專利名稱：功率裝置的耐壓終止結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及功率半導(dǎo)體裝置技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及ー種具有超級接面(super-junction)的功率金氧半場效晶體管(power M0SFET)裝置,特別是功率MOSFET裝置的外圍耐壓終端(termination)結(jié)構(gòu)和其制作方法。
背景技術(shù)：
功率半導(dǎo)體裝置常應(yīng)用在電源管理的部分，例如，切換式電源供應(yīng)器、計(jì)算機(jī)中心或周邊電源管理1C、背光板電源供應(yīng)器或馬達(dá)控制等等用途，其種類包含有絕緣閘雙極性晶體管(insulated gate bipolar transistor, IGBT)、金氧半場效晶體管(metal-oxi de-semi conductor field-effect transistor, M0SFET)與雙載子接面晶體管 (bipolar junction transistor,BJT)等裝置。其中，由在MOSFET可以節(jié)省電能且可以提供較快的裝置切換速度，因此被廣泛地應(yīng)用在各領(lǐng)域中。在現(xiàn)今功率裝置中，基底的設(shè)計(jì)是P型外延層和N型外延層交替設(shè)置，所以在基底中會(huì)存在有多個(gè)垂直在基底表面的PN接面，而且這些PN接面互相平行，又被叫做是超級接面結(jié)構(gòu)。在現(xiàn)今制作超級接面結(jié)構(gòu)的技術(shù)中，會(huì)先在一第一導(dǎo)電型基材(例如N型基材)上成長ー第一導(dǎo)電型外延層(例如N型外延層)，然后利用一第一屏蔽在第一導(dǎo)電型外延層上蝕刻出多個(gè)溝渠，接著填入一摻質(zhì)來源層在各溝渠中，再進(jìn)行ー化學(xué)機(jī)械拋光(chemical mechanical polishing,CMP)エ藝，使得P型外延層的上表面和第一導(dǎo)電型外延層的上表面切齊。隨后進(jìn)行一熱驅(qū)入(drive-in)エ藝，將P型外延層的摻質(zhì)擴(kuò)散到各溝渠周圍的第一導(dǎo)電型基材中，以形成包圍各溝渠的第二導(dǎo)電型基體摻雜區(qū)(例如P型基體摻雜區(qū))。而多個(gè)第二導(dǎo)電型基體摻雜區(qū)和第一導(dǎo)電型基材的接觸面即構(gòu)成超級接面結(jié)構(gòu)。但是，上述先前技藝仍有許多問題需要進(jìn)ー步解決。舉例來說，由於N型外延層和摻質(zhì)來源層的接觸面在熱驅(qū)入前即存在有接觸不良的情形，經(jīng)由熱驅(qū)入的步驟后，易產(chǎn)生摻質(zhì)濃度在N型外延層中分布不均勻的問題，因此無法提供非常平整一致的PN接面，導(dǎo)致功率裝置的耐壓能力受到影響。除此之外，前述的超級接面結(jié)構(gòu)是被設(shè)置在一晶胞區(qū)(cellregion)內(nèi)，其被一外圍耐壓區(qū)(edge termination region)包圍起來,如果外圍耐壓區(qū)內(nèi)的耐壓終端結(jié)構(gòu)(termination structure)設(shè)計(jì)不好,輕者可以能影響到裝置的崩潰電性，嚴(yán)重者會(huì)導(dǎo)致裝置的損壞?？梢灾溃匀恍枰环N改進(jìn)的超級接面功率半導(dǎo)體裝置和其制作方法，以解決現(xiàn)今技術(shù)的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在提供一種超級接面功率MOSFET裝置，其具有改進(jìn)的耐壓終端結(jié)構(gòu)，能夠解決先如技藝的不足和缺點(diǎn)。本發(fā)明提供一種功率裝置的耐壓終端結(jié)構(gòu)，包含有一第一導(dǎo)電型基底、一第一導(dǎo)電型外延層，設(shè)在第一導(dǎo)電型基底上、ー溝槽，位在第一導(dǎo)電型外延層中、一第一絕緣層，位在溝槽中、一第一導(dǎo)電層，位在溝槽中，且重疊設(shè)在所述的第一絕緣層上、和一第二導(dǎo)電型基體摻雜區(qū)，位在溝槽旁的第一導(dǎo)電型外延層中，且和第一導(dǎo)電層直接接觸。其中第一導(dǎo)電層和第一絕緣層直接接觸，且第一導(dǎo)電層的表面和第一導(dǎo)電型外延層的表面切齊。第一導(dǎo)電層包含有多晶娃、欽、氣化欽或招等導(dǎo)電材。


圖I到圖16是一種功率半導(dǎo)體裝置的制作方法。其中，附圖標(biāo)記說明如下
12第一導(dǎo)電型基底14晶胞區(qū)域
15過渡區(qū)16外圍耐壓區(qū)
18第一導(dǎo)電型外延層20襯墊層
20a上層襯墊層20b下層襯墊層
20c犧牲氧化層22硬掩模層
24、25、26溝槽27凹陷結(jié)構(gòu)
28緩沖層30摻質(zhì)來源層
32氧化物蓋層34第二導(dǎo)電型基體摻雜區(qū)
36第一絕緣層37光致抗蝕劑
38多晶硅層40場氧化層
42、51 光致抗蝕劑圖案44孔洞
46重?fù)诫s區(qū)48柵極氧化層
50柵極導(dǎo)電層50a、50b柵極圖案
51a開口52第二導(dǎo)電型離子井
53光致抗蝕劑圖案53a開口
54第一導(dǎo)電型源極摻雜區(qū) 56襯墊層
58第二絕緣層60、62接觸洞開口
64、66 第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)68接觸插塞 74a柵極導(dǎo)線74b源極電極
76保護(hù)層100裝置
具體實(shí)施例方式圖I到圖16是依據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例所繪示的制作功率裝置的方法示意圖，功率裝置可以包含溝槽式的功率MOSFET，而其中附圖中相同的裝置或部位會(huì)用相同的符號(hào)來表示。需注意的是，附圖是以說明作為目的，并未依照原尺寸作圖。首先，根據(jù)圖1，提供一第一導(dǎo)電型基底12，在本發(fā)明的優(yōu)選具體實(shí)施例中，第一導(dǎo)電型基底12是N+型摻雜硅基底，其可以當(dāng)作是功率MOSFET的漏極。第一導(dǎo)電型基底12上定義有一晶胞區(qū)(cell region) 14、一包圍晶胞區(qū)14的外圍耐壓區(qū)(terminationregion) 16、和一設(shè)置在晶胞區(qū)14和外圍耐壓區(qū)16間的過渡區(qū)(transition region) 15,其中晶胞區(qū)14是用來設(shè)置具有開關(guān)功能的晶體管裝置，而外圍耐壓區(qū)16是包括用來延緩晶胞區(qū)14的高強(qiáng)度電場向外擴(kuò)散的耐壓結(jié)構(gòu)。接著，可以利用外延工藝在第一導(dǎo)電型基底12上形成一第一導(dǎo)電型外延層18。根據(jù)本發(fā)明的最佳實(shí)施例,第一導(dǎo)電型外延層18可以是N—型外延層，其可以利用化學(xué)氣相沉積工藝或其它合適方法形成。第一導(dǎo)電型外延層18可以當(dāng)作是飄移層(drift layer)。接著,在第一導(dǎo)電型外延層18上形成一襯墊層20,襯墊層20可以分成上、下兩部分，上層襯墊層20a的組成可以是氮化硅(Si3N4)，而下層襯墊層20b的組成可以是二氧化硅(SiO2)。接著，通過沉積工藝在襯墊層20表面形成一硬掩模層22，例如娃氧層。 接著，根據(jù)圖2，利用光刻和蝕刻工藝，在硬掩模層22、襯墊層20和第一導(dǎo)電型外延層18中形成溝槽24、25、26，其特征在于，溝槽24位在晶胞區(qū)域14內(nèi)，溝槽25位在過渡區(qū)15內(nèi)，溝槽26位在外圍耐壓區(qū)16內(nèi)。舉例來說,溝槽24、25、26的形成方式可以先在一硬掩模層22上涂布一光致蝕刻停止層(圖未示)，接著利用具有溝槽圖案的光罩作是曝光屏蔽對光致蝕刻停止層(圖未示)進(jìn)行一曝光和顯影工藝，再利用圖案化的光致蝕刻停止層作是蝕刻屏蔽而對硬掩模層22和襯墊層20進(jìn)行一各向異性蝕刻工藝，將光罩上的溝槽圖案轉(zhuǎn)移到硬掩模層22和襯墊層20，然后去除圖案化的光致蝕刻停止層，再進(jìn)行干式蝕刻工藝，將溝槽圖案轉(zhuǎn)移到第一導(dǎo)電型外延層18中。當(dāng)然，上述形成溝槽的方法只是例示，溝槽24、25、26可以利用其它方法形成。本發(fā)明的溝槽的形狀、位置、深度、寬度、長度和數(shù)量等特征不受到圖2溝槽24、25、26所限制，而可以根據(jù)實(shí)際的產(chǎn)品設(shè)計(jì)需求或工藝特性而調(diào)整，例如溝槽24、25、26的布局可以具有條狀(strip)、六邊形(hexagonal)或螺旋狀(spiral)等圖案。參考圖3，接著去除硬掩模層22，并在溝槽24、25、26的表面以熱氧化的方式形成一緩沖層(buffer layer) 28,其中緩沖層28的組成包含娃氧層，且其厚度較佳小於30納米。除此之外，緩沖層的組成并不建議采用氧氮化合物(oxynitride)或是氮化物(nitride),這是因是氧氮化合物會(huì)產(chǎn)生電子捕捉缺陷,而氮化物會(huì)有應(yīng)力問題。接著，沉積一摻質(zhì)來源層30在襯墊層20表面，并且使摻質(zhì)來源層30填滿溝渠24、25、26，其特征在于摻質(zhì)來源層30具有一第二導(dǎo)電型,例根據(jù)P型，且摻質(zhì)來源層30的材料包含硼娃玻璃(borosilicate glass, BSG),但不限在此。然后,全面形成一氧化物蓋層32在摻質(zhì)來源層30的表面，并且進(jìn)行一熱驅(qū)入工藝，使溝渠內(nèi)摻質(zhì)來源層30的摻質(zhì)擴(kuò)散到第一導(dǎo)電型外延層18中，在溝渠24、25、26周圍的第一導(dǎo)電型外延層18內(nèi)形成具有一第二導(dǎo)電型基體摻質(zhì)區(qū)34，其特征在于第二導(dǎo)電型基體摻質(zhì)區(qū)34和第一導(dǎo)電型外延層18間形成垂直PN接面，亦即超級接面。要注意的是，緩沖層28能夠修補(bǔ)蝕刻后的溝渠24、25、26的側(cè)壁，使得摻質(zhì)來源層30和溝渠24、25、26的側(cè)壁接觸完全，使得摻質(zhì)能在熱驅(qū)入的過程中均勻地?cái)U(kuò)散到第一導(dǎo)電型外延層18內(nèi)，根據(jù)此，摻質(zhì)會(huì)在溝渠24、25、26周圍形成均勻的濃度梯度分布，而且在緩沖層28的幫助下，摻質(zhì)來源層30的摻質(zhì)能向外擴(kuò)散到第一導(dǎo)電型外延層18的大約相同深度，而形成平整的PN接面?？偠灾?，緩沖層28可以增進(jìn)摻質(zhì)在第一導(dǎo)電型外延層18內(nèi)的濃度梯度分布的均勻性，并有效解決在先前技術(shù)中PN接面不平整的困難。根據(jù)圖4，接著將氧化物蓋層32、摻質(zhì)來源層30和緩沖層28去除，暴露出襯墊層20的上表面和溝渠24、25、26的側(cè)壁。另外，根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選實(shí)施例，在完成第二導(dǎo)電型基體摻質(zhì)區(qū)34后，可以指去除氧化物蓋層32和摻質(zhì)來源層30，而留下緩沖層28，或只去除氧化物蓋層32而留下?lián)劫|(zhì)來源層30和緩沖層28。將緩沖層28去除的好處是，可以避免因?yàn)閾劫|(zhì)來源層30去除不完全而遺留下來的殘留物。然后，根據(jù)圖5，在襯墊層20的表面全面形成一第一絕緣層36，并使第一絕緣層36填入溝渠24、25、26內(nèi)，然后進(jìn)行一化學(xué)機(jī)械拋光工藝(chemical mechanical polishing,CMP)，直到暴露出襯墊層20的上表面，根據(jù)圖6，再進(jìn)行一光刻工藝，以一光致蝕刻停止層光致抗蝕劑37覆蓋住晶胞區(qū)14，接著對未被光致抗蝕劑37覆蓋住的過渡區(qū)15和外圍耐壓區(qū)16進(jìn)行蝕刻工藝。這個(gè)時(shí)候，位在過渡區(qū)15的溝渠25和外圍耐壓區(qū)16內(nèi)的溝渠26內(nèi)的部分第一絕緣層36會(huì)被移除，暴露出溝渠25、26的上半部，形成一凹陷結(jié)構(gòu)27。根據(jù)圖7所示，然后移除晶胞區(qū)14內(nèi)的光致抗蝕劑37，再全面進(jìn)行一多晶硅沉積工藝，在晶胞區(qū)14、過渡區(qū)15和外圍耐壓區(qū)16形成一多晶硅層38，并使多晶硅層38填入位在過渡區(qū)15和外圍耐壓區(qū)16內(nèi)的凹陷結(jié)構(gòu)27。接著，進(jìn)行一離子注入工藝，將摻質(zhì)注入到多晶硅層38中，以增進(jìn)多晶硅層38的導(dǎo)電度，此離子注入工藝可以使多晶硅層38具有第二導(dǎo)電型。除此之外，在另一優(yōu)選實(shí)施例中，多晶硅層38也可以由鈦/氮化鈦(Ti/TiN)或鋁等金屬取代。根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選實(shí)施例，摻質(zhì)來源層30和緩沖層28也可以不去除，在多晶硅層38填入位在過渡區(qū)15和外圍耐壓區(qū)16內(nèi)的凹陷結(jié)構(gòu)27后，再將摻質(zhì)來源層30中的摻質(zhì)擴(kuò)散到多晶娃層38,并同時(shí)擴(kuò)散到第一導(dǎo)電型外延層18內(nèi)，形成具有一第二導(dǎo)電型基體摻質(zhì)區(qū)34，形成超級接面。根據(jù)圖8所示，接著，進(jìn)行一化學(xué)機(jī)械拋光工藝，直到暴露出襯墊層20的上表面。再分別對晶胞區(qū)14內(nèi)的第一絕緣層36和對過渡區(qū)15、外圍耐壓區(qū)16內(nèi)的多晶硅層38進(jìn)行蝕刻工藝，直到晶胞區(qū)14內(nèi)的第一絕緣層36和過渡區(qū)15、外圍耐壓區(qū)16的多晶硅層38的上表面大概和第一導(dǎo)電型外延層18的上表面切齊。根據(jù)圖9，接著，移除位在第一導(dǎo)電型外延層18表面的上層襯墊層20a，暴露出下層襯墊層20b。在外圍耐壓區(qū)16內(nèi)的第一導(dǎo)電型外延層18的上表面形成一場氧化層40，并且在第一導(dǎo)電型外延層18的表面形成一犧牲氧化層20c，場氧化層40的組成可以包含氧硅化物。參考圖10，進(jìn)行一光刻工藝，形成一光致抗蝕劑圖案42，其包括一開口 44，暴露出部分的犧牲氧化層20c。開口 44定義出預(yù)定形成保護(hù)封環(huán)(guard ring)的位置。然后,進(jìn)行一離子注入工藝，經(jīng)由開口 44將摻質(zhì)注入第一導(dǎo)電型外延層18，形成一重?fù)诫s區(qū)46。 根據(jù)圖11，接著，去除光致抗蝕劑圖案42，并進(jìn)行一熱驅(qū)入工藝，活化重?fù)诫s區(qū)46內(nèi)的摻質(zhì)。在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，重?fù)诫s區(qū)46具有第二導(dǎo)電型，例如P型。隨后，移除犧牲氧化層20c,暴露出第一導(dǎo)電型外延層18的上表面。然后,在暴露出于晶胞區(qū)14和過渡區(qū)15的第一導(dǎo)電型外延層18的表面形成一柵極氧化層48，再全面沉積一柵極導(dǎo)電層50，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，柵極導(dǎo)電層50可以包含摻雜多晶娃(doped poly-silicon)。并進(jìn)行一光刻工藝，形成一光致抗蝕劑圖案51，其包含多個(gè)開口 50a，暴露出部分的柵極導(dǎo)電層50。根據(jù)圖12所示，接著進(jìn)行一蝕刻工藝，經(jīng)由開口 51a蝕刻掉部分的柵極導(dǎo)電層50，形成柵極圖案50a、50b，其中柵極圖案50b位在外圍耐壓區(qū)16內(nèi)的場氧化層40上方。然后，去除光致抗蝕劑圖案51。接下來，進(jìn)行一自對準(zhǔn)離子注入工藝，在溝槽24、25旁的第一導(dǎo)電型外延層18中形成一第二導(dǎo)電型離子井52，例如P型井。接著，可以繼續(xù)進(jìn)行一熱驅(qū)入工藝。根據(jù)圖13所示，接著進(jìn)行一光刻工藝，形成一光致抗蝕劑圖案53，其包括一開口53a，暴露出晶胞區(qū)14。再進(jìn)行一離子注入工藝，在晶胞區(qū)14內(nèi)的第二導(dǎo)電型離子井52內(nèi)形成一第一導(dǎo)電型源極摻雜區(qū)54。在此離子注入工藝中，過渡區(qū)15和外圍耐壓區(qū)16受到 光致抗蝕劑圖案53保護(hù)，因此不會(huì)產(chǎn)生摻雜區(qū)。然后，去除光致抗蝕劑圖案53。接著，可以繼續(xù)進(jìn)行一熱驅(qū)入工藝。根據(jù)第14圖所示，在晶胞區(qū)14、過渡區(qū)15和外圍耐壓區(qū)16的上表面全面沉積一襯墊層56和一第二絕緣層58。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，此第二絕緣層58的組成可以包含硼磷硅玻璃(BPSG)。然后，可以以繼續(xù)進(jìn)行一回流(reflow)工藝和/或回蝕刻工藝，使得第二絕緣層58表面平坦化。參考圖15，蝕刻晶胞區(qū)14、過渡區(qū)15和外圍耐壓區(qū)16內(nèi)的部分第二絕緣層58和襯墊層56，在晶胞區(qū)14內(nèi)的各溝渠24上方形成一接觸洞開口 60，暴露出溝渠24內(nèi)的第一絕緣層36和部分的第一導(dǎo)電型源極摻雜區(qū)54。同時(shí)，在過渡區(qū)15的第二導(dǎo)電型離子井52上，和在外圍耐壓區(qū)16的柵極圖案50b上方，分別形成一接觸洞開口 62。接下來，進(jìn)行一離子注入工藝，以在第一導(dǎo)電型源極摻雜區(qū)54下方形成一第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)64，其中第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)64和第一導(dǎo)電型源極摻雜區(qū)54是端接接觸(butted contact)。此離子注入工藝同時(shí)在暴露出于過渡區(qū)15的部分第二導(dǎo)電型井52內(nèi)形成一第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)66。經(jīng)由離子注入工藝，也可以增加?xùn)艠O圖案50b的導(dǎo)電性，降低后續(xù)和金屬接觸產(chǎn)生的電阻。根據(jù)圖16所示，在各接觸洞開口 60、62中形成接觸插塞68，其中，接觸插塞68可以包含金屬材料，例如鶴(tungsten, W)或銅(copper, Cu)等,且填入金屬材料前可以在接觸洞開口 60、62中先形成黏合層(glue layer)或/和阻擋層(barrier layer)。然后,全面形成一金屬層(圖未示)，例根據(jù)，鈦、鋁等，覆蓋在接觸插塞68和第二絕緣層58上方。再利用另一道光刻蝕刻工藝而去除過渡區(qū)15內(nèi)部分的金屬層，以形成至少一柵極導(dǎo)線74a和至少一源極電極74b。其中，柵極導(dǎo)線74a和源極導(dǎo)線74b分別直接接觸并覆蓋在外圍耐壓區(qū)16和晶胞區(qū)域14的接觸插塞68上。接著，在過渡區(qū)15和外圍耐壓區(qū)16內(nèi)形成一層保護(hù)層76，其覆蓋住柵極導(dǎo)線74a，但是暴露出源極電極74b，以形成本發(fā)明超級接面功率MOSFET 裝置 100。綜上所述，本發(fā)明的摻質(zhì)來源層和溝槽側(cè)壁間含有一緩沖層，摻質(zhì)層除可以增進(jìn)溝渠側(cè)壁的平整性，使得摻質(zhì)能在熱驅(qū)入的過程中均勻地?cái)U(kuò)散到第一導(dǎo)電型外延層內(nèi)，在溝渠周圍形成一均勻的濃度梯度分布，也能使摻質(zhì)來源層中不同深度的摻質(zhì)擴(kuò)散約略相同的距離。因此，PN接面的平整性可以大幅提升，有效克服在先前技術(shù)中PN接面不平整的困難，進(jìn)而加強(qiáng)功率裝置的耐壓能力。
再參考圖16，結(jié)構(gòu)上，本發(fā)明超級接面功率MOSFET裝置100在外圍耐壓區(qū)16內(nèi)設(shè)有多個(gè)溝槽式耐壓終端結(jié)構(gòu)116a和116b，可以以條狀、網(wǎng)狀或同心圓狀排列。其中，耐壓終端結(jié)構(gòu)116a位在場氧化層40正下方，且包含位在溝槽26下半部的第一絕緣層36、疊設(shè)在第一絕緣層36的上的多晶娃層38,和第二導(dǎo)電型基體摻雜區(qū)34,其特征在于,使多晶娃層38和第二導(dǎo)電型基體摻雜區(qū)34直接接觸并構(gòu)成電連結(jié)，而且第二導(dǎo)電型基體摻雜區(qū)34和第一導(dǎo)電型外延層18的間具有垂直PN超級接面。位在在場氧化層40上的柵極圖案50b，其可以以經(jīng)由接觸插塞68和柵極導(dǎo)線74a電連接。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，第一絕緣層36是直接碰觸到第一導(dǎo)電型基底12。但是，根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選實(shí)施例，第一絕緣層36也可以不碰觸到第一導(dǎo)電型基底12。耐壓終端結(jié)構(gòu)116b則位在過渡區(qū)15，設(shè)在第二導(dǎo)電型離子井52的范圍內(nèi)，和耐壓終端結(jié)構(gòu)116a的間隔著至少一作為保護(hù)封環(huán)(guard ring)的重?fù)诫s區(qū)46。耐壓終端結(jié)構(gòu)116b同樣包含位在溝槽26下半部的第一絕緣層36、疊設(shè)在第一絕緣層36的上的多晶硅層38，和第二導(dǎo)電型基體摻雜區(qū)34，其中，多晶硅層38和第二導(dǎo)電型基體摻雜區(qū)34直接接觸并構(gòu)成電連結(jié)。第一絕緣層36可以直接碰觸到第一導(dǎo)電型基底12。耐壓終端結(jié)構(gòu)116b的多晶硅層38上方是柵極氧化層48，而且在柵極氧化層48上設(shè)有柵極圖案50a。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化與修 飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種功率裝置的耐壓終端結(jié)構(gòu)，其特征在于包含有 一第一導(dǎo)電型基底； 一第一導(dǎo)電型外延層，設(shè)置于所述的第一導(dǎo)電型基底上； 一溝槽，位于所述的第一導(dǎo)電型外延層中； 一第一絕緣層，位于所述的溝槽中； 一第一導(dǎo)電層，位于所述的溝槽中，且疊置于所述的第一絕緣層上；以及 一第二導(dǎo)電型基體摻雜區(qū)，位于所述的溝槽旁的所述的第一導(dǎo)電型外延層中，而且與所述的第一導(dǎo)電層直接接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的功率裝置的耐壓終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的第一導(dǎo)電層包含多晶娃、鈦、氮化鈦或招。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的功率裝置的耐壓終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的第一導(dǎo)電層與所述的第一絕緣層直接接觸，而且所述的第一導(dǎo)電層的表面與所述的第一導(dǎo)電型外延層的表面切齊。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的功率裝置的耐壓終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包含有一場氧化層，覆蓋住所述的第一導(dǎo)電層和所述的第二導(dǎo)電型基體摻雜區(qū)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的功率裝置的耐壓終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包含有第二導(dǎo)電層，置于所述的場氧化層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的功率裝置的耐壓終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包含有第二絕緣層，覆蓋住所述的場氧化層和所述的第二導(dǎo)電層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的功率裝置的耐壓終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包含有柵極導(dǎo)線，位于所述的第二絕緣層上，和第一接觸插塞，置于所述的第二絕緣層中，電連接所述的第二導(dǎo)電層與所述的柵極導(dǎo)線。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的功率裝置的耐壓終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的第一絕緣層與所述的第一導(dǎo)電型基底直接接觸。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的功率裝置的耐壓終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的第二導(dǎo)電型基體摻雜區(qū)與所述的第一導(dǎo)電型基底互相連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的功率裝置的耐壓終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的第一導(dǎo)電型為N型，所述的第二導(dǎo)電型為P型。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率裝置的耐壓終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包含有第二導(dǎo)電型離子井，設(shè)置于所述的第一導(dǎo)電型外延層中。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種功率裝置的耐壓終端結(jié)構(gòu)，包含有一第一導(dǎo)電型基底、一第一導(dǎo)電型外延層，設(shè)置在第一導(dǎo)電型基底上、一溝槽，位在第一導(dǎo)電型外延層中、一第一絕緣層，位在溝槽中、一第一導(dǎo)電層，位在溝槽中，且疊設(shè)在第一絕緣層上、和一第二導(dǎo)電型基體摻雜區(qū)，位在溝槽旁的第一導(dǎo)電型外延層中，而且和第一導(dǎo)電層直接接觸。其中第一導(dǎo)電層與第一絕緣層直接接觸，并且第一導(dǎo)電層的表面與第一導(dǎo)電型外延層的表面切齊。第一導(dǎo)電層包含有多晶硅、鈦、氮化鈦或鋁等導(dǎo)電材料。
文檔編號(hào)H01L29/06GK102751327SQ20111020915
公開日2012年10月24日 申請日期2011年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月21日
發(fā)明者吳孟韋, 徐守一, 林永發(fā), 石逸群, 詹景晴, 陳面國 申請人:茂達(dá)電子股份有限公司