專利名稱：一種提高透光太陽能電池組件功率的劃刻方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種提高透光太陽能電池組件功率的劃刻方法，屬于太陽能電池應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
目前，光伏建筑一體化(BIPV)建筑是最先進(jìn)、最有潛力的高科技綠色節(jié)能建筑，也是目前世界上大規(guī)模利用光伏技術(shù)的重要方向。BIPV是指將太陽能光伏發(fā)電方陣安裝在建筑的維護(hù)結(jié)構(gòu)外表面來提供電力。由于光伏方陣與建筑的結(jié)合不占用額外的地面空間，是光伏發(fā)電系統(tǒng)在城市中廣泛應(yīng)用的最佳安裝方式，因而倍受關(guān)注。可以應(yīng)用于BIPV建筑的太陽電池組件種類包括單晶硅、多晶硅以及硅基系列薄膜電池、碲化鎘系列薄膜電池、銅銦鎵錫系列薄膜電池等，其中后者幾類薄膜電池以其獨特的美觀性能(透射光為自然光，可以實現(xiàn)均勻透光)、穩(wěn)定可靠的發(fā)電性能、經(jīng)濟低廉的成本和設(shè)計選型的多樣性，能夠比較完美的實現(xiàn)光伏建筑一體化。薄膜透光組件代替當(dāng)前建筑中普遍使用的玻璃幕墻，要求組件必須具有透過一定自然光的能力，背景技術(shù)通常使用的工藝是采用激光劃刻的方法，一般的工藝流程為當(dāng)電池的背電極沉積完后，利用波長為532nm的高能密度的激光束，把組件中的背電極和光電轉(zhuǎn)換層刻蝕掉，露出前透明導(dǎo)電薄膜，這樣自然光就可以透過組件。通過控制激光頭的運動，在電池上可以制作出具有規(guī)則的溝槽狀結(jié)構(gòu)的透光結(jié)構(gòu)，組件的透光率可以通過改變劃刻溝槽狀結(jié)構(gòu)的密度來調(diào)整。但是在劃刻過程中，劃刻邊緣存在的缺陷將引入漏電點， 并且隨著劃刻條數(shù)的增加漏電幾率增加。一般通過激光劃刻將組件切割成小電池并使組件串聯(lián)起來的工藝，僅需劃刻60-200條劃線。而在進(jìn)行透光處理工藝過程中，以面積為 1. 1X1. 3m2、透光率30%的電池組件為例，假如激光光斑直徑范圍通常為150μπι，為了實現(xiàn) 30%的透過率，需要劃刻觀60道溝槽，導(dǎo)致溝槽邊緣引入的缺陷數(shù)量增多，影響電池電學(xué)特性，尤其對于透光率要求更高的產(chǎn)品，劃刻的直線槽條數(shù)越多，出現(xiàn)劃刻缺陷的幾率就越大，從而降低組件性能，嚴(yán)重影響組件的輸出功率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種提高透光太陽能電池組件功率的劃刻方法，通過改變劃刻方式，降低單位面積上的劃刻凹槽數(shù)量，從而降低凹槽與膜層相接觸的邊緣數(shù)量，由此降低了劃刻所導(dǎo)致的薄膜邊緣損傷所引起的漏電幾率，從而使透光組件的功率損失得到了有效控制，解決背景技術(shù)存在的上述問題。本發(fā)明的技術(shù)方案為
一種提高透光太陽能電池組件功率的劃刻方法，包含如下工藝步驟 (1)按照太陽能薄膜組件的制備工藝，完成順序沉積在絕緣基板上的第一透明導(dǎo)電電極層、光電轉(zhuǎn)換層、第二透明導(dǎo)電電極層的制備，然后通過劃刻的方式對電池進(jìn)行分割，并將分割后的子電池串聯(lián)起來；(2)沿著垂直于子電池的方向或平行于子電池的方向采用劃刻的方式對部分薄膜層進(jìn)行移除，膜層被移除的部分露出前電極層或前玻璃，此位置光可以直接透過電池，實現(xiàn)透光的功能，而未進(jìn)行劃刻的地方，膜層可以實現(xiàn)發(fā)電的功能；其特別之處是劃刻過程中通過改變劃刻透光凹槽的寬度來調(diào)整單位面積上劃刻透光凹槽的數(shù)量，在保證透光性能不變的基礎(chǔ)上降低劃刻透光凹槽的數(shù)量，來降低劃刻過程中對膜層邊緣的損傷所導(dǎo)致的漏電。所說的薄膜電池為硅基系列薄膜電池、碲化鎘系列薄膜電池、銅銦鎵錫系列薄膜電池或有機化合物材料薄膜電池等。所說的改變劃刻透光凹槽寬度的方法，包括(1)在采用激光劃刻方式的情況下， 可以通過調(diào)整光路系統(tǒng)改變激光終端能量區(qū)域的大小，增加光斑的面積，使劃刻透光凹槽的寬度增加。(2)在采用激光劃刻方式的情況下，可以采取多條劃刻線部分疊加的方式，將劃刻透光凹槽的寬度加寬。通過劃刻的方式對電池進(jìn)行分割，并將分割后的子電池串聯(lián)起來，該工藝共包括三次激光劃刻過程，分別包括第一次劃刻槽、第二次劃刻槽及第三次劃刻槽，第一次劃刻槽、第二次劃刻槽及第三次劃刻槽相互接近并平行分布；第一次劃刻槽用于將薄膜電池組件的第一透明導(dǎo)電電極層進(jìn)行分割以便形成多個子電池，也稱為光電轉(zhuǎn)換單元；第二次劃刻槽將光電轉(zhuǎn)換層分割，使每一個光電轉(zhuǎn)換單元的第二透明導(dǎo)電電極層與相鄰的光電轉(zhuǎn)換單元的第一透明導(dǎo)電電極層相連接；第三次劃刻槽用于將相鄰光電轉(zhuǎn)換單元的第二透明導(dǎo)電電極層隔開。透光劃刻如果沿著垂直于子電池的方向，劃刻透光凹槽可以是連通的條狀、或斷續(xù)的點線、孔狀以及特殊圖案；透光劃刻若沿著平行于子電池的方向，且透光劃刻透光凹槽與第三次劃刻槽無疊加，則劃刻透光凹槽為非連通的點線、孔狀及特殊圖案；透光處理劃刻若沿著子電池的方向，且透光劃刻透光凹槽與第三次劃刻槽相疊加，劃刻透光凹槽可以是連通的條狀、或斷續(xù)的點線、孔狀以及特殊圖案。本發(fā)明的積極效果是本發(fā)明利用優(yōu)化劃刻方式能夠制備出較高功率的透光薄膜太陽能電池，該工藝由于未對劃刻設(shè)備進(jìn)行改動，只是在漏電產(chǎn)生原因方面加以分析，根據(jù)漏電來源改變劃刻方式降低漏電的幾率，因此具有可操控性好，變化方式靈活，效果顯著的優(yōu)點。本發(fā)明在保證組件透光性能的同時，提高組件的功率能夠降低單位發(fā)電量成本，使薄膜透光組件能夠在建筑應(yīng)用上具有更多優(yōu)勢。


圖1為采用本發(fā)明劃刻方式所制備的透光組件的立體其中絕緣基板1、第一透明導(dǎo)電電極層2、光電轉(zhuǎn)換層3、第二透明導(dǎo)電電極層4、子電池5、第一次劃刻槽6、第二次劃刻槽7、第三次劃刻槽8、(本發(fā)明方法劃刻的)透光凹槽9。圖2為本發(fā)明所制備的透光組件俯視圖及一個透光凹槽放大其中11為透光處理第一條劃刻線，12為第二條劃刻線，13為第三條劃刻線，14為第四條劃刻線，15為相鄰兩條劃刻線之間的疊加區(qū)域，16為兩個完整透光凹槽之間的間距。圖3為采用多點接觸式開路電壓測試方法對普通劃刻方法制備的組件所進(jìn)行測試的效果其中21、22、23通過顏色的差異表現(xiàn)出與周圍的測量電壓存在明顯區(qū)別，表征出了電池上存在的缺陷，并且顯示出圖像中存在大量類似于21、22、23的缺陷位置。圖4為本發(fā)明劃刻方式對組件進(jìn)行劃刻后，采用多點接觸式開路電壓測試方法對電池進(jìn)行測試的效果圖5為本發(fā)明劃刻方式對組件進(jìn)行劃刻后，采用不同的線寬，隨劃刻線寬的增加功率逐漸增加的對比其中31為傳統(tǒng)工藝劃刻方式所制備組件的功率測試結(jié)果；32為采用本發(fā)明劃刻方法，劃刻凹槽為Χ+50 μ m的透光組件相對傳統(tǒng)工藝組件的功率提高百分比；33為采用本發(fā)明劃刻方法，劃刻凹槽為Χ+100 μ m的透光組件相對傳統(tǒng)工藝組件的功率提高百分比；34為采用本發(fā)明劃刻方法，劃刻凹槽為Χ+100 μ m的透光組件相對傳統(tǒng)工藝組件的功率提高百分比。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖，通過實施例對本發(fā)明做進(jìn)一步說明。本發(fā)明與通常的薄膜太陽能電池組件生產(chǎn)線(硅基系列薄膜電池、碲化鎘系列薄膜電池、銅銦鎵錫系列薄膜電池、有機化合物材料系列薄膜電池等)兼容。本發(fā)明以硅基薄膜為例，其步驟包括1)首先在浮法玻璃(絕緣基板)上沉積透明導(dǎo)電薄膜(第一透明導(dǎo)電電極層ZnO或SnO2),或者直接使用商業(yè)化的FTO玻璃，然后利用等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù) (PECVD)在鍍膜玻璃襯底上沉積薄膜硅p-i-n或者p-i-n/p-i-n疊層結(jié)構(gòu)及三結(jié)硅基薄膜結(jié)構(gòu)(光電轉(zhuǎn)換層)，接著利用濺射或化學(xué)氣相沉積技術(shù)制備背電極ZnO或SiO/Al或SiO/ Ag (第二透明導(dǎo)電電極層)，硅薄膜層起到將光轉(zhuǎn)換成電的功能，前后電極收集光電轉(zhuǎn)換產(chǎn)生的電荷。通過激光劃刻的方式對電池進(jìn)行分割與串聯(lián)；2)進(jìn)行透光劃刻處理，首先可以調(diào)整光路系統(tǒng)改變激光終端能量區(qū)域的大小，增加光斑的面積，使劃刻凹槽的寬度增加，如果線寬增加同時保證組件的透光率不變，則需要降低單位面積的劃刻次數(shù)，從而降低劃刻帶來的漏電損失；其次可以采取多條劃刻線相互疊加的方式，將劃刻凹槽的寬度加寬；其中一種劃刻方式的實現(xiàn)可以采取同一個激光頭在劃刻完成后沿著垂直于劃刻方向少量位移再次進(jìn)行劃刻，并使先后兩次劃刻存在一定的疊加區(qū)域，共同形成一個劃刻透光凹槽，或采用上述方法移動多次，多次劃刻的疊加共同形成一個較寬的劃刻透光凹槽；另外一種劃刻方式是采取幾個激光頭沿著垂直于劃刻方向以一定的距離依次排開，然后同時劃刻，劃刻線相互疊加完成一個透光凹槽的形成；所移除的膜層包括背電極ZnO或SiO/Al或SiO/ Ag和硅薄膜層。被移除膜層的部分，光線可以直接透過電池，實現(xiàn)透光的功能，同時由于劃刻透光凹槽數(shù)量的減少，使膜層與凹槽的界面減少，界面上存在的漏電缺陷的減少將導(dǎo)致組件功率損失的減少；3)采用多點接觸式開路電壓測試儀器對改善效果進(jìn)行測試；多點接觸式開路電壓測試儀器可以對整個電池上缺陷大概分布情況及電池的開路電壓進(jìn)行測量， 通過采用該設(shè)備對劃刻方法變更前后透過率相同的組件進(jìn)行測試，能夠明顯的觀察到缺陷的分布數(shù)量降低，而組件的開路電壓明顯提高；4)對組件進(jìn)行封裝，測試組件的功率，應(yīng)用該劃刻方法的組件功率較之前的劃刻方法，功率提高1%_12%。實施例一
通過優(yōu)化劃刻方式來提高透光組件功率的方法包括以下步驟
a.參見圖1 在絕緣基板1浮法玻璃上利用低壓化學(xué)氣相沉積的技術(shù)或磁控濺射技術(shù)沉積透明導(dǎo)電薄膜作為電池的前電極，第一透明導(dǎo)電電極層2 ；然后利用等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)(PECVD)在鍍膜玻璃襯底上沉積薄膜硅p-i-n或者p-i-n/p-i-n疊層結(jié)構(gòu)及三結(jié)硅基薄膜結(jié)構(gòu)，光電轉(zhuǎn)換層3 ；在上述光電轉(zhuǎn)換層上面采用低壓化學(xué)氣相沉積的技術(shù)生長透明導(dǎo)電薄膜作為電池背電極，第二透明導(dǎo)電電極層4。b.參見圖1 本實施例采用激光劃刻的方式，垂直于子電池5方向進(jìn)行直線透光凹槽9的劃刻，將包括背電極和光電轉(zhuǎn)換層在內(nèi)的兩層薄膜移除，露出前電極。透光凹槽9的形成由以下過程組成參見圖2中放大圖，首先，利用一束波長為532nm的綠激光沿該方向劃刻一條透光線，根據(jù)光路的調(diào)整，目前透光線可以在50-200μπι范圍內(nèi)優(yōu)化，本實施例采用150 μ m的線寬。然后，在關(guān)閉激光的情況下，激光頭沿著垂直劃線的方向由劃線的位置平行移動至圖示中劃線的初始位置，移動距離可以在10-200 μ m之間優(yōu)化，本實施例采用 100 μ m。然后打開激光，由該位置開始平行于上述直線凹槽進(jìn)行直線凹槽的劃刻，再次關(guān)閉激光頭使其平行移動至圖示中劃線的初始位置，打開激光進(jìn)行直線凹槽的劃刻，同樣完成直線凹槽的劃刻，使四條劃刻線最終形成圖1中一個完整的透光凹槽9。相鄰兩條劃刻線間形成一個1-140 μ m的疊加區(qū)域，本實施例疊加區(qū)域為50 μ m。根據(jù)組件實際要求，組成劃刻凹槽的劃刻條數(shù)可以在2-10條之間優(yōu)化。透光凹槽9的直徑可以在100 μ m-2mm的范圍內(nèi)優(yōu)化，本實施例采用450 μ m的透光凹槽直徑。c.參見圖2 間隔一定的位移，按照上述同樣方法進(jìn)行另一條透光凹槽的劃刻，間隔距離可以根據(jù)透過率的不同在50 μ m-2mm之間優(yōu)化，本實施例以透過率為30%的透光組件為例，采用1. 05mm的間隔距離。d.繼續(xù)按照上述方法與間隔移動激光頭并進(jìn)行劃刻，直到整個組件的透光處理完成。e.采用水洗的方法清洗劃刻過程產(chǎn)生的微粒。f.參見圖3與圖4 通過多點接觸式開路電壓測試方法對變更劃刻方法前后制備的組件進(jìn)行測試結(jié)果對比。圖3中的三個位置代表了電池上存在的缺陷，我們可以通過顏色的差異表現(xiàn)出該位置測量出的電壓值存在異常，在測試結(jié)果中顯示出大量類似于的缺陷位置。圖4中顯示了新的激光劃刻方法所制備的組件進(jìn)行測試的結(jié)果中缺陷位置明顯減少。g.通過層壓封裝技術(shù)制備出完整的透光組件。實施例二
通過優(yōu)化劃刻方式來提高透光組件功率的方法包括以下步驟 a.參見圖1 在絕緣基板1浮法玻璃上利用低壓化學(xué)氣相沉積的技術(shù)或磁控濺射技術(shù)沉積透明導(dǎo)電薄膜作為電池的前電極，第一透明導(dǎo)電電極層2 ；然后利用等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)(PECVD)在鍍膜玻璃襯底上沉積薄膜硅p-i-n或者p-i-n/p-i-n疊層結(jié)構(gòu)及三結(jié)硅基薄膜結(jié)構(gòu)，光電轉(zhuǎn)換層3 ；在上述光電轉(zhuǎn)換層上面采用低壓化學(xué)氣相沉積的技術(shù)生長透明導(dǎo)電薄膜作為電池背電極，第二透明導(dǎo)電電極層4。b.參見圖2中放大圖本實施例采用激光劃刻的方式，垂直于子電池方向進(jìn)行直線透光凹槽的劃刻。首先，將2-20個激光頭沿著子電池方向進(jìn)行排布，本實施例采用4個激光頭。激光頭光軸之間的距離可以在10-200mm之間進(jìn)行優(yōu)化，本實施例采用100mm。c.參見圖2中放大圖四個激光頭以波長為532nm的綠激光沿著垂直于子電池的方向同時劃刻出四條凹槽，將包括背電極和光電轉(zhuǎn)換膜層在內(nèi)的兩層薄膜移除，露出前電極，透光凹槽的直徑可以在50-200mm的范圍內(nèi)優(yōu)化，本實施例采用150mm的透光凹槽直徑。d.參見圖2中放大圖激光同時劃刻出四條凹槽，根據(jù)間距與線寬的設(shè)置將在相鄰兩條凹槽之間產(chǎn)生一個寬度為l-140mm的疊加區(qū)域15，本實施例中該區(qū)域為50mm。e.參見圖2 間隔一定的位移，按照上述同樣方法進(jìn)行另一條透光凹槽的劃刻，間隔距離可以根據(jù)透過率的不同在50mm-2mm之間優(yōu)化，本實施例以透過率為30%的透光組件為例，采用1.05mm的間隔距離。f.繼續(xù)按照上述方法與間隔移動激光頭并進(jìn)行劃刻，直到整個組件的透光處理完成。g.采用水洗的方法清洗劃刻過程產(chǎn)生的微粒。參見圖5 通過太陽能模擬器對透光組件的功率進(jìn)行測試。圖5中1為采用普通劃刻方式進(jìn)行透光凹槽制作的透光組件的功率測試結(jié)果，分別為采用本發(fā)明劃刻方式、不同凹槽寬度所制備的透光組件相對傳統(tǒng)工藝透光組件的功率提高百分比，由圖中可以看到采用本發(fā)明透光組件的功率隨凹槽寬度的優(yōu)化逐漸提高。
8
權(quán)利要求
1.一種提高透光太陽能電池組件功率的劃刻方法，其包含如下工藝步驟(1)按照太陽能薄膜組件的制備工藝，完成順序沉積在絕緣基板上的第一透明導(dǎo)電電極層、光電轉(zhuǎn)換層、第二透明導(dǎo)電電極層的制備，然后通過劃刻的方式對電池進(jìn)行分割，并將分割后的子電池串聯(lián)起來；(2)沿著垂直于子電池的方向或平行于子電池的方向采用劃刻的方式對部分薄膜層進(jìn)行移除，膜層被移除的部分露出前電極層或前玻璃，此位置光可以直接透過電池，實現(xiàn)透光的功能，而未進(jìn)行劃刻的地方，膜層可以實現(xiàn)發(fā)電的功能；其特征是劃刻過程中通過改變劃刻透光凹槽的寬度來調(diào)整單位面積上劃刻透光凹槽的數(shù)量，在保證透光性能不變的基礎(chǔ)上降低劃刻透光凹槽的數(shù)量，來降低劃刻過程中對膜層邊緣的損傷所導(dǎo)致的漏電。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述之提高透光太陽能電池組件功率的劃刻方法，其特征在于所說的薄膜電池為硅基系列薄膜電池、碲化鎘系列薄膜電池、銅銦鎵錫系列薄膜電池或有機化合物材料薄膜電池。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述之提高透光太陽能電池組件功率的劃刻方法，其特征在于所說的改變劃刻透光凹槽寬度的方法是在采用激光劃刻方式的情況下，可以通過調(diào)整光路系統(tǒng)改變激光終端能量區(qū)域的大小，增加光斑的面積，使劃刻透光凹槽的寬度增加。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述之提高透光太陽能電池組件功率的劃刻方法，其特征在于所說的改變劃刻透光凹槽寬度的方法是在采用激光劃刻方式的情況下，可以采取多條劃刻線部分疊加的方式，將劃刻透光凹槽的寬度加寬。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述之提高透光太陽能電池組件功率的劃刻方法，其特征在于通過劃刻的方式對電池進(jìn)行分割，并將分割后的子電池串聯(lián)起來，該工藝共包括三次激光劃刻過程，分別包括第一次劃刻槽、第二次劃刻槽及第三次劃刻槽，第一次劃刻槽、第二次劃刻槽及第三次劃刻槽相互接近并平行分布；第一次劃刻槽用于將薄膜電池組件的第一透明導(dǎo)電電極層進(jìn)行分割以便形成多個子電池，也稱為光電轉(zhuǎn)換單元；第二次劃刻槽將光電轉(zhuǎn)換層分割，使每一個光電轉(zhuǎn)換單元的第二透明導(dǎo)電電極層與相鄰的光電轉(zhuǎn)換單元的第一透明導(dǎo)電電極層相連接；第三次劃刻槽用于將相鄰光電轉(zhuǎn)換單元的第二透明導(dǎo)電電極層隔開。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述之提高透光太陽能電池組件功率的劃刻方法，其特征在于透光劃刻如果沿著垂直于子電池的方向，劃刻透光凹槽可以是連通的條狀、或斷續(xù)的點線、孔狀以及特殊圖案；透光劃刻若沿著平行于子電池的方向，且透光劃刻透光凹槽與第三次劃刻槽無疊加，則劃刻透光凹槽為非連通的點線、孔狀及特殊圖案；透光處理劃刻若沿著子電池的方向，且透光劃刻透光凹槽與第三次劃刻槽相疊加，劃刻透光凹槽可以是連通的條狀、或斷續(xù)的點線、孔狀以及特殊圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述之提高透光太陽能電池組件功率的劃刻方法，其特征在于通過劃刻的方式對電池進(jìn)行分割，并將分割后的子電池串聯(lián)起來，該工藝共包括三次激光劃刻過程，分別包括第一次劃刻槽、第二次劃刻槽及第三次劃刻槽，第一次劃刻槽、第二次劃刻槽及第三次劃刻槽相互接近并平行分布；第一次劃刻槽用于將薄膜電池組件的第一透明導(dǎo)電電極層進(jìn)行分割以便形成多個子電池，也稱為光電轉(zhuǎn)換單元；第二次劃刻槽將光電轉(zhuǎn)換層分割，使每一個光電轉(zhuǎn)換單元的第二透明導(dǎo)電電極層與相鄰的光電轉(zhuǎn)換單元的第一透明導(dǎo)電電極層相連接；第三次劃刻槽用于將相鄰光電轉(zhuǎn)換單元的第二透明導(dǎo)電電極層隔開。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述之提高透光太陽能電池組件功率的劃刻方法，其特征在于透光劃刻如果沿著垂直于子電池的方向，劃刻透光凹槽可以是連通的條狀、或斷續(xù)的點線、孔狀以及特殊圖案；透光劃刻若沿著平行于子電池的方向，且透光劃刻透光凹槽與第三次劃刻槽無疊加，則劃刻透光凹槽為非連通的點線、孔狀及特殊圖案；透光處理劃刻若沿著子電池的方向，且透光劃刻透光凹槽與第三次劃刻槽相疊加，劃刻透光凹槽可以是連通的條狀、或斷續(xù)的點線、孔狀以及特殊圖案。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種提高透光太陽能電池組件功率的劃刻方法，屬于太陽能電池應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域。在透光太陽能電池組件的透光性能不變的情況下，通過優(yōu)化透光劃刻方式來達(dá)到提高組件功率的目的，技術(shù)方案是在原有透光劃刻工藝的基礎(chǔ)上，通過改變劃刻透光凹槽(9)的寬度來調(diào)整單位面積上劃刻透光凹槽的數(shù)量，在保證透光性能不變的基礎(chǔ)上降低劃刻透光凹槽的數(shù)量，來降低劃刻過程中對膜層邊緣的損傷所導(dǎo)致的漏電，從而可以使組件透光率不變，而發(fā)電功率得到大幅度提高。本發(fā)明通過對漏電來源進(jìn)行分析，以降低漏電的幾率為目的，優(yōu)化了劃刻的方式，在設(shè)備調(diào)整上變化不大，因此具有可操控性好，變化方式靈活的特點，是實現(xiàn)高透過率高功率產(chǎn)品的有效方法。
文檔編號H01L31/18GK102254996SQ20111019599
公開日2011年11月23日 申請日期2011年7月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月14日
發(fā)明者孫瑞萍, 杜潔, 王繼存, 王輝, 賈海軍, 麥耀華 申請人:保定天威集團(tuán)有限公司