專利名稱：一種氮化物led結(jié)構(gòu)及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及LED制備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)及其制備方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED，Light Emitting Diode)是一種半導(dǎo)體固體發(fā)光器件，其利用半導(dǎo)體PN結(jié)作為發(fā)光材料，可以直接將電轉(zhuǎn)換為光。當(dāng)半導(dǎo)體PN結(jié)的兩端加上正向電壓后， 注入PN結(jié)中的少數(shù)載流子和多數(shù)載流子發(fā)生復(fù)合，放出過(guò)剩的能量而引起光子發(fā)射，直接發(fā)出顏色為紅、橙、黃、綠、青、藍(lán)、紫的光。隨著以氮化物為基礎(chǔ)的高亮度LED應(yīng)用的開(kāi)發(fā)，新一代綠色環(huán)保型固體照明光源-氮化物L(fēng)ED已成為人們關(guān)注的焦點(diǎn)。以GaNUnGaN和AlGaN合金為主的III族氮化物半導(dǎo)體材料具有寬的直接帶隙、強(qiáng)化學(xué)鍵、耐高溫、抗腐蝕等優(yōu)良性能，是制造短波長(zhǎng)高亮度發(fā)光器件的理想材料。由于LED器件的制造一般采用橫向結(jié)構(gòu)，體型是長(zhǎng)方體左右兩面相互平行，雖然有源區(qū)發(fā)出的光大部分從P型區(qū)的頂部出射，但是，由于半導(dǎo)體材料與空氣的折射率差異較大，導(dǎo)致LED光從折射率大的芯片發(fā)射到折射率小的空氣時(shí)，會(huì)在半導(dǎo)體與空氣的界面發(fā)生全發(fā)射，未經(jīng)處理的半導(dǎo)體LED結(jié)構(gòu)表面只有很少一部分的光從芯片內(nèi)部逃逸出來(lái)， 從而導(dǎo)致芯片的出光效率非常低。由于芯片的出光效率是決定半導(dǎo)體照明芯片的發(fā)光效率的主要因素，因此，提升氮化物L(fēng)ED的發(fā)光效率和增大光的取出效率對(duì)提高器件的外部量子效率起著非常關(guān)鍵的作用。為了提高外部量子效率，人們正在試圖從技術(shù)上嘗試各種能提高芯片出光率的方法，比如圖形化襯底技術(shù)(Patterned sapphire substrate)，在光滑的襯底表面，通過(guò)刻蝕的方法制造出納米或微米尺度的有規(guī)律的幾何狀的突起或凹陷，然后在這樣粗糙的襯底表面進(jìn)行外延生長(zhǎng)LED結(jié)構(gòu)。從LED結(jié)構(gòu)有源區(qū)發(fā)出的光，在射到外延層與藍(lán)寶石的界面處時(shí)，粗糙的界面會(huì)對(duì)光線產(chǎn)生散射作用，改變了光線的傳輸方向，擴(kuò)展了光出射的臨界角度，提高了取光效率和外量子效率。然而，采用掩膜和刻蝕的方法在襯底上形成有規(guī)律的突起或凹陷結(jié)構(gòu)，這種附加的制程工藝會(huì)顯著提高生產(chǎn)成本。另外，相對(duì)于襯底的外延工藝而言，在進(jìn)行過(guò)表面粗化工藝的基礎(chǔ)上進(jìn)行外延，首先要把粗糙的襯底圖形填滿，才能將外延薄膜長(zhǎng)平，外延時(shí)間增加 1 2小時(shí)，不僅降低了生產(chǎn)效率，而且增加了原材料的消耗。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)及其制備方法，以解決在襯底上形成粗糙表面而采用的光刻工藝帶來(lái)的生產(chǎn)成本高的問(wèn)題。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提出一種氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)，該氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)包括襯底以及在所述襯底上生長(zhǎng)的低溫成核層和非摻雜氮化物層，在所述低溫成核層上生長(zhǎng)三維生長(zhǎng)層，在所述三維生長(zhǎng)層與所述非摻雜氮化物層之間設(shè)置有一 AlJrvxN材料層，所述AlxIrvxN材料層具有粗糙表面，所述Al JrvxN材料層的折射率與所述非摻雜氮化物層的折射率不同，其中，0 < χ < 1?？蛇x的，所述AlxIrvxN材料層與所述三維生長(zhǎng)層的晶格相互匹配?？蛇x的，所述氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)還包括在所述非摻雜氮化物層上依次形成的N型氮化物層、多量子阱有源層、P型氮化物層，所述AlJrvxN材料層的禁帶寬度大于多量子阱有源層的量子阱的禁帶寬度。可選的，在氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)中，所述Al JrvxN材料層與所述三維生長(zhǎng)層具有相互匹配的粗糙表面?？蛇x的，在氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)中，所述三維生長(zhǎng)層的粗糙表面為島狀結(jié)構(gòu)。可選的，在氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)中，所述AlJrvxN材料層的折射率和晶格參數(shù)通過(guò) AlJrvxN中鋁的組分調(diào)節(jié)。同時(shí)，為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明還提出一種氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)的制備方法，該方法包括如下步驟提供襯底；在所述襯底上依次形成低溫成核層、三維生長(zhǎng)層，AlJrvxN材料層、 非摻雜的氮化物層；其中，所述AlxIrvxN材料層具有粗糙表面，并且所述AlxIrvxN材料層的折射率與所述非摻雜氮化物層的折射率不同?？蛇x的，在氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)的制備方法中，所述AlJrvxN材料層與所述三維生長(zhǎng)層的晶格相互匹配?？蛇x的，在所述非摻雜的氮化物層上依次形成N型氮化物層、多量子阱有源層、P 型氮化物層，所述AlJrvxN材料層的禁帶寬度大于多量子阱有源層的量子阱的禁帶寬度。可選的，在氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)的制備方法中，所述Al JrvxN材料層具有與所述三維生長(zhǎng)層相匹配的粗糙表面。可選的，在氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)的制備方法中，所述三維生長(zhǎng)層的粗糙表面為島狀結(jié)構(gòu)?？蛇x的，在氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)的制備方法中，通過(guò)金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積的方法在所述襯底上形成所述低溫成核層，并通過(guò)升高工藝溫度對(duì)所述低溫成核層進(jìn)行高溫退火處理，使所述低溫成核層表面形成凸起結(jié)構(gòu)?？蛇x的，在氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)的制備方法中，形成所述低溫成核層的工藝溫度為 500°C 700"C?？蛇x的，在氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)的制備方法中，升高工藝溫度直到溫度值大于900°C?？蛇x的，在對(duì)低溫成核層進(jìn)行高溫退火處理后，通入金屬有機(jī)源和氮源對(duì)所述凸起結(jié)構(gòu)進(jìn)行三維生長(zhǎng)?？蛇x的，在氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)的制備方法中，所述AlJrvxN材料層的折射率和晶格參數(shù)通過(guò)AlxIrvxN中鋁的組分調(diào)節(jié)?？蛇x的，在氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)的制備方法中，通過(guò)金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積的方法形成所述AlxIrvxN材料層，升高工藝溫度，AlxIrvxN中鋁的組分增加；降低工藝溫度，AlxIrvxN 中鋁的組分減少。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)，利用在所述三維生長(zhǎng)層與所述非摻雜氮化物之間設(shè)置的具有粗糙表面的AlxIrvxN材料層，使光射到AlxIrvxN材料層與非摻雜的氮化物層的分界面時(shí)，粗糙的分界面會(huì)對(duì)光線產(chǎn)生散射作用，改變了光線的傳輸方向，擴(kuò)展了光出射的臨界角度，提高了取光效率和外量子效應(yīng)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)的制備方法，通過(guò)在襯底上依次形成低溫成核層、三維生長(zhǎng)層、AlxIrvxN材料層、非摻雜的氮化物層，并且使AlxIrvxN材料層具有粗糙的表面以滿足一定的出光效率，本發(fā)明提供的制備方法能夠與通常采用的LED外延生長(zhǎng)工藝兼容，在反應(yīng)室中一次完成，而不需要采取另外的加工或制程工藝，解決了在襯底上形成粗糙表面而采用的光刻工藝帶來(lái)的生產(chǎn)成本提高的問(wèn)題。進(jìn)一步地，所述AlxIrvxN材料層的禁帶寬度大于多量子阱有源層的量子阱的禁帶寬度，以使量子阱發(fā)出的光不會(huì)被AlJrvxN材料層吸收。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的氮化物L(fēng)ED制備方法步驟流程圖；圖3A至圖3C為本發(fā)明實(shí)施例提供的氮化物L(fēng)ED的制備方法中各步驟對(duì)應(yīng)的器件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提出的氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)及其制備方法作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是， 附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比率，僅用于方便、明晰地輔助說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的目的。本發(fā)明的核心思想在于，提供一種氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)，利用在所述三維生長(zhǎng)層與所述非摻雜氮化物之間設(shè)置的具有粗糙表面的AlxIrvxN材料層，使光射到AlJrvxN材料層與非摻雜的氮化物層的分界面時(shí)，粗糙的分界面會(huì)對(duì)光線產(chǎn)生散射作用，改變了光線的傳輸方向，擴(kuò)展了光出射的臨界角度，提高了取光效率和外量子效應(yīng)；同時(shí)，還提供一種氮化物 LED結(jié)構(gòu)的制備方法，通過(guò)在襯底上依次形成低溫成核層、三維生長(zhǎng)層、AlJrvxN材料層、非摻雜的氮化物層，并且使Al JrvxN材料層具有粗糙的表面以滿足一定的出光效率，本發(fā)明提供的制備方法能夠與通常采用的LED外延生長(zhǎng)工藝兼容，在反應(yīng)室中一次完成，而不需要采取另外的加工或制程工藝，解決了在襯底上形成粗糙表面而采用的光刻工藝帶來(lái)的生產(chǎn)成本提高的問(wèn)題。請(qǐng)參考圖1，圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)的剖面圖，如圖2所示， 本發(fā)明實(shí)施例提供的氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)包括襯底101以及在所述襯底101上生長(zhǎng)的低溫成核層102和非摻雜氮化物層104，在所述低溫成核層上生長(zhǎng)三維生長(zhǎng)層108，在所述三維生長(zhǎng)層108與所述非摻雜氮化物層104之間設(shè)置有一 AlJrvxN材料層103，所述AlxIrvxN材料層103具有粗糙表面，所述AlJrvxN材料層103的折射率與所述非摻雜氮化物層104的折射率不同，其中，0 < χ < 1。進(jìn)一步地，所述氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)還包括在所述非摻雜氮化物層104上依次形成的 N型氮化物層105、多量子阱有源層106、P型氮化物層107，所述AlJrvxN材料層103的禁帶寬度大于多量子阱有源層106的量子阱的禁帶寬度，以使多量子阱有源層106發(fā)出的光不會(huì)被Al JrvxN材料層103吸收。
進(jìn)一步地，在氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)中，所述AlxIrvxN材料層103與所述三維生長(zhǎng)層108 具有相互匹配的粗糙表面，在本實(shí)施例中，所述粗糙表面為島狀結(jié)構(gòu)，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，所述粗糙表面不僅僅為島狀結(jié)構(gòu)，還可以是其他的不平整的結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，所述三維生長(zhǎng)層108的材料是氮化鎵。具體地，所述AlxIrvxN材料層103的折射率和晶格參數(shù)通過(guò)合金中鋁的組分調(diào)節(jié)， 升高生長(zhǎng)溫度，合金中鋁的組分增加，降低生長(zhǎng)溫度，合金中鋁的組分減少。在本實(shí)施例中， 所述AlJrvxN材料層103中，Al的組分優(yōu)選為83%，此時(shí)，AlJr^xN材料的晶格與氮化鎵的晶格匹配最佳。圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的氮化物L(fēng)ED制備方法步驟流程圖。參照?qǐng)D2，氮化物 LED結(jié)構(gòu)的制備方法包括如下步驟S21、提供襯底；S22、在所述襯底上依次形成低溫成核層、三維生長(zhǎng)層、AlJrvxN材料層、非摻雜的氮化物層；其中，所述AlJrvxN材料層具有粗糙表面，所述AlxIrvxN材料層的折射率與所述非摻雜氮化物層的折射率不同。下面將結(jié)合剖面示意圖對(duì)本發(fā)明的制備氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)的方法進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。參見(jiàn)圖3A，提供襯底101，在本實(shí)施例中采用的是藍(lán)寶石襯底，通過(guò)金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積的方法在所述襯底101上形成所述低溫成核層102，在本實(shí)施例中，生長(zhǎng)的低溫成核層102的厚度范圍為5納米 100納米，生長(zhǎng)的低溫成核層102的溫度為500°C 700°C。 然后，通過(guò)升高工藝溫度對(duì)所述低溫成核層102進(jìn)行高溫退火處理，在本實(shí)施例中，將工藝溫度升高至900°C以上，在對(duì)低溫成核層102進(jìn)行高溫退火過(guò)程中，會(huì)發(fā)生固態(tài)相變和原子脫附的過(guò)程，一些鎵原子和氮原子會(huì)脫離襯底101的表面，從而使所述低溫成核層102表面形成凸起結(jié)構(gòu)。參見(jiàn)圖;3B，接著，在反應(yīng)室的高溫條件下，通入金屬有機(jī)源和氮源，通過(guò)控制鎵原子和氮原子的原子摩爾比進(jìn)行對(duì)凸起結(jié)構(gòu)進(jìn)行三維生長(zhǎng)，形成三維生長(zhǎng)層108，所述三維生長(zhǎng)層108的粗糙表面為島狀結(jié)構(gòu)。參見(jiàn)圖3C，在形成的粗糙的三維生長(zhǎng)層108表面，利用金屬有機(jī)化學(xué)氣相工藝淀積一 AlJrvxN材料層103，所述AlxIrvxN材料層103與所述三維生長(zhǎng)層108的晶格相互匹配，以避免由于平面應(yīng)力引起的外延薄膜開(kāi)裂的問(wèn)題，所述AlxIrvxN材料層103的折射率與所述非摻雜氮化物層104的折射率不同，以保證光射到AlJrvxN材料層103與所述非摻雜氮化物層104的分界面時(shí)，能夠提高出光效率。所述AlxIrvxN材料層103的折射率和晶格參數(shù)通過(guò)合金中鋁的組分調(diào)節(jié)，升高生長(zhǎng)溫度，合金中鋁的組分增加，降低生長(zhǎng)溫度，合金中鋁的組分減少。其中，AlJrvxN材料層103的厚度通過(guò)改變生長(zhǎng)時(shí)間或生長(zhǎng)速率來(lái)控制， 在生長(zhǎng)速率不變的條件下，增加生長(zhǎng)時(shí)間材料厚度變厚，減少生長(zhǎng)時(shí)間，材料的厚度變??； 在生長(zhǎng)時(shí)間不變的條件下，增加生長(zhǎng)速率材料厚度變厚；減少生長(zhǎng)速率材料厚度變薄。在本實(shí)施例中，所述AlxIrvxN材料層103的厚度為0. 01微米 1微米。本發(fā)明實(shí)施例提供的氮化物L(fēng)ED制備方法中，關(guān)鍵的步驟就是形成的具有粗糙表面的AlJrvxN材料層103，通過(guò)形成AlJrvxN材料層103的粗糙表面，使得光射到AlxIrvxN材料層103與所述非摻雜氮化物層104的分界面處時(shí)，由于兩者的折射率差異，發(fā)生光線的散射作用，能夠大大提高出光效率。最后，參考圖1，在表面粗糙的AlxIrvxN材料層103上進(jìn)行非摻雜氮化物層104的生長(zhǎng)，通過(guò)調(diào)節(jié)生長(zhǎng)溫度和鎵原子和氮原子的原子摩爾比，使粗糙的氮化物表面逐漸平整， 以作為氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)層。之后，在內(nèi)部含有AlJrvxN材料層103的氮化物薄膜上依次生長(zhǎng)N型氮化物層105、多量子阱有源層106、P型氮化物層107。本發(fā)明提供的制備方法能夠與通常采用的LED外延生長(zhǎng)工藝兼容，在反應(yīng)室中一次完成，而不需要采取另外的加工或制程工藝，解決了在襯底上形成粗糙表面而采用的光刻工藝帶來(lái)的生產(chǎn)成本提高的問(wèn)題。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)，包括襯底以及在所述襯底上生長(zhǎng)的低溫成核層和非摻雜氮化物層，其特征在于，在所述低溫成核層上生長(zhǎng)三維生長(zhǎng)層，在所述三維生長(zhǎng)層與所述非摻雜氮化物層之間設(shè)置有一 AlJrvxN材料層，所述AlJrvxN材料層具有粗糙表面，所述AlxIrvxN 材料層的折射率與所述非摻雜氮化物層的折射率不同，其中，0 < χ < 1。
2.如權(quán)利要求1所述的氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述AlxIrvxN材料層與所述三維生長(zhǎng)層的晶格相互匹配。
3.如權(quán)利要求1所述的氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)還包括在所述非摻雜氮化物層上依次形成的N型氮化物層、多量子阱有源層、P型氮化物層，所述 AlJrvxN材料層的禁帶寬度大于多量子阱有源層的量子阱的禁帶寬度。
4.如權(quán)利要求1所述的氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述AlxIrvxN材料層具有與所述三維生長(zhǎng)層相匹配的粗糙表面。
5.如權(quán)利要求4所述的氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述三維生長(zhǎng)層的粗糙表面為島狀結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求1所述的氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述AlxIrvxN材料層的折射率和晶格參數(shù)通過(guò)AlxIrvxN中鋁的組分調(diào)節(jié)。
7.一種氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括如下步驟提供襯底；在所述襯底上依次形成低溫成核層、三維生長(zhǎng)層，AlJrvxN材料層、非摻雜的氮化物層；其中，所述AlxIrvxN材料層具有粗糙表面，所述AlJrvxN材料層的折射率與所述非摻雜氮化物層的折射率不同。
8.如權(quán)利要求7所述的氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述AlxIrvxN材料層與所述三維生長(zhǎng)層的晶格相互匹配。
9.如權(quán)利要求7所述的氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，還包括在所述非摻雜的氮化物層上依次形成N型氮化物層、多量子阱有源層、P型氮化物層，所述Al JrvxN材料層的禁帶寬度大于多量子阱有源層的量子阱的禁帶寬度。
10.如權(quán)利要求7所述的氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述AlJrvxN材料層具有與所述三維生長(zhǎng)層相匹配的粗糙表面。
11.如權(quán)利要求10所述的氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述三維生長(zhǎng)層的粗糙表面為島狀結(jié)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求10所述的氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，通過(guò)金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積的方法在所述襯底上形成所述低溫成核層，并通過(guò)升高工藝溫度對(duì)所述低溫成核層進(jìn)行高溫退火處理，使所述低溫成核層表面形成凸起結(jié)構(gòu)。
13.如權(quán)利要求12所述的氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，形成所述低溫成核層的工藝溫度為500°C 700°C。
14.如權(quán)利要求13所述的氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，升高工藝溫度直到溫度值大于900°C。
15.如權(quán)利要求12所述的氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，在對(duì)低溫成核層進(jìn)行高溫退火處理后，通入金屬有機(jī)源和氮源對(duì)所述凸起結(jié)構(gòu)進(jìn)行三維生長(zhǎng)。
16.如權(quán)利要求7所述的氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述AlJrvxN材料層的折射率和晶格參數(shù)通過(guò)AlxIrvxN中鋁的組分調(diào)節(jié)。
17.如權(quán)利要求16所述的氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，通過(guò)金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積的方法形成所述AlxIrvxN材料層，升高工藝溫度，AlJrvxN中鋁的組分增加；降低工藝溫度，AlxIrvxN中鋁的組分減少。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)，包括襯底以及在襯底上生長(zhǎng)的低溫成核層和非摻雜氮化物層，在所述低溫成核層上生長(zhǎng)三維生長(zhǎng)層，在所述三維生長(zhǎng)層與所述非摻雜氮化物層之間設(shè)置有一AlxIn1-xN材料層，所述AlxIn1-xN材料層具有粗糙表面，所述AlxIn1-xN材料層的折射率與所述非摻雜氮化物層的折射率不同，其中，0＜x＜1。本發(fā)明還提供了氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)的制備方法。本發(fā)明提供的氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)，由于散射作用，改變了光線的傳輸方向，擴(kuò)展了光出射的臨界角度，提高了取光效率和外量子效率。本發(fā)明提供的制備方法能夠與通常采用的LED外延生長(zhǎng)工藝兼容，在反應(yīng)室中一次完成，而不需要采取另外的加工或制程工藝。
文檔編號(hào)H01L33/00GK102270718SQ20111020940
公開(kāi)日2011年12月7日 申請(qǐng)日期2011年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月25日
發(fā)明者于洪波, 張汝京, 程蒙召, 肖德元 申請(qǐng)人:映瑞光電科技(上海)有限公司