專利名稱：靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)、陣列基板、液晶面板及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器領(lǐng)域，尤其涉及一種靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)、包括該結(jié)構(gòu)的陣列基板、液晶面板及顯示裝置。
背景技術(shù)：
在薄膜晶體管(TFT)液晶顯示器的制作過程中，靜電放電(Electro-StaticDischarge, ESD)保護(hù)一直是重要課題,靜電是僅次于particle (微塵顆粒)的影響產(chǎn)品率的第二大因素，ESD問題解決的好壞，直接影響著公司的利潤。ESD保護(hù)觀念的產(chǎn)生，主要是由于當(dāng)顯示器的基板表面因一連串的制造工藝(如薄膜沉積，干法刻蝕，偏光片的貼附等等)以及基板的運(yùn)送過程中，基板上會(huì)累積不少靜電荷，除非有適當(dāng)?shù)姆烹娡緩?，否則靜電荷累積到一定程度而隨意放電時(shí)，會(huì)破壞部分像素結(jié)構(gòu)，造成顯示的不良，甚至造成整個(gè)液 晶顯不器損壞。如圖I所示，常用的技術(shù)是在相應(yīng)的數(shù)據(jù)線和掃描線(即柵線)設(shè)計(jì)ESD短路環(huán)，即圖I中的ESD電路I和ESD電路2，由圖2所示的兩個(gè)對(duì)應(yīng)的TFT器件組成，實(shí)際的作用是兩個(gè)二極管，因此可以用二極管代替，但是由于液晶面板單獨(dú)制作二極管不方便，用三極管更方便，因此用三極管代替更合適，起到雙向?qū)ǖ淖饔茫o電發(fā)生的時(shí)候，靜電荷平均分布到整個(gè)面板上，當(dāng)靜電荷積累到一定的階段，使靜電荷通過短路環(huán)引導(dǎo)至整個(gè)柵線或者整個(gè)數(shù)據(jù)線，使靜電荷平均分布到整個(gè)面板上面，從而層與層之間的電壓差不會(huì)太大，避免靜電發(fā)生對(duì)液晶面板造成的不利影響。其中5為掃描線，6為數(shù)據(jù)線，1、2為ESD電路I的兩個(gè)端口；3、4為ESD電路2的兩個(gè)端口。圖I中的電路中設(shè)計(jì)了兩個(gè)TFT進(jìn)行防護(hù)，往往靜電保護(hù)效果不夠，特別是面板尺寸增大時(shí)尤為明顯，無法有效減弱靜電能量，常常發(fā)生與靜電相關(guān)的不良情形。因此，仍然需要一種更好的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，以制造品質(zhì)更好的TFT-LCD面板。

發(fā)明內(nèi)容
(一 )要解決的技術(shù)問題本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是如何加強(qiáng)靜電防護(hù)的作用，從而更好地保護(hù)液晶面板。( 二 )技術(shù)方案為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)，包括至少兩個(gè)薄膜晶體管TFT，所有TFT的柵極相互連接，所有TFT的漏極懸空，且每個(gè)TFT的柵極與漏極交疊形成電容。其中，所述靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)還包括兩個(gè)短路環(huán)，所述短路環(huán)包含有兩個(gè)TFT，所述所有TFT的柵極與其中一個(gè)短路環(huán)的兩個(gè)TFT中一個(gè)的柵極連接；所述所有TFT的柵極與另一個(gè)短路環(huán)的兩個(gè)TFT中一個(gè)的源極連接。本發(fā)明還提供了一種陣列基板，包括數(shù)據(jù)線接口、柵線接口和包含有TFT的有源區(qū)，在所述數(shù)據(jù)線接口和有源區(qū)之間的每根數(shù)據(jù)線上設(shè)置有所述的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)，所述靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)中每個(gè)TFT的源極與所述數(shù)據(jù)線連接。其中，所述陣列基板還包括透明絕緣基板和存儲(chǔ)電容。其中，所述陣列基板還包括像素區(qū)；所述存儲(chǔ)電容位于所述像素區(qū)中，且由像素區(qū)中TFT的漏極與柵極的交疊形成；所述靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)中每個(gè)TFT的柵極與漏極的交疊面積為所述有源區(qū)中TFT的漏極與柵極的交疊面積的4 5倍。本發(fā)明還提供了一種液晶面板，其包括上述陣列基板。本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，其包括上述液晶面板。(三)有益效果本發(fā)明中由于TFT的漏極處于懸空的狀態(tài)，TFT自身的漏極與柵極構(gòu)成一個(gè)大電容，當(dāng)柵極的電壓迅速上升的時(shí)候，會(huì)導(dǎo)致TFT的漏極電壓迅速上升，TFT將導(dǎo)通，從于起到靜電的疏導(dǎo)作用。


圖I是現(xiàn)有的設(shè)有靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的基板平面圖；圖2是現(xiàn)有短路環(huán)的結(jié)構(gòu)；圖3是本發(fā)明的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)；圖4是本發(fā)明的設(shè)有圖3的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的基板平面圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)說明。以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。如圖3所示，本發(fā)明提供了一種靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)(即圖4中的ESD增強(qiáng)電路)，包括如圖3所示的至少兩個(gè)薄膜晶體管TFT，所有TFT的柵極相互連接，所有TFT的漏極均懸空(floating)，且每個(gè)TFT的柵極與漏極交疊形成電容。每個(gè)TFT形成的單元用附圖標(biāo)記9表不。其中，所述靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)還包括如圖3所示的兩個(gè)短路環(huán)，所述短路環(huán)包含有兩個(gè)TFT，所述所有TFT的柵極與其中一個(gè)短路環(huán)的兩個(gè)TFT中一個(gè)的柵極連接(另一個(gè)TFT的源極引線標(biāo)號(hào)為7);所述所有TFT的柵極與另一個(gè)短路環(huán)的兩個(gè)TFT中一個(gè)的源極連接(另一個(gè)TFT的漏極引線標(biāo)號(hào)為8)。引線7，8最終都連接到薄膜晶體管基板的公共電極線。如圖4所示，本發(fā)明還提供了一種陣列基板，包括數(shù)據(jù)線接口、柵線接口和包含有TFT的有源區(qū)，在所述數(shù)據(jù)線接口和有源區(qū)之間的每根數(shù)據(jù)線上設(shè)置有圖3所示的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)，所述靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)中每個(gè)TFT的源極與所述數(shù)據(jù)線連接。所述基板還包括透明絕緣基板和多個(gè)存儲(chǔ)電容。所述基板還包括像素區(qū)；所述多個(gè)存儲(chǔ)電容位于所述像素區(qū)中，且由像素區(qū)中TFT的漏極與柵極的交疊形成。 本發(fā)明的靜電防護(hù)原理如下當(dāng)面板內(nèi)部發(fā)生靜電積累時(shí)，除了圖2所示的現(xiàn)有結(jié)構(gòu)起到靜電防護(hù)的作用之外，圖3中的TFT給一系列由各自的漏極與柵極形成的電容充電，在制作版圖的時(shí)候，可以將TFT的漏極與柵極的交疊(不接觸)面積設(shè)計(jì)得大一些(可以為薄膜晶體管基板的有源區(qū)中TFT的漏極與柵極的交疊面積的4 5倍)，這樣，靜電發(fā)生時(shí)將對(duì)所形成的電容充電，因?yàn)檫@些電容比較大，TFT將導(dǎo)通，能起到靜電緩沖的作用。由于TFT的漏極處于懸空的狀態(tài)，當(dāng)靜電給電容充電的過程中，由于耦合(如圖3中黑圓點(diǎn)所示)的影響，漏極的電位會(huì)迅速的上升，這個(gè)時(shí)候TFT是二極管的作用，從而起到加強(qiáng)靜電防護(hù)的作用。本發(fā)明還提供了一種液晶面板，其包括上述陣列基板。本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，其包括上述液晶面板。
由此可以看出，將本發(fā)明的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)置于基板上的有限空間內(nèi)，以引導(dǎo)方式將靜電能量引導(dǎo)至特定區(qū)域釋放，在不影響顯示區(qū)內(nèi)元件特性以及面板顯示效果的前提下，可獲得更好的靜電防護(hù)效果。以上實(shí)施方式僅用于說明本發(fā)明，而并非對(duì)本發(fā)明的限制，有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本發(fā)明的范疇，本發(fā)明的專利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求
1.一種靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括至少兩個(gè)薄膜晶體管TFT，所有TFT的柵極相互連接，所有TFT的漏極懸空，且每個(gè)TFT的柵極與漏極交疊形成電容。
2.如權(quán)利要求I所述的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)還包括兩個(gè)短路環(huán)，所述短路環(huán)包含有兩個(gè)TFT，所述所有TFT的柵極與其中一個(gè)短路環(huán)的兩個(gè)TFT中一個(gè)的柵極連接；所述所有TFT的柵極與另一個(gè)短路環(huán)的兩個(gè)TFT中一個(gè)的源極連接。
3.一種陣列基板，包括數(shù)據(jù)線接口、柵線接口和包含有TFT的有源區(qū)，其特征在于，在所述數(shù)據(jù)線接口和有源區(qū)之間的每根數(shù)據(jù)線上設(shè)置有權(quán)利要求I或2所述的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)，所述靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)中每個(gè)TFT的源極與所述數(shù)據(jù)線連接。
4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括透明絕緣基板和存儲(chǔ)電容。
5.如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括像素區(qū)；所述存儲(chǔ)電容位于所述像素區(qū)中，且由像素區(qū)中TFT的漏極與柵極的交疊形成；所述靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)中每個(gè)TFT的柵極與漏極的交疊面積為所述有源區(qū)中TFT的漏極與柵極的交疊面積的4 5倍。
6.一種液晶面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求3至5任一項(xiàng)所述的陣列基板。
7.—種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求6所述的液晶面板。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)、陣列基板、液晶面板及顯示裝置，涉及液晶顯示器領(lǐng)域。該靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)包括至少兩個(gè)薄膜晶體管TFT，所有TFT的柵極相互連接，所有TFT的漏極懸空，且每個(gè)TFT的柵極與漏極交疊形成電容。本發(fā)明相對(duì)于現(xiàn)有的防護(hù)結(jié)構(gòu)，加強(qiáng)了靜電防護(hù)的作用，從而更好地保護(hù)了液晶面板。
文檔編號(hào)H01L27/02GK102629049SQ20111020087
公開日2012年8月8日 申請(qǐng)日期2011年7月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月18日
發(fā)明者黃應(yīng)龍 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司