專利名稱：半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜和生產(chǎn)所述膜的方法,及生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜和生產(chǎn)所述膜的方法。所述半導(dǎo)體背面用膜用于保護(hù)半導(dǎo)體元件如半導(dǎo)體芯片的背面和提高其強(qiáng)度。本發(fā)明還涉及生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，日益要求半導(dǎo)體器件及其封裝的薄型化和小型化。因此，作為半導(dǎo)體器件及其封裝，已經(jīng)廣泛地利用其中借助于倒裝芯片接合將半導(dǎo)體元件例如半導(dǎo)體芯片安裝 (倒裝芯片連接)于基板上的倒裝芯片型半導(dǎo)體器件。在此類倒裝芯片連接中，將半導(dǎo)體芯片以該半導(dǎo)體芯片的電路面與基板的電極形成面相對(duì)的形式固定至基板。在此類半導(dǎo)體器件等中，可能存在半導(dǎo)體芯片的背面用保護(hù)膜保護(hù)以防止半導(dǎo)體芯片損壞等的情況(參見(jiàn)，專利文獻(xiàn)1至3)。專利文獻(xiàn)1 JP-A-2008-166451專利文獻(xiàn)2 JP-A-2008-006386專利文獻(xiàn)3 JP-A-2007-261035然而，為了通過(guò)保護(hù)膜保護(hù)半導(dǎo)體芯片的背面，必須增加將所述保護(hù)膜粘貼至切割步驟中獲得的半導(dǎo)體芯片的背面的新步驟。結(jié)果，加工步驟的數(shù)量增加和生產(chǎn)成本等增加。因此，為了降低生產(chǎn)成本的目的，本發(fā)明人開(kāi)發(fā)了一種半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，且對(duì)所述膜提交了專利申請(qǐng)(該申請(qǐng)?jiān)诒旧暾?qǐng)?zhí)峤粫r(shí)是未公開(kāi)的)。該半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜具有包括以下的結(jié)構(gòu)具有基材和層壓在所述基材上的壓敏粘合劑層的切割帶，和在切割帶的壓敏粘合劑層上形成的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜。為了生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，通常如下使用半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜。首先，將半導(dǎo)體晶片粘貼至半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜中的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜上。接著，切割半導(dǎo)體晶片以形成半導(dǎo)體芯片。隨后，將所述半導(dǎo)體芯片與所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜一起從所述切割帶的壓敏粘合劑層剝離并拾取，然后將所述半導(dǎo)體芯片倒裝芯片連接至被粘物如基板上。由此，獲得倒裝芯片型半導(dǎo)體器件。此處，為了確認(rèn)切割后是否存在在獲得的半導(dǎo)體芯片中發(fā)生的任何不足如碎裂 (chipping)等，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜可以從其切割帶側(cè)(與粘至半導(dǎo)體芯片的一側(cè)相對(duì))用光學(xué)顯微鏡或通過(guò)頂照射來(lái)檢查。然而，在常規(guī)器件中，切割帶的基材經(jīng)?？雌饋?lái)發(fā)白和渾濁，在這種情況下，可見(jiàn)度在從切割帶側(cè)的觀察中不能說(shuō)是令人滿意的，半導(dǎo)體圖像可能不清楚，因此情況是，不能檢測(cè)半導(dǎo)體芯片的不足。

發(fā)明內(nèi)容
考慮到前述問(wèn)題進(jìn)行本發(fā)明，其目的是提供半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，及其生產(chǎn)方法，和生產(chǎn)使用該膜的半導(dǎo)體器件的方法，所述半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜在切割步驟后的半導(dǎo)體芯片檢查中具有高透光率且半導(dǎo)體芯片圖像的可見(jiàn)度優(yōu)良。為了解決前述問(wèn)題，本發(fā)明人進(jìn)行了廣泛和深入的研究，結(jié)果，得出以下內(nèi)容。在生產(chǎn)半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的前置階段中，將基材卷繞成卷形物(roll)，為了防止基材彼此粘連的目的及為了通過(guò)基材表面的凹凸加工處理來(lái)優(yōu)化其加工性，將基材特定地加工從而在其表面上形成凹凸，例如，通過(guò)壓花等，由于凹凸加工處理，切割帶的基材將看起來(lái)發(fā)白和渾濁。源于上述感知，發(fā)明人進(jìn)一步發(fā)現(xiàn)，當(dāng)采用以下構(gòu)造時(shí)，則能夠提供半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，并完成了發(fā)明，所述半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜在切割步驟后的檢查步驟中具有高透光率且半導(dǎo)體芯片圖像的可見(jiàn)度優(yōu)良。S卩，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜(下文中稱為“集成膜”)，其包括切割帶和半導(dǎo)體背面用膜，所述切割帶包含具有凹凸加工面的基材和層壓在所述基材上的壓敏粘合劑層，所述半導(dǎo)體背面用膜層壓于所述切割帶的壓敏粘合劑層上，其中所述切割帶具有至多45%的霧度。在所述集成膜中，包含具有凹凸加工面的基材和壓敏粘合劑層的切割帶的霧度為至多45%，因此，可以提高在半導(dǎo)體芯片的檢查步驟中所述膜的透光率。結(jié)果，可以改進(jìn)通過(guò)用光照射的半導(dǎo)體芯片的可見(jiàn)度，且可以有效地檢測(cè)半導(dǎo)體芯片中不足的發(fā)生。在本發(fā)明中，光具有包括頂射線的概念。優(yōu)選地，將壓敏粘合劑層層壓在基材的凹凸加工面上。具體地采用該構(gòu)造使得易于控制切割帶的霧度落入本發(fā)明限定的范圍內(nèi)。具體地，通過(guò)粘合基材的凹凸加工面和層壓在其上的壓敏粘合劑層，凹凸加工面和壓敏粘合劑層彼此緊密接合，可填滿兩者之間的間隙。因此，可以防止透過(guò)切割帶的光散射，由此可以提高切割帶的透過(guò)率從而降低其霧度。優(yōu)選地，凹凸加工面是壓花表面。壓花作為基材的處理是容易的，且其在易于將基材彼此剝離方面是優(yōu)良的。另外，通過(guò)在表面上壓花經(jīng)凹凸加工處理而在表面上形成的凹凸可以具有適合的尺寸，因此，可以改進(jìn)在凹凸加工面和壓敏粘合劑層之間的緊密粘合性， 因此，可以由此容易地減低切割帶的霧度。優(yōu)選地，通過(guò)熱層壓來(lái)層壓基材和壓敏粘合劑層。在熱層壓中的加熱改進(jìn)了壓敏粘合劑層的撓性，因此，可以由此改進(jìn)壓敏粘合劑層對(duì)于凹凸加工面的凹凸的追隨性 (followability)，可以有效地去除在基材和壓敏粘合劑層之間的間隙，可以進(jìn)一步降低切割帶的霧度。優(yōu)選地，壓敏粘合劑層的厚度為ΙΟμπι至50μπι。當(dāng)壓敏粘合劑層的厚度落入上述范圍內(nèi)時(shí)，則可以充分地提高在基材的凹凸加工面和壓敏粘合劑層之間的緊密粘合性，可以確保被切割的半導(dǎo)體晶片的保持力。本發(fā)明還提供了生產(chǎn)上述半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的方法(下文中可稱作“生產(chǎn)方法(i)”)，所述方法包括制備具有凹凸加工面的基材，在所述基材的所述凹凸加工面上層壓壓敏粘合劑層，和在所述壓敏粘合劑層上層壓半導(dǎo)體背面用膜。根據(jù)生產(chǎn)方法(i)， 在基材的凹凸加工面上層壓壓敏粘合劑層，因此，可以用壓敏粘合劑層充分地填滿凹凸加工面的間隙，因此，可以有效地生產(chǎn)設(shè)置有具有降低霧度的切割帶的集成膜。在生產(chǎn)方法⑴中，通過(guò)經(jīng)由熱層壓來(lái)層壓基材和壓敏粘合劑層，可以更加改進(jìn)基材和壓敏粘合劑層之間的緊密粘合性，由此可以容易地降低切割帶的霧度。
本發(fā)明進(jìn)一步提供生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法(下文中可稱作“生產(chǎn)方法(I) ”)，所述方法包括將半導(dǎo)體晶片粘貼至上述半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的半導(dǎo)體背面用膜上，切割所述半導(dǎo)體晶片以形成半導(dǎo)體芯片，檢查所述半導(dǎo)體芯片，將所述半導(dǎo)體芯片與所述半導(dǎo)體背面用膜一起從所述切割帶的壓敏粘合劑層剝離，和將所述半導(dǎo)體芯片倒裝芯片連接至被粘物上。在生產(chǎn)方法(I)中，使用了集成膜，因此可以有效地檢測(cè)在切割步驟后的檢查步驟中半導(dǎo)體芯片不足的發(fā)生，最終，可以由此提高半導(dǎo)體器件的產(chǎn)率。


圖1為示出本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的一個(gè)實(shí)施方案的橫截面示意圖。圖2A-2D為示出使用本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法的一個(gè)實(shí)施方案的橫截面示意圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明1 半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜2 半導(dǎo)體背面用膜3 切割帶31 基材31a:凹凸加工面32 壓敏粘合劑層33 與半導(dǎo)體晶片粘貼部分相應(yīng)的部分4 半導(dǎo)體晶片5:半導(dǎo)體芯片51 在半導(dǎo)體芯片5的電路面?zhèn)刃纬傻耐箟K(bump)6 被粘物61 粘貼至被粘物6的連接墊(connecting pad)的連結(jié)用導(dǎo)電性材料
具體實(shí)施例方式參考圖1描述本發(fā)明的實(shí)施方案，但本發(fā)明不限于這些實(shí)施方案。圖1為示出根據(jù)該實(shí)施方案的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的一個(gè)實(shí)施方案的橫截面示意圖。此外，在本說(shuō)明書(shū)的圖中，沒(méi)有給出不需要描述的部分，為了容易描述，存在通過(guò)放大、縮小等示出的部分。(半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜)如圖1所示，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1 (下文中有時(shí)也稱作“集成膜”、“切割帶集成的半導(dǎo)體背面保護(hù)膜”、“具有切割帶的半導(dǎo)體背面用膜”或“具有切割帶的半導(dǎo)體背面保護(hù)膜”)具有包括以下的構(gòu)造包括在具有凹凸加工面的基材31上形成的壓敏粘合劑層 32的切割帶3，和作為在所述壓敏粘合劑層32上形成的適用于倒裝芯片型半導(dǎo)體的半導(dǎo)體背面用膜2(下文中有時(shí)也稱作“半導(dǎo)體背面用膜”或“半導(dǎo)體背面保護(hù)膜”)。也如圖1所示，可以這樣設(shè)計(jì)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，以使得僅在與半導(dǎo)體晶片粘貼部分相應(yīng)的部分33上形成半導(dǎo)體背面用膜2 ；然而，可以在壓敏粘合劑層32的整個(gè)表面上形成半導(dǎo)體背面用膜，或可以在比與半導(dǎo)體晶片粘貼部分相應(yīng)的部分33大但是比壓敏粘合劑層32的整個(gè)表面小的部分上形成半導(dǎo)體背面用膜。另外，半導(dǎo)體背面用膜2的表面(要粘貼至晶片背面的表面)可以用隔離膜等保護(hù)直至該膜粘貼至晶片背面。下文中，依次解釋半導(dǎo)體背面用膜和切割帶。(半導(dǎo)體背面用膜)半導(dǎo)體背面用膜2具有膜形狀。半導(dǎo)體背面用膜2在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜作為產(chǎn)品的實(shí)施方案中通常處于未固化狀態(tài)(包括半固化狀態(tài))，且在將半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜粘貼至半導(dǎo)體晶片后被熱固化。優(yōu)選地，半導(dǎo)體背面用膜2至少由熱固性樹(shù)脂形成，更優(yōu)選地至少由熱固性樹(shù)脂和熱塑性樹(shù)脂形成。熱固化促進(jìn)催化劑可加入至該樹(shù)脂中以構(gòu)成半導(dǎo)體背面用膜2。至少由熱固性樹(shù)脂形成的半導(dǎo)體背面用膜可以有效地顯示其粘合功能。熱塑性樹(shù)脂的實(shí)例包括天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹(shù)脂、聚碳酸酯樹(shù)脂、熱塑性聚酰亞胺樹(shù)脂、聚酰胺樹(shù)脂如6-尼龍和6，6_尼龍、苯氧基樹(shù)脂、丙烯酸類樹(shù)脂、飽和聚酯樹(shù)脂如PET(聚對(duì)苯二甲酸乙二酯)或PBT (聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯)、聚酰胺-酰亞胺樹(shù)脂或氟樹(shù)脂。可以單獨(dú)或以兩種以上組合使用熱塑性樹(shù)脂。在這些熱塑性樹(shù)脂中，特別優(yōu)選包含少量離子性雜質(zhì)、具有高耐熱性和能夠確保半導(dǎo)體元件可靠性的丙烯酸類樹(shù)脂。丙烯酸類樹(shù)脂沒(méi)有特別限定，其實(shí)例包括包含一種或兩種以上丙烯酸或甲基丙烯酸的酯作為組分的聚合物，其中所述丙烯酸或甲基丙烯酸的酯具有直鏈或支鏈的烷基，所述烷基具有30個(gè)以下碳原子，優(yōu)選4至18個(gè)碳原子，更優(yōu)選6至10個(gè)碳原子，特別優(yōu)選8 或9個(gè)碳原子。即，本發(fā)明中，丙烯酸類樹(shù)脂具有還包括甲基丙烯酸類樹(shù)脂的寬泛含義。所述烷基的實(shí)例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、 庚基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、十二烷基(月桂基)、十三烷基、十四烷基、硬脂基和十八烷基。此外，形成丙烯酸類樹(shù)脂的其它單體(除其中烷基為具有30個(gè)以下碳原子的丙烯酸或甲基丙烯酸的烷基酯以外的單體)沒(méi)有特別限定，其實(shí)例包括含羧基單體如丙烯酸、 甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來(lái)酸、富馬酸和巴豆酸；酸酐單體如馬來(lái)酸酐和衣康酸酐；含羥基單體如(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、 (甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、(甲基) 丙烯酸10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥月桂酯和(4-羥甲基環(huán)己基)-甲基丙烯酸酯；含磺酸基團(tuán)單體如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2_(甲基)丙烯酰氨基-2-甲基丙磺酸、(甲基) 丙烯酰氨基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；和含磷酸基團(tuán)單體如2-羥乙基丙烯酰磷酸酯Q-hydroethylacryloyl phosphate) 0在這點(diǎn)上，(甲基) 丙烯酸是指丙烯酸和/或甲基丙烯酸，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，(甲基)丙烯酰是指丙烯酰和/或甲基丙烯酰，等等，其在貫穿全說(shuō)明書(shū)中應(yīng)用。除了環(huán)氧樹(shù)脂和酚醛樹(shù)脂之外，熱固性樹(shù)脂的實(shí)例包括，氨基樹(shù)脂、不飽和聚酯樹(shù)脂、聚氨酯樹(shù)脂、硅酮樹(shù)脂和熱固性聚酰亞胺樹(shù)脂。可以單獨(dú)或以兩種以上組合使用熱固性樹(shù)脂。作為熱固性樹(shù)脂，包含僅少量腐蝕半導(dǎo)體元件的離子性雜質(zhì)的環(huán)氧樹(shù)脂是合適的。此外，酚醛樹(shù)脂適合用作環(huán)氧樹(shù)脂的固化劑。環(huán)氧樹(shù)脂沒(méi)有特別限定，例如，可使用雙官能環(huán)氧樹(shù)脂或多官能環(huán)氧樹(shù)脂如雙酚A 型環(huán)氧樹(shù)脂、雙酚F型環(huán)氧樹(shù)脂、雙酚S型環(huán)氧樹(shù)脂、溴化雙酚A型環(huán)氧樹(shù)脂、氫化雙酚A型環(huán)氧樹(shù)脂、雙酚AF型環(huán)氧樹(shù)脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹(shù)脂、萘型環(huán)氧樹(shù)脂、芴型環(huán)氧樹(shù)脂、可溶可熔酚醛(phenol novolak)型環(huán)氧樹(shù)脂、鄰甲酚可溶酚醛(o-cresol novolak)型環(huán)氧樹(shù)脂、 三羥基苯甲烷型環(huán)氧樹(shù)脂和四羥苯基乙烷(tetraphenylolethane)型環(huán)氧樹(shù)脂，或環(huán)氧樹(shù)脂如乙內(nèi)酰脲型環(huán)氧樹(shù)脂、三縮水甘油基異氰脲酸酯型環(huán)氧樹(shù)脂或縮水甘油基胺型環(huán)氧樹(shù)脂。作為環(huán)氧樹(shù)脂，在以上示例的那些中，可溶可熔(novolak)型環(huán)氧樹(shù)脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹(shù)脂、三羥基苯甲烷型環(huán)氧樹(shù)脂和四羥苯基乙烷型環(huán)氧樹(shù)脂是優(yōu)選的。這是因?yàn)檫@些環(huán)氧樹(shù)脂與作為固化劑的酚醛樹(shù)脂具有高反應(yīng)性，且耐熱性等優(yōu)良。此外，上述酚醛樹(shù)脂起到環(huán)氧樹(shù)脂的固化劑的作用，其實(shí)例包括可溶可熔型酚醛樹(shù)脂如可溶可熔酚醛樹(shù)脂(phenol novolak resins)、苯酚芳烷基樹(shù)脂、甲酚可溶酚醛樹(shù)脂、叔丁基可溶可熔酚醛樹(shù)脂和壬基可溶可熔酚醛樹(shù)脂；甲階型酚醛樹(shù)脂；和聚氧苯乙烯 (polyoxystyrenes)如聚對(duì)氧苯乙烯?？蓡为?dú)或以兩種以上組合使用酚醛樹(shù)脂。在這些酚醛樹(shù)脂中，可溶可熔酚醛樹(shù)脂和苯酚芳烷基樹(shù)脂是特別優(yōu)選的。這是因?yàn)榭筛倪M(jìn)半導(dǎo)體器件的連接可靠性。環(huán)氧樹(shù)脂與酚醛樹(shù)脂的混合比優(yōu)選使得例如酚醛樹(shù)脂中的羥基變?yōu)?. 5至2. 0當(dāng)量，基于每當(dāng)量環(huán)氧樹(shù)脂組分中的環(huán)氧基團(tuán)。其更優(yōu)選0.8至1.2當(dāng)量。S卩，當(dāng)混合比變?yōu)樵谠摲秶鈺r(shí)，固化反應(yīng)不能充分進(jìn)行，環(huán)氧樹(shù)脂固化產(chǎn)品的特性趨于劣化。熱固性樹(shù)脂的含量?jī)?yōu)選為5重量％至90重量％，更優(yōu)選10重量％至85重量％， 甚至更優(yōu)選15重量％至80重量％，基于半導(dǎo)體背面用膜中的所有樹(shù)脂組分。當(dāng)該含量為至少5重量％時(shí)，則可以容易地控制熱固化收縮率為至少2體積％。另外，在熱固化包封樹(shù)脂時(shí)，可以充分熱固化半導(dǎo)體背面用膜以使得可靠地粘合和固定至半導(dǎo)體元件的背面，由此生產(chǎn)倒裝芯片型半導(dǎo)體器件而沒(méi)有膜剝離的風(fēng)險(xiǎn)。另一方面，當(dāng)該含量為至多90重量％ 時(shí)，可以防止封裝體(PKG ；倒裝芯片型半導(dǎo)體器件)翹曲。環(huán)氧樹(shù)脂和酚醛樹(shù)脂的熱固化促進(jìn)催化劑沒(méi)有特別限定，可適當(dāng)選自已知的熱固化促進(jìn)催化劑。一種或多種熱固化促進(jìn)催化劑可單獨(dú)或組合使用。作為熱固化促進(jìn)催化劑，例如，可使用胺類固化促進(jìn)催化劑、磷類固化促進(jìn)催化劑、咪唑類固化促進(jìn)催化劑、硼類固化促進(jìn)催化劑或磷-硼類固化促進(jìn)催化劑。半導(dǎo)體背面用膜特別適合由含有環(huán)氧樹(shù)脂和酚醛樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物或含有環(huán)氧樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂和丙烯酸類樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物形成。由于這些樹(shù)脂僅包含少量離子性雜質(zhì)并且耐熱性高，所以能夠確保半導(dǎo)體元件的可靠性。重要的是半導(dǎo)體背面用膜2具有對(duì)半導(dǎo)體晶片背面(非電路形成面)的粘合性 (緊密粘合性)。半導(dǎo)體背面用膜2可以由例如含有環(huán)氧樹(shù)脂作為熱固性樹(shù)脂組分的樹(shù)脂組合物形成。在將半導(dǎo)體背面用膜2預(yù)先固化至一定程度的情況下，在制備時(shí)，優(yōu)選添加作為交聯(lián)劑的能夠與在聚合物的分子鏈末端的官能團(tuán)等反應(yīng)的多官能化合物。據(jù)此，可以改進(jìn)在高溫下的粘合特性，并且實(shí)現(xiàn)膜的耐熱性的改進(jìn)。半導(dǎo)體背面用膜對(duì)半導(dǎo)體晶片的粘合力(23°C，剝離角180度，剝離速率300mm/min)優(yōu)選為0. 5N/20mm至15N/20mm的范圍，更優(yōu)選為0. 7N/20mm至10N/20mm的范圍內(nèi)。 當(dāng)粘合力為至少0. 5N/20mm時(shí)，則可以以優(yōu)良的粘合性將該膜粘合至半導(dǎo)體晶片和半導(dǎo)體元件，且該膜沒(méi)有膜膨脹等粘合不足。另外，在切割半導(dǎo)體晶片時(shí)，可防止芯片飛出。另一方面，當(dāng)粘合力為至多15N/20mm時(shí)，則便于從切割帶剝離。交聯(lián)劑沒(méi)有特別限定，可以使用已知的交聯(lián)劑。具體地，例如，不僅可提及異氰酸酯類交聯(lián)劑、環(huán)氧類交聯(lián)劑、三聚氰胺類交聯(lián)劑和過(guò)氧化物類交聯(lián)劑，還提及脲類交聯(lián)劑、 金屬醇鹽類交聯(lián)劑、金屬螯合物類交聯(lián)劑、金屬鹽類交聯(lián)劑、碳二亞胺類交聯(lián)劑、噁唑啉類交聯(lián)劑、氮丙啶類交聯(lián)劑和胺類交聯(lián)劑等。作為交聯(lián)劑，異氰酸酯類交聯(lián)劑或環(huán)氧類交聯(lián)劑是適合的。交聯(lián)劑可以單獨(dú)使用或以兩種以上組合使用。異氰酸酯類交聯(lián)劑的實(shí)例包括低級(jí)脂肪族多異氰酸酯例如1，2_亞乙基二異氰酸酯、1，4_亞丁基二異氰酸酯和1，6_六亞甲基二異氰酸酯；脂環(huán)族多異氰酸酯例如亞環(huán)戊基二異氰酸酯、亞環(huán)己基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化甲苯二異氰酸酯和氫化苯二甲撐二異氰酸酯；和芳香族多異氰酸酯例如2，4-甲苯二異氰酸酯、2，6-甲苯二異氰酸酯、 4,4' -二苯甲烷二異氰酸酯和苯二甲撐二異氰酸酯。另外，也使用三羥甲基丙烷/甲苯二異氰酸酯三聚體加合物[商品名 “C0L0NATE L”，由 Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.制造]和三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯三聚體加合物[商品名“C0L0NATE HL”， 由Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.制造]等。此外，環(huán)氧類交聯(lián)劑的實(shí)例包括 N,N,N' ,N'-四縮水甘油基-間-苯二甲胺、二縮水甘油基苯胺、1，3_雙(N，N-縮水甘油基氨甲基)環(huán)己烷、1，6_己二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇多縮水甘油醚、甘油多縮水甘油醚、季戊四醇多縮水甘油醚、聚甘油多縮水甘油醚、脫水山梨糖醇多縮水甘油醚、三羥甲基丙烷多縮水甘油醚、己二酸二縮水甘油酯、鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、三縮水甘油基-三(2-羥乙基)異氰脲酸酯、間苯二酚二縮水甘油醚和雙酚-S-二縮水甘油醚，以及在分子中具有兩個(gè)以上的環(huán)氧基團(tuán)的環(huán)氧類樹(shù)脂。交聯(lián)劑的使用量沒(méi)有特別限定，可依賴于交聯(lián)程度適當(dāng)選擇。具體地，優(yōu)選交聯(lián)劑的使用量通常為7重量份以下(例如0. 05至7重量份)，基于100重量份聚合物組分(特別地，在分子鏈末端具有官能團(tuán)的聚合物)。當(dāng)交聯(lián)劑的量基于100重量份聚合物組分大于 7重量份時(shí)，粘合力降低，因此該情況不優(yōu)選。從改進(jìn)內(nèi)聚力的觀點(diǎn)，交聯(lián)劑的量基于100重量份聚合物組分優(yōu)選為0. 05重量份以上。在本發(fā)明中，代替使用交聯(lián)劑或與交聯(lián)劑一起使用，也可以通過(guò)用電子束或UV光等照射來(lái)進(jìn)行交聯(lián)處理。優(yōu)選將半導(dǎo)體背面用膜著色。由此，可以顯示優(yōu)良的激光標(biāo)識(shí)性和優(yōu)良的外觀性， 且可使半導(dǎo)體器件具有增值的外觀性。如上，由于半導(dǎo)體背面用著色膜具有優(yōu)良的標(biāo)識(shí)性， 所以通過(guò)利用經(jīng)由半導(dǎo)體背面用膜的任意各種標(biāo)識(shí)方法如打印方法或激光標(biāo)識(shí)法，可以進(jìn)行標(biāo)識(shí)以將各種信息例如文字信息和圖形信息賦予至半導(dǎo)體元件或使用半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體器件的非電路側(cè)上的面。特別地，通過(guò)控制著色的顏色，可以觀察具有優(yōu)良可見(jiàn)度的通過(guò)標(biāo)識(shí)而賦予的信息(例如，文字信息和圖形信息)。此外，當(dāng)將半導(dǎo)體背面用膜著色時(shí)， 可以將切割帶和半導(dǎo)體背面用膜彼此容易地區(qū)分，因此能夠提高加工性等。此外，例如，作為半導(dǎo)體器件，可以通過(guò)使用不同的顏色將其產(chǎn)品分類。在將半導(dǎo)體背面用膜著色的情況(該膜既不是無(wú)色的也不是透明的情況)下，通過(guò)著色顯示的顏色沒(méi)有特別限定，但例如優(yōu)選暗色如黑色、藍(lán)色或紅色，黑色是特別適合的。在本發(fā)明中，暗色主要指具有60以下(0至60)，優(yōu)選50以下(0至50)，更優(yōu)選40 以下(ο至40)的在LW顏色空間中定義的L*的暗色。此外，黑色主要是指具有35以下(0至35)，優(yōu)選30以下(0至30)，更優(yōu)選25以下(0至25)的在LW顏色空間中定義的L*的黑色系顏色。在這點(diǎn)上，在黑色中，在LW 顏色空間中定義的各a*和b*可根據(jù)L*的值適當(dāng)選擇。例如，f和b*兩者均在優(yōu)選-10至 10，更優(yōu)選-5至5，進(jìn)一步優(yōu)選-3至3 (特別地0或約0)的范圍內(nèi)。在本發(fā)明中，在LW顏色空間中定義的ΙΛ f和b*可通過(guò)用色差計(jì)(商品名“CR-200”，由Minolta Ltd制造；色差計(jì))測(cè)量來(lái)確定。LW顏色空間為在1976 年由 Commission Internationale de 1，Eclairage (CIE)建議的顏色空間，是指稱為 CIE1976(L*aV)顏色空間的顏色空間。此外，在日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(Japanese Industrial Standards) JIS Z8729 中定義了 L*a*b* 顏色空間。在半導(dǎo)體背面用膜著色時(shí)，根據(jù)目標(biāo)顏色，可使用著色劑(著色試劑)。作為該著色劑，可適當(dāng)使用各種暗色著色劑如黑色著色劑、藍(lán)色著色劑和紅色著色劑，黑色著色劑是更適合的。著色劑可為任意顏料和染料。著色劑可單獨(dú)或以兩種以上的組合使用。在這點(diǎn)上，作為染料，可以使用任何形式的染料如酸性染料、反應(yīng)性染料、直接染料、分散染料和陽(yáng)離子染料。此外，同樣關(guān)于顏料，其形式不特別限制，可在已知顏料中適當(dāng)選擇和使用。特別地，當(dāng)染料用作著色劑時(shí)，染料變?yōu)樘幱谕ㄟ^(guò)溶解于半導(dǎo)體背面用膜中而均勻地或幾乎均勻地分散的狀態(tài)中，因此可容易地生產(chǎn)具有均勻的或幾乎均勻的著色濃度 (color density)的半導(dǎo)體背面用膜(作為結(jié)果，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜)。因此，當(dāng)染料用作著色劑時(shí)，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的半導(dǎo)體背面用膜可具有均勻的或幾乎均勻的著色濃度且可提高標(biāo)識(shí)性和外觀性。黑色著色劑不特別限制，例如，可適當(dāng)選自無(wú)機(jī)黑色顏料和黑色染料。此外，黑色著色劑可為其中將青色著色劑(藍(lán)-綠著色劑)、品紅色著色劑(紅-紫著色劑)和黃色著色劑(黃著色劑)混合的著色劑混合物。黑色著色劑可單獨(dú)或以兩種以上的組合使用。當(dāng)然，黑色著色劑可與除黑色之外其它顏色的著色劑組合使用。黑色著色劑的具體實(shí)例包括炭黑(如爐黑、槽黑、乙炔黑、熱裂炭黑或燈黑)、石墨、氧化銅、二氧化錳、偶氮型顏料(例如，偶氮甲堿偶氮黑)、苯胺黑、茈黑、鈦黑、花青黑、 活性炭、鐵素體(如非磁性鐵素體或磁性鐵素體)、磁鐵礦、氧化鉻、氧化鐵、二硫化鉬、鉻配合物、復(fù)合氧化物型黑色顏料和蒽醌型有機(jī)黑色顏料。在本發(fā)明中，作為黑色著色劑，也可利用黑色染料如C. I.溶劑黑3、7、22、27、29、 34、43、70，C. I.直接黑 17、19、22、32、38、51、71，C. I.酸性黑 1、2、24、26、31、48、52、107、 109、110、119、154，和C. I.分散黑1、3、10、24 ；和黑色顏料如C. I.顏料黑1、7 ；等等。作為此類黑色著色劑，例如，商品名“Oil Black BY”、商品名“Oil Black BS”、商品名 “Oil Black HBB”、商品名 “Oil Black803”、商品名 “Oil Black 860”、商品名 “Oil Black 5970”、商品名“Oil Black 5906”和商品名“Oil Black 5905”(由 Orient Chemical Industries Co.，Ltd.制造)等是商購(gòu)可得的。除了黑色著色劑之外的著色劑的實(shí)例包括青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑。青色著色劑的實(shí)例包括青色染料如C. I.溶劑藍(lán)25、36、60、70、93、95 ;C. I.酸性藍(lán)6和 45 ；青色顏料如 C. I.顏料藍(lán) 1、2、3、15、15:1、15:2、15:3、15:4、15:5、15:6、16、17、17:1、18、 22、25、56、60、63、65、66 ；C. I.甕藍(lán) 4、60 ;C. I.顏料綠 7。此外，在品紅色著色劑中，品紅色染料的實(shí)例包括C. I.溶劑紅1、3、8、23、對(duì)、25、 27、30、49、52、58、63、81、82、83、84、100、109、111、121、122 ；C. I.分散紅 9 ；C. I.溶劑紫 8、 13、14、21、27 ；C. I.分散紫 1 ；C. I.堿性紅 1、2、9、12、13、14、15、17、18、22、23、24、27、29、
32、34、35、36、37、38、39、40；C. I.堿性紫 1、3、7、10、14、15、21、25、26、27 和 28。在品紅色著色劑中，品紅色顏料的實(shí)例包括C. I.顏料紅1、2、3、4、5、6、7、8、9、
10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、21、22、23、30、31、32、37、38、39、40、41、42、48:1、48:2、 48:3、48:4、49、49:1、50、51、52、52:2、53:1、54、55、56、57:1、58、60、60:1、63、63:1、63:2、 64、64:1、67、 68、81、83、87、88、89、90、92、101、104、105、106、108、112、114、122、123、139、 144、146、147、149、150、151、163、166、168、170、171、172、175、176、177、178、179、184、185、 187、190、193、202、206、207、209、219、222、224、238、245 ；C.I.顏料紫 3、9、19、23、31、32、
33、36、38、43、50；C. I.甕紅 1、2、10、13、15、23、29 和 35。此外，黃色著色劑的實(shí)例包括黃色染料如C. I.溶劑黃19、44、77、79、81、82、93、 98、103、104、112 和 162 ；黃色顏料如 C. I.顏料橙 31,43 ；C. I.顏料黃 1、2、3、4、5、6、7、10、
11、12、13、14、15、16、17、23、24、34、35、37、42、53、55、65、73、74、75、81、83、93、94、95、97、 98、100、101、104、108、109、110、113、114、116、117、120、128、129、133、138、139、147、150、 151、153、154、155、156、167、172、173、180、185、195 ；C. I.甕黃 1、3 和 20。各種著色劑如青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑可分別單獨(dú)使用或以兩種以上的組合使用。在這點(diǎn)上，在使用各種著色劑如青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑中的兩種以上的情況下，這些著色劑的混合比(或共混比)沒(méi)有特別限定，可根據(jù)各著色劑的種類和目標(biāo)顏色等適當(dāng)選擇。在將半導(dǎo)體背面用膜2著色的情況下，著色形式?jīng)]有特別限定。半導(dǎo)體背面用膜可為例如添加有著色劑的單層膜狀制品。此外，該膜可為至少將至少由熱固性樹(shù)脂形成的樹(shù)脂層與著色劑層層壓的層壓膜。在這點(diǎn)上，在半導(dǎo)體背面用膜2為樹(shù)脂層和著色劑層的層壓膜的情況下，層壓形式的半導(dǎo)體背面用膜2優(yōu)選具有樹(shù)脂層/著色劑層/樹(shù)脂層的層壓形式。在該情況下，在著色劑層兩側(cè)處的兩樹(shù)脂層可為具有相同組成的樹(shù)脂層或可為具有不同組成的樹(shù)脂層。向半導(dǎo)體背面用膜2中，根據(jù)需要可適當(dāng)共混其它添加劑。除了填料、阻燃劑、硅烷偶聯(lián)劑和離子捕集劑之外，其它添加劑的實(shí)例還包括增量劑、防老劑、抗氧化劑和表面活性劑。填料可為任意無(wú)機(jī)填料和有機(jī)填料，但優(yōu)選無(wú)機(jī)填料。通過(guò)向其加入其它填料如無(wú)機(jī)填料，使其可以賦予半導(dǎo)體背面用膜以導(dǎo)電性、改進(jìn)該膜的導(dǎo)熱性和控制該膜的彈性。 半導(dǎo)體背面用膜2可為導(dǎo)電性的或非導(dǎo)電性的。無(wú)機(jī)填料包括例如以下的各種無(wú)機(jī)粉末 陶瓷如二氧化硅，粘土，石膏，碳酸鈣，硫酸鋇，氧化鈹；金屬如鋁、銅、銀、金、鎳、鉻、鉛、錫、 鋅、鈀、焊料；它們的合金及其它碳。一個(gè)或多種該類填料在此處可以單獨(dú)或組合使用。作為填料，優(yōu)選二氧化硅，更優(yōu)選熔凝二氧化硅(fused silica)。優(yōu)選地，無(wú)機(jī)填料的平均粒徑在0. 1μπι-80μπι的范圍內(nèi)。無(wú)機(jī)填料的平均粒徑可以用激光衍射粒徑測(cè)量?jī)x來(lái)測(cè)量。
填料(特別地，無(wú)機(jī)填料)的共混量?jī)?yōu)選為80重量份以下(0重量份-80重量份)， 更優(yōu)選為0重量份-70重量份，基于100重量份有機(jī)樹(shù)脂組分。阻燃劑的實(shí)例包括三氧化銻、五氧化銻和溴化環(huán)氧樹(shù)脂。阻燃劑可以單獨(dú)或以兩種以上的組合使用。硅烷偶聯(lián)劑的實(shí)例包括β_(3，4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、 Y-環(huán)氧丙氧丙基三甲氧基硅烷和Y-環(huán)氧丙氧丙基甲基二乙氧基硅烷。硅烷偶聯(lián)劑可以單獨(dú)或以兩種以上的組合使用。離子捕集劑的實(shí)例包括水滑石和氫氧化鉍。離子捕集劑可以單獨(dú)或以兩種以上的組合使用。半導(dǎo)體背面用膜2例如可通過(guò)利用包括以下步驟的常規(guī)使用方法形成將熱固性樹(shù)脂例如環(huán)氧樹(shù)脂和如果需要的熱塑性樹(shù)脂如丙烯酸類樹(shù)脂以及任選的溶劑和其它添加劑混合從而制備樹(shù)脂組合物，接著將其成形為膜狀層。具體地，作為半導(dǎo)體背面用膜的膜狀層(粘合劑層)例如，能夠通過(guò)以下方法形成包括將樹(shù)脂組合物施涂至切割帶的壓敏粘合劑層32上的方法；或者包括將樹(shù)脂組合物施涂至適當(dāng)?shù)母綦x膜(例如，剝離紙)上以形成樹(shù)脂層(或粘合劑層)，然后將其轉(zhuǎn)移(轉(zhuǎn)換)至壓敏粘合劑層32上的方法；等等。在這點(diǎn)上，樹(shù)脂組合物可為溶液或分散液。此外，在半導(dǎo)體背面用膜2由包含熱固性樹(shù)脂如環(huán)氧樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物形成的情況下，在將半導(dǎo)體背面用膜2應(yīng)用至半導(dǎo)體晶片之前的階段，該膜處于熱固性樹(shù)脂未固化或部分固化的狀態(tài)。在該情況下，在將其應(yīng)用至半導(dǎo)體晶片之后(具體地，通常，在當(dāng)包封材料在倒裝芯片接合步驟中固化時(shí))，半導(dǎo)體背面用膜中的熱固性樹(shù)脂完全或幾乎完全固化。如上所述，由于即使當(dāng)半導(dǎo)體背面用膜包含熱固性樹(shù)脂時(shí)，該膜也處于熱固性樹(shù)脂未固化或部分固化的狀態(tài)，因此半導(dǎo)體背面用膜的凝膠分?jǐn)?shù)沒(méi)有特別限定，但例如適當(dāng)選自50重量％以下(0-50重量％ )的范圍，并優(yōu)選30重量％以下(0-30重量％)，特別優(yōu)選10重量％以下(0-10重量％ )。半導(dǎo)體背面用膜的凝膠分?jǐn)?shù)可通過(guò)以下測(cè)量方法測(cè)量?！茨z分?jǐn)?shù)測(cè)量方法〉從半導(dǎo)體背面用膜2中取樣約0. Ig樣品，并精確稱重(樣品重量)，將樣品包裹在網(wǎng)型片(mesh-type sheet)中后，將它在室溫下在約50ml甲苯中浸漬1周。此后，從甲苯中取出溶劑不溶性物質(zhì)(網(wǎng)型片中的內(nèi)容物)，并在130°C下干燥約2小時(shí)，將干燥后的溶劑不溶性物質(zhì)稱重(浸漬并干燥后的重量)，然后根據(jù)以下表達(dá)式(a)計(jì)算凝膠分?jǐn)?shù)(重
量％ )。凝膠分?jǐn)?shù)(重量％ )=[(浸漬并干燥后的重量)/(樣品重量)]X100 (a)半導(dǎo)體背面用膜的凝膠分?jǐn)?shù)能夠通過(guò)樹(shù)脂組分的種類和含量、交聯(lián)劑的種類和含量以及除此以外的加熱溫度和加熱時(shí)間等來(lái)控制。在本發(fā)明中，在半導(dǎo)體背面用膜為由包含熱固性樹(shù)脂如環(huán)氧樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物形成的膜狀制品的情況下，可有效地顯示對(duì)于半導(dǎo)體晶片的緊密粘合性。此外，由于在半導(dǎo)體晶片的切割步驟中使用切割水，所以半導(dǎo)體背面用膜吸濕從而在一些情況下具有常規(guī)狀態(tài)以上的水含量。當(dāng)在仍維持如此高水分含量下進(jìn)行倒裝芯片接合時(shí)，水蒸氣殘留在半導(dǎo)體背面用膜和半導(dǎo)體晶片或其加工體(半導(dǎo)體)之間的粘合界面處，并且在一些情況下產(chǎn)生浮起。因此，通過(guò)構(gòu)成半導(dǎo)體背面用膜為其中將具有高透濕性的芯材料設(shè)置于其各表面上的構(gòu)造，水蒸氣擴(kuò)散，因此可以避免此類問(wèn)題。從此類觀點(diǎn)，其中半導(dǎo)體背面用膜形成于芯材料的一面或兩面的多層結(jié)構(gòu)可用作半導(dǎo)體背面用膜。芯材料的實(shí)例包括膜(例如，聚酰亞胺膜、聚酯膜、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、 聚碳酸酯膜等)、用玻璃纖維或塑料無(wú)紡纖維增強(qiáng)的樹(shù)脂基板、硅基板和玻璃基板。半導(dǎo)體背面用膜2的厚度(在層壓膜的情況下為總厚度)不特別限制，但例如可適當(dāng)選自約2 μ m-200 μ m的范圍。另外，該厚度優(yōu)選約4 μ m-160 μ m,更優(yōu)選約6 μ m-100 μ m 和特別優(yōu)選約10 μ m-80 μ m。半導(dǎo)體背面用膜2在23°C下處于未固化狀態(tài)時(shí)的拉伸貯能彈性模量?jī)?yōu)選為IGPa 以上(例如，lGPa-50GPa)，更優(yōu)選2GPa以上，特別地3GPa以上是適合的。當(dāng)拉伸貯能彈性模量為IGPa以上時(shí)，在將半導(dǎo)體芯片與半導(dǎo)體背面用膜2 —起從切割帶的壓敏粘合劑層 32剝離之后將半導(dǎo)體背面用膜2放置在支承體上并進(jìn)行輸送等時(shí)，能夠有效地抑制或防止半導(dǎo)體背面用膜粘貼至支承體。在這點(diǎn)上，支承體例如為載帶中的頂帶和底帶等。如上所述，在半導(dǎo)體背面用膜2由包含熱固性樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物形成的情況下，熱固性樹(shù)脂通常處于未固化或部分固化的狀態(tài)，因此半導(dǎo)體背面用膜在23°C下的拉伸貯能彈性模量為處于熱固性樹(shù)脂未固化或部分固化的狀態(tài)的在23°C下的拉伸貯能彈性模量。此處，半導(dǎo)體背面用膜2可為單層或?qū)訅憾鄬拥膶訅耗ぁＴ趯訅耗さ那闆r下， 作為整個(gè)層壓膜的處于未固化狀態(tài)的拉伸貯能彈性模量為充分的IGPa以上(例如， lGPa-50GPa)。此外，處于未固化狀態(tài)的半導(dǎo)體背面用膜的拉伸貯能彈性模量(23°C )可通過(guò)適當(dāng)設(shè)定樹(shù)脂組分(熱塑性樹(shù)脂和/或熱固性樹(shù)脂)的種類和含量或填料如二氧化硅填料的種類和含量來(lái)控制。在半導(dǎo)體背面用膜2為層壓多層的層壓膜的情況下(半導(dǎo)體背面用膜具有層壓層形式的情況下)，作為層壓層形式，例如，可示例由晶片粘合層和激光標(biāo)識(shí)層構(gòu)成的層壓形式。此外，在晶片粘合層和激光標(biāo)識(shí)層之間，可設(shè)置其它層(中間層、遮光層、補(bǔ)強(qiáng)層、著色層、基材層、電磁波屏蔽層、導(dǎo)熱層、壓敏粘合劑層等)。在這點(diǎn)上，晶片粘合層為顯示對(duì)晶片優(yōu)良的緊密粘合性(粘合性質(zhì))的層和與晶片背面接觸的層。另一方面， 激光標(biāo)識(shí)層為顯示優(yōu)良的激光標(biāo)識(shí)性的層和在半導(dǎo)體芯片背面上激光標(biāo)識(shí)時(shí)利用的層。拉伸貯能彈性模量通過(guò)如下測(cè)定制備不層壓至切割帶3上的處于未固化狀態(tài)的半導(dǎo)體背面用膜2，并使用由Geometries Co. , Ltd.制造的動(dòng)態(tài)粘彈性測(cè)量設(shè)備“Solid Analyzer RS A2”，于規(guī)定溫度(23°C )下，在氮?dú)鈿夥罩?，在樣品寬度?0mm、樣品長(zhǎng)度為 22. 5mm、樣品厚度為0. 2mm、頻率為IHz和升溫速率為10°C /分鐘的條件下，以拉伸模式測(cè)量彈性模量，并將該測(cè)量的彈性模量作為所得的拉伸貯能彈性模量的值。優(yōu)選地，半導(dǎo)體背面用膜2在其至少一個(gè)表面上用隔離膜(剝離襯墊)保護(hù)(在圖中未示出)。例如，在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1中，可在半導(dǎo)體背面用膜的至少一個(gè)表面上設(shè)置隔離膜。另一方面，在沒(méi)有與切割帶集成的半導(dǎo)體背面用膜中，可在半導(dǎo)體背面用膜的一個(gè)表面或兩個(gè)表面上設(shè)置隔離膜。隔離膜具有作為保護(hù)半導(dǎo)體背面用膜直至其實(shí)際使用的保護(hù)材料的功能。此外，在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1中，隔離膜能夠進(jìn)一步用作在將半導(dǎo)體背面用膜2轉(zhuǎn)移至在切割帶的基材的壓敏粘合劑層32上時(shí)的支承基材。當(dāng)將半導(dǎo)體晶片粘貼至半導(dǎo)體背面用膜上時(shí)，剝離隔離膜。作為隔離膜，也可使用聚乙烯或聚丙烯的膜、以及其表面用脫模劑例如氟類脫模劑或長(zhǎng)鏈烷基丙烯酸酯類脫模劑涂布的塑料膜(例如，聚對(duì)苯二甲酸乙二酯)或紙等。隔離膜可通過(guò)常規(guī)已知的方法形成。此外，隔離膜的厚度等沒(méi)有特別限定。在半導(dǎo)體背面用膜2不與切割帶3層壓的情況下，半導(dǎo)體背面用膜2可以與在其兩面上具有剝離層的一個(gè)隔離膜一起卷繞，成為其中該膜2用在其兩表面上具有剝離層的隔離膜保護(hù)的卷形物；或該膜2可用在其至少一個(gè)表面上具有剝離層的隔離膜保護(hù)。此外，半導(dǎo)體背面用膜2在可見(jiàn)光區(qū)域的透光率(可見(jiàn)光透過(guò)率，波長(zhǎng): 400nm-800nm)沒(méi)有特別限定，但例如，優(yōu)選在20%以下(0% -20% )、更優(yōu)選在10%以下 (0%-10%)，特別優(yōu)選5%以下(0%-5%)的范圍內(nèi)。當(dāng)半導(dǎo)體背面用膜2具有大于20% 的可見(jiàn)光透光率時(shí)，存在光的透射不利地影響半導(dǎo)體元件的顧慮?？梢?jiàn)光透過(guò)率(％)能夠通過(guò)半導(dǎo)體背面用膜2的樹(shù)脂組分的種類和含量、著色劑(例如顏料或染料)的種類和含量以及無(wú)機(jī)填料的含量等來(lái)控制。半導(dǎo)體背面用膜2的可見(jiàn)光透過(guò)率(％ )可如下測(cè)定。即，制備本身具有厚度(平均厚度)為20 μ m的半導(dǎo)體背面用膜2。然后，將半導(dǎo)體背面用膜2用具有波長(zhǎng)為400至 800nm的可見(jiàn)光在規(guī)定強(qiáng)度下照射[設(shè)備由Siimadzu Corporation制造的可見(jiàn)光產(chǎn)生設(shè)備[商品名“ABSORPTION SPECTR0 PHOTOMETER”]]，并測(cè)量透過(guò)的可見(jiàn)光的強(qiáng)度。此外，可基于可見(jiàn)光透過(guò)半導(dǎo)體背面用膜2前后的強(qiáng)度變化來(lái)確定可見(jiàn)光透過(guò)率(%)。在這點(diǎn)上， 也可以從厚度不是20 μ m的半導(dǎo)體背面用膜2的可見(jiàn)光透過(guò)率波長(zhǎng)400至SOOnm)的值推導(dǎo)出具有厚度為20 μ m的半導(dǎo)體背面用膜2的可見(jiàn)光透過(guò)率(％ ；波長(zhǎng)400至SOOnm)。 在本發(fā)明中，在具有厚度為20 μ m的半導(dǎo)體背面用膜2的情況下測(cè)定可見(jiàn)光透過(guò)率(％ )， 但根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用膜不限于具有厚度為20 μ m的半導(dǎo)體背面用膜。此外，作為半導(dǎo)體背面用膜2，更優(yōu)選具有較低吸濕率的半導(dǎo)體背面用膜。具體地， 吸濕率優(yōu)選1重量％以下，更優(yōu)選0. 8重量％以下。通過(guò)將吸濕率調(diào)整至1重量％以下，能夠提高激光標(biāo)識(shí)性。此外，例如，在再流步驟(reflow step)中能夠抑制或防止半導(dǎo)體背面用膜2和半導(dǎo)體元件之間空隙的產(chǎn)生。吸濕率為由將半導(dǎo)體背面用膜2在溫度85°C和濕度85% RH的氣氛下靜置168小時(shí)前后的重量變化計(jì)算的值。在半導(dǎo)體背面用膜2由包含熱固性樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物形成的情況下，吸濕率是指當(dāng)將熱固化后的膜在溫度85°C和濕度 85% RH的氣氛下靜置168小時(shí)時(shí)獲得的值。此外，吸濕率例如可通過(guò)改變無(wú)機(jī)填料的添加量來(lái)調(diào)整。此外，作為半導(dǎo)體背面用膜2，更優(yōu)選具有較小比例的揮發(fā)性物質(zhì)的半導(dǎo)體背面用膜。具體地，熱處理后半導(dǎo)體背面用膜2的重量減少的比例(重量減少率)優(yōu)選為1重量％以下，更優(yōu)選0. 8重量％以下。熱處理的條件為加熱溫度為250°C，加熱時(shí)間為1小時(shí)。通過(guò)將重量減少率調(diào)整至1重量％以下，能夠提高激光標(biāo)識(shí)性。此外，例如，在再流步驟中能夠抑制或防止倒裝芯片型半導(dǎo)體器件中裂紋的產(chǎn)生。重量減少率可例如通過(guò)添加在無(wú)鉛焊料再流時(shí)能夠減少裂紋產(chǎn)生的無(wú)機(jī)物質(zhì)來(lái)調(diào)整。在半導(dǎo)體背面用膜2由包含熱固性樹(shù)脂組分的樹(shù)脂組合物形成的情況下，重量減少率為當(dāng)將熱固化后的半導(dǎo)體背面用膜在溫度250°C和加熱時(shí)間為1小時(shí)的條件下加熱時(shí)獲得的值。(切割帶)如此設(shè)計(jì)切割帶3以使其具有壓敏粘合劑層32，所述壓敏粘合劑層32在具有凹凸加工面31a的基材上形成。因此，切割帶3充分具有其中層壓具有凹凸加工面31a的基材 31和壓敏粘合劑層32的構(gòu)造。
(基材)基材(支承基材)可用作壓敏粘合劑層等的支承材料。基材31優(yōu)選具有放射線透過(guò)性。作為基材31，例如，可使用合適的薄材料，例如紙類基材如紙；纖維類基材如織物、無(wú)紡布、氈和網(wǎng)；金屬類基材如金屬箔和金屬板；塑料基材如塑料膜和片；橡膠類基材如橡膠片；發(fā)泡體(foamed body)如發(fā)泡片；及其層壓體[特別地，塑料基料與其它基材的層壓體， 塑料膜(或片)彼此的層壓體等]。在本發(fā)明中，作為基材，可適當(dāng)使用塑料基材如塑料膜和片。此類塑料材料的原料實(shí)例包括烯烴類樹(shù)脂如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)和乙烯-丙烯共聚物；使用乙烯作為單體組分的共聚物，如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、離聚物樹(shù)脂、 乙烯_(甲基)丙烯酸共聚物和乙烯_(甲基)丙烯酸酯(無(wú)規(guī)，交替)共聚物；聚酯如聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)和聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯(PBT)；丙烯酸類樹(shù)脂；聚氯乙烯(PVC)；聚氨酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚(PPQ ；酰胺類樹(shù)脂如聚酰胺(尼龍)和全芳族聚酰胺(whole aromatic polyamides)(芳族聚酰胺)；聚醚醚酮(PEEK)；聚酰亞胺；聚醚酰亞胺；聚偏二氯乙烯；ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纖維素類樹(shù)脂；硅酮樹(shù)脂；和氟化樹(shù)脂。另外，基材31的材料包括聚合物如前述樹(shù)脂的交聯(lián)材料。塑料膜可在不拉伸的情況下使用，或者需要時(shí)可在進(jìn)行單軸或雙軸拉伸處理后使用。根據(jù)通過(guò)拉伸處理等賦予熱收縮性的樹(shù)脂片材，在切割后通過(guò)基材31的熱收縮減小壓敏粘合劑層32和半導(dǎo)體背面用膜2之間的粘合面積，因而能夠使半導(dǎo)體芯片的回收容易?；?1具有凹凸加工面31a(本文中還稱作“不規(guī)則形成面 (irregularities-formed surface) ”或“粗糙表面”)。為了防止卷起的基材31的表面彼此粘連從而確保其在生產(chǎn)集成膜1的前置階段的加工性的目的，設(shè)置凹凸加工面31a。當(dāng)在其中將凹凸加工面31a保持在暴露在外的狀態(tài)下層壓壓敏粘合劑層32時(shí)，則可能發(fā)生由凹凸加工面31a導(dǎo)致的光散射，因此切割帶3的霧度由此升高。在此情況下，在切割步驟后的檢查步驟中觀察半導(dǎo)體芯片時(shí)，膜的透光率可能低，情形為可能無(wú)法檢測(cè)半導(dǎo)體芯片中的不足如碎裂等的發(fā)生。針對(duì)此，在集成膜1中，切割帶的霧度為至多45%，因此，可以提高膜的透光率且可以容易及有效地檢查半導(dǎo)體芯片。使用商用霧度儀并根據(jù)下式來(lái)測(cè)定霧度霧度(％) = Td/TtX100其中，Td是指擴(kuò)散透過(guò)率，Tt是指總透光率。控制切割帶3的霧度為至多45%的措施不特別限定，例如，可使用以下方法層壓凹凸加工面31a和壓敏粘合劑層32以彼此面對(duì)，以使得壓敏粘合劑層32吸收凹凸的方法； 以防止基材彼此粘連及霧度為至多45%這樣的方式，通過(guò)凹凸加工處理控制待形成的凹凸的程度的方法；和在暴露的凹凸加工面31a上進(jìn)一步層壓如壓敏粘合劑層一樣能夠吸收凹凸的層的方法等。當(dāng)然，優(yōu)選為在基材31的凹凸加工面31a上層壓壓敏粘合劑層32的方法。通過(guò)將基材31的凹凸加工面31a和壓敏粘合劑層彼此粘合，壓敏粘合劑層32可以追隨凹凸加工面31a的凹凸，從而基材和壓敏粘合劑層可以彼此緊密粘合，由此可填滿兩者之間的間隙。因而，不需任何另外的構(gòu)件，切割帶可防止通過(guò)它的光散射，可提高其透過(guò)率， 由此可有效地降低其霧度。凹凸加工面31a的凹凸程度可以為通常的相同水平，因此可以確保加工性以防止基材31彼此粘連。
可以將基材31中的僅一個(gè)表面加工成凹凸加工面，或?qū)蓚€(gè)表面加工成凹凸加工面。當(dāng)將僅一個(gè)表面加工成凹凸加工面時(shí)，優(yōu)選地，層壓基材和壓敏粘合劑層以使得凹凸加工面能夠面對(duì)壓敏粘合劑層。在將兩個(gè)表面加工成凹凸加工面時(shí)，在與層壓有壓敏粘合劑層的表面相對(duì)的基材表面上形成能夠吸收凹凸的另外的層是有利的。用于制備凹凸加工面31a的凹凸加工處理并不特別限定，只要形成的凹凸可以防止基材彼此粘連即可。例如，該處理包括壓花處理、壓紋處理(graining treatment)、噴砂處理和等離子體處理(plasma treatment)等。在這些凹凸加工處理中，考慮到加工容易性、 粘連防止能力以及基材和壓敏粘合劑層之間的粘合性，優(yōu)選壓花處理。另外，為了提高與相鄰層的緊密粘合性和保持性等，可在基材31的表面上實(shí)施常規(guī)使用的表面處理，例如，化學(xué)或物理處理如鉻酸鹽處理、臭氧暴露、火焰暴露、暴露于高壓電擊或電離輻射處理，或用底漆劑(imdercoating agent)例如稍后提及的壓敏粘合劑物質(zhì)的涂布處理。凹凸加工面31a的表面粗糙度(Ra)并不特別限定，只要它能夠防止基材粘連即可，但優(yōu)選0. 5至20 μ m，更優(yōu)選1至10 μ m，甚至更優(yōu)選1至5 μ m。表面粗糙度(Ra)可以使用Veeco' s非接觸式三維表面粗糙度儀(NT3300)且根據(jù)JIS B0601來(lái)測(cè)量。關(guān)于測(cè)量條件，功率是說(shuō)明的50倍，通過(guò)中值濾波器(median filter)處理得到的數(shù)據(jù)。在樣品表面上不同的五個(gè)點(diǎn)分析每個(gè)樣品，將數(shù)據(jù)平均化以給出樣品的表面粗糙度(Ra)。作為基材31，可適當(dāng)選擇和使用相同種類或不同種類的材料，需要時(shí)，可將幾種材料共混并使用。此外，為了賦予基材31以抗靜電能力，可在基材31上形成由金屬、合金或其氧化物組成的具有厚度約30至500埃的導(dǎo)電性物質(zhì)的氣相沉積層?；?1可為單層或其兩層以上的多層。基材31的厚度(在層壓層的情況下為總厚度)沒(méi)有特別限定，可依賴于強(qiáng)度、撓性及預(yù)期的用途等適當(dāng)選擇。例如，厚度通常為IOOOym以下(例如Iym至ΙΟΟΟμπι)，優(yōu)選10 μ m至500 μ m，進(jìn)一步優(yōu)選20 μ m至300 μ m，特別優(yōu)選約30 μ m至200 μ m，但不限于此。此外，在不損害本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)等的范圍內(nèi)，基材31可包含各種添加劑(著色劑、填料、增塑劑、防老劑、抗氧化劑、表面活性劑、阻燃劑等)。(壓敏粘合劑層)壓敏粘合劑層32由壓敏粘合劑形成，并具有壓敏粘合性。由于壓敏粘合性和撓性，壓敏粘合劑層32能夠良好地追隨基材31的凹凸加工面31a的凹凸，由此填滿基材31 和壓敏粘合劑層32之間的間隙，由此降低切割帶3的霧度。壓敏粘合劑沒(méi)有特別限定，可在已知的壓敏粘合劑中適當(dāng)選擇。具體地，作為壓敏粘合劑，例如，具有上述特性的壓敏粘合劑可在如下的已知壓敏粘合劑中適當(dāng)選擇并在本文中使用丙烯酸類壓敏粘合劑、橡膠類壓敏粘合劑、乙烯基烷基醚類壓敏粘合劑、 硅酮類壓敏粘合劑、聚酯類壓敏粘合劑、聚酰胺類壓敏粘合劑、聚氨酯類壓敏粘合劑、氟類壓敏粘合劑、苯乙烯-二烯嵌段共聚物類壓敏粘合劑，和通過(guò)將具有不高于200°C熔點(diǎn)的熱熔融性樹(shù)脂加入上述壓敏粘合劑中制備的蠕變特性改進(jìn)的壓敏粘合劑(例如，參見(jiàn) JP-A-56-61468、JP-A-61-174857、JP-A-63-17981、JP-A-56-13040 等，引入此處以作參考)。作為壓敏粘合劑，此處也可使用照射固化型壓敏粘合劑(或能量射線固化型壓敏粘合劑)和熱膨脹性壓敏粘合劑。一種或多種此類壓敏粘合劑可在此處單獨(dú)或組合使用。作為壓敏粘合劑，本文中優(yōu)選使用丙烯酸類壓敏粘合劑和橡膠類壓敏粘合劑，更優(yōu)選丙烯酸類壓敏粘合劑。丙烯酸類壓敏粘合劑包括包含一種或多種(甲基)丙烯酸烷基酯作為單體組分的丙烯酸類聚合物(均聚物或共聚物)作為基礎(chǔ)聚合物的丙烯酸類壓敏粘合劑。用于丙烯酸類壓敏粘合劑的(甲基)丙烯酸烷基酯包括，例如，(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸 2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基) 丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯、 (甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸十四烷酯、(甲基)丙烯酸十五烷酯、(甲基)丙烯酸十六烷酯、(甲基)丙烯酸十七烷酯、(甲基)丙烯酸十八烷酯、(甲基)丙烯酸十九烷酯、(甲基)丙烯酸二十烷酯等。作為(甲基)丙烯酸烷基酯，優(yōu)選的是其中烷基具有4至 18個(gè)碳原子的那些。在(甲基)丙烯酸烷基酯中，烷基可為直鏈或支鏈的。為了改善其內(nèi)聚力、耐熱性及交聯(lián)性的目的，如果需要，丙烯酸類聚合物可包含與上述(甲基)丙烯酸烷基酯可聚合的任何其它單體組分(可共聚合單體組分)對(duì)應(yīng)的單元。 可共聚合單體組分包括，例如，含羧基單體如(甲基)丙烯酸(丙烯酸、甲基丙烯酸)、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來(lái)酸、富馬酸、巴豆酸；含酸酐基團(tuán)單體如馬來(lái)酸酐和衣康酸酐；含羥基單體如(甲基)丙烯酸羥乙酯、(甲基)丙烯酸羥丙酯、(甲基)丙烯酸羥丁酯、(甲基)丙烯酸羥己酯、(甲基)丙烯酸羥辛酯、(甲基)丙烯酸羥癸酯、(甲基) 丙烯酸羥月桂酯、甲基丙烯酸(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯；含磺酸基團(tuán)單體如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2_(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；含磷酸基團(tuán)單體如2-羥乙基丙烯酰磷酸酯；(N-取代的)酰胺類單體如(甲基)丙烯酰胺、N，N- 二甲基(甲基)丙烯酰胺、N- 丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羥甲基(甲基)丙烯酰胺、N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺；(甲基)丙烯酸氨基烷基酯類單體如(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸N，N-二甲氨基乙酯、(甲基) 丙烯酸叔丁氨基乙酯；(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯類單體如(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、 (甲基)丙烯酸乙氧基乙酯；丙烯酸氰基酯類單體如丙烯腈、甲基丙烯腈；含環(huán)氧基丙烯酸類單體如(甲基)丙烯酸縮水甘油酯；苯乙烯類單體如苯乙烯、α -甲基苯乙烯；乙烯基酯類單體例如乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯；烯烴類單體如異戊二烯、丁二烯、異丁烯；乙烯基醚類單體例如乙烯基醚；含氮單體如N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、 乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基噁唑、乙烯基嗎啉、N-乙烯基羧酸酰胺、N-乙烯基己內(nèi)酰胺；馬來(lái)酰亞胺類單體如N-環(huán)己基馬來(lái)酰亞胺、N-異丙基馬來(lái)酰亞胺、N-月桂基馬來(lái)酰亞胺、N-苯基馬來(lái)酰亞胺；衣康酰亞胺類單體如N-甲基衣康酰亞胺、N-乙基衣康酰亞胺、N- 丁基衣康酰亞胺、N-辛基衣康酰亞胺、 Ν-2-乙基己基衣康酰亞胺、N-環(huán)己基衣康酰亞胺、N-月桂基衣康酰亞胺；琥珀酰亞胺類單體如Ν-(甲基)丙烯酰氧亞甲基琥珀酰亞胺、N-(甲基)丙烯酰基-6-氧六亞甲基琥珀酰亞胺、Ν-(甲基)丙烯?；?8-氧八亞甲基琥珀酰亞胺；二醇類丙烯酸酯(acryl glycolate)單體如聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯(methoxyethylene glycol (meth) acrylate)和甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯 (methoxypolypropylene glycol (meth) acrylate)；具有雜環(huán)、1 原子或 原子等的丙;1；希酸酯類單體，如(甲基)丙烯酸四氫糠酯、含氟(甲基)丙烯酸酯(fluoro (meth) acrylate) 和含硅的(甲基)丙烯酸酯(silicone (meth) acrylate)；多官能單體如己二醇二 (甲基) 丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、 季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯、二乙烯基苯、二(甲基)丙烯酸丁酯、二(甲基)丙烯酸己酯； 等。一種或多種這些可共聚合單體組分可單獨(dú)或組合使用。本發(fā)明中可用的照射固化型壓敏粘合劑(或能量射線固化型壓敏粘合劑)(組合物)包括，例如，包含在聚合物側(cè)鏈、主鏈或主鏈末端中具有自由基反應(yīng)性碳-碳雙鍵的聚合物用作基礎(chǔ)聚合物的內(nèi)部照射固化型壓敏粘合劑，及通過(guò)將UV固化型單體組分或低聚物組分共混入壓敏粘合劑中制備的照射固化型壓敏粘合劑。此處還可用的熱膨脹性壓敏粘合劑包括，例如，包含壓敏粘合劑和發(fā)泡劑(特別地，熱膨脹性微球)的熱膨脹性壓敏粘合劑。在本發(fā)明中，在不損害本發(fā)明優(yōu)點(diǎn)的范圍內(nèi)，壓敏粘合劑層32可包含各種添加劑 (例如，增粘劑、著色劑、增稠劑、增量劑、填料、增塑劑、防老劑、抗氧化劑、表面活性劑、交聯(lián)劑等)。交聯(lián)劑沒(méi)有特別限定，可使用已知的交聯(lián)劑。具體地，作為交聯(lián)劑，不僅可提及異氰酸酯類交聯(lián)劑、環(huán)氧類交聯(lián)劑、三聚氰胺類交聯(lián)劑和過(guò)氧化物類交聯(lián)劑，還可提及脲類交聯(lián)劑、金屬醇鹽類交聯(lián)劑、金屬螯合物類交聯(lián)劑、金屬鹽類交聯(lián)劑、碳二亞胺類交聯(lián)劑、噁唑啉類交聯(lián)劑、氮丙啶類交聯(lián)劑和胺類交聯(lián)劑等，異氰酸酯類交聯(lián)劑和環(huán)氧類交聯(lián)劑是適合的。交聯(lián)劑可以單獨(dú)使用或以兩種以上的組合使用。此外，交聯(lián)劑的使用量沒(méi)有特別限定。異氰酸酯類交聯(lián)劑的實(shí)例包括低級(jí)脂肪族多異氰酸酯例如1，2_亞乙基二異氰酸酯、1，4_亞丁基二異氰酸酯和1，6_六亞甲基二異氰酸酯；脂環(huán)族多異氰酸酯例如亞環(huán)戊基二異氰酸酯、亞環(huán)己基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化甲苯二異氰酸酯和氫化苯二甲撐二異氰酸酯；芳香族多異氰酸酯例如2，4-甲苯二異氰酸酯、2，6-甲苯二異氰酸酯、4， 4' -二苯甲烷二異氰酸酯和苯二甲撐二異氰酸酯。另外，也使用三羥甲基丙烷/甲苯二異氰酸酯三聚體加合物[商品名 “C0L0NATE L”，由 Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.制造]和三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯三聚體加合物[商品名“C0L0NATE HL”， 由Nippon Polyurethane Industry Co. , Ltd.制造]等。此外，環(huán)氧類交聯(lián)劑的實(shí)例包括 N,N,N' ,N'-四縮水甘油基-間-苯二甲胺、二縮水甘油基苯胺、1，3_雙(N，N-縮水甘油基氨甲基)環(huán)己烷、1，6-己二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇多縮水甘油醚、甘油多縮水甘油醚、季戊四醇多縮水甘油醚、聚甘油多縮水甘油醚、脫水山梨糖醇多縮水甘油醚、三羥甲基丙烷多縮水甘油醚、己二酸二縮水甘油酯、鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、三縮水甘油基-三(2-羥乙基)異氰脲酸酯、間苯二酚二縮水甘油醚和雙酚-S-二縮水甘油醚，以及在分子中具有兩個(gè)以上的環(huán)氧基團(tuán)的環(huán)氧類樹(shù)脂。
在本發(fā)明中，代替使用交聯(lián)劑或與交聯(lián)劑一起使用，也可以通過(guò)用電子射線或UV 射線的照射來(lái)交聯(lián)壓敏粘合劑層。壓敏粘合劑層32例如可通過(guò)利用包括混合壓敏粘合劑和任選的溶劑及其它添加劑，然后將該混合物成形為片狀層的通常使用的方法形成。具體地，例如，可提及包括將包含壓敏粘合劑和任選的溶劑及其它添加劑的混合物施涂至基材31上的方法；或包括施涂上述混合物至適當(dāng)隔離體(如剝離紙)上以形成壓敏粘合劑層32，然后將其轉(zhuǎn)移(轉(zhuǎn)換) 至基材31上的方法等。壓敏粘合劑層32的厚度沒(méi)有特別限定，例如，為約5至200 μ m,優(yōu)選5至50 μ m， 更優(yōu)選5至45 μ m，甚至更優(yōu)選5至40 μ m。當(dāng)其厚度落入上述范圍內(nèi)時(shí)，壓敏粘合劑層32 可顯示適當(dāng)?shù)恼澈狭Γ梢猿浞值靥岣呋牡陌纪辜庸っ媾c壓敏粘合劑層之間的粘合性， 另外，可以確保被切割的半導(dǎo)體晶片的保持力。壓敏粘合劑層32可為單層或多層。切割帶3的壓敏粘合劑層32對(duì)倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜2的粘合力(23°C，剝離角180度，剝離速率300mm/min)優(yōu)選在0. 02N/20mm至10N/20mm，更優(yōu)選在0. 05N/20mm 至5N/20mm的范圍內(nèi)。當(dāng)粘合力為至少0. 02N/20mm時(shí)，則可以防止在切割半導(dǎo)體晶片時(shí)半導(dǎo)體芯片飛散。另一方面，當(dāng)粘合力為至多10N/20mm時(shí)，則便于在拾取半導(dǎo)體芯片時(shí)剝離它們，且防止壓敏粘合劑殘余。另外，在本發(fā)明中，可使倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜2或半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1具有抗靜電功能。由于該構(gòu)造，能夠防止電路由于在其粘合時(shí)和剝離時(shí)靜電能的產(chǎn)生或由于半導(dǎo)體晶片等通過(guò)靜電能的帶電導(dǎo)致的擊穿。賦予抗靜電功能可通過(guò)適當(dāng)?shù)姆绞饺缫韵路椒ㄟM(jìn)行添加抗靜電劑或?qū)щ娦晕镔|(zhì)至基材31、壓敏粘合劑層32和半導(dǎo)體背面用膜2的方法，或在基材31上設(shè)置由電荷轉(zhuǎn)移配合物(complex)或金屬膜等組成的導(dǎo)電層的方法。作為這些方法，優(yōu)選難以產(chǎn)生具有改變半導(dǎo)體晶片品質(zhì)風(fēng)險(xiǎn)的雜質(zhì)離子的方法。為了賦予導(dǎo)電性和改進(jìn)導(dǎo)熱性等的目的而共混的導(dǎo)電性物質(zhì)(導(dǎo)電性填料)的實(shí)例包括銀、 鋁、金、銅、鎳或?qū)щ娦院辖鸬鹊那蛐?、針形或薄片形金屬粉末；金屬氧化物如氧化鋁；無(wú)定形炭黑和石墨。然而，從不具有漏電性的觀點(diǎn)，半導(dǎo)體背面用膜2優(yōu)選非導(dǎo)電性的。此外，倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜2或半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1可以以卷繞成卷形物(roll)的形式形成，或可以以層壓片材(膜)的形式形成。例如，在膜具有卷繞成卷形物的形式的情況下，根據(jù)需要，以通過(guò)隔離體保護(hù)半導(dǎo)體背面用膜2或半導(dǎo)體背面用膜2與切割帶3的層壓體的狀態(tài)將膜卷繞成卷形物，由此可制備膜作為處于卷繞成卷形物狀態(tài)或形式的半導(dǎo)體背面用膜2或半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1。在這點(diǎn)上，處于卷繞成卷形物狀態(tài)或形式的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1可由基材31、在基材31的一個(gè)表面上形成的壓敏粘合劑層32、在壓敏粘合劑層32上形成的半導(dǎo)體背面用膜2，和在基材31的另一表面上形成的可剝離處理層(后表面處理層)構(gòu)成。另外，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的厚度(半導(dǎo)體背面用膜的厚度和包括基材 31和壓敏粘合劑層32的切割帶的厚度的總厚度)可在例如8 μ m-1, 500 μ m的范圍內(nèi)選擇， 其優(yōu)選 20 μ m-850 μ m,更優(yōu)選 31 μ m-500 μ m,特別優(yōu)選 47 μ m-330 μ m。在這點(diǎn)上，在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1中，通過(guò)調(diào)整半導(dǎo)體背面用膜2的厚度與切割帶3中壓敏粘合劑層32的厚度的比例或半導(dǎo)體背面用膜2的厚度與切割帶的厚度 (基材31和壓敏粘合劑層32的總厚度)的比例，在切割步驟時(shí)的切割性和在拾取步驟時(shí)的拾取性等能夠得到提高，且在從半導(dǎo)體晶片的切割步驟至半導(dǎo)體芯片的倒裝芯片接合步驟，均能夠有效地利用半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1。(半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的生產(chǎn)方法)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的生產(chǎn)方法包含制備具有凹凸加工面的基材的步驟，在基材的凹凸加工面上層壓壓敏粘合劑層的步驟和在壓敏粘合劑層上層壓半導(dǎo)體背面用膜的步驟。根據(jù)生產(chǎn)方法(i)，在基材的凹凸加工面上層壓壓敏粘合劑層，因此壓敏粘合劑層可以充分地填滿由凹凸加工面形成的間隙，因此，可以由此有效地生產(chǎn)其中切割帶的霧度降低的切割帶集成膜。使用圖1所示的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1作為實(shí)例，描述本實(shí)施方案的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的生產(chǎn)方法。首先，基材31可通過(guò)常規(guī)已知的成膜方法形成。成膜方法的實(shí)例包括壓延成膜法、在有機(jī)溶劑中的流延法、在嚴(yán)格密閉體系中的膨脹擠出法、 T-模擠出法、共擠出法和干法層壓法。接著，將基材31的由此形成的膜進(jìn)行凹凸加工處理以形成凹凸加工面31a?？梢杂萌我馔ǔＲ阎姆椒ㄐ纬砂纪埂８鶕?jù)情況，此處還可使用進(jìn)行凹凸加工處理的商購(gòu)基材。接著，將壓敏粘合劑組合物施涂至基材31，接著在其上干燥(和任選地在加熱下交聯(lián))以形成壓敏粘合劑層32。施涂體系包括輥涂、絲網(wǎng)涂布(screen coating)、凹版涂布(gravure coating)等?？蓪好粽澈蟿┙M合物直接施涂至基材31以在基材31上形成壓敏粘合劑層32 ；或可將壓敏粘合劑組合物施涂至表面已進(jìn)行潤(rùn)滑處理的剝離紙等上以在其上形成壓敏粘合劑層32，且將壓敏粘合劑層32轉(zhuǎn)移至基材31上。因而，形成具有在基材31上形成壓敏粘合劑層32的切割帶3。如上所述，根據(jù)涂布體系或轉(zhuǎn)移體系可以在基材31上形成壓敏粘合劑層32 ’然而，從易于控制基材31和壓敏粘合劑層32之間的粘合性的觀點(diǎn)，轉(zhuǎn)移體系是優(yōu)選的。在轉(zhuǎn)移體系中，可將層在室溫下轉(zhuǎn)移或在加熱下轉(zhuǎn)移。在這種情況下，優(yōu)選地，將層在加壓下轉(zhuǎn)移。一個(gè)優(yōu)選的轉(zhuǎn)移體系是通過(guò)熱層壓來(lái)層壓基材31和壓敏粘合劑層32的體系。在熱層壓中的加熱提高了壓敏粘合劑層的粘性和撓性，因此，通過(guò)其可以改進(jìn)壓敏粘合劑層對(duì)凹凸加工面的凹凸的追隨性，結(jié)果，可以有效地去除在基材和壓敏粘合劑層之間的間隙，可以進(jìn)一步降低切割帶的霧度。關(guān)于熱層壓的條件，例如，優(yōu)選采用在0. I-IOMI5a的壓力下和在 30-100°C下粘合0. 1至10秒鐘的處理。另一方面，將用于形成半導(dǎo)體背面用膜2的形成材料施涂至剝離片材上以形成干燥后具有預(yù)定厚度的涂層，然后在預(yù)定條件下干燥(任選地在需要熱固化的情況下加熱， 并干燥)以形成涂層。將該涂層轉(zhuǎn)移至壓敏粘合劑層32上，從而在壓敏粘合劑層32上形成半導(dǎo)體背面用膜2。半導(dǎo)體背面用膜2也能夠通過(guò)以下在壓敏粘合劑層32上形成直接在壓敏粘合劑層32上施涂用于形成半導(dǎo)體背面用膜2的形成材料，然后在規(guī)定條件下將其干燥(任選地在需要熱固化的情況下將其加熱，并干燥)。根據(jù)上述過(guò)程，能夠獲得本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1。在形成半導(dǎo)體背面用膜2時(shí)需要熱固化的情況下，重要的是進(jìn)行熱固化至涂層可以部分固化的程度，然而，優(yōu)選地涂層不熱固化。本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1能夠在包括倒裝芯片連接步驟的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)時(shí)適當(dāng)使用。即，在倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)時(shí)使用本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1，因此以將半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的半導(dǎo)體背面用膜2粘貼至半導(dǎo)體芯片背面的條件或形式生產(chǎn)倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件。因此，可以將本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1用于倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件(處于通過(guò)倒裝芯片接合法將半導(dǎo)體芯片固定于被粘物如基板的狀態(tài)或形式的半導(dǎo)體器件)。如在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1中一樣，半導(dǎo)體背面用膜2還可用于倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件(處于在倒裝芯片接合法中將半導(dǎo)體芯片固定于被粘物如基板等的狀態(tài)或形式的半導(dǎo)體器件)。(半導(dǎo)體晶片)半導(dǎo)體晶片沒(méi)有特別限定，只要其為已知或通常使用的半導(dǎo)體晶片即可，并可在由各種材料制成的半導(dǎo)體晶片中適當(dāng)?shù)剡x擇和使用。在本發(fā)明中，作為半導(dǎo)體晶片，可適當(dāng)?shù)厥褂霉杈?半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法)參考圖2A至2D，將描述根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法。圖2A-2D為示出在使用半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的情況下，生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法的橫截面示意圖。 此處，為了簡(jiǎn)化，從圖中省略了基材的凹凸加工面。根據(jù)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，可以使用半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1來(lái)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件。具體地，該方法包括至少以下步驟將半導(dǎo)體晶片粘貼至半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的半導(dǎo)體背面用膜上的步驟，切割半導(dǎo)體晶片以形成半導(dǎo)體芯片的步驟，檢查半導(dǎo)體芯片的步驟，將半導(dǎo)體芯片與半導(dǎo)體背面用膜一起從切割帶的壓敏粘合劑層剝離的步驟；和將所述半導(dǎo)體芯片倒裝芯片連接至被粘物上的步驟。(安裝步驟)首先，如圖2A所示，將任選地在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的半導(dǎo)體背面用膜 2上設(shè)置的隔離膜適當(dāng)剝離并將半導(dǎo)體晶片4粘貼至半導(dǎo)體背面用膜2上以通過(guò)粘合和保持來(lái)固定(安裝步驟)。在此情況下，半導(dǎo)體背面用膜2處于未固化狀態(tài)(包括半固化狀態(tài))。此外，將半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1粘貼至半導(dǎo)體晶片4的背面。半導(dǎo)體晶片4的背面是指與電路面相對(duì)的面(也稱為非電路面、非電極形成面等)。粘貼方法不特別限制， 但優(yōu)選通過(guò)壓接的方法。壓接通常在用加壓裝置如加壓輥加壓的同時(shí)進(jìn)行。(切割步驟)接著，如圖2B所示，切割半導(dǎo)體晶片4。從而，將半導(dǎo)體晶片4切斷成規(guī)定尺寸并單個(gè)化(成形為小片)，以生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片5。例如，所述切割根據(jù)常規(guī)方法從半導(dǎo)體晶片4 的電路面?zhèn)冗M(jìn)行。此外，本步驟可采取例如形成到達(dá)半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的切口 (slit)的稱作完全切斷的切斷方法。在本步驟中使用的切割設(shè)備沒(méi)有特別限定，可使用常規(guī)已知的設(shè)備。此外，由于半導(dǎo)體晶片4通過(guò)具有半導(dǎo)體背面用膜的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1粘合并固定，因此可抑制芯片破裂和芯片飛散，以及還可抑制半導(dǎo)體晶片4破損。 在這點(diǎn)上，當(dāng)半導(dǎo)體背面用膜2由包含環(huán)氧樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物形成時(shí)，即使當(dāng)將其通過(guò)切割切斷時(shí)，也可抑制或防止在切斷面處發(fā)生粘合劑從半導(dǎo)體背面用膜的粘合劑層擠出。結(jié)果，可抑制或防止切斷面自身的再粘貼(粘連(blocking))，從而可進(jìn)一步方便地進(jìn)行以下要描述的拾取。在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1擴(kuò)展(expanding)的情況下，擴(kuò)展可使用常規(guī)已知的擴(kuò)展設(shè)備進(jìn)行。所述擴(kuò)展設(shè)備具有能夠推動(dòng)半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜向下通過(guò)切割環(huán)的環(huán)形外環(huán)，和直徑小于外環(huán)并支撐半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的內(nèi)環(huán)。由于該擴(kuò)展步驟，可以防止相鄰的半導(dǎo)體芯片在以下要描述的拾取步驟中通過(guò)彼此接觸而損壞。(檢查步驟)然后，在檢查步驟中，檢查通過(guò)切割獲得半導(dǎo)體芯片的不足如碎裂等。沒(méi)有特別限定，檢查方法可以包括通過(guò)圖像識(shí)別的檢查，例如，用光學(xué)顯微鏡，通過(guò)頂照射或用C⑶相機(jī)等。例如，在通過(guò)頂照射的檢查中，IR射線從切割帶側(cè)朝向通過(guò)切割形成的半導(dǎo)體芯片之間的間隙(所謂的切割道(dicing street))來(lái)照射，在其上通過(guò)頂照相機(jī)等拍攝圖像以由此檢測(cè)如果有的在半導(dǎo)體芯片中的不足。根據(jù)生產(chǎn)方法(I)，由于使用其中降低切割帶的霧度的集成膜，所以通過(guò)頂照射可以有效地實(shí)現(xiàn)切割步驟后的檢查步驟。因此，良好產(chǎn)品和不良產(chǎn)品可以迅速且容易地區(qū)分，因而可以提高半導(dǎo)體器件的產(chǎn)量。無(wú)需說(shuō)，任何其它的檢查方法可以帶來(lái)相同的效果和優(yōu)點(diǎn)。(拾取步驟)為了收集粘合并固定至半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的半導(dǎo)體芯片5，如圖2C所示進(jìn)行半導(dǎo)體芯片5的拾取，以將半導(dǎo)體芯片5與半導(dǎo)體背面用膜2 —起從切割帶3剝離。 拾取方法沒(méi)有特別限定，可采用常規(guī)已知的各種方法。例如，可提及包括用針狀物從半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的基材31側(cè)向上推動(dòng)各半導(dǎo)體芯片5，并用拾取設(shè)備拾取推起的半導(dǎo)體芯片5的方法。在這點(diǎn)上，拾取的半導(dǎo)體芯片5的背面用半導(dǎo)體背面用膜2保護(hù)。(倒裝芯片連接步驟)如圖2D所示，將拾取的半導(dǎo)體芯片5通過(guò)倒裝芯片接合法(倒裝芯片安裝法)固定至被粘物6如基板。具體地，以半導(dǎo)體芯片5的電路面(也稱為正面、電路圖案形成面、電極形成面等)與被粘物6相對(duì)的形式，根據(jù)常規(guī)方式將半導(dǎo)體芯片5固定至被粘物6。例如， 使在半導(dǎo)體芯片5的電路面?zhèn)忍幮纬傻耐箟K51與粘貼至被粘物6的連接墊的連結(jié)用導(dǎo)電性材料61 (如焊料)接觸，并在加壓下熔融導(dǎo)電性材料61，由此能夠確保半導(dǎo)體芯片5和被粘物6之間的電連接，并能夠?qū)雽?dǎo)體芯片5固定于被粘物6上(倒裝芯片接合步驟)。在此情況下，在半導(dǎo)體芯片5和被粘物6之間形成間隙，并且間隙之間的距離通常為約30 μ m 至300 μ m。在這點(diǎn)上，在將半導(dǎo)體芯片5倒裝芯片接合(倒裝芯片連接)至被粘物6之后， 重要的是將半導(dǎo)體芯片5和被粘物6的相對(duì)面以及間隙洗滌，然后將包封材料(如包封樹(shù)脂)填充入間隙中，以進(jìn)行包封。作為被粘物6，可使用各種基板如引線框和電路板(如布線電路板)?；宓牟牧蠜](méi)有特別限定，可提及陶瓷基板和塑料基板。塑料基板的實(shí)例包括環(huán)氧基板、雙馬來(lái)酰亞胺三嗪基板和聚酰亞胺基板。在倒裝芯片接合步驟中，凸塊材料和導(dǎo)電性材料沒(méi)有特別限定，其實(shí)例包括焊料 (合金)如錫-鉛系金屬材料、錫-銀系金屬材料、錫-銀-銅系金屬材料、錫-鋅系金屬材料和錫-鋅-鉍系金屬材料，以及金系金屬材料和銅系金屬材料。此外，在倒裝芯片接合步驟中，將導(dǎo)電性材料熔融以連接半導(dǎo)體芯片5的電路面?zhèn)忍幍耐箟K和在被粘物6表面上的導(dǎo)電性材料。導(dǎo)電性材料熔融時(shí)的溫度通常為約 2600C (例如，250°C至300°C)。通過(guò)用環(huán)氧樹(shù)脂等形成半導(dǎo)體背面用膜，可使本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜具有能夠承受在倒裝芯片接合步驟中的高溫的耐熱性。在本步驟中，優(yōu)選洗滌半導(dǎo)體芯片5和被粘物6之間的相對(duì)面(電極形成面)以及間隙。在洗滌時(shí)使用的洗滌液沒(méi)有特別限定，其實(shí)例包括有機(jī)洗滌液或水性洗滌液。在本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜中的半導(dǎo)體背面用膜具有對(duì)洗滌液的耐溶劑性，并且對(duì)這些洗滌液基本不具有溶解性。因此，如上所述，可采用各種洗滌液作為該洗滌液，并可通過(guò)任何常規(guī)方法而無(wú)需任何特別的洗滌液實(shí)現(xiàn)該洗滌。接著，進(jìn)行包封步驟以包封倒裝芯片接合的半導(dǎo)體芯片5和被粘物6之間的間隙。 包封步驟使用包封樹(shù)脂進(jìn)行。在此情況下的包封條件不特別限制，但包封樹(shù)脂的固化通常在175°C下進(jìn)行60秒至90秒。然而，在本發(fā)明中，不限于此，例如，固化可在165至185°C 的溫度下進(jìn)行幾分鐘。通過(guò)在該步驟中的熱處理，不僅包封樹(shù)脂而且半導(dǎo)體背面用膜2也同時(shí)被熱固化。因此，包封樹(shù)脂和半導(dǎo)體背面用膜2兩者伴隨熱固化的程序而固化和收縮。 結(jié)果，通過(guò)半導(dǎo)體背面用膜2的固化收縮，可以消除或松弛由于包封樹(shù)脂的固化收縮導(dǎo)致的給予半導(dǎo)體芯片5的應(yīng)力。此外，在該步驟，半導(dǎo)體背面用膜2可完全或幾乎完全熱固化并能夠以優(yōu)良的緊密粘合性粘貼至半導(dǎo)體元件的背面。此外，即使當(dāng)根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用膜2處于未固化狀態(tài)時(shí)，該膜也可在包封步驟時(shí)與包封材料一起熱固化，因此不需要新添加半導(dǎo)體背面用膜2的熱固化步驟。包封樹(shù)脂沒(méi)有特別限定，只要該材料為具有絕緣性的樹(shù)脂(絕緣樹(shù)脂)即可，可在已知的包封材料如包封樹(shù)脂中適當(dāng)選擇和使用。包封樹(shù)脂優(yōu)選具有彈性的絕緣樹(shù)脂。包封樹(shù)脂的實(shí)例包括含環(huán)氧樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物。作為環(huán)氧樹(shù)脂，可提及以上示例的環(huán)氧樹(shù)脂。此外，由包含環(huán)氧樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物組成的包封樹(shù)脂除了環(huán)氧樹(shù)脂之外還可包含除了環(huán)氧樹(shù)脂(如酚醛樹(shù)脂)之外的熱固性樹(shù)脂或熱塑性樹(shù)脂。此外，也可利用酚醛樹(shù)脂作為環(huán)氧樹(shù)脂用固化劑，作為此類酚醛樹(shù)脂，可提及以上示例的酚醛樹(shù)脂。根據(jù)使用半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1或半導(dǎo)體背面用膜2制造的半導(dǎo)體器件 (倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件)，將半導(dǎo)體背面用膜粘貼至半導(dǎo)體芯片背面，因此，可以以優(yōu)良的可見(jiàn)度實(shí)施激光標(biāo)識(shí)。特別地，即使當(dāng)標(biāo)識(shí)方法是激光標(biāo)識(shí)法時(shí)，激光標(biāo)識(shí)也能夠以優(yōu)良的對(duì)比度實(shí)施，并可以觀察通過(guò)具有良好可見(jiàn)度的激光標(biāo)識(shí)實(shí)施的各種信息(例如文字信息和圖形信息)。在激光標(biāo)識(shí)時(shí)，可利用已知的激光標(biāo)識(shí)設(shè)備。此外，作為激光器，可以利用各種激光器如氣體激光器、固態(tài)激光器和液體激光器。具體地，作為氣體激光器，可利用任何已知的氣體激光器而沒(méi)有特別限制，但二氧化碳激光器(CO2激光器)和準(zhǔn)分子激光器(ArF激光器、KrF激光器、XeCl激光器、XeF激光器等)是適合的。作為固態(tài)激光器， 可利用任何已知的固態(tài)激光器而沒(méi)有特別限定，但YAG激光器(如Nd:YAG激光器)和YVO4 激光器是適合的。由于使用本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1或半導(dǎo)體背面用膜2生產(chǎn)的半導(dǎo)體器件為通過(guò)倒裝芯片安裝法安裝的半導(dǎo)體器件，所以該器件與通過(guò)模片接合安裝法安裝的半導(dǎo)體器件相比具有薄型化和小型化的形狀。因此，可適當(dāng)采用這些半導(dǎo)體器件作為各種電子器件和電子部件或其材料和構(gòu)件。具體地，作為利用本發(fā)明的倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件的電子器件，可提及所謂的“移動(dòng)電話”和“PHS”，小型計(jì)算機(jī)[如，所謂的 “PDA” (手持終端)，所謂的“筆記本尺寸的個(gè)人計(jì)算機(jī)”，所謂的“Net Book (商標(biāo))，，和所謂的“可穿戴計(jì)算機(jī)”等]，具有集成“移動(dòng)電話”和計(jì)算機(jī)的形式的小型電子器件，所謂的 "Digital Camera(商標(biāo))”，所謂的“數(shù)碼攝像機(jī)”，小型電視機(jī)，小型游戲機(jī)，小型數(shù)字音頻播放機(jī)，所謂的“電子記事本”，所謂的“電子詞典”，用于所謂的“電子書(shū)”的電子器件終端和移動(dòng)電子器件(可攜帶電子器件)如小尺寸數(shù)字型手表等。不必說(shuō)，也可提及除了移動(dòng)器件之外的電子器件(固定型電子器件等)，例如所謂的“桌面?zhèn)€人計(jì)算機(jī)”、薄型電視機(jī)、用于記錄和復(fù)制的電子器件(硬盤(pán)記錄機(jī)(hard disk recorders)、DVD播放機(jī)等)、投影儀和微型機(jī)等。另外，電子部件或用于電子器件和電子部件的材料和構(gòu)件沒(méi)有特別限制，其實(shí)例包括用于所謂“CPU”的部件和用于各種記憶器件(所謂的“存儲(chǔ)器”、硬盤(pán)等)的構(gòu)件。實(shí)施例以下將詳細(xì)地說(shuō)明性描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。然而，本發(fā)明不限于以下實(shí)施例， 除非其超出本發(fā)明的主旨。此外，除非另外說(shuō)明，在各實(shí)施例中的份為重量標(biāo)準(zhǔn)?！辞懈顜的制備〉在安裝有冷卻管、氮?dú)鈱?dǎo)入管、溫度計(jì)和攪拌設(shè)備的反應(yīng)容器中，放入86. 4份丙烯酸2-乙基己酯(下文中稱為“2EHA”)、13. 6份丙烯酸2-羥乙酯(下文中稱為“HEA”)、 0. 2份過(guò)氧化苯甲酰和65份甲苯，并將全體在氮?dú)饬髦性?1°C下進(jìn)行聚合處理6小時(shí)以得到丙烯酸類聚合物A。向丙烯酸類聚合物A中添加14. 6份2-甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯(下文中稱為 “Μ0Ι”)，并將全體在空氣氣流中在50°C下進(jìn)行加成反應(yīng)處理48小時(shí)以得到丙烯酸類聚合物A'。然后，將2份多異氰酸酯化合物(商品名“C0L0NATE L”，由Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.制造)和5份光聚合引發(fā)劑(商品名” IRGACURE 651”，由Ciba Specialty Chemicals制造)添加至100份丙烯酸類聚合物A'中以得到壓敏粘合劑組合物溶液A。將壓敏粘合劑組合物溶液A施涂至PET剝離襯墊的硅酮處理面上，然后在120°C下干燥2分鐘以在其上形成厚度為10 μ m的壓敏粘合劑層。然后，在以下粘貼條件下，以壓花表面可以面對(duì)壓敏粘合劑層的方式，將具有作為凹凸加工面的壓花表面的聚烯烴膜粘貼至因此形成的壓敏粘合劑層。該聚烯烴膜具有厚度 100 μ m，并具有用于遮擋放射的印刷層，用于遮擋放射的印刷層預(yù)先形成于對(duì)應(yīng)于其粘貼框架區(qū)域的部分上。(粘貼條件)粘貼溫度40°C粘貼壓力0.2MPa其后，將其在50°C下在加熱下交聯(lián)24小時(shí)，并使用Nitto Seiki' s UV照射器 (商品名，UM-810)在照度20mW/cm下從其聚烯烴膜側(cè)用UV射線照射至累積光量400mJ/cm2， 由此制備切割帶A?！辞懈顜的制備〉在安裝有冷卻管、氮?dú)鈱?dǎo)入管、溫度計(jì)和攪拌設(shè)備的反應(yīng)容器中，放入86. 4份丙烯酸2-乙基己酯(下文中稱為“2EHA”)、13. 6份丙烯酸2-羥乙酯(下文中稱為“HEA”)、 0. 2份過(guò)氧化苯甲酰和65份甲苯，并將全體在氮?dú)饬髦性?1°C下進(jìn)行聚合處理6小時(shí)以得到丙烯酸類聚合物B。向丙烯酸類聚合物B中添加14. 6份2-甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯(下文中稱為 “Μ0Ι”)，并將全體在空氣氣流中在50°C下進(jìn)行加成反應(yīng)處理48小時(shí)以得到丙烯酸類聚合物B'。然后，將8份多異氰酸酯化合物(商品名“C0L0NATE L”，由Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.制造)和5份光聚合引發(fā)劑(商品名” IRGACURE 651”，由Ciba Specialty Chemicals制造)添加至100份丙烯酸類聚合物B'中以得到壓敏粘合劑組合物溶液B。將壓敏粘合劑組合物溶液B施涂至PET剝離襯墊的硅酮處理面上，并在120°C加熱下干燥2分鐘以在其上形成厚度為10 μ m的壓敏粘合劑層。然后，在與 < 切割帶A的制備 > 中相同的粘貼條件下，以壓花表面可以面對(duì)壓敏粘合劑層的方式，將具有作為凹凸加工面的壓花表面的聚烯烴膜粘貼至因此形成的壓敏粘合劑層。該聚烯烴膜具有厚度為100 μ m,并具有用于遮擋放射的印刷層，該用于遮擋放射的印刷層預(yù)先形成于對(duì)應(yīng)于其粘貼框架區(qū)域的部分上。其后，將其在50°C下在加熱下交聯(lián)24小時(shí)，并使用Nitto Seiki' s UV照射器 (商品名，UM-810)在照度20mW/cm從其聚烯烴膜側(cè)用UV射線照射至累積光量400mJ/cm2， 由此制備切割帶B。〈切割帶C的制備〉在安裝有冷卻管、氮?dú)鈱?dǎo)入管、溫度計(jì)和攪拌設(shè)備的反應(yīng)容器中，放入86. 4份丙烯酸2-乙基己酯(下文中稱為“2EHA”)、13. 6份丙烯酸2-羥乙酯(下文中稱為“HEA”)、 0. 2份過(guò)氧化苯甲酰和65份甲苯，并將全體在氮?dú)饬髦性?1°C下進(jìn)行聚合處理6小時(shí)以得到丙烯酸類聚合物C。向丙烯酸類聚合物C中添加14. 6份2-甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯(下文中稱為 “Μ0Ι”)，并將全體在空氣氣流中在50°C下進(jìn)行加成反應(yīng)處理48小時(shí)以得到丙烯酸類聚合物C'。然后，將8份多異氰酸酯化合物(商品名“C0L0NATE L”，由Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.制造)和5份光聚合引發(fā)劑(商品名” IRGACURE 651”，由Ciba Specialty Chemicals制造)添加至100份丙烯酸類聚合物C'中以得到壓敏粘合劑組合物溶液C。將壓敏粘合劑組合物溶液C施涂至PET剝離襯墊的硅酮處理面上，然后在120°C加熱下干燥2分鐘以在其上形成厚度為10 μ m的壓敏粘合劑層。然后，在與 < 切割帶A的制備 > 中相同的粘貼條件下，以與其凹凸加工面相對(duì)的膜的表面可以面對(duì)壓敏粘合劑層的方式，將具有作為凹凸加工面的壓花表面的聚烯烴膜粘貼至因此形成的壓敏粘合劑層。該聚烯烴膜具有厚度為100 μ m，并具有用于遮擋放射的印刷層，該用于遮擋放射的印刷層預(yù)先形成于對(duì)應(yīng)于其粘貼框架區(qū)域的部分上。其后，將其在50°C下在加熱下交聯(lián)24小時(shí)，并使用Nitto Seiki' s UV照射器 (商品名，UM-810)在照度20mW/cm從其聚烯烴膜側(cè)用UV射線照射至累積光量400mJ/cm2， 由此制備切割帶C。<半導(dǎo)體背面用膜的制備>基于100份包含丙烯酸乙酯和甲基丙烯酸甲酯作為主要組分的丙烯酸酯類聚合物(商品名 “PARACRON W-197CM”，由 Negami Chemical Industrial Co. , Ltd.制造)，將 113份環(huán)氧樹(shù)脂(商品名"EPIC0AT 1004”，由JER Co.，Ltd.制造),121份酚醛樹(shù)脂(商品名“MILEX XLC-4L”，由Mitsui Chemicals, Inc.制造)、246份球形二氧化硅(商品名 "S0-25R”，由 Admatechs Co. Ltd.制造)、5 份染料 1 (商品名 “OIL GREEN 502”，由 Orient Chemical Industries Co. ,Ltd.制造)和 5 份染料 2(商品名“0IL BLACK BS，，，由 Orient Chemical Industries Co.，Ltd.制造)溶解于甲乙酮中，以制備具有固體濃度為23. 6重量％的粘合劑組合物溶液。將該粘合劑組合物溶液施涂至作為剝離襯墊(隔離膜)的已進(jìn)行硅酮?jiǎng)冸x處理的、由具有厚度為50μπι的聚對(duì)苯三甲酸乙二酯膜組成的可剝離處理膜上，然后在130°C下干燥2分鐘，以制備具有厚度(平均厚度)為10 μ m的半導(dǎo)體背面用膜A。實(shí)施例1和2<半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的制備>使用手輥機(jī)(hand roller)，將獲得的膜A粘貼至切割帶A或切割帶B，由此制備半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜。實(shí)施例3以與實(shí)施例1中相同的方式制備半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，然而，在以下熱層壓條件下層壓聚烯烴膜和壓敏粘合劑層。(熱層壓條件)層壓溫度40°C層壓壓力0.2MPa比較例1使用手輥機(jī)，將獲得的膜A粘貼至切割帶C，由此制備半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜。<切割后切割道的觀察>其后，將半導(dǎo)體晶片(直徑8英寸，厚度0. 6mm ；硅鏡面晶片)進(jìn)行背面拋光處理，使用具有厚度為0. 2mm的鏡面晶片作為工件。將隔離膜從半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜剝離后，通過(guò)輥壓-接合在70°C下將鏡面晶片(工件)粘貼至半導(dǎo)體背面用膜上。此外，進(jìn)行鏡面晶片的切割。如充分切斷進(jìn)行切割，以使得芯片尺寸為IOmm見(jiàn)方。在這點(diǎn)上，半導(dǎo)體磨削的條件、粘貼條件和切割條件如下。(半導(dǎo)體晶片磨削的條件)磨削設(shè)備商品名“DFG-8560”，由 DISCO Corporation 制造半導(dǎo)體晶片8英寸直徑(將背面從厚度為0. 6mm磨削至深度為0. 2mm)(粘貼條件)粘貼設(shè)備商品名“MA-3000III”，由 Nitto Seiki Co.，Ltd.制造粘貼速度10mm/min粘貼壓力0.I5MPa粘貼時(shí)的階段溫度70°C(切割條件)切割設(shè)備商品名“DFD-6361”，由 DISCO Corporation 制造切割環(huán)“2-8-1”(由 DISCO Corporation 制造)切割速度30mm/sec
切割刀Zl :"2030-SE 27HCDD，，，由 DISCO Corporation 制造Z2 :"2030-SE 27HCBB，，，由 DISCO Corporation 制造切割刀旋轉(zhuǎn)速度Zl 40, OOOrpmZ2 45, OOOrpm切割方法階梯切割晶片芯片尺寸10. Omm見(jiàn)方使用光學(xué)顯微鏡，從其切割帶側(cè)檢查由此形成的具有粘貼至其的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的切割道。將可觀察到切割道的樣品視為良好(〇)，將觀察不到切割道的那些視為不良(X)。評(píng)價(jià)結(jié)果示于表1中。<霧度的測(cè)量>使用霧度計(jì)HM-150(由Murakami Color Research Laboratory Co. ,Ltd.制造)， 根據(jù)下式確定霧度。霧度(％) = Td/TtX100其中，Td是指樣品的擴(kuò)散透過(guò)率，Tt是指其總透光率。表1
切割道的觀察霧度]實(shí)施例1〇23實(shí)施例2〇43實(shí)施例3〇16比較例1X80如從表1顯而易見(jiàn)，實(shí)施例1-3的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的霧度小于45%且低，可以充分地觀察到其中的切割道。實(shí)施例2的集成膜的霧度比實(shí)施例1的集成膜的霧度高，這是因?yàn)?，在?shí)施例2中，交聯(lián)劑即多異氰酸酯化合物的使用量比實(shí)施例1的大，因此壓敏粘合劑層可相對(duì)硬，其對(duì)于壓花表面上凹凸的追隨性可在一些程度上降低，結(jié)果，可提高基材和壓敏粘合劑層之間的間隙。另一方面，比較例1的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的霧度為80%且高，因此觀察不到其中的切割道。以上證實(shí)，根據(jù)實(shí)施例1-3的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，在切割后的檢查步驟中透光率高，因而，可以容易地檢查在半導(dǎo)體芯片中存在或不存在不足。雖然已詳細(xì)地并參考其具體實(shí)施方案描述本發(fā)明，但對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見(jiàn)的是，可進(jìn)行各種變化和改進(jìn)而不背離其范圍。本申請(qǐng)基于2010年7月30日提交的日本專利申請(qǐng)2010-172489，在此將其全部?jī)?nèi)容引入以作參考。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其包括切割帶，所述切割帶包括具有凹凸加工面的基材和層壓在所述基材上的壓敏粘合劑層；和半導(dǎo)體背面用膜，所述半導(dǎo)體背面用膜層壓于所述切割帶的壓敏粘合劑層上， 其中所述切割帶具有至多45%的霧度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其中將所述壓敏粘合劑層層壓在所述基材的所述凹凸加工面上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其中所述凹凸加工面是壓花表
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其中通過(guò)熱層壓來(lái)層壓所述基材和所述壓敏粘合劑層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其中所述壓敏粘合劑層具有 5μπι至50μπι的厚度。
6.一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的生產(chǎn)方法，所述方法包括制備具有凹凸加工面的基材，在所述基材的所述凹凸加工面上層壓壓敏粘合劑層，和在所述壓敏粘合劑層上層壓半導(dǎo)體背面用膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的生產(chǎn)方法，其中通過(guò)熱層壓來(lái)層壓所述基材和所述壓敏粘合劑層。
8.—種生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括將半導(dǎo)體晶片粘貼至根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的半導(dǎo)體背面用膜上，切割所述半導(dǎo)體晶片以形成半導(dǎo)體芯片， 檢查所述半導(dǎo)體芯片，將所述半導(dǎo)體芯片與所述半導(dǎo)體背面用膜一起從所述切割帶的壓敏粘合劑層剝離，和將所述半導(dǎo)體芯片倒裝芯片連接至被粘物上。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜和生產(chǎn)所述膜的方法，及生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其包括切割帶，所述切割帶包括具有凹凸加工面的基材和層壓在所述基材上的壓敏粘合劑層；和半導(dǎo)體背面用膜，所述半導(dǎo)體背面用膜層壓于所述切割帶的壓敏粘合劑層上，其中所述切割帶具有至多45％的霧度。
文檔編號(hào)H01L21/68GK102373020SQ201110216979
公開(kāi)日2012年3月14日 申請(qǐng)日期2011年7月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月30日
發(fā)明者志賀豪士, 淺井文輝, 高本尚英 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社