專利名稱：一種輻向雙分裂箔式線圈及其繞制方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及一種變壓器用箔式線圈及其繞制方法，具體地說是一種輻向雙分裂箔式線圈及其繞制方法。
背景技術(shù)：
箔式線圈就是線圈用銅箔繞制的線圈，這種線圈繞制時先把銅箔和出頭銅排焊接牢固，然后把出頭銅排固定在繞線模具上開始繞制，按要求繞制規(guī)定的匝數(shù)，剪斷銅箔，焊好尾頭銅排即可?，F(xiàn)在變壓器行業(yè)中普遍采用這種箔式線圈結(jié)構(gòu)。變壓器低壓線圈的電流通常較大，如果用線繞要多根并聯(lián)，在繞制的時候會產(chǎn)生很大的螺旋角，端部漏磁大，當變壓器發(fā)生短路時候在線圈的垂直方向會產(chǎn)生很大的機械力，導致線圈的損壞；如果用銅箔繞制，銅箔的寬度等于線段的高度，線圈端部是平的，端部漏磁少，故其短路時候的軸向力也小，因而承受短路能力強，箔式線圈匝間電容沿繞組分布均勻，增加了繞組對沖擊過電壓的穩(wěn)定性，而且便于實現(xiàn)繞組繞制過程的機械化。隨著電力工業(yè)的迅速發(fā)展，分裂變壓器的用途越來越大，分裂變壓器和普通變壓器的區(qū)別在于，它的低壓繞組分裂成兩個額定容量相等(或不等)的支路，這兩個支路的電壓和電流相等(或不等)。這兩個支路(線圈)之間以及兩個支路(線圈)和其他線圈之間有足夠的電氣強度，這兩個支路(線圈)既能單獨運行也能同時運行。要實現(xiàn)這種分裂變壓器的結(jié)構(gòu)設計，用現(xiàn)在常用的箔式線圈結(jié)構(gòu)及繞制方法無法完成。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種輻向雙分裂箔式線圈及其繞制方法，該繞制方法簡單、 方便，便于實現(xiàn)繞組繞制過程的機械化。得到的線圈端部漏磁少，短路時候的軸向力也小， 因而承受短路能力強；線圈匝間電容沿繞組分布均勻，增加了繞組對沖擊過電壓的穩(wěn)定性。本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的
一種輻向雙分裂箔式線圈，其特征在于該線圈包括第一出線銅排、第一層銅箔、第一層絕緣材料、第二出線銅排、第二層銅箔和第二層絕緣材料；所述第一出線銅排和第二出線銅排均位于線圈內(nèi)側(cè)；第一層銅箔焊接在第一出線銅排上，第一層絕緣材料包覆在第一層銅箔內(nèi)側(cè)；第二層銅箔焊接在第二出線銅排上，第二層絕緣材料包覆在第二層銅箔內(nèi)側(cè)； 所述第一層銅箔與第二層銅箔間隔設置。本發(fā)明中，第一出線銅排與第二出線銅排均位于線圈內(nèi)側(cè)且相差半個線圈內(nèi)徑周長。包覆有第二層絕緣材料的第二層銅箔設置在包覆有第一層絕緣材料的第一層銅箔的內(nèi)側(cè)。一種輻向雙分裂箔式線圈的繞制方法，其特征在于該繞制方法包括以下步驟
1)首先在第一層銅箔內(nèi)側(cè)包覆第一層絕緣材料，將第一層銅箔焊接在第一出線銅排上；在第二層銅箔內(nèi)側(cè)包覆第二層絕緣材料，將第二層銅箔焊接在第二出線銅排上；
2)將第一出線銅排和第一層銅箔同時在繞線模上繞制；當繞到線圈內(nèi)徑的半圈時，將第二出線銅排和第二層銅箔一起放在第一層絕緣材料的內(nèi)側(cè)；第一層銅箔及其內(nèi)側(cè)的第一層絕緣材料和第二層銅箔及其內(nèi)側(cè)的第二層絕緣材料同時繞制；
3)當?shù)谝粚鱼~箔或第二層銅箔繞到相應匝數(shù)時，將第一層銅箔或第二層銅箔剪斷后焊好相應的出頭銅排，并且焊好繼續(xù)繞制，直到符合要求。本發(fā)明中，第一層銅箔及其內(nèi)側(cè)的第一層絕緣材料和第二層銅箔及其內(nèi)側(cè)的第二層絕緣材料構(gòu)成了兩個互相獨立的，即能單獨運行也能同時運行的線圈。這兩個線圈之間以及兩個線圈和其他線圈之間有足夠的電氣強度，這兩個線圈即能單獨運行也能同時運行。本發(fā)明具有以下優(yōu)點該繞制方法簡單、方便，便于實現(xiàn)繞組繞制過程的機械化； 不需要增加新設備及工裝，在現(xiàn)有的普通雙層箔式繞線機上就能實現(xiàn)。得到的線圈端部漏磁少，故其短路時候的軸向力也小，因而承受短路能力強；線圈匝間電容沿繞組分布均勻， 增加了繞組對沖擊過電壓的穩(wěn)定性。


圖1是本發(fā)明中輻向雙分裂箔式線圈的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式一種輻向雙分裂箔式線圈，見圖1，該線圈包括第一出線銅排11、第一層銅箔12、 第一層絕緣材料13、第二出線銅排21、第二層銅箔22和第二層絕緣材料23。第一出線銅排 11和第二出線銅排21均位于線圈內(nèi)側(cè)，且相差半個線圈內(nèi)徑周長。第一層銅箔12焊接在第一出線銅排11上，第一層絕緣材料13包覆在第一層銅箔12內(nèi)側(cè)。第二層銅箔22焊接在第二出線銅排21上，第二層絕緣材料23包覆在第二層銅箔22內(nèi)側(cè)。第一層銅箔12與第二層銅箔22間隔設置，且包覆有第二層絕緣材料23的第二層銅箔22設置在包覆有第一層絕緣材料13的第一層銅箔12的內(nèi)側(cè)。一種輻向雙分裂箔式線圈的繞制方法，該繞制方法包括以下步驟
1)首先在第一層銅箔12內(nèi)側(cè)包覆第一層絕緣材料13，將第一層銅箔12焊接在第一出線銅排11上；在第二層銅箔22內(nèi)側(cè)包覆第二層絕緣材料23，將第二層銅箔22焊接在第二出線銅排21上。2)將第一出線銅排11和第一層銅箔12同時在繞線模3上繞制；當繞到線圈內(nèi)徑的半圈時，將第二出線銅排21和第二層銅箔22 —起放在第一層絕緣材料13的內(nèi)側(cè)；第一層銅箔12及其內(nèi)側(cè)的第一層絕緣材料13和第二層銅箔22及其內(nèi)側(cè)的第二層絕緣材料23 同時繞制；
3)當?shù)谝粚鱼~箔12或第二層銅箔22繞到相應匝數(shù)時，將第一層銅箔12剪斷后焊好相應的出頭銅排4，或第二層銅箔22剪斷后焊好相應的和出頭銅排5，并且焊好繼續(xù)繞制。以此類推，直到符合要求。本發(fā)明保證了第一層銅箔和第二層銅箔構(gòu)成了兩個互相獨立的線圈，這兩個線圈之間以及兩個線圈和其他線圈之間有足夠的電氣強度，這兩個線圈即能單獨運行也能同時運行。本發(fā)明線圈端部漏磁少，故其短路時候的軸向力也小，因而承受短路能力強。線圈匝間電容沿繞組分布均勻，增加了繞組對沖擊過電壓的穩(wěn)定性。
權(quán)利要求
1.一種輻向雙分裂箔式線圈，其特征在于該線圈包括第一出線銅排(11)、第一層銅箔(12)、第一層絕緣材料(13)、第二出線銅排(21)、第二層銅箔(22)和第二層絕緣材料 (23)；所述第一出線銅排(11)和第二出線銅排(21)均位于線圈內(nèi)側(cè)；第一層銅箔(12)焊接在第一出線銅排(11)上，第一層絕緣材料(13)包覆在第一層銅箔(12)內(nèi)側(cè)；第二層銅箔(22)焊接在第二出線銅排(21)上，第二層絕緣材料(23)包覆在第二層銅箔(22)內(nèi)側(cè)；所述第一層銅箔(12)與第二層銅箔(22)間隔設置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻向雙分裂箔式線圈，其特征在于第一出線銅排(11)與第二出線銅排(21)均位于線圈內(nèi)側(cè)且相差半個線圈內(nèi)徑周長。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻向雙分裂箔式線圈，其特征在于包覆有第二層絕緣材料(23)的第二層銅箔(22)設置在包覆有第一層絕緣材料(13)的第一層銅箔(12)的內(nèi)側(cè)。
4.一種權(quán)利要求1所述輻向雙分裂箔式線圈的繞制方法，其特征在于該繞制方法包括以下步驟1)首先在第一層銅箔(12)內(nèi)側(cè)包覆第一層絕緣材料(13)，將第一層銅箔(12)焊接在第一出線銅排(11)上；在第二層銅箔(22)內(nèi)側(cè)包覆第二層絕緣材料(23)，將第二層銅箔 (22)焊接在第二出線銅排(21)上；2)將第一出線銅排(11)和第一層銅箔(12)同時在繞線模(3)上繞制；當繞到線圈內(nèi)徑的半圈時，將第二出線銅排(21)和第二層銅箔(22)—起放在第一層絕緣材料(13)的內(nèi)側(cè)；第一層銅箔(12)及其內(nèi)側(cè)的第一層絕緣材料(13)和第二層銅箔(22)及其內(nèi)側(cè)的第二層絕緣材料(23)同時繞制；3)當?shù)谝粚鱼~箔(1 或第二層銅箔(22)繞到相應匝數(shù)時，將第一層銅箔(12)或第二層銅箔(22)剪斷后焊好相應的出頭銅排，并且焊好繼續(xù)繞制，直到符合要求。
5.根據(jù)權(quán)利書要求4所述的輻向雙分裂箔式線圈的繞制方法，其特征在于第一層銅箔(12)及其內(nèi)側(cè)的第一層絕緣材料(13)和第二層銅箔(22)及其內(nèi)側(cè)的第二層絕緣材料 (23 )構(gòu)成了兩個互相獨立的，即能單獨運行也能同時運行的線圈。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種輻向雙分裂箔式線圈及其繞制方法，該線圈第一出線銅排和第二出線銅排均位于線圈內(nèi)側(cè)；第一層銅箔焊接在第一出線銅排上，第一層絕緣材料包覆在第一層銅箔內(nèi)側(cè)；第二層銅箔焊接在第二出線銅排上，第二層絕緣材料包覆在第二層銅箔內(nèi)側(cè)；第一層銅箔與第二層銅箔間隔設置。繞制時，將第一出線銅排和第一層銅箔同時在繞線模上繞制；當繞到線圈內(nèi)徑的半圈時，將第二層銅箔放在第一層絕緣材料的內(nèi)側(cè)同時繞制；該繞制方法簡單、方便，便于實現(xiàn)繞組繞制過程的機械化。得到的線圈端部漏磁少，短路時候的軸向力也小，承受短路能力強；線圈匝間電容沿繞組分布均勻，增加了繞組對沖擊過電壓的穩(wěn)定性。
文檔編號H01F41/06GK102360797SQ20111020517
公開日2012年2月22日 申請日期2011年7月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月21日
發(fā)明者孫國平, 魏常友 申請人:江蘇中容科技有限公司