專利名稱：電致發(fā)光器件及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于光電技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電致發(fā)光器件及其制備方法。
背景技術(shù)：
有機電致發(fā)光(Organic Light Emission Diode),簡稱0LED,具有亮度高、材料選擇范圍寬、驅(qū)動電壓低、全固化主動發(fā)光等特性，同時擁有高清晰、廣視角，以及響應速度快等優(yōu)勢，符合信息時代移動通信和信息顯示的發(fā)展趨勢，以及綠色照明技術(shù)的要求，是目前國內(nèi)外眾多研究者的關(guān)注重點。在現(xiàn)有技術(shù)的OLED器件中，使用玻璃襯底制作的OLED器件不具備彎曲的特點，而且玻璃易碎，對發(fā)光器件的應用造成了影響。采用柔性材料作為襯底的OLED器件，比玻璃襯底的OLED具有更輕薄、更耐沖擊的優(yōu)點。并且柔性O(shè)LED的制備可以采用卷對卷方式生 產(chǎn)，從而大幅地降低制造成本。通常采用聚合物薄膜作為襯底時，在其表面制作的陽極，是通過濺射工藝覆蓋一層透明導電薄膜如ITO，IZO等材料，然而這些導電薄膜在柔性O(shè)LED的應用上也存在諸多難以克服的問題。例如在制備ITO薄膜的過程中，各種元素如銦(In)，(Sn)的摻雜比例組成不易控制，導致ITO薄膜的形貌，載流子和傳輸性能難以控制。其次，在柔性襯底上制備IT0等導電薄膜時，通常采用低溫濺射技術(shù)，所制備的導電薄膜表面電阻高，薄膜與襯底的結(jié)合力不強，使得柔性O(shè)LED在反復彎曲的過程中容易發(fā)生導電薄膜從襯底脫落的情況，影響OLED發(fā)光裝置的發(fā)光穩(wěn)定性。金屬鋁(Al)是一種比較容易通過真蒸鍍、濺射或旋涂聚合物薄膜上成膜的材料，金屬Al制備的薄膜具有高的反射率，良好的導電性，并且價格低廉，作為聚合物柔性稱底的陽極時，與襯底的結(jié)合力優(yōu)于ITO導電薄膜，適合制作頂發(fā)射OLED器件的陽極，但是Al的功函通常只有4. 28eV，和常用的空穴傳輸材料(NPB，TPD)的HOMO軌道之間存在較大的勢壘，導致鋁陽極的空穴注入能力較差，因此影響電致發(fā)光器件的發(fā)光性能

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明實施例提供一種電致發(fā)光器件，解決現(xiàn)有技術(shù)中金屬鋁作為陽極應用于OLED時存在鋁陽極和空穴傳輸層之間勢壘高的技術(shù)問題；以及該電致發(fā)光器件的制備方法。本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的，一種電致發(fā)光器件，包括襯底，位于該襯底上的陽極、陰極以及該陽極和陰極之間的發(fā)光層；該陽極和發(fā)光層之間設(shè)有空穴傳輸層和修飾層，該修飾層位于空穴傳輸層和陽極之間；該陰極和發(fā)光層之間設(shè)有電子注入層和電子傳輸層；該陽極的材質(zhì)為鋁，該修飾層的材質(zhì)為如下化學式的全氟脂肪酸CF3(CF2)n-COOH,其中η選自2 14中任一自然數(shù)。以及，
上述電致發(fā)光器件制備方法，包括如下步驟通過真空蒸鍍、濺射或旋涂在襯底上形成鋁陽極，得到含鋁陽極的襯底；將全氟脂肪酸溶解在十六烷中，配置成第一溶液，將該含鋁陽極的襯底放于第一溶液中浸泡，用氮氣流干燥，在陽極上形成修飾層，該全氟脂肪酸通式為CF3 (CF2)n-COOH,其中η選自2 14中任一自然數(shù)；
通過真空蒸鍍、濺射或旋涂在該修飾層上形成空穴傳輸層；通過真空蒸鍍、濺射或旋涂在該空穴傳輸層上形成發(fā)光層；通過真空蒸鍍、濺射或旋涂在該發(fā)光層上形成電子傳輸層；通過真空蒸鍍、濺射或旋涂在該電子傳輸層上形成電子注入層；通過真空蒸鍍、濺射或旋涂在該電子注入層上形成陰極，得到電致發(fā)光器件。本發(fā)明實施例電致發(fā)光器件通過使用全氟脂肪酸修飾層，提高了鋁陽極的功函數(shù)，能夠大大降低鋁陽極和空穴注入層之間的勢壘，顯著降低空穴傳遞過程中的能量損耗，使得電致發(fā)光器件的發(fā)光效率得到顯著提升；另一方面，由于勢壘的降低，能夠使得電致發(fā)光器件啟動電壓也明顯降低；本發(fā)明實施例電致發(fā)光器件制備方法，操作簡單、成本低廉、生產(chǎn)效益高，非常適于工業(yè)化生產(chǎn)。


圖I是本發(fā)明實施例電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)圖；圖2是本發(fā)明實施例二和對比例所制備的電致發(fā)光器件發(fā)光強度對比圖。
具體實施例方式為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。請參閱圖1，圖I顯示本發(fā)明實施例電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)圖，包括襯底1，位于該襯底I上的陽極2、陰極3以及該陽極2和陰極3之間的發(fā)光層4 ;該陽極2和發(fā)光層4之間設(shè)有空穴傳輸層5和修飾層6,該修飾層6位于空穴傳輸層5和陽極2之間；該陰極3和發(fā)光層4之間設(shè)有電子注入層7和電子傳輸層8 ;該陽極2的材質(zhì)為鋁，該修飾層6的材質(zhì)為如下化學式的全氟脂肪酸CF3(CF2)n-COOH,其中η選自2 14中任一自然數(shù)。本發(fā)明實施例電致發(fā)光器件，通過在鋁陽極和空穴傳輸層之間增加全氟脂肪酸作為修飾層，大大降低了鋁陽極和空穴傳輸層之間的能級勢壘，實現(xiàn)了電致發(fā)光器件發(fā)光效率的顯著提升。具體地，本發(fā)明實施例電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為襯底I、位于襯底I上的陽極2、位于陽極2上的修飾層6、位于該修飾層6上的空穴傳輸層5、位于該空穴傳輸層5上的發(fā)光層4，位于該發(fā)光層4上的電子傳輸層8、位于該電子傳輸層8上的電子注入層7、以及，位于該電子注入層7上的陰極3。進一步地，該陰極3上還包括增透膜9，通過在陰極3上使用增透膜，能故大大提高陰極3上的光取出效率，使電致發(fā)光器件的發(fā)光效率得到提升。
具體地，該襯底為柔性襯底；該襯底的材質(zhì)為柔性的聚合物薄膜，具體沒有限制，例如，聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、透明聚酰亞胺(PD、環(huán)烯烴共聚物(C0C)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯(PE)等；該襯底的厚度為
O.1-0. 5mm，該襯底經(jīng)過上述聚合物薄膜表面平整加硬處理得到，表面硬度在2H_3H(鉛筆硬度)之間。具體地，該陽極的材質(zhì)為鋁，該陽極為層狀結(jié)構(gòu)(鋁膜)，厚度為60-100納米。該陽極由鋁經(jīng)過真空蒸鍍、濺射或旋涂在襯底上形成。具體地，該修飾層的材質(zhì)為如下化學式的全氟脂肪酸CF3(CF2)n-COOH,其中η選自2 14中任一自然數(shù)，優(yōu)選為4-10的任一自然數(shù)；例如，2、4、5、6、8、10或14;該修飾層通過全氟脂肪酸的化學鍵與陽極(鋁膜)鍵接。通過使用該修飾層，提高了鋁陽極的功函數(shù)，能夠大大降低鋁陽極和空穴注入層之間的勢壘，顯著降低空穴傳遞過程中的能量損耗，使得電致發(fā)光器件的發(fā)光效率得到顯著提升；另一方面， 由于勢壘的降低，能夠使得電致發(fā)光器件啟動電壓也明顯降低。具體地，該空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層的材質(zhì)沒有限制，例如，空穴傳輸層采用的是N，N’ - 二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基_4，4’ -聯(lián)苯二胺(TPD)、Ν，N’-(I-萘基)-N，N’ - 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(NPB)、1，3，5-三苯基苯(TDAPB)或酞菁銅CuPc。發(fā)光層采用四-叔丁基二萘嵌苯(TBP)、4_ ( 二腈甲基)-2- 丁基-6- (I，I，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4Η-吡喃(DCJTB)、9，10- 二 -β -亞萘基蒽(AND)、二(2-甲基-8-羥基喹啉)-(4-聯(lián)苯酚)鋁(BALQ)、4_ ( 二腈甲烯基)_2_異丙基-6- (I，I，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTI)、二甲基喹吖啶酮(DMQA)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)，雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、雙(4，6_二氟苯基吡啶)-四(I-吡唑基)硼酸合銥(FIr6)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ) 2(acac))、二(I-苯基異喹啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (piq) 2 (acac))、乙酰丙酮酸二(2-苯基批唳)銥(Ir (ppy)2 (acac))、三(I-苯基-異喹啉)合銥(Ir (piq) 3)或三(2-苯基批唳)合銥(IHppy)3)的一種或一種以上。電子傳輸層采用2-(4-聯(lián)苯基)-5_(4-叔丁基)苯基_1，3，4_噁二唑(PBD)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、2，5_二(I-萘基)-1，3，4_二唑(BND)、1，2，4_三唑衍生物(如 TAZ)、N_芳基苯并咪唑(TPBI)或喹喔啉衍生物(TPQ)。電子注入層采用Cs2CO3,還可采用LiF、CsF、CaF2, MgF2或者NaF。具體地，該陰極的材質(zhì)選自金屬鋁(Al)，銀(Ag)，釤(Sm)，鐿(Yb)或者其合金，陰極可采用單層金屬或者多層金屬結(jié)構(gòu)；該陰極的總厚度為18-25nm，陰極在可見光下的透過率達到55% -75%之間。通過使用透光性金屬作為陰極，實現(xiàn)了本發(fā)明實施例電致發(fā)光器件雙面發(fā)光。進一步，該電致發(fā)光器件還包括增透膜，該增透膜覆蓋于陰極之上，該增透膜的材質(zhì)選自無機材料，例如ZnS，ZnSe ;或者有機材料，例如，Alq3, BCP, NPB, m-MTDATA,該增透膜的厚度為40-100nm。通過使用增透膜，使得電致發(fā)光器件在陰極的出光率得到提升，實現(xiàn)了電致發(fā)光器件發(fā)光效率的增加。本發(fā)明實施例進一步提供上述電致發(fā)光器件制備方法，包括如下步驟
步驟S01，制備陽極通過真空蒸鍍、濺射或旋涂在襯底上形成鋁陽極，得到含鋁陽極的襯底；步驟S02，制備修飾層將全氟脂肪酸溶解在十六烷中，配置成第一溶液，將該含鋁陽極的襯底放于第一溶液中浸泡，用氮氣流干燥，在陽極上形成修飾層，該全氟脂肪酸通式為CF3 (CF2)n-COOH,其中η選自2 14中任一自然數(shù)； 步驟S03，制備空穴傳輸層通過真空蒸鍍、濺射或旋涂在該修飾層上形成空穴傳輸層；步驟S04，制備發(fā)光層通過真空蒸鍍、濺射或旋涂在該空穴傳輸層上形成發(fā)光層；步驟S05，制備電子傳輸層通過真空蒸鍍、濺射或旋涂在該發(fā)光層上形成電子傳輸層；步驟S06，制備電子注入層通過真空蒸鍍、濺射或旋涂在該電子傳輸層上形成電子注入層；步驟S07，制備陰極通過真空蒸鍍、濺射或旋涂在該電子注入層上形成陰極，得到電致發(fā)光器件。具體地，本發(fā)明實施例電致發(fā)光器件制備方法中，該襯底、陽極、修飾層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極的材質(zhì)和前述相同，在此不重復闡述。具體地，步驟SOl前，還包括襯底的清洗步驟，具體為將襯底放在含有洗滌劑的去離子水中進行超聲清洗，用去離子水清洗干凈后依次放于異丙醇，丙酮中進行超聲波清洗，然后再用氮氣吹干。具體地，步驟SOl中，通過真空蒸鍍、濺射或旋涂，在襯底上制備鋁膜(鋁陽極)，該鋁膜的厚度為60-100納米。具體地，步驟S02中，該十一烷作為溶劑使用，將全氟脂肪酸溶于十一烷中得到第一溶液，該第一溶液的濃度為O. 5-2mmol/L ;然后再將步驟SOl中得到的含有鋁陽極的襯底放于該第一溶液中，浸泡5-10分鐘，使該全氟脂肪酸與鋁陽極通過化學鍵鍵接相連，在鋁陽極表面形成修飾層；然后將該含鋁陽極的襯底取出，用氮氣吹干；具體地，步驟S07所制備的陰極厚度為18-25納米。進一步，本發(fā)明實施例電致發(fā)光器件制備方法還包括增透膜制備步驟，具體為在該陰極上，通過真空蒸鍍、濺射或旋涂形成增透膜，該增透膜的厚度為40-100納米。本發(fā)明實施例電致發(fā)光器件制備方法，通過在鋁陽極和空穴傳輸層之間制備修飾層，使得鋁陽極的功函數(shù)大大提高，有效地降低了鋁陽極和空穴傳輸層之間的能級勢壘，使得空穴傳輸過程中能量損害大大減少，使得空穴傳輸效率明顯提高，實現(xiàn)了電致發(fā)光器件發(fā)光效率的顯著提升；另一方面，由于勢壘的降低，能夠使得電致發(fā)光器件啟動電壓也明顯降低；本發(fā)明實施例電致發(fā)光器件制備方法，操作簡單、成本低廉、生產(chǎn)效益高，非常適于工業(yè)化生產(chǎn)。以下結(jié)合具體實施例對上述電致發(fā)光器件制備方法進行詳細闡述。實施例一
本發(fā)明實施例電致發(fā)光器件制備方法，包括如下步驟將厚度為O. 175mm的PET薄膜放在含有洗滌劑的去離子水中進行超聲清洗，然后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理，完畢后用氮氣吹干；在柔性襯底表面，通過真空熱蒸鍍的方法形成Al膜，Al膜的厚度為60nm，得到含招月旲的襯底；將全氟丁酸(CF3 (CF2) 2-C00H)溶解在十六烷中，制成濃度為 O. 5mM的溶液，然后將制備好的含鋁膜的襯底浸泡在該溶液中10分鐘；完畢后取出用氮氣干燥，在鋁膜上形成修飾層；在該修飾層上通過蒸鍍形成材質(zhì)為a -NPD、厚度為20nm的空穴傳輸層；在該空穴傳輸層上通過蒸鍍形成材質(zhì)為a -NPD: Ir (MDQ)2 (acac)、厚度為20nm的發(fā)光層;在該發(fā)光層上通過蒸鍍形成材質(zhì)為Alq3、厚度為40nm的電子傳輸層；在該電子傳輸層上通過蒸鍍形成材質(zhì)為LiF、厚度為Inm的電子注入層；在該電子注入層上通過蒸鍍形成材質(zhì)為Ag、厚度為18nm的陰極；在該陰極上通過蒸鍍形成材質(zhì)為ZnS、厚度為50nm的增透膜層，得到電致發(fā)光器件。實施例二本發(fā)明實施例電致發(fā)光器件制備方法，包括如下步驟將厚度為O. 15mm的PI薄膜放在含有洗滌劑的去離子水中進行超聲清洗，然后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理，完畢后用氮氣吹干；在柔性襯底表面，通過真空熱濺射的方法形成Al膜，Al膜的厚度為80nm，得到含招月旲的襯底；將全氟十六酸(CF3 (CF2) 14-C00H)溶解在十六烷中，制成濃度為ImM的溶液，然后將制備好的含鋁膜的襯底浸泡在該溶液中8分鐘；完畢后取出用氮氣干燥，在鋁膜上形成修飾層；在該修飾層上通過濺射或形成材質(zhì)為a -NPD、厚度為20nm的空穴傳輸層；在該空穴傳輸層上通過派射形成材質(zhì)為TCTA: Ir (ppy)3、厚度為15nm的發(fā)光層；在該發(fā)光層上通過濺射形成材質(zhì)為Alq3、厚度為40nm的電子傳輸層；在該電子傳輸層上通過濺射形成材質(zhì)為LiF、厚度為Inm的電子注入層；在該電子注入層上通過派射形成由厚度為Inm的Al膜和厚度為18nm的Ag膜構(gòu)成的陰極；在該陰極上通過濺射形成材質(zhì)為BCP、厚度為SOnm的增透膜層，得到電致發(fā)光器件。實施例三本發(fā)明實施例電致發(fā)光器件制備方法，包括如下步驟將厚度為O. 18mm的PES薄膜放在含有洗滌劑的去離子水中進行超聲清洗，然后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理，完畢后用氮氣吹干；在柔性襯底表面，通過真空熱旋涂的方法形成Al膜，Al膜的厚度為lOOnm，得到含鋁膜的襯底；
將全氟己酸(CF3(CF2)4-COOH)溶解在十六烷中，制成濃度為2mM的溶液，然后將制備好的含鋁膜的襯底浸泡在該溶液中5分鐘；完畢后取出用氮氣干燥，在鋁膜上形成修飾層；在該修飾層上通過旋涂形成材質(zhì)為a -NPD、厚度為20nm的空穴傳輸層；在該空穴傳輸層上通過旋涂形成材質(zhì)為DCJTB = Alq3、厚度為15nm的發(fā)光層；在該發(fā)光層上通過旋涂形成材質(zhì)為Alq3、厚度為40nm的電子傳輸層；在該電子傳輸層上通過旋涂形成材質(zhì)為LiF、厚度為Inm的電子注入層；在該電子注入層上通過旋涂形成由厚度為13nm的Sm膜和厚度為12nm的Ag膜構(gòu)成的陰極；在該陰極上通過旋涂形成材質(zhì)為m-MTDATA、厚度為SOnm的增透膜層，得到電致發(fā) 光器件。 對比例對比例電致發(fā)光器件制備方法參照實施例二，其中，將修飾層改為材質(zhì)為m-MTDATA的空穴注入層。請參閱圖2，圖2顯示本發(fā)明實施例二和對比例所制備的電致發(fā)光器件發(fā)光強度對比圖。從圖2可以看出，實施例二制備的電致發(fā)光器件和對比例制備的電致發(fā)光器件在相同的電壓情況下，實施例二的電致發(fā)光器件的亮度比對比例的均要高得多，說明本發(fā)明實施例電致發(fā)光器件制備方法，通過在鋁陽極和空穴傳輸層之間制備修飾層，實現(xiàn)了電致發(fā)光器件發(fā)光效率的顯著改善。請參閱表1，表I顯示本發(fā)明實施例和對比例所制備的電致發(fā)光器件性能測試表；
權(quán)利要求
1.一種電致發(fā)光器件，包括襯底，位于所述襯底上的陽極、陰極以及所述陽極和陰極之間的發(fā)光層；所述陽極和發(fā)光層之間設(shè)有空穴傳輸層和修飾層，所述修飾層位于空穴傳輸層和陽極之間；所述陰極和發(fā)光層之間設(shè)有電子注入層和電子傳輸層；所述陽極的材質(zhì)為鋁，所述修飾層的材質(zhì)為如下化學式的全氟脂肪酸 CF3(CF2)n-COOH,其 中η選自2 14中任一自然數(shù)。
2.如權(quán)利要求I所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述修飾層的材質(zhì)為如下化學式的全氟脂肪酸 CF3(CF2)n-COOH,其中η選自4 10中任一自然數(shù)。
3.如權(quán)利要求I所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述襯底的材質(zhì)選自聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、環(huán)烯烴共聚物、聚碳酸酯或聚乙烯中的一種。
4.如權(quán)利要求I所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陰極的材質(zhì)選自鋁、銀、釤、鐿中一種或者以上，厚度為18-25納米。
5.如權(quán)利要求I所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陰極上覆蓋有增透膜。
6.如權(quán)利要求5所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述增透膜的材質(zhì)為硫化鋅、硒化鋅、三(8-羥基喹啉)鋁、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、N, N’ _(1_萘基)_Ν，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺或4，4，4，-三(Ν-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)三苯胺；所述增透膜的厚度為40-100納米。
7.—種電致發(fā)光器件制備方法，包括如下步驟 通過真空蒸鍍、濺射或旋涂在襯底上形成鋁陽極，得到含鋁陽極的襯底； 將全氟脂肪酸溶解在十六烷中，配置成第一溶液，將所述含鋁陽極的襯底放于第一溶液中浸泡，用氮氣流干燥，在陽極上形成修飾層，所述全氟脂肪酸通式為CF3 (CF2)n-COOH,其中η選自2 14中任一自然數(shù)； 通過真空蒸鍍、濺射或旋涂在所述修飾層上形成空穴傳輸層； 通過真空蒸鍍、濺射或旋涂在所述空穴傳輸層上形成發(fā)光層； 通過真空蒸鍍、濺射或旋涂在所述發(fā)光層上形成電子傳輸層； 通過真空蒸鍍、濺射或旋涂在所述電子傳輸層上形成電子注入層； 通過真空蒸鍍、濺射或旋涂在所述電子注入層上形成陰極，得到電致發(fā)光器件。
8.如權(quán)利要求7所述的電致發(fā)光器件制備方法，其特征在于，所述第一溶液的濃度為O.5-2mmol/L。
9.如權(quán)利要求7所述的電致發(fā)光器件制備方法，其特征在于，所述浸泡時間為5-10分鐘。
10.如權(quán)利要求7所述的電致發(fā)光器件制備方法，其特征在于，還包括制備增透膜的步驟 通過真空蒸鍍、濺射或旋涂在陰極上形成增透膜。
全文摘要
本發(fā)明適用于光電技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種電致發(fā)光器件及其制備方法。該電致發(fā)光器件，包括襯底，位于該襯底上的陽極、陰極以及該陽極和陰極之間的發(fā)光層；該陽極和發(fā)光層之間設(shè)有空穴傳輸層和修飾層，該修飾層位于空穴傳輸層和陽極之間；該陰極和發(fā)光層之間設(shè)有電子注入層和電子傳輸層；該陽極的材質(zhì)為鋁，該修飾層的材質(zhì)為如下化學式的全氟脂肪酸CF3(CF2)n-COOH，其中n選自2～14中任一自然數(shù)。本發(fā)明電致發(fā)光器件通過使用全氟脂肪酸修飾層，使得電致發(fā)光器件的發(fā)光效率得到顯著提升；本發(fā)明電致發(fā)光器件制備方法，操作簡單、成本低廉、生產(chǎn)效益高，非常適于工業(yè)化生產(chǎn)。
文檔編號H01L51/50GK102891261SQ20111020663
公開日2013年1月23日 申請日期2011年7月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月22日
發(fā)明者周明杰, 王平, 馮小明, 陳吉星 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司