光器件之間的布線的參考圖。優(yōu)選參考圖1來閱讀以下對圖10的描述。參考圖10，第二引線框架91、第一引線框架92和絕緣壩100設置在底表面11上， 該絕緣壩100使第一引線框架92和第二引線框架91相互電絕緣。第二引線框架91和第一引線框架92由薄的金屬膜或導電材料制成，以將發(fā)光器件30、40、50和ESD器件60相互電連接。第二引線框架91和第一引線框架92彼此通過絕緣壩100隔開。第二引線框架91 連接到上電極70，而第一引線框架92連接到下電極80。第二引線框架91和第一引線框架92設置有多個焊盤102至108，以將發(fā)光器件 30,40,50及ESD器件60焊接到第一引線框架92和第二引線框架91。焊盤102、105和107電連接到第二引線框架91，而焊盤103、104、106和108電連接到第一引線框架92。第二引線框架91和第一引線框架92彼此經由ESD器件60而連接。ESD器件60 用于保護所有的發(fā)光器件30、40和50免受靜電放電沖擊。焊盤102和焊盤104分別連接到發(fā)光二極管50的端子51和52，以便能夠向發(fā)光二極管50的陽極端子和陰極端子供應電力。焊盤105和焊盤106分別連接到發(fā)光二極管40的端子41和42，以便能夠向發(fā)光二極管40的陽極端子和陰極端子供應電力。焊盤107和焊盤108分別連接到發(fā)光二極管30的端子31和32，以便能夠向發(fā)光二極管30的陽極端子和陰極端子供應電力。這里，雖然可以將正電壓和負電壓分別施加到第二引線框架91和第一引線框架 92，但也可與此相反，S卩，可把負電壓和正電壓分別施加到第二引線框架91和第一引線框架92?？梢曰谑┘拥降诙€框架91和第一引線框架92的電壓的極性來改變發(fā)光器件 30、40和50的極性。例如，如果正電壓被施加到第二引線框架91而負電壓被施加到第一引線框架92， 則發(fā)光器件50的端子51用作陽極端子而端子52用作陰極端子。類似地，發(fā)光器件40的端子41和42分別用作陽極端子和陰極端子。絕緣壩100由硅樹脂、環(huán)氧樹脂或其它非導電材料制成。然而，如果第二引線框架 91和第一引線框架92由金屬制成，則絕緣壩100可以用于使第二引線框架91和第一引線框架92彼此絕緣。
圖11是圖示了圖1所示的發(fā)光器件封裝的第二實施例的平面圖，而圖12是圖示了圖11所示的發(fā)光器件封裝的本體的內表面的局部透視圖。將不再描述或者將簡要地描述圖11中的與圖1至圖3重復的構造。參考圖11，本體10的多個相互交叉的內表面中的第一內表面和第二內表面(未示出)中的至少一個可以設置有從空腔20向內延伸的第一延伸部111和第二延伸部112，所述多個相互交叉的內表面形成了本體10的空腔20。在本實施例中，第一延伸部111、第二延伸部112與第二引線框架91的上部接觸。 雖然本實施例中僅描述了兩個延伸部，但延伸部的數(shù)目和位置不限于此。第二引線框架91的上部附接到本體10的第一延伸部111和第二延伸部112，這允許第二引線框架91牢固地固定到本體10。第一延伸部111和第二延伸部112可以通過注射成型而與本體10 —體地形成，或者它們可以被分開地預制并然后聯(lián)接到本體10，但本發(fā)明不限于此。與本體10 —體地形成的第一延伸部111和第二延伸部112可以為第二引線框架 91提供更牢固的固定。當嘗試結合該第一延伸部111和第二延伸部112時，優(yōu)選將第一延伸部111和第二延伸部112結合到本體10和第二引線框架91這兩者，從而將第二引線框架91固定到本體10。在此情形中，第一延伸部111和第二延伸部112彼此能夠以IOOym至400μπι的
距離分隔開。第一延伸部111和第二延伸部112可以分別朝向發(fā)光器件50和發(fā)光器件40進一步延伸，以提高本體10的氣密性。第一延伸部111和第二延伸部112分別布置于在第二引線框架91上設置的焊盤 105的左側和右側，并且第一延伸部111和第二延伸部112彼此以距離d3分隔開。S卩，焊盤105位于第一延伸部111和第二延伸部112之間。為此，距離d3可以等于電極的寬度，例如可以設定為300 μ m。當然，距離d3可以根據(jù)該電極的尺寸而變化，并不限于上述值。當存在位于焊盤105的左側和右側的第一延伸部111和第二延伸部112的情況下，第二引線框架91能夠與本體10牢固地形成緊密接觸。另外，第一延伸部111和第二延伸部112允許第二引線框架91在無扭曲的情況下固定到本體10。在此情形中，第一延伸部111和第二延伸部112可以與本體10 —體地注射成型， 或者可以結合到本體10。雖然本實施例將第一延伸部111和第二延伸部112描述為嵌入在第二引線框架91 的上部區(qū)域中，但第一延伸部111和第二延伸部112也可延伸到第二引線框架91的下部區(qū)域，從而甚至嵌入在第二引線框架91的下端區(qū)域中。在第一延伸部111和第二延伸部112嵌入在第二引線框架91的局部區(qū)域中之后， 可以將密封材料填充到空腔20中，以將第二引線框架91、第一引線框架92、絕緣壩100與外界隔離。填充到空腔20中的密封材料可以含有磷光體。參考圖12，第一延伸部111與本體10—體地形成，從而限定空腔20的局部外周表面，并且第一延伸部111嵌入在第二引線框架91的局部區(qū)域中。第一延伸部111的縱向端部、即第一延伸部111的朝向第二引線框架91突出的遠側部分被圖示為垂直于底表面11，第一延伸部111的縱向端部也可相對于底表面11傾斜或呈階狀。優(yōu)選的是，第一延伸部111和第二延伸部112的寬度比用于發(fā)光器件30、40和50 的連接的焊盤(例如，焊盤105)的寬度大。而且，重要的是，焊盤105布置在第一延伸部 111和第二延伸部112之間。假設第二引線框架91的寬度是“dl”并且嵌入在第二引線框架91中的第一延伸部111的寬度是“d2”，則當d2/dl的值增大時，第二引線框架91能夠更牢固地固定到本體 10。然而，因為增大d2/dl的值可能會限制底表面11的電極布置區(qū)域，所以優(yōu)選適當?shù)卦O定d2/dl的值。如果d2/dl的值對電極的布置沒有影響，則它可以設定為1。第一延伸部111和第二延伸部112分別可以具有寬度til和寬度tl3，并且彼此能夠以布置該焊盤105所需的距離tl2分隔開。第一延伸部111和第二延伸部112能夠以長度d2從本體10突出。該長度d2可以在10 μ m至100 μ m的范圍內。當然，如果能夠保證發(fā)光器件30、40和50的足夠大的安裝區(qū)域，則第一延伸部111和第二延伸部112可以突出超過上述值。另外，考慮到焊盤105的布置，第一延伸部111和第二延伸部112彼此能夠以距離 tl2間隔開。如果焊盤105具有圓形形狀，則距離tl2優(yōu)選大于焊盤105的直徑。如果焊盤105 具有矩形形狀，則距離tl2優(yōu)選大于焊盤105的長軸的長度。第一延伸部111和第二延伸部112嵌入在第二引線框架91的上端區(qū)域中，由此將第二引線框架91固定到本體10。雖然在圖中未示出，但第一延伸部111和第二延伸部112 也可以形成在第一引線框架92處。在此情形中，第一延伸部111和第二延伸部112可以形成在第一引線框架92的下端。圖13是圖示了包括根據(jù)上述實施例的發(fā)光器件封裝的背光單元的第一實施例的透視圖。參考圖13，該背光單元可以包括下部容納構件300、用于輸出光的發(fā)光器件模塊 310、鄰近該發(fā)光器件模塊310布置的導光板320、以及多個光學片(未示出)。所述多個光學片(未示出)可以位于導光板320之上。發(fā)光器件模塊310可以包括多個發(fā)光器件314，這些發(fā)光器件314設置在印刷電路板312上而形成陣列。印刷電路板312可以選自金屬芯印刷電路板(MCPCB)、阻燃劑成分 4(FR-4)PCB和各種其它PCB。另外，根據(jù)背光組件的構造，印刷電路板312可以具有矩形板形狀，或者具有各種其它形狀。導光板320將從發(fā)光器件314發(fā)射的光轉換成平面光，由此將光引導到液晶顯示面板(未示出)。多個光學膜(未示出)和反射片(未示出)可以位于導光板320的后表面處，所述多個光學膜用于實現(xiàn)均勻的亮度分布和從導光板320引導的光的增強的豎直入射，所述反射片把已經穿過導光板320的后表面的光朝向導光板320反射。圖14是圖示了包括根據(jù)上述實施例的發(fā)光器件封裝的背光單元的第二實施例的透視圖。
圖14圖示了豎直型背光單元。參考圖14，該背光單元包括下部容納構件450、反射板420、多個發(fā)光器件模塊440和多個光學片430。 在此情形中，每一個發(fā)光器件模塊440均可以包括印刷電路板442，在該印刷電路板442上可以容易地設有形成陣列的多個發(fā)光器件444。每個發(fā)光器件444均可以在其底表面處設置有多個凸部，當發(fā)光器件444包括用于分別發(fā)射紅色(R)光、綠色(G)光和藍色(B)光從而產生白光的發(fā)光器件時，所述多個凸部可以提高紅色光、綠色光和藍色光的顏色混合效果。當然，即使當發(fā)光器件444適于僅發(fā)射白光時，在各個發(fā)光器件444的底表面處形成的凸部也可以確保均勻的光分布和光發(fā)射。反射板420可以由具有高反射率的材料制成以減少光損失。光學片430可以包括亮度增強片432、棱鏡片434和漫射片435中的至少一種。漫射片435可以用于漫射從發(fā)光器件444發(fā)射的光，以在朝向液晶顯示面板(未示出)引導光的同時在大范圍上為光提供均勻的亮度分布。棱鏡片434用于豎直地引導其上傾斜入射的光。具體地，為了豎直地引導已經經過漫射片435的光，可以在液晶顯示面板 (未示出)下方設置至少一個棱鏡片434。亮度增強片432用于在反射與透射軸線垂直的光的同時使光平行于其透射軸線地透射。圖15是圖示了包括根據(jù)上述實施例的發(fā)光器件封裝的照明設備的透視圖。參考圖15，照明設備500包括燈罩502和布置在燈罩502的表面處的發(fā)光器件封裝501a至501η。雖然在圖中未示出，但還設置有電源裝置，以向各個發(fā)光器件封裝501至 501η供應電力。雖然圖15圖示了熒光燈類型的燈罩，但根據(jù)實施例的發(fā)光器件當然也可適用于普通的螺旋燈泡類型、平行熒光燈(FPL)類型、鹵素燈類型、金屬燈類型及各種其它類型和插座標準，但本發(fā)明不限于此。在該實施例中，照明系統(tǒng)中可以包括圖13至圖15所示的照明設備和背光單元，并且該照明系統(tǒng)中可以包括具有上述發(fā)光器件陣列的其它定向照明的設備，但本發(fā)明不限于此。上文已經參考其特征說明了各個實施例。對于本領域技術人員來說顯而易見的是，在不偏離實施例的更廣泛的精神和范圍的情況下，可以對其進行各種修改。此外，雖然已經在上下文中就它在具體環(huán)境中和用于具體應用的實施方面描述了實施例，但本領域技術人員將會認識到，本實施例的用途不限于此，而是能夠在任何數(shù)目的環(huán)境和實施中有益地應用該實施例。因此，應該在示意性而非限制性的意義上理解上文的描述和附圖。
權利要求
1.一種發(fā)光器件封裝，包括發(fā)光器件，所述發(fā)光器件包括至少一個發(fā)光二極管；以及本體，所述本體包括第一引線框架和第二引線框架，所述發(fā)光器件安裝在所述第一引線框架上，所述第二引線框架與所述第一引線框架間隔開，其中，所述第一引線框架和所述第二引線框架中的至少一個引線框架沿著第一方向從所述本體的外表面以預定長度延伸到彎曲區(qū)域，然后沿著與所述第一方向交叉的第二方向彎曲。
2.一種發(fā)光器件封裝，包括發(fā)光器件，所述發(fā)光器件包括至少一個發(fā)光二極管；以及本體，所述本體包括第一引線框架和第二引線框架，所述發(fā)光器件安裝在所述第一引線框架上，所述第二引線框架與所述第一引線框架間隔開，其中，所述第一引線框架和所述第二引線框架中的至少一個引線框架沿著第一方向從所述本體的外表面以預定長度延伸到彎曲區(qū)域，然后沿著與所述第一方向交叉的第二方向彎曲，并且其中，所述本體具有與所述發(fā)光器件鄰近的多個內表面，并且所述多個內表面中的第一內表面和第二內表面中的至少一個設置有延伸部，所述延伸部在朝向所述發(fā)光器件的方向上延伸并且與所述第一引線框架及所述第二引線框架中的至少一個引線框架的上部接觸。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的發(fā)光器件封裝，其中，所述預定長度是所述第一引線框架和所述第二引線框架中的至少一個引線框架的厚度的0. 7倍至0. 9倍。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的發(fā)光器件封裝，其中，所述第一引線框架和所述第二引線框架中的至少一個引線框架包括與所述外表面鄰近的第一表面；以及與所述第一表面相反的第二表面，其中，所述第一表面與所述外表面之間的距離是所述第一引線框架和所述第二引線框架中的至少一個引線框架的厚度的0. 1倍至0. 9倍。
5.根據(jù)權利要求1或2所述的發(fā)光器件封裝，其中，所述第一引線框架和所述第二引線框架中的至少一個引線框架包括與所述外表面鄰近的第一表面；以及與所述第一表面相反的第二表面，其中，所述第一表面的至少一部分與所述外表面接觸。
6.根據(jù)權利要求4或5所述的發(fā)光器件封裝，其中，所述第一表面和所述第二表面中的至少一個表面在所述彎曲區(qū)域處設置有凹槽。
7.根據(jù)權利要求6所述的發(fā)光器件封裝，其中，所述凹槽具有V形或U形形狀。
8.根據(jù)權利要求1或2所述的發(fā)光器件封裝，其中，所述第一引線框架和所述第二引線框架中的至少一個引線框架的厚度在0. Imm至0. 3mm的范圍內。
9.根據(jù)權利要求1或2所述的發(fā)光器件封裝，其中，所述第一引線框架和所述第二引線框架中的至少一個引線框架的彎曲區(qū)域具有在30度至90度范圍內的彎曲角度。
10.根據(jù)權利要求1或2所述的發(fā)光器件封裝，其中所述第一引線框架包括凹部區(qū)域；并且所述第二引線框架包括朝向所述凹部區(qū)域的凸出區(qū)域。
11.根據(jù)權利要求10所述的發(fā)光器件封裝，還包括至少一個第一焊盤，所述至少一個第一焊盤鄰近于所述凹部區(qū)域定位并且連接到所述發(fā)光器件的第一端子；以及至少一個第二焊盤，所述至少一個第二焊盤位于所述凸出區(qū)域中并且連接到所述發(fā)光器件的第二端子，其中，所述第二焊盤的至少一部分與所述第一焊盤重疊。
12.根據(jù)權利要求11所述的發(fā)光器件封裝，其中所述至少一個第一焊盤和所述至少一個第二焊盤分別包括多個第一焊盤和多個第二焊盤；并且所述多個第一焊盤中的至少一個第一焊盤與所述多個第二焊盤中的至少一個第二焊盤至少部分重疊。
13.根據(jù)權利要求11所述的發(fā)光器件封裝，其中，所述第一焊盤和所述第二焊盤、所述凹部區(qū)域以及所述凸出區(qū)域被設置成數(shù)目相等。
14.根據(jù)權利要求1或2所述的發(fā)光器件封裝，其中，所述本體在所述第一引線框架和所述第二引線框架之上具有空腔，并且所述發(fā)光器件封裝還包括在所述空腔中形成的樹脂材料。
15.根據(jù)權利要求14所述的發(fā)光器件封裝，其中，所述樹脂材料包括磷光體和光漫射材料中的至少一種。
16.根據(jù)權利要求14所述的發(fā)光器件封裝，其中，所述樹脂材料包括至少兩種磷光體。
17.根據(jù)權利要求14所述的發(fā)光器件封裝，其中，所述樹脂材料具有包括至少兩個層的成型結構。
18.根據(jù)權利要求2所述的發(fā)光器件封裝，其中，所述延伸部與所述本體一體地形成。
19.根據(jù)權利要求18所述的發(fā)光器件封裝，其中，所述延伸部包括第一延伸部；以及第二延伸部，所述第二延伸部與所述第一延伸部間隔開。
20.根據(jù)權利要求19所述的發(fā)光器件封裝，其中，所述第一延伸部的長度等于或大于所述第二延伸部的長度。
21.根據(jù)權利要求19所述的發(fā)光器件封裝，其中，所述第一延伸部與所述第二延伸部之間的距離在ΙΟΟμπι至400μπι的范圍內。
22.根據(jù)權利要求19所述的發(fā)光器件封裝，其中，所述第一延伸部和所述第二延伸部中的至少一個延伸部的寬度在IOym至IOOym的范圍內。
23.根據(jù)權利要求19所述的發(fā)光器件封裝，其中，所述第一延伸部和所述第二延伸部的長度小于所述第一引線框架和所述第二引線框架中的至少一個引線框架的寬度。
24.根據(jù)權利要求19所述的發(fā)光器件封裝，其中，所述第一延伸部和所述第二延伸部分別與所述第一內表面及所述第二內表面中的至少一個內表面一體地形成。
25.一種照明系統(tǒng)，其包括根據(jù)權利要求1至M中的任一項所述的發(fā)光器件封裝。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種發(fā)光器件封裝，該發(fā)光器件封裝包括發(fā)光器件，該發(fā)光器件包括至少一個發(fā)光二極管；以及本體，該本體包括第一引線框架和第二引線框架，所述發(fā)光器件安裝在該第一引線框架上，該第二引線框架與第一引線框架間隔開，其中，第一引線框架和第二引線框架中的至少一個引線框架沿著第一方向從所述本體的外表面以預定長度延伸到彎曲區(qū)域，然后沿著與第一方向交叉的第二方向彎曲。
文檔編號H01L25/075GK102315207SQ20111019100
公開日2012年1月11日 申請日期2011年7月1日 優(yōu)先權日2010年7月1日
發(fā)明者尹載畯 申請人:Lg伊諾特有限公司