專利名稱：具有集成電路與發(fā)光二極管的異質(zhì)整合結(jié)構(gòu)及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)一種異質(zhì)整合技術(shù)，特別是關(guān)于一種具有集成電路與發(fā)光二極管的異質(zhì)整合結(jié)構(gòu)及其制作方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,LED)是一種冷光發(fā)光元件，其利用半導(dǎo)體材料中電子電洞結(jié)合所釋放出的能量，以光的形式釋出。依據(jù)使用材料的不同，其可發(fā)出不同波長的單色光。主要可區(qū)分為可見光發(fā)光二極管與不可見光(紅外線)發(fā)光二極管兩種， 由于發(fā)光二極管相較于傳統(tǒng)燈泡發(fā)光的形式，具有省電、耐震及閃爍速度快等優(yōu)點，因此成為日常生活中不可或缺的重要元件?，F(xiàn)有技術(shù)的制作具有散熱效果的發(fā)光二極管的各步驟結(jié)構(gòu)剖視圖，如圖1(a)至圖1(c)所示，如圖1(a)所示，首先于藍寶石基板10上沈積制作發(fā)光二極管12，接著如圖 1(b)所示，再利用金屬接著(metal adhesive)層14與高熱傳導(dǎo)的硅基板16進行接合，最后如圖1(c)所示，再將藍寶石基板10進行移除。在此發(fā)光二極管12與硅基板16的接合， 主要在于利用高熱傳導(dǎo)的硅基板16幫助散熱，發(fā)光二極管12與硅基板16間并無任何電性連接功效，而接合方式上乃利用整層的金屬接著層14進行接合，以助于發(fā)光二極管12產(chǎn)生的熱可向下傳導(dǎo)至硅基板16順利散熱。雖然以往的技術(shù)有利用硅基板16來散熱，但發(fā)光二極管12的制作主要仍為高溫制程，對于高熱預(yù)算(thermal budget)與熱應(yīng)力的產(chǎn)生，也無法免除。此外，此種發(fā)光二極管并未與功能性集成電路整合。因此，本發(fā)明在針對上述的困擾，提出一種具有集成電路與發(fā)光二極管的異質(zhì)整合結(jié)構(gòu)及其制作方法，以解決現(xiàn)有所產(chǎn)生的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的，在于提供一種具有集成電路與發(fā)光二極管的異質(zhì)整合結(jié)構(gòu)及其制作方法，其利用金屬與接合塊的混合型接合(hybrid bonding)方式將集成電路與發(fā)光二極管做堆疊連接，使集成電路與發(fā)光二極管之間除了有散熱功能外，更有電訊上的連接功用，以達到高密度、多功能的異質(zhì)整合技術(shù)開發(fā)與應(yīng)用。為達上述目的，本發(fā)明提供一種具有集成電路與發(fā)光二極管的異質(zhì)整合結(jié)構(gòu)，包含一集成電路，其表面設(shè)有至少一接合結(jié)構(gòu)與至少一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，以與所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接。另有一發(fā)光二極管，其具相異兩側(cè)的一個第一面及第二面，所述發(fā)光二極管的所述第一面位于所述接合結(jié)構(gòu)與所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上，以與所述集成電路相結(jié)合，且使所述發(fā)光二極管電性連接所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。其中所述接合結(jié)構(gòu)更包含一個第一接合塊，其設(shè)于所述表面上； 以及一個第二接合塊，其設(shè)于所述第一面上，并與所述第一接合塊相接合。其中所述第一、 第二接合塊的材質(zhì)為環(huán)氧樹脂基光阻(SU-8)。其中所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)更包含一個第一導(dǎo)電塊，其設(shè)于所述表面上，以與所述集成電路電性連接；以及一個第二導(dǎo)電塊，其設(shè)于所述第一面上，以與所述發(fā)光二極管電性連接，且所述第二導(dǎo)電塊與所述第一導(dǎo)電塊相接合，并電性連接之。其中所述第一、第二導(dǎo)電塊為金屬材質(zhì)。其中所述第一導(dǎo)電塊更包含一高溫接合金屬塊，其設(shè)于所述表面上，以與所述集成電路電性連接；以及一低溫接合金屬塊，其接合所述高溫接合金屬塊與所述第二導(dǎo)電塊，以電性連接之。其中所述低溫接合金屬塊的材質(zhì)為錫(Sn)或銦(In)。其中所述發(fā)光二極管更設(shè)有至少一導(dǎo)電通孔，其與所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接，且所述第二面更設(shè)有至少一個第三導(dǎo)電塊，其與所述導(dǎo)電通孔電性連接。其中所述第三導(dǎo)電塊為金屬材質(zhì)。本發(fā)明也提供一種具有集成電路與發(fā)光二極管的異質(zhì)整合結(jié)構(gòu)的制作方法，首先，提供一集成電路與一發(fā)光二極管，所述集成電路的表面設(shè)有至少一個第一導(dǎo)電塊與至少一個第一接合塊，以與所述第一導(dǎo)電塊電性連接，所述發(fā)光二極管具有相異兩側(cè)的一個第一、第二面，所述第一面設(shè)有至少一個第二導(dǎo)電塊與至少一個第二接合塊，以與所述第二導(dǎo)電塊電性連接。接著，所述集成電路將所述第一導(dǎo)電塊與所述第一接合塊分別與所述第二導(dǎo)電塊與所述第二接合塊對應(yīng)接合，以與所述發(fā)光二極管相結(jié)合，并使所述第一、第二導(dǎo)電塊電性連接。其中提供設(shè)有所述第一導(dǎo)電塊與所述第一接合塊的所述集成電路的步驟更包含下列步驟形成所述第一導(dǎo)電塊于所述表面，以與所述集成電路電性連接；以及形成所述第一接合塊于所述表面。其中形成所述第一導(dǎo)電塊是以光微影、電鍍及蝕刻制程進行， 形成所述第一接合塊是以光微影制程進行。其中形成所述第一導(dǎo)電塊于所述表面上的步驟更包含下列步驟形成一高溫接合金屬塊于所述表面上，以與所述集成電路電性連接；以及形成一低溫接合金屬塊于所述高溫接合金屬塊上，以與所述高溫接合金屬塊電性連接。 其中提供設(shè)有所述第二導(dǎo)電塊與所述第二接合塊的所述發(fā)光二極管的步驟更包含下列步驟形成所述第二導(dǎo)電塊于所述第一面，以與所述發(fā)光二極管電性連接；以及形成所述第二接合塊于所述第一面。其中形成所述第二導(dǎo)電塊是以光微影、電鍍及蝕刻制程進行，形成所述第二接合塊是以光微影制程進行。其中所述集成電路與所述發(fā)光二極管相結(jié)合的步驟中，是對所述第一、第二接合塊與所述第一、第二導(dǎo)電塊施以攝氏250 25度，以進行低溫接合。其中提供設(shè)有所述第二導(dǎo)電塊與所述第二接合塊的所述發(fā)光二極管的步驟中，所述發(fā)光二極管更設(shè)有至少一導(dǎo)電通孔，其與所述第二導(dǎo)電塊電性連接，且所述第二面更設(shè)有至少一個第三導(dǎo)電塊，其與所述導(dǎo)電通孔電性連接。其中提供設(shè)有所述第二導(dǎo)電塊、所述第二接合塊、所述導(dǎo)電通孔與所述第三導(dǎo)電塊的所述發(fā)光二極管的步驟中，更包含下列步驟: 形成所述第二導(dǎo)電塊于所述第一面，以與所述發(fā)光二極管電性連接；形成所述導(dǎo)電通孔于所述發(fā)光二極管中，以與所述第二導(dǎo)電塊電性連接；形成所述第三導(dǎo)電塊于所述第二面，并與所述導(dǎo)電通孔電性連接；以及于所述第一面形成所述第二接合塊。其中形成所述第二、 第三導(dǎo)電塊是以光微影、電鍍及蝕刻制程進行，形成所述第二接合塊是以光微影制程進行。 在所述集成電路將所述第一導(dǎo)電塊與所述第一接合塊分別與所述第二導(dǎo)電塊與所述第二接合塊對應(yīng)接合，以與所述發(fā)光二極管相結(jié)合，并使所述第一、第二導(dǎo)電塊電性連接的步驟后，更可進行一切割步驟，其是對所述集成電路及所述發(fā)光二極管進行切割，以成為復(fù)數(shù)異質(zhì)整合單元。與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明具有的有益效果是本發(fā)明不但具有散熱功能，更有電訊上的連接功用，可應(yīng)用于高密度、多功能的異質(zhì)整合技術(shù)。


圖1 (a)至圖1 (c)為背景技術(shù)的制作具散熱效果的發(fā)光二極管的各步驟結(jié)構(gòu)剖視圖；圖2為本發(fā)明的第一實施例的結(jié)構(gòu)剖視圖；圖3(a)至圖3(c)為本發(fā)明的制作第一實施例的各步驟結(jié)構(gòu)剖視圖；圖3(d)為本發(fā)明的第一實施例進行切割步驟示意圖；圖4為本發(fā)明的第二實施例的結(jié)構(gòu)剖視圖；圖5(a)至圖5(d)為本發(fā)明的制作第二實施例的各步驟結(jié)構(gòu)剖視圖；圖5(e)為本發(fā)明的第二實施例進行切割步驟示意圖。附圖標記說明10-藍寶石基板；12-發(fā)光二極管；14-金屬接著層；16-硅基板； 18-集成電路；20-接合結(jié)構(gòu)；22-導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；24-發(fā)光二極管；26-第一接合塊；28-第二接合塊；30-第二導(dǎo)電塊；32-高溫接合金屬塊；34-低溫接合金屬塊；36-第一導(dǎo)電塊；38-異質(zhì)整合結(jié)構(gòu)；40-異質(zhì)整合單元；42-導(dǎo)電通孔；44-第三導(dǎo)電塊；46-異質(zhì)整合結(jié)構(gòu)；48-異質(zhì)整合單元。
具體實施例方式以下先介紹本發(fā)明的第一實施例，請參閱圖2。本發(fā)明包含一集成電路18，其表面設(shè)有至少一接合結(jié)構(gòu)20與至少一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)22，并使集成電路18與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)22電性連接。 另有一發(fā)光二極管對，其具有相異兩側(cè)的一個第一面及第二面，發(fā)光二極管M的第一面位于接合結(jié)構(gòu)20與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)22上，以與集成電路18相結(jié)合，且使發(fā)光二極管M電性連接導(dǎo)電結(jié)構(gòu)22。在上述結(jié)構(gòu)中，集成電路18具有多功能，例如可提供發(fā)光二極管M電源，或作為邏輯控制處理器、存儲器、互補式金屬氧化半導(dǎo)體(CM0Q影像感測器、射頻集成電路等功能。相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明將硅基板以集成電路18來取代，因此在本發(fā)明中，集成電路 18與發(fā)光二極管M之間除了散熱外，更有電訊上的連接，以達到高密度及多功能的異質(zhì)整合技術(shù)開發(fā)與應(yīng)用。在接合結(jié)構(gòu)20中，更包含一個第一、第二接合塊沈、28，其材質(zhì)可選用如適用于攝氏250度以下的環(huán)氧樹脂基光阻(SU-8)的高分子材料，第一接合塊設(shè)于集成電路18的表面上，第二接合塊觀則設(shè)于發(fā)光二極管M的第一面上，并與第一接合塊沈相接合。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)22更包含材質(zhì)為金屬的一個第一導(dǎo)電塊與一個第二導(dǎo)電塊30，第一導(dǎo)電塊設(shè)于集成電路18的表面上，以與集成電路18電性連接，第二導(dǎo)電塊30設(shè)于發(fā)光二極管M的第一面上，以與發(fā)光二極管M電性連接，且第二導(dǎo)電塊30與第一導(dǎo)電塊相接合，并電性連接之。第一導(dǎo)電塊包含二結(jié)構(gòu)，其一為高溫接合金屬塊32，其設(shè)于集成電路18的表面上，以與集成電路18電性連接，另一為低溫接合金屬塊34，其接合高溫接合金屬塊32與第二導(dǎo)電塊30， 以電性連接之。其中低溫接合金屬塊34的材質(zhì)可選用如適用于攝氏250度以下的錫(Sn) 或銦(In)等的金屬材料。換言之，集成電路18與發(fā)光二極管M的連接是采用金屬及高分子材料混合型接合(hybrid bonding)方式，其中金屬部分提供電訊連接，高分子部分則提供結(jié)構(gòu)補強，其技術(shù)特點為金屬及高分子都為接合材料，如此，同時達到集成電路18與發(fā)光二極管M的電性連接及微間距高分子填充的效果，進而增加集成電路18與發(fā)光二極管 24的接合強度及堆疊元件使用上的可靠性。以下介紹第一實施例的制作方法，請參閱圖3(a)至圖3(d)。首先，如圖3(a)所示，先在集成電路18的表面上形成高溫接合金屬塊32，使高溫接合金屬塊32與集成電路 18電性連接，再在高溫接合金屬塊32上形成低溫接合金屬塊34，以與高溫接合金屬塊32 電性連接，此高溫接合金屬塊32與低溫接合金屬塊34便可構(gòu)成第一導(dǎo)電塊36。同時，在發(fā)光二極管M的第一面上形成第二導(dǎo)電塊30，以與發(fā)光二極管M電性連接，其中，形成高溫接合金屬塊32、低溫接合金屬塊34與第二導(dǎo)電塊30是以光微影、電鍍及蝕刻制程進行。 接著，如圖3(b)所示，分別在集成電路18的表面與發(fā)光二極管M的第一面形成第一、第二接合塊沈、28，且形成方式是以光微影制程進行。再來，如圖3(c)所示，由于發(fā)光二極管M 較適合低溫制程，且接合及導(dǎo)電材料也允許低溫制程，因此可對第一、第二接合塊沈、觀與第一、第二導(dǎo)電塊30、36施以攝氏250 25度的低溫，使集成電路18將第一導(dǎo)電塊36的低溫接合金屬塊34與第一接合塊沈分別與第二導(dǎo)電塊30與第二接合塊觀對應(yīng)接合，以與發(fā)光二極管M相結(jié)合，并使低溫接合金屬塊34、第二導(dǎo)電塊30電性連接，完成低溫接合的異質(zhì)整合結(jié)構(gòu)38。最后，如圖3(d)所示，更可執(zhí)行一切割步驟，其是對集成電路18及發(fā)光二極管M構(gòu)成的異質(zhì)整合結(jié)構(gòu)38進行切割，如利用圖3(c)中的虛線，以成為復(fù)數(shù)異質(zhì)整合單元40。在上述流程中，圖3(d)的步驟可以省略。此外，在圖3(a)的步驟中，其中形成高溫接合金屬塊32與低溫接合金屬塊34于集成電路18上的步驟，更可用直接在集成電路18 的表面上形成包含高溫接合金屬塊32與低溫接合金屬塊34的第一導(dǎo)電塊36的步驟來取代，其中必須使高溫接合金屬塊32位于低溫接合金屬塊34與集成電路18之間。還有，在圖3(a)至圖3(c)的流程中，圖3(a)與圖3(b)的步驟，可以用單一步驟取代，即直接提供集成電路18與發(fā)光二極管M，且集成電路18的表面設(shè)有至少一個第一導(dǎo)電塊36與至少一個第一接合塊26，以與第一導(dǎo)電塊36電性連接，發(fā)光二極管M具有相異兩側(cè)的第一、第二面，第一面設(shè)有至少一個第二導(dǎo)電塊30與至少一個第二接合塊28，以與第二導(dǎo)電塊30電性連接，其表示圖示與圖3(b)相同。接著，再進行圖3(c)的步驟。以下介紹本發(fā)明的第二實施例，請參閱圖4。第二實施例與第一實施例差別僅在于，第二實施例的發(fā)光二極管M更設(shè)有至少一導(dǎo)電通孔42，其與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)22的第二導(dǎo)電塊 30電性連接，且發(fā)光二極管M的第二面更設(shè)有材質(zhì)為金屬的至少一個第三導(dǎo)電塊44，其與導(dǎo)電通孔42電性連接。以下介紹第二實施例的制作方法，請參閱圖5 (a)至圖5 (e)。首先，如圖5 (a)所示， 先在集成電路18的表面上形成高溫接合金屬塊32，使高溫接合金屬塊32與集成電路18電性連接，再在高溫接合金屬塊32上形成低溫接合金屬塊34，以與高溫接合金屬塊32電性連接，此高溫接合金屬塊32與低溫接合金屬塊34便可構(gòu)成第一導(dǎo)電塊36。同時，在發(fā)光二極管M的第一面上形成第二導(dǎo)電塊30，以與發(fā)光二極管M電性連接，其中，形成高溫接合金屬塊32、低溫接合金屬塊34與第二導(dǎo)電塊30是以光微影、電鍍及蝕刻制程進行。接著， 如圖5(b)所示，先在發(fā)光二極管M中形成導(dǎo)電通孔42，以與第二導(dǎo)電塊30電性連接。接著，以光微影、電鍍及蝕刻制程，在發(fā)光二極管M的第二面形成第三導(dǎo)電塊44，并與導(dǎo)電通孔42電性連接，以利于發(fā)光二極管M安裝或堆疊其他元件。再來，如圖5 (c)所示，在集成電路18的表面與發(fā)光二極管M的第一面上分別形成第一、第二接合塊沈、28，且形成方式是以光微影制程進行。接著，如圖5(d)所示，與第一實施例的方式類似，對第一、第二接合塊沈、觀與第一、第二導(dǎo)電塊36、30施以攝氏250 25度的低溫，使集成電路18將第一導(dǎo)
8電塊36的低溫接合金屬塊34與第一接合塊沈分別與第二導(dǎo)電塊30與第二接合塊觀對應(yīng)接合，以與發(fā)光二極管對相結(jié)合，并使低溫接合金屬塊34、第二導(dǎo)電塊30電性連接，完成低溫接合的異質(zhì)整合結(jié)構(gòu)46。最后，如圖5(e)所示，更可執(zhí)行一切割步驟，其是對集成電路 18及發(fā)光二極管M構(gòu)成的異質(zhì)整合結(jié)構(gòu)46進行切割，如利用圖5(d)中的虛線，以成為復(fù)數(shù)異質(zhì)整合單元48。在上述流程中，圖5(e)的步驟可以省略。此外，在圖5(a)的步驟中，其中在集成電路18上形成高溫接合金屬塊32與低溫接合金屬塊34的步驟，更可用直接在集成電路18 的表面上形成包含高溫接合金屬塊32與低溫接合金屬塊34的第一導(dǎo)電塊36的步驟來取代，其中必須使高溫接合金屬塊32位于低溫接合金屬塊34與集成電路18之間。還有，在圖5(a)至圖5(d)的流程中，圖5(a)至圖5(c)的步驟，可以用單一步驟取代，即直接提供集成電路18與發(fā)光二極管M，且集成電路18的表面設(shè)有至少一個第一導(dǎo)電塊36與至少一個第一接合塊26，以與第一導(dǎo)電塊36電性連接，發(fā)光二極管M具有相異兩側(cè)的第一、第二面，第一面設(shè)有至少一個第二導(dǎo)電塊30與至少一個第二接合塊28，以與第二導(dǎo)電塊30電性連接，發(fā)光二極管M更設(shè)有至少一導(dǎo)電通孔42，其與第二導(dǎo)電塊30電性連接，且發(fā)光二極管M的第二面更設(shè)有至少一個第三導(dǎo)電塊44，其與導(dǎo)電通孔42電性連接，其表示圖示與圖 5(c)相同。接著，再進行圖5(d)的步驟。綜上所述，本發(fā)明不但具有散熱功能，更有電訊上的連接功用，可應(yīng)用于高密度、 多功能的異質(zhì)整合技術(shù)。以上說明對本發(fā)明而言只是說明性的，而非限制性的，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員理解， 在不脫離權(quán)利要求所限定的精神和范圍的情況下，可作出許多修改、變化或等效，但都將落入本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種具有集成電路與發(fā)光二極管的異質(zhì)整合結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一集成電路；至少一接合結(jié)構(gòu)，其設(shè)于該集成電路的表面；至少一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其設(shè)于該表面，并與該集成電路電性連接；以及一發(fā)光二極管，其具有位于不同側(cè)的一個第一面及一個第二面，該發(fā)光二極管的該第一面位于該接合結(jié)構(gòu)與該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上，以與該集成電路相結(jié)合，且使該發(fā)光二極管電性連接該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有集成電路與發(fā)光二極管的異質(zhì)整合結(jié)構(gòu)，其特征在于 該接合結(jié)構(gòu)進一步包含一個第一接合塊，其設(shè)于該表面上；以及一個第二接合塊，其設(shè)于該第一面上，并與該第一接合塊相接合。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有集成電路與發(fā)光二極管的異質(zhì)整合結(jié)構(gòu)，其特征在于 該第一、第二接合塊的材質(zhì)為環(huán)氧樹脂基光阻。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有集成電路與發(fā)光二極管的異質(zhì)整合結(jié)構(gòu)，其特征在于， 該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)進一步包含一個第一導(dǎo)電塊，其設(shè)于該表面上，以與該集成電路電性連接；以及一個第二導(dǎo)電塊，其設(shè)于該第一面上，以與該發(fā)光二極管電性連接，且該第二導(dǎo)電塊與該第一導(dǎo)電塊相接合并電性連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有集成電路與發(fā)光二極管的異質(zhì)整合結(jié)構(gòu)，其特征在于 該第一、第二導(dǎo)電塊為金屬材質(zhì)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有集成電路與發(fā)光二極管的異質(zhì)整合結(jié)構(gòu)，其特征在于， 該第一導(dǎo)電塊進一步包含一高溫接合金屬塊，其設(shè)于該表面上，以與該集成電路電性連接；以及一低溫接合金屬塊，其接合并電性連接該高溫接合金屬塊與該第二導(dǎo)電塊。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的具有集成電路與發(fā)光二極管的異質(zhì)整合結(jié)構(gòu)，其特征在于 該低溫接合金屬塊的材質(zhì)為錫或銦。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有集成電路與發(fā)光二極管的異質(zhì)整合結(jié)構(gòu)，其特征在于 該發(fā)光二極管進一步設(shè)有至少一導(dǎo)電通孔，其與該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接，且該第二面進一步設(shè)有至少一個第三導(dǎo)電塊，其與該導(dǎo)電通孔電性連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的具有集成電路與發(fā)光二極管的異質(zhì)整合結(jié)構(gòu)，其特征在于 該第三導(dǎo)電塊為金屬材質(zhì)。
10.一種具有集成電路與發(fā)光二極管的異質(zhì)整合結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括下列步驟提供一集成電路與一發(fā)光二極管，該集成電路的表面設(shè)有至少一個第一導(dǎo)電塊與至少一個第一接合塊，以與該第一導(dǎo)電塊電性連接，該發(fā)光二極管具有位于不同側(cè)的一個第一、 第二面，該第一面設(shè)有至少一個第二導(dǎo)電塊與至少一個第二接合塊，以與該第二導(dǎo)電塊電性連接；以及該集成電路將該第一導(dǎo)電塊與該第一接合塊分別與該第二導(dǎo)電塊與該第二接合塊對應(yīng)接合，以與該發(fā)光二極管相結(jié)合，并使該第一、第二導(dǎo)電塊電性連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的具有集成電路與發(fā)光二極管的異質(zhì)整合結(jié)構(gòu)的制作方法， 其特征在于提供設(shè)有該第一導(dǎo)電塊與該第一接合塊的該集成電路的步驟進一步包含下列步驟在該表面上形成該第一導(dǎo)電塊，以與該集成電路電性連接；以及在該表面上形成該第一接合塊。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的具有集成電路與發(fā)光二極管的異質(zhì)整合結(jié)構(gòu)的制作方法， 其特征在于形成該第一導(dǎo)電塊是以光微影、電鍍及蝕刻制程進行，形成該第一接合塊是以光微影制程進行。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的具有集成電路與發(fā)光二極管的異質(zhì)整合結(jié)構(gòu)的制作方法， 其特征在于在該表面上形成該第一導(dǎo)電塊的步驟進一步包含下列步驟在該表面上形成一高溫接合金屬塊，以與該集成電路電性連接；以及在該高溫接合金屬塊上形成一低溫接合金屬塊，以與該高溫接合金屬塊電性連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的具有集成電路與發(fā)光二極管的異質(zhì)整合結(jié)構(gòu)的制作方法， 其特征在于提供設(shè)有該第二導(dǎo)電塊與該第二接合塊的該發(fā)光二極管的步驟進一步包含下列步驟在該第一面上形成該第二導(dǎo)電塊，以與該發(fā)光二極管電性連接；以及在該第一面上形成該第二接合塊。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的具有集成電路與發(fā)光二極管的異質(zhì)整合結(jié)構(gòu)的制作方法， 其特征在于形成該第二導(dǎo)電塊是以光微影、電鍍及蝕刻制程進行，形成該第二接合塊是以光微影制程進行。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的具有集成電路與發(fā)光二極管的異質(zhì)整合結(jié)構(gòu)的制作方法， 其特征在于該集成電路與該發(fā)光二極管相結(jié)合的步驟中，是對該第一、第二接合塊與該第一、第二導(dǎo)電塊施以攝氏250 25度，以進行低溫接合。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的具有集成電路與發(fā)光二極管的異質(zhì)整合結(jié)構(gòu)的制作方法， 其特征在于提供設(shè)有該第二導(dǎo)電塊與該第二接合塊的該發(fā)光二極管的步驟中，該發(fā)光二極管進一步設(shè)有至少一導(dǎo)電通孔，該導(dǎo)電通孔與該第二導(dǎo)電塊電性連接，且該第二面進一步設(shè)有至少一個第三導(dǎo)電塊，該第三導(dǎo)電塊與該導(dǎo)電通孔電性連接。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的具有集成電路與發(fā)光二極管的異質(zhì)整合結(jié)構(gòu)的制作方法， 其特征在于提供設(shè)有該第二導(dǎo)電塊、該第二接合塊、該導(dǎo)電通孔與該第三導(dǎo)電塊的該發(fā)光二極管的步驟中，進一步包含下列步驟在該第一面上形成該第二導(dǎo)電塊，以與該發(fā)光二極管電性連接；在該發(fā)光二極管中形成該導(dǎo)電通孔，以與該第二導(dǎo)電塊電性連接；在該第二面上形成該第三導(dǎo)電塊，并與該導(dǎo)電通孔電性連接；以及在該第一面上形成該第二接合塊。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的具有集成電路與發(fā)光二極管的異質(zhì)整合結(jié)構(gòu)的制作方法， 其特征在于形成該第二、第三導(dǎo)電塊是以光微影、電鍍及蝕刻制程進行，形成該第二接合塊是以光微影制程進行。
20.根據(jù)權(quán)利要求10所述的具有集成電路與發(fā)光二極管的異質(zhì)整合結(jié)構(gòu)的制作方法， 其特征在于進一步包含一切割步驟，其是對該集成電路及發(fā)光二極管進行切割，以成為復(fù)數(shù)異質(zhì)整合單元。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種具有集成電路與發(fā)光二極管的異質(zhì)整合結(jié)構(gòu)及其制作方法，首先，提供一集成電路與一發(fā)光二極管，集成電路的表面設(shè)有至少一個第一導(dǎo)電塊與至少一個第一接合塊，以與第一導(dǎo)電塊電性連接，發(fā)光二極管具有相異兩側(cè)的一個第一、第二面，第一面設(shè)有至少一個第二導(dǎo)電塊與至少一個第二接合塊，以與第二導(dǎo)電塊電性連接。接著，集成電路將第一導(dǎo)電塊與第一接合塊分別與第二導(dǎo)電塊與第二接合塊對應(yīng)接合，以與發(fā)光二極管相結(jié)合，并使第一、第二導(dǎo)電塊電性連接，便完成制作。本發(fā)明不但能散熱，更有電訊上的連接，以達到高密度、多功能的應(yīng)用。
文檔編號H01L25/10GK102263097SQ20111019221
公開日2011年11月30日 申請日期2011年7月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月7日
發(fā)明者柯正達, 陳冠能, 駱韋仲 申請人:財團法人交大思源基金會