專利名稱：發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，還涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。
背景技術(shù)：
相比于傳統(tǒng)的發(fā)光源,發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)具有重量輕、體積小、污染低、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，其作為一種新型的發(fā)光源，已經(jīng)被越來(lái)越多地應(yīng)用到各領(lǐng)域當(dāng)中，如路燈、交通燈、信號(hào)燈、射燈及裝飾燈等。通常情況下，需要對(duì)發(fā)光二極管芯片進(jìn)行封裝，以使發(fā)光二極管芯片具有較高的 發(fā)光效率及較長(zhǎng)的使用壽命。發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)通常使用基板作為封裝襯底，兩個(gè)電極間隔設(shè)置于該基板上，且該發(fā)光二極管芯片與該電極打線連接，如此使得該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的組裝較為復(fù)雜，另外，兩個(gè)電極往往通過電鍍后再蝕刻的方式形成在基板上，亦導(dǎo)致整個(gè)發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制程較為復(fù)雜。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明旨在提供一種組裝方便的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括一電極部，該電極部包括彼此分離的第一電極和第二電極，該第一電極和第二電極之間形成有一收容槽，該收容槽包括相對(duì)的兩端，該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)還包括一基板及設(shè)置于該基板上的發(fā)光二極管芯片，該基板包括彼此分離用于與該發(fā)光二極管芯片電連接的第一連接電極和第二連接電極，該基板能夠自該收容槽的一端插入進(jìn)而收容至該收容槽中，從而使該第一連接電極與該第一電極電連接，該第二連接電極與該第二電極電連接。一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟提供一基板，該基板包括底板，自該底板中部向上延伸的支撐部，以及自該支撐部頂端延伸至該底板的第一連接電極和第二連接電極，該第一連接電極和第二連接電極彼此分離設(shè)置，該底板和支撐部由絕緣且高熱傳導(dǎo)性的材料制成；在該基板的支撐部上設(shè)置發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片與該第一連接電極和第二連接電極分別形成電連接；提供一封裝體，該封裝體包括電極部和形成于該電極部上的反射層，該電極部包括第一電極和第二電極，該第一電極和第二電極之間具有一收容槽，該反射層形成于該電極部的上端且具有一與收容槽連通的凹杯；將該基板收容于該封裝體的收容槽中，從而使該第一連接電極與該第一電極形成電連接，該第二連接電極與該第二電極形成電連接，該發(fā)光二極管芯片位于凹杯的底部；以及在該凹杯內(nèi)形成封裝層用以密封該發(fā)光二極管芯片。本發(fā)明通過提供一基板和一電極部，基板具有相互絕緣的第一連接電極和第二連接電極，電極部具有相互分離且絕緣的第一電極和第二電極，且第一電極和第二電極之間具有一收容槽，通過將基板收容至電極部的收容槽內(nèi)，從而使基板的第一連接電極和第二連接電極分別與電極部的第一電極和第二電極形成接觸電連接，如此，可使制程簡(jiǎn)單，組裝方便。


圖I為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖2為圖 I沿水平中線的剖面示意圖。圖3為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟一所提供的基板的剖面示意圖。圖4為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟一所提供的基板的俯視示意圖。圖5為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟二所得到的封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖6為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟二所得到的封裝結(jié)構(gòu)在發(fā)光二極管芯片上設(shè)置螢光粉層后的剖面示意圖。圖7為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟三所提供的封裝體的剖面示意圖。圖8為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟三所提供的封裝體的俯視示意圖。圖9為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟四的組裝示意圖。圖10為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟四所得到的封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖11為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟五所得到的封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明
I:光二極管封裝結(jié)構(gòu) 11
基板_
底板—TI
支撐部^ Ti
第一連接電極— 3
第二連接電極TI
_發(fā)光二極管芯片而
螢光粉層
電極部_40
第一電極_41
第二電極
收容槽_43
反射層_50
凹杯一51
封裝層而
封裝體|70
如下具體實(shí)施方式
將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明。
具體實(shí)施例方式如圖I和圖2所示，本發(fā)明第一實(shí)施例提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1，其包括一基板10 ;設(shè)置于基板10上方且與基板10電性連接的發(fā)光二極管芯片20 與基板10電性連接的電極部40 ;設(shè)置于電極部40上方且圍繞發(fā)光二極管芯片20設(shè)置的反射層50 ;以及封裝層60。
基板10包括底板11，自底板11中部向上延伸的支撐部12，以及自支撐部12頂端延伸至底板11的第一連接電極13和第二連接電極14。第一連接電極13和第二連接電極14彼此分離設(shè)置，也就是相互絕緣。本實(shí)施例中，底板11為矩形的平板，支撐部12大致呈橢圓形柱體并自底板11的上表面中部向上垂直延伸，第一連接電極13和第二連接電極14均自支撐部12的上表面沿其側(cè)邊延伸至底板11的上表面，且第一連接電極13和第二連接電極14的厚度較薄。發(fā)光二極管芯片20設(shè)置于基板10的支撐部12上且分別與第一連接電極13和第二連接電極14形成電連接。本實(shí)施例中，該發(fā)光二極管芯片20是通過覆晶的方式與第一連接電極13和第二連接電極14形成電連接的，如此，制程簡(jiǎn)單且無(wú)需經(jīng)過打?qū)Ь€的步驟，且發(fā)光二極管芯片20直接固定于第一連接電極13和第二連接電極14上，可使發(fā)光二極管芯片20在工作過程中產(chǎn)生的大量的熱量可快速傳導(dǎo)至第一連接電極13和第二連接電極14，再傳導(dǎo)至基板10上，有利于其熱量地散發(fā)，提高發(fā)光二極管芯片20的壽命。具體地，該發(fā)光二極管芯片20是通過其底部的錫球分別與第一連接電極13和第二連接電極14固定并形成電連接的，并且，該發(fā)光二極管芯片20上可選擇性地設(shè)置一螢光粉層30，以獲得想要的出光顏色。電極部40包括彼此分離的第一電極41和第二電極42，第一電極41和第二電極42分別與其對(duì)應(yīng)的第一連接電極13和第二連接電極14電連接。第一電極41和第二電極42之間具有一收容槽43，收容槽43將基板10收容于其中，且第一電極41的頂端與第一連接電極13的頂端平齊，第二電極42的頂端與第二連接電極14的頂端平齊。反射層50形成于電極部40上，反射層50具有環(huán)繞發(fā)光二極管芯片20的一倒置截頂錐狀凹杯51。封裝層60覆蓋整個(gè)凹杯51，封裝層60可采用點(diǎn)膠工藝完成。封裝層60的上端與反射層50的上端平齊。于本實(shí)施例中，可在準(zhǔn)備封裝膠時(shí)再次混合熒光粉，以獲得想要的出光顏色。以下，將結(jié)合其他附圖對(duì)本發(fā)明第二實(shí)施例提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)I的制造方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。請(qǐng)參考圖3和圖4，為本發(fā)明發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟一，即提供一個(gè)基板10?；?0包括底板11，自底板11中部向上延伸的支撐部12，以及自支撐部12頂端延伸至底板11的第一連接電極13和第二連接電極14。第一連接電極13和第二連接電極14彼此分離設(shè)置，也就是相互絕緣。底板11和支撐部12由絕緣且高熱傳導(dǎo)性的材料制成，如陶瓷或是硅等。本實(shí)施例中，底板11為矩形的平板，支撐部12大致呈橢圓形柱體并自底板11的上表面中部向上垂直延伸。第一連接電極13和第二連接電極14均自支撐部12的上表面沿其測(cè)邊延伸至底板11的上表面，且第一連接電極13和第二連接電極14的厚度較薄。請(qǐng)參閱圖5，接著在基板10的支撐部12上設(shè)置發(fā)光二極管芯片20，發(fā)光二極管芯片20與第一連接電極13和第二連接電極14分別形成電連接。本實(shí)施例中，發(fā)光二極管芯片20是通過覆晶的方式分別與第一連接電極13和第二連接電極14形成電連接的，具體地，發(fā)光二極管芯片20是通過其底部的錫球分別與第一連接電極13和第二連接電極14固定并形成電連接。請(qǐng)參閱圖6，發(fā)光二極管芯片20上可選擇性地設(shè)置一螢光粉層30，以獲得想要的出光顏色。請(qǐng)參閱圖7和圖8，提供一封裝體70，該封裝體70包括電極部40和形成于電極部40上的反射層50。電極部40包括彼此分離的第一電極41和第二電極42,且第一電極41和第二電極42之間具有一收容槽43，收容槽43具有相對(duì)的上下兩端。收容槽43用于收容基板10于其內(nèi)。反射層50具有與收容槽43連通的一倒置截頂錐狀的凹杯51。當(dāng)然，凹杯51也可呈其它的形狀。請(qǐng)參閱圖9與圖10，將基板10從封裝體70的下方插入到收容槽43中，從而使第一連接電極13與第一電極41電連接,第二連接電極14與第二電極42電連接。此時(shí),第一連接電極13和第二連接電極14的頂端與其對(duì)應(yīng)的第一電極41和第二電極42的頂端位于 同一平面上，如此可減小整個(gè)封裝結(jié)構(gòu)的厚度，并且減少光被遮蔽的機(jī)率。此時(shí)，發(fā)光二極管芯片20位于反射層50的凹杯51的底部。請(qǐng)參閱圖11，在反射層50的凹杯51內(nèi)形成封裝層60，封裝層60覆蓋整個(gè)凹杯51，并且密封發(fā)光二極管芯片20。封裝層60是采用點(diǎn)膠工藝完成，封裝層60的上端與反射層50的上端平齊。于本實(shí)施例中，可在準(zhǔn)備封裝膠時(shí)再次混合熒光粉，以獲得想要的出光顏色?？梢岳斫獾?，本發(fā)明第二實(shí)施例提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)I的制造方法還可以先將基板10插入至封裝體70的電極部40的收容槽43中，從而使第一連接電極13和第二連接電極14分別與第一電極41和第二電極42電性連接；再在基板10的支撐部12上裝設(shè)發(fā)光二極管芯片20 ;最后在封裝體70的反射層50的凹杯51內(nèi)形成封裝層60。另外，由于電極部40的第一電極41和第二電極42是彼此分離的，因此也可將基板10固定，第一電極41和第二電極42靠近基板10,進(jìn)而將基板10夾設(shè)于第一電極41和第二電極42之間，從而使基板10上的第一連接電極13和第二連接電極14分別與電極部40的第一電極41和第二電極42形成電連接。本發(fā)明通過提供一基板10和一電極部40，基板10具有相互絕緣的第一連接電極13和第二連接電極14，電極部40具有相互分離且絕緣的第一電極41和第二電極42，且第一電極41和第二電極42之間具有一收容槽43，通過將基板10收容至電極部40的收容槽43內(nèi)，從而使基板10的第一連接電極13和第二連接電極14分別與電極部40的第一電極41和第二電極42形成接觸電連接，如此，可使制程簡(jiǎn)單，組裝方便。本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特點(diǎn)已揭露如上，然而本領(lǐng)域技術(shù)人員仍可能基于本發(fā)明的教示及揭示而作出種種不背離本發(fā)明精神的替換及修飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)不限于實(shí)施例所揭示的內(nèi)容，而應(yīng)包括各種不背離本發(fā)明的替換及修飾，并為所附的權(quán)利要求所涵蓋。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括一電極部，該電極部包括彼此分離的第一電極和第二電極，該第一電極和第二電極之間形成有一收容槽，該收容槽包括相對(duì)的兩端，其特征在于該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)還包括一基板及設(shè)置于該基板上的發(fā)光二極管芯片，該基板包括彼此分離用于與該發(fā)光二極管芯片電連接的第一連接電極和第二連接電極，該基板能夠自該收容槽的一端插入進(jìn)而收容至該收容槽中，從而使該第一連接電極與該第一電極電連接，該第二連接電極與該第二電極電連接。
2.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該基板包括一底板，自該底板中部向上延伸的支撐部，以及圍繞該支撐部的連接部，該第一連接電極和第二連接電極分別自該支撐部頂端的兩側(cè)延伸至連接部。
3.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置于該第一電極和第二電極上且圍設(shè)發(fā)光二極管芯片的反射層。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置在該反射層中以密封發(fā)光二極管芯片的封裝層。
5.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該發(fā)光二極管芯片利用覆晶的方式與該第一連接電極和第二連接電極分別形成電連接。
6.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一電極的頂端與該第一連接電極的頂端平齊，該第二電極的頂端與該第二連接電極的頂端平齊。
7.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟 提供一基板，該基板包括底板，自該底板中部向上延伸的支撐部，以及自該支撐部頂端延伸至該底板的第一連接電極和第二連接電極，該第一連接電極和第二連接電極彼此分離設(shè)置，該底板和支撐部由絕緣且高熱傳導(dǎo)性的材料制成； 在該基板的支撐部上設(shè)置發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片與該第一連接電極和第二連接電極分別形成電連接； 提供一封裝體，該封裝體包括電極部和形成于該電極部上的反射層，該電極部包括第一電極和第二電極，該第一電極和第二電極之間具有一收容槽，該反射層形成于該電極部的上端且具有一與收容槽連通的凹杯； 將該基板收容于該封裝體的收容槽中，從而使該第一連接電極與該第一電極形成電連接，該第二連接電極與該第二電極形成電連接，該發(fā)光二極管芯片位于凹杯的底部；以及 在該凹杯內(nèi)形成封裝層用以密封該發(fā)光二極管芯片。
8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于該發(fā)光二極管芯片利用覆晶的方式與該第一連接電極和第二連接電極分別形成電連接。
9.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于該發(fā)光二極管芯片上設(shè)置一螢光粉層。
全文摘要
一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括一電極部，該電極部包括彼此分離的第一電極和第二電極，該第一電極和第二電極之間形成有一收容槽，該收容槽包括相對(duì)的兩端，該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)還包括一基板及設(shè)置于該基板上的發(fā)光二極管芯片，該基板包括彼此分離用于與該發(fā)光二極管芯片電連接的第一連接電極和第二連接電極，該基板能夠自該收容槽的一端插入進(jìn)而收容至該收容槽中，從而使該第一連接電極與該第一電極電連接，該第二連接電極與該第二電極電連接。本發(fā)明還涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。
文檔編號(hào)H01L33/00GK102881812SQ20111019847
公開日2013年1月16日 申請(qǐng)日期2011年7月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月15日
發(fā)明者林新強(qiáng), 陳濱全 申請(qǐng)人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司