專利名稱：成膜裝置以及成膜方法
技術領域：
本發(fā)明涉及對半導體基板等進行成膜處理的成膜裝置以及成膜方法。
背景技術：
以往，提出了一種在對作為被處理體的基板進行金屬膜等的成膜處理的情況下， 使用固體原料的成膜方法(例如，專利文獻1)。在成膜裝置中，在使蒸氣壓低的固體原料氣化來向腔室輸送原料的情況下，一般會采用以下方式。例如，已知下述方式，即將固體原料粉體放入與腔室不同的其他的容器，加熱固體原料，使該固體原料氣化的同時利用運載氣體輸送到腔室內(nèi)，并從上方向基板的成膜對象表面供給。此外，還知道下述方式，即將固體原料溶解于溶劑，利用液體氣化器使固體原料與溶劑一起氣化之后，伴隨運載氣體輸送到腔室內(nèi)，并從上方向基板的成膜對象表面供給。然而，在上述兩種方式中，前一方式由于在從供原料進入的容器到腔室的輸送配管中存在冷點(Cold Spot)、或分壓上升等原因，暫時氣化的原料在途中固化而被捕獲 (trap)，因而有時產(chǎn)生無法向腔室輸送這樣的故障。此外，后一方式存在由于原料在氣化器內(nèi)部分解而造成原料氣體無法供給至腔室、或者在成膜期間溶劑進入膜中成為雜質(zhì)而造成膜質(zhì)下降這樣的問題。此外，在上述兩種方式中，在使用設在基板上部的噴淋構造向腔室內(nèi)供給成膜原料的情況下，有時由于噴淋構造而產(chǎn)生的微粒因重力下落，從而產(chǎn)生多個微粒附著到基板表面這樣的故障。專利文獻1 日本特開2009-161814號公報

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供一種在使用固體原料進行成膜的情況下，能夠?qū)⒊赡ぴ蠚怏w穩(wěn)定地且有效地向基板的表面供給，并且降低微粒污染、雜質(zhì)向膜中混入的可能性的成膜裝置?；诒景l(fā)明的第一觀點的成膜裝置，具備收納基板的處理容器；將基板保持在上述處理容器內(nèi)的上部的基板保持器；對保持在上述基板保持器的基板進行加熱的第一加熱器；與保持在上述基板保持器的基板對置地被配置在該基板保持器的下方的原料支承部；對支承在上述原料支承部的固體原料進行加熱的第二加熱器；氣體供給單元，該氣體供給單元用于向上述處理容器內(nèi)供給與上述固體原料反應而生成成膜原料氣體的氣化促進氣體；以及用于將上述處理容器內(nèi)保持為真空的排氣單元；其中，使在上述處理容器內(nèi)生成的上述成膜原料氣體在基板表面上熱分解從而進行成膜。此外，基于本發(fā)明的第二觀點的成膜裝置，具備收納基板的處理容器；將基板保持在上述處理容器內(nèi)的上部的基板保持器；對保持在上述基板保持器的基板進行加熱的第一加熱器；與保持在上述基板保持器的基板對置地被配置在該基板保持器的下方的原料支承部；對支承在上述原料支承部的固體原料進行加熱的第二加熱器；以及用于將上述處理容器內(nèi)保持為真空的排氣單元；其中，使通過對上述固體原料進行加熱而在上述處理容器內(nèi)生成的氣化氣體在基板表面上熱分解從而進行成膜。在基于本發(fā)明的第一以及第二觀點的成膜裝置中，優(yōu)選為，上述基板保持器將基板保持成，使基板的下表面成為進行成膜處理的被處理面。此外，基于本發(fā)明的第一以及第二觀點的成膜裝置，優(yōu)選為，上述固體原料在被收納到上方開放的盤型容器內(nèi)后被支承在上述原料支承部。此外，基于本發(fā)明的第一以及第二觀點的成膜裝置，優(yōu)選為，在上述處理容器的上部設有與上述排氣單元連接的排氣部。在這種情況下，可以在上述處理容器的下部或者側(cè)部設置與上述氣體供給單元連接的氣體導入部?；诒景l(fā)明的第三觀點的成膜方法，使用成膜裝置，該成膜裝置具備收納基板的處理容器；將基板保持在上述處理容器內(nèi)的上部的基板保持器；對保持在上述基板保持器的基板進行加熱的第一加熱器；與保持在上述基板保持器的基板對置地被配置在該基板保持器的下方的原料支承部；對支承在上述原料支承部的固體原料進行加熱的第二加熱器； 用于向上述處理容器內(nèi)供給氣體的氣體供給單元；以及用于將上述處理容器內(nèi)保持為真空的排氣單元；該成膜方法包括向上述處理容器內(nèi)搬入固體原料，并將該固體原料配置于上述原料支承部的工序；向上述處理容器內(nèi)搬入基板并利用上述基板保持器保持該基板的工序；以及，將由上述原料支承部支承的固體原料，一邊利用上述第二加熱器進行加熱，一邊與由上述氣體供給單元導入到上述處理容器內(nèi)的氣化促進氣體反應，并將生成的成膜原料氣體供給到上述基板的表面，使該成膜原料氣體熱分解而進行成膜的工序。此外，基于本發(fā)明的第四觀點的成膜方法，使用成膜裝置，該成膜裝置具備收納基板的處理容器；將基板保持在上述處理容器內(nèi)的上部的基板保持器；對保持在上述基板保持器的基板進行加熱的第一加熱器；與保持在上述基板保持器的基板對置地被配置在該基板保持器的下方的原料支承部；對支承在上述原料支承部的固體原料進行加熱的第二加熱器；用于向上述處理容器內(nèi)供給氣體的氣體供給單元；以及用于將上述處理容器內(nèi)保持為真空的排氣單元；該成膜處理方法具備向上述處理容器內(nèi)搬入固體原料，并將該固體原料配置在上述原料支承部的工序；向上述處理容器內(nèi)搬入基板并利用上述基板保持器保持該基板的工序；以及，將由上述原料支承部支承的固體原料，一邊利用上述第二加熱器進行加熱使該固體原料氣化，一邊將該氣化氣體供給到上述基板的表面并使該氣化氣體熱分解而進行成膜的工序?；诒景l(fā)明的第三以及第四觀點的成膜方法，優(yōu)選為，在由上述基板保持器保持的基板的下表面進行成膜。在本發(fā)明的成膜裝置以及成膜方法中，由于將固體原料配置在處理容器內(nèi)的原料支承部，因此能夠使固體原料與氣化促進氣體反應而生成的成膜原料氣體、或固體原料的氣化氣體(有時將它們簡單地統(tǒng)稱為“成膜原料氣體”)在處理容器內(nèi)生成。這樣，由于在固體原料和作為成膜對象的基板表面之間不存在配管，所以成膜原料氣體在途中不會被捕獲，能夠穩(wěn)定地將成膜原料氣體向基板表面供給。此外，由于配置在原料支承部的固體原料，被配置在比基板的被處理面靠下方的位置，所以成膜有效地進行，并且微粒很難附著到基板的被處理面。此外，由于使固體原料氣化時不使用溶劑也可，所以雜質(zhì)很難混入，由于不需要液體氣化器所以簡化了裝置結構。


圖1為表示本發(fā)明第一實施方式所涉及的成膜裝置的簡要結構的剖視圖。圖2為對圖1的成膜裝置的控制部的構成例進行說明的圖。圖3為對圖1的成膜裝置的成膜方法的一例進行說明的圖。圖4為對圖1的成膜裝置的成膜方法的其他例子進行說明的圖。圖5為圖1的成膜裝置的變形例進行說明的圖。圖6為對圖1的成膜裝置的其他變形例進行說明的圖。圖7為對圖1的成膜裝置的另一變形例進行說明的圖。圖8為對圖1的成膜裝置的再一其他變形例進行說明的圖。圖9為表示本發(fā)明第2實施方式所涉及的成膜裝置的簡要結構的剖視圖。圖10為對圖9的成膜裝置的變形例進行說明的圖。圖11為表示本發(fā)明第3實施方式所涉及的成膜裝置的簡要結構的剖視圖。圖12為對圖11的成膜裝置的變形例進行說明的圖。標號說明1. · ·處理容器；la. · ·頂壁；lb. · ·側(cè)壁；Ic. · ·底壁；11. · ·基板加熱器；12. · ·導
熱板；13...供電線；14...加熱器電源；21...保持部件；22...懸掛支柱；23...活動部件；24...波紋管；25...驅(qū)動部；26...軸；31...工作臺；32...支柱；33...原料托盤； 34...升降桿；35...活動部件；36...驅(qū)動部；37...軸；38...波紋管；41...原料加熱器； 42...供電線；43...加熱器電源；51...排氣裝置；52...排氣口 ；53...排氣管；54...擋板力4a...貫通孔；61...開口；71...氣體供給裝置72...氣體導入口 ；73...氣體供給管；81. . . 0環(huán)；90...控制部；91...控制器；92...用戶界面；93...存儲部；94...記錄介質(zhì)；100...成膜裝置；W...晶片。
具體實施例方式[第一實施方式]對本發(fā)明的第一實施方式所涉及的成膜裝置100進行說明。首先，參照圖1以及圖2，對成膜裝置100的結構進行說明。圖1為表示第一實施方式所涉及的成膜裝置100的簡要結構的剖視圖，圖2為表示其控制系統(tǒng)的構成例的圖。該成膜裝置100作為主要結構具備收納作為被處理基板的半導體晶片(以下記為“晶片W”)的處理容器1 ；作為第一加熱器的基板加熱器11 ；保持晶片W的保持部件21 ；作為原料支承部的工作臺31 ；以及作為第二加熱器的原料加熱器41。成膜裝置100還具備用于將處理容器1內(nèi)保持為真空的作為排氣單元的排氣裝置51 ；用于向處理容器1內(nèi)供給氣體的作為氣體供給單元的氣體供給裝置71 ；以及對成膜裝置100進行控制的控制部90。其中，半導體晶片除包含硅基板之外， 還包含例如GaAs、SiC、GaN等的化合物半導體基板?！刺幚砣萜鳌堤幚砣萜?呈大致圓筒狀，并且例如由實施了鋁陽極化處理(陽極氧化處理)的鋁等材質(zhì)形成。處理容器1具有頂壁la、側(cè)壁Ib以及底壁lc。在處理容器1的側(cè)壁Ib設有開口 61，該開口 61用于對該處理容器1內(nèi)進行晶片W 以及后述的原料托盤33的搬入、搬出。在開口 61的外側(cè)設有用于開閉開口 61的閘閥62。另外，雖然在圖1中構成為從一個開口 61搬入搬出晶片W以及原料托盤33的結構，但還可以分別設置搬入搬出晶片W的開口、以及搬入搬出原料托盤33的開口。此外，在構成處理容器1的各部件的接合部分，配備有作為密封部件的0環(huán)，以確保該接合部分的氣密性。例如在圖1中作為代表示出了配備于頂壁Ia與側(cè)壁Ib的接合部分的環(huán)狀的0環(huán)81。另外，其他部位也可以配備0環(huán)，但在此處省略圖示及說明。<基板加熱器>作為對晶片W加熱的第一加熱器的基板加熱器11，被配置于處理容器1內(nèi)的上部。 在本實施方式中，基板加熱器11為埋設在導熱板12中的電阻加熱器。基板加熱器11經(jīng)由供電線13與加熱器電源(PQ 14連接?；寮訜崞?1構成為，在使由保持部件21保持的晶片W抵接在導熱板12的狀態(tài)下，能夠?qū)⒕琖加熱至例如300°C左右。另外，雖然在圖1 中使導熱板12抵接在處理容器1的頂壁la，但是可以使導熱板12與處理容器1的頂壁Ia 分離。導熱板12與晶片W的形狀一樣地呈圓盤狀，并且由耐熱性且導熱性的材質(zhì)、例如陶瓷等形成。在導熱板12配備有作為溫度計測單元的熱電對(未圖示)，能夠?qū)崟r計測基板加熱器11的溫度。其中，晶片W的加熱溫度或處理溫度若沒有特別的說明則表示導熱板 12的溫度。在本實施方式中，基板加熱器11以及導熱板12構成基板加熱單元。<保持部件>作為基板保持器的保持部件21被設置為自如升降，并且將晶片W保持為與導熱板 12接近或者抵接的狀態(tài)。保持部件21例如整體被配設成近似圓環(huán)狀，并由耐熱性的材質(zhì)、 例如陶瓷、耐熱性樹脂等形成。保持部件21以距離晶片W邊緣(周緣的角部)數(shù)mm的寬度與晶片W的下表面抵接，并從下方對晶片W進行支承。這樣，通過用保持部件21來覆蓋晶片W的周緣部，能夠在晶片W的晶邊(bevel)部抑制成為微粒原因的膜的堆積。另外，保持部件21還可分割為多個部件。保持部件21被多個懸掛支柱22 (圖1只示出兩個)支承而懸掛于環(huán)狀的活動部件 23，該活動部件23設在處理容器1的外部上方。懸掛支柱22貫通處理容器1的頂壁la，并且為了保持處理容器1內(nèi)的氣密狀態(tài)而在懸掛支柱22的周圍設有能伸縮的波紋管M。在處理容器1的外部設有具備未圖示的致動器的驅(qū)動部25和軸26，活動部件23連結于該軸 26。通過使驅(qū)動部25工作，活動部件23經(jīng)由軸沈進行上下變位，并經(jīng)由懸掛支柱22使保持部件21進行升降變位。于是，使由保持部件21保持的晶片W在抵接到導熱板12的下表面的狀態(tài)、和從該下表面分離的狀態(tài)之間切換。在成膜處理期間，使保持部件21上升，保持使晶片W抵接到導熱板12的下表面的狀態(tài)。與未圖示的輸送裝置間的晶片W的交接，在使保持部件21下降的狀態(tài)下進行。另外，作為使作為基板保持器的保持部件21升降的機構， 具備懸掛支柱22、活動部件23、驅(qū)動部25、軸沈等的圖1的結構只是例示，并不限定于此。〈工作臺〉作為原料支承部的工作臺31與基板加熱器11對置地配置在處理容器1內(nèi)的下部。工作臺31被支柱32支承。固體原料A在收納到原料托盤33內(nèi)之后載置于工作臺31。 原料托盤33為上方開放的盤型容器，不具有與固體原料A的反應性，并且由耐熱性且導熱率高的材料、例如石英、陶瓷等材質(zhì)構成。
固體原料A可以想到兩種。其中之一為，固體原料A自身即便加熱也不氣化，但如果導入氣化促進氣體B則發(fā)生反應，生成蒸氣壓高的成膜原料氣體C。另一個固體原料A 為，雖然蒸氣壓低但如果加熱則進行某種程度的氣化的物質(zhì)。這種情況下，固體原料A氣化而得的氣化氣體成為“成膜原料氣體”。在工作臺31的多處(例如三處；圖1示出了兩處)設有開口部31a，在各開口部 31a插入有用于使原料托盤33升降的升降桿34。各升降桿34被固定于環(huán)狀的活動部件35， 該活動部件35設置于工作臺31的下部。在處理容器1的外部下方設有具備未圖示的致動器的驅(qū)動部36和軸37，活動部件35連結于該軸37。軸37貫通處理容器1的底壁lc，并且為了保持處理容器1內(nèi)的氣密狀態(tài)而在軸37的周圍設有能伸縮的波紋管38。通過使驅(qū)動部36工作，活動部件35經(jīng)由軸37進行上下變位，并使多個升降桿34同步升降。于是，升降桿34能夠在從工作臺31的上表面突出的狀態(tài)和退讓到比上表面靠下方的位置的狀態(tài)之間切換。在成膜處理期間，將升降桿34保持在沒有從工作臺31的上表面突出的位置，使原料托盤33貼緊工作臺31后將工作臺31的熱有效地傳遞到原料托盤33內(nèi)的固體原料。在交接原料托盤33時，使升降桿34上升而保持在從工作臺31的上表面突出的位置，與輸送裝置(圖示省略)之間進行原料托盤33的交接。另外，還可以不設置升降桿34，而是設成在未圖示的輸送裝置和工作臺31之間直接進行原料托盤33的交接的結構。<原料加熱器>原料加熱器41對載置到工作臺31的原料托盤33內(nèi)的固體原料A進行加熱。在本實施方式中，原料加熱器41為電阻加熱器，埋設于工作臺31。原料加熱器41經(jīng)由供電線 42與加熱器電源(PS) 43連接。原料加熱器41構成為能夠?qū)⒐腆w原料A加熱至例如300°C 左右。該原料加熱器41構成用于使固體原料A氣化的供給熱能的原料加熱單元。在工作臺31配備有作為溫度計測單元的熱電對(未圖示)，使得能夠?qū)嵤┯嫓y工作臺31的溫度。其中，原料的加熱溫度或處理溫度若沒有特別的說明則表示工作臺31的溫度。<排氣裝置>本實施方式的成膜裝置100具備作為排氣單元的排氣裝置51，該排氣裝置51進行用于將處理容器1內(nèi)保持為真空的減壓排氣。排氣裝置51具備例如自動壓力調(diào)整閥、高速真空泵(圖示省略)等，使得能夠進行處理容器1內(nèi)的排氣而對處理容器1內(nèi)進行抽真空。 在處理容器1的上部設有與排氣裝置51連接的排氣部、即排氣口 52。通過將排氣口 52設置于靠近晶片W的處理容器1的上部，能夠提高成膜效率。在此，“處理容器1的上部”，是指比對收納固體原料A的原料托盤33進行支承的工作臺31的上表面還靠上方的位置。因此，排氣口 52還可設置于處理容器1的側(cè)壁lb。但是，為了使成膜原料氣體在處理容器1 內(nèi)順暢地流動，優(yōu)選為將排氣口 52設置在比由保持部件21保持的晶片W還靠上方的位置。 在圖1的成膜裝置100中，排氣口 52設在頂壁la。在排氣口 52經(jīng)由排氣管53與排氣裝置51連接。另外，在本實施方式中，排氣裝置51構成成膜裝置100的一個結構部，但還可安裝與成膜裝置100分體的其他外帶的排氣裝置來進行使用。在處理容器1內(nèi)的上部設有用于進行均勻的排氣的擋板M。擋板M呈近似環(huán)狀地設在導熱板12的周圍。此外，擋板M被配置成，與由保持部件21支承的晶片W的下表面(被處理面)大致處于一個面。擋板M具有多個貫通孔Ma，調(diào)整朝向排氣口 52的氣流，使處理容器1內(nèi)均勻排氣。<氣體供給裝置>本實施方式的成膜裝置100還具備作為氣體供給單元的氣體供給裝置71，該氣體供給裝置71向處理容器1內(nèi)供給氣化促進氣體。在處理容器1的下部，設有與氣體供給裝置71連接的氣體導入部、即氣體導入口 72。在此，“處理容器1的下部”，是指比對收納固體原料A的原料托盤33進行支承的工作臺31的上表面靠下方的位置。通過將氣體導入口 72 設置在處理容器1的下部，使成膜原料氣體在處理容器1內(nèi)順暢地流動。因此，氣體導入口 72雖然可以設在處理容器1的側(cè)壁lb，但優(yōu)選為如圖1的成膜裝置100那樣設在底壁lc。 氣體導入口 72經(jīng)由氣體供給管73與氣體供給裝置71連接。氣體供給裝置71可以具有未圖示的一個以上的氣體供給源、流量控制裝置、閥、 氣化器、溶劑罐等，但在此省略圖示以及說明。氣體供給源可以包含具有與固體原料A的反應性的氣化促進氣體、與成膜原料氣體反應的成膜促進氣體的供給源，或者可以進一步包含例如稀有氣體、用于對處理容器1內(nèi)進行清洗的清洗氣體、用于置換處理容器1內(nèi)的氛圍的凈化氣體等的供給源。這些氣體經(jīng)由氣體供給管73以及氣體導入口 72向處理容器1內(nèi)供給。另外，圖1示出了一根氣體供給管73，但可以是多根。氣化促進氣體為與固體原料A 反應來生成成膜原料氣體的氣體，優(yōu)選為使用例如蟻酸(HCOOH)、一氧化碳(CO)、三氟化磷 (PF3)、1，1，1，5，5，5-六氟-2，4-戊二酮(HQifac))等氣體。其中，在此 hfac 為 1,1,1,5, 5，5-六氟-2，4-戊二酮根。成膜促進氣體為與固體原料A不反應但與成膜原料氣體反應而促進成膜的氣體，例如可舉出H2。在本實施方式中，氣體供給裝置71構成成膜裝置100的一個結構部，但還可以安裝與成膜裝置100分體的其他外帶的氣體供給裝置來進行使用。<控制部>構成成膜裝置100的各結構部(例如，加熱器電源14、加熱器電源43、排氣裝置 51、氣體供給裝置71等)是與控制部90連接而被控制的結構。圖2表示成膜裝置100中的控制系統(tǒng)的結構例。作為計算機的控制部90具備具有CPU的控制器91、與該控制器91 連接的用戶界面92及存儲部93。用戶界面92為了供工序管理者管理成膜裝置100而具有進行指令的輸入操作等的鍵盤、觸摸面板、可視化地顯示成膜裝置100的運轉(zhuǎn)狀況的顯示器等。存儲部93保存有用于通過控制器91的控制來實現(xiàn)成膜裝置100所執(zhí)行的各種處理的控制程序(軟件)、記錄了處理條件數(shù)據(jù)等的配方(recipe)。于是，根據(jù)需要，按照從用戶界面92輸入的指示等，從存儲部93調(diào)取任意的控制程序或配方使控制器91執(zhí)行，由此在控制器91的控制下，在成膜裝置100的處理容器1內(nèi)進行所希望的處理。另外，上述控制程序或處理條件數(shù)據(jù)等的配方，還可通過將存儲在計算機可讀記錄介質(zhì)94中的狀態(tài)的配方，安裝到存儲部93來進行使用。作為計算機可讀記錄介質(zhì)94，無特別的限定，例如可以使用⑶-ROM、硬盤、軟盤、閃存、DVD等。此外，上述配方，還可從其他裝置經(jīng)由例如專用線路隨時傳送而在線使用。<成膜處理的順序和成膜方法>接下來，對成膜裝置100的成膜處理順序和成膜方法進行說明。在成膜裝置100 中，基于控制部90的控制進行成膜處理。具體而言，首先，在開放了閘閥62的狀態(tài)下，利用未圖示的輸送裝置，從開口 61將收納有固體原料A的原料托盤33交接給從工作臺31突出的狀態(tài)的升降桿34，然后使升降桿34下降而將原料托盤33載置于工作臺31上。由此，將固體原料A放置于工作臺31。此外，在開放了閘閥62的狀態(tài)下，利用未圖示的輸送裝置從開口 61將晶片W搬入到處理容器1內(nèi)，交接給保持部件21。然后，使保持部件21上升，夾緊晶片W的周緣部并將晶片W以緊貼在內(nèi)設有基板加熱器11的導熱板12的狀態(tài)固定。然后，關閉閘閥62，使排氣裝置51動作而將處理容器1內(nèi)設為真空。此時，逐漸地進行抽真空，以防止原料托盤33內(nèi)的固體原料A飛散。然后，利用基板加熱器11加熱晶片 W，并且利用原料加熱器41加熱原料托盤33內(nèi)的固體原料A。(成膜方法)在此，參照圖3以及圖4，對使用本實施方式的成膜裝置100來進行的兩種典型的成膜方法進行說明。其中，圖3以及圖4只是簡略地表示了成膜裝置100的一部分的結構。(第一方法化學反應氣化方法)第一方法在固體原料A的蒸氣壓極低、且只通過加熱幾乎不會氣化的情況下有效。如圖3所示，該方法中，一邊加熱固體原料A—邊從氣體供給裝置71經(jīng)由氣體導入口 72 供給與固體原料A具有反應性的氣化促進氣體B。然后，通過固體原料A與氣化促進氣體B 的反應來生成成膜原料氣體C。使該成膜原料氣體C在晶片W的被處理面發(fā)生反應而生成薄膜。這種情況下的晶片W表面上的反應主要為熱分解反應。即，成膜原料氣體C在被基板加熱器11加熱為高溫的晶片W的被處理面熱分解而形成薄膜的反應。作為這種反應的代表例，可以舉出固體原料A為無水蟻酸銅(Cu(HC00)2)、氣化促進氣體B為蟻酸(HC00H)、 成膜原料氣體C為蟻酸亞銅(Cu(HCOO))的情況。進一步，作為其他組合，例如還可舉出下述情況(1)固體原料A為鎳金屬粉末、氣化促進氣體B為一氧化碳(CO)、成膜原料氣體C 為Ni (CO)4的情況;(2)固體原料A為鎢金屬粉末、氣化促進氣體B為一氧化碳(CO)、成膜原料氣體C 為W(CO)6的情況；(3)固體原料A為釕金屬粉末、氣化促進氣體B為一氧化碳(CO)、成膜原料氣體C 為Ru3 (CO)12的情況；(4)固體原料A為鉬金屬粉末、氣化促進氣體B為三氟化磷(PF3)、成膜原料氣體C 為Pt(PF3)4的情況等。(第二方法單純加熱氣化方法)第二方法在固體原料A的蒸氣壓低但能夠通過加熱來氣化的情況下有效。如圖4 所示，該方法中，加熱固體原料A來生成氣化氣體A’，將該氣化氣體A’供給到由保持部件 21保持的晶片W的下表面(被處理面)，在晶片W的表面發(fā)生反應而進行薄膜的成膜。該情況的反應主要為在被加熱為高溫的晶片W的表面產(chǎn)生的熱分解反應。即，工作臺31的固體原料A被原料加熱器41加熱后而生成的氣化氣體A’為成膜原料氣體，在被基板加熱器 11加熱的晶片W的被處理面熱分解而形成薄膜。作為通過這種熱分解來進行成膜的固體原料，例如可以舉出羰基鎢(W(C0)6)、羰基鈷(CO2(CO)8)等金屬羰基化合物、雙(六氟乙酰丙酮)合鎳(Ni (hfac)2)0在圖1的成膜裝置100中，構成為在處理容器1的底壁Ic設置氣體導入口 72、在處理容器1的頂壁Ia設置氣體排氣口 52，并連接有氣體供給裝置71、排氣裝置51的結構。 按照這種配置，在上述第一方法(圖3)中，作為與固體原料A反應的對象方、即從氣體供給裝置71經(jīng)由氣體導入口 72供給的氣化促進氣體B的流動方向，整體成為從下方朝向上方的方向。因此，通過固體原料A與氣化促進氣體B的反應而生成的成膜原料氣體C的流動也成為大致相同的方向，能夠?qū)⒊赡ぴ蠚怏wC有效地向配置在排氣口 52附近的晶片W的表面供給。此外，在上述第二方法(圖4)中，由原料托盤33中的固體原料A形成的氣化氣體A’的上升流，直接形成朝向排氣口 52的氣體流，因此不會使氣體流產(chǎn)生紊亂，能夠?qū)⒊赡ぴ蠚怏w、即氣化氣體A’有效地向配置在排氣口 52附近的晶片W供給。如上所述，能夠在由保持部件21保持的晶片W的下表面形成所希望的薄膜。在成膜處理結束之后，使處理容器1內(nèi)的壓力逐漸上升以防止原料托盤33內(nèi)的固體原料A飛散，在到達了規(guī)定壓力的階段開放閘閥62，利用未圖示的輸送裝置從開口 61搬出晶片W。成膜裝置100的成膜處理是基于控制部90的存儲部93中保存的配方來進行的。于是，控制器91讀取該配方，向成膜裝置100的各結構部送出控制信號，由此在所希望的條件下進行成膜處理。< 作用 >在本實施方式的成膜裝置100中，由于將固體原料A配置在處理容器1內(nèi)的工作臺31上，因此能夠在處理容器內(nèi)生成成膜原料氣體(固體原料A與氣化促進氣體B反應而生成的成膜原料氣體C、或者固體原料A的氣化氣體A’)。這樣，由于在固體原料A和作為成膜對象的晶片W之間不存在配管，所以成膜原料氣體C或者氣化氣體A’在輸送途中不會被捕獲，能夠?qū)⑺鼈兎€(wěn)定地向晶片W的表面供給。此外，由于不使用使固體原料A氣化的溶劑也可，因此不易發(fā)生雜質(zhì)向膜中的混入，由于不需要液體氣化器，因此還能簡化裝置結構。進一步，在成膜裝置100中，由于使用原料托盤33來收納固體原料A，所以能夠用輸送晶片W的通常的輸送裝置來搬入、搬出固體原料A，固體原料A的更換也容易。此外，在本實施方式的成膜裝置100中，晶片W的成膜對象面(被處理面)朝向下方且與配置在工作臺31的固體原料A的上方對置地配置，從而有效地進行基于成膜原料氣體C或固體原料A的氣化氣體A’的成膜，提高了在晶片W的面內(nèi)的處理的均勻性。此外， 由于晶片W的被處理面朝向下方，因此還能抑制微粒附著于晶片W的被處理面。[變形例]接下來，參照圖5 8對成膜裝置100的變形例進行說明。另外，在圖5 8中， 為便于說明，適當省略了各變形例的特征部分以外的結構。此外，對于與圖1相同的結構， 標記相同的符號省略說明。圖5的成膜裝置100A是將作為氣體導入部的氣體導入口 72設在處理容器1的側(cè)部的第一變形例。在此，“處理容器1的側(cè)部”，是指側(cè)壁Ib的高度方向的中央附近，具體而言，是指在側(cè)壁Ib的、比對收納固體原料A的原料托盤33進行支承的工作臺31的上表面靠上方的位置、且比由保持部件21保持的晶片W靠下方的位置。在這樣將氣體導入口 72 設在側(cè)壁Ib的成膜裝置100A中，排氣口 52與圖1 一樣地設在頂壁la。另一方面，圖6的成膜裝置100B是將排氣口 52設在底壁lc，且將氣體導入口 72與圖5 —樣地設在處理容器 1的側(cè)部的第二變形例。在圖6中，將擋板M設成與工作臺31的上表面處于大致一個面。 如圖5以及圖6所例示的那樣，通過將氣體導入口 72設在處理容器1的側(cè)部，能夠在進行上述第一方法(化學反應氣化方法)的情況下，使從氣體導入口 72導入的氣化促進氣體B 容易地接觸原料托盤33中收納的固體原料A，因此有利。這樣，成膜裝置100中的氣體導入部和排氣部的配置可進行各種變形。為了提高成膜效率，優(yōu)選為將排氣口 52靠近晶片W 設置。此外，特別是在進行上述第一方法(化學反應氣化方法)的情況下，優(yōu)選為，例如如圖1、圖5、圖6所示，以將晶片W與固體原料A的對置空間夾在內(nèi)側(cè)的方式配置氣體導入口 72和排氣口 52，使得氣化促進氣體B的流動通過該對置空間。另外，在圖5以及圖6的變形例中，將氣體導入口 72設成貫通側(cè)壁Ib的開口，但也可以在氣體導入部設置例如噴嘴， 并且還能將該噴嘴配置成環(huán)狀，從而從側(cè)壁Ib的整個內(nèi)周均勻地導入氣體。圖7的成膜裝置100C為具備驅(qū)動機構的第三變形例，該驅(qū)動機構使工作臺31在載置了收納有固體原料A的原料托盤33的狀態(tài)下向水平方向旋轉(zhuǎn)。在該成膜裝置100C中， 在支柱32連結有具有例如電機等的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部39，能夠以支柱32為旋轉(zhuǎn)軸使工作臺31向水平方向旋轉(zhuǎn)。通過使工作臺31旋轉(zhuǎn)，由固體原料A與氣化促進氣體B的反應而產(chǎn)生的成膜原料氣體C、或由固體原料A形成的氣化氣體A’的流動，不會在處理容器1內(nèi)產(chǎn)生偏移。 其結果，能夠向由保持部件21保持的晶片W的下表面均勻地供給成膜原料氣體C或氣化氣體A’。從而，能夠提高在晶片W的面內(nèi)的成膜膜厚的均勻性。圖8的成膜裝置100D為在載置于工作臺31的原料托盤33和支承于保持部件21 的晶片W之間設置閘門110的第四變形例。例如，在上述第一方法(化學反應氣化方法) 中，可以根據(jù)氣化促進氣體B從氣體供給裝置71的導入的導入時間，來控制成膜原料氣體 C被供給到晶片W的表面的時間(也就是，成膜反應發(fā)生的時間)，但有時要求更為嚴密的時間管理。此外，在上述第二方法(單純加熱氣化方法)中，固體原料A在工作臺31被加熱時逐漸氣化而產(chǎn)生氣化氣體A’。因此，有時很難準確地管理氣化氣體A’被供給到晶片W 的表面的時間。從以上情況考慮，優(yōu)選為，能夠?qū)⒊赡ぴ蠚怏wC或由固體原料A形成的氣化氣體A’供給到晶片W的表面的時間進行控制。為此，在圖8的成膜裝置100D中設置了閘門110，并且在閘門110關閉的狀態(tài)下，切斷成膜原料氣體C或氣化氣體A’，而使得成膜原料氣體C或氣化氣體A’實質(zhì)上無法供給到晶片W。 閘門110具備設為多層(例如兩層)的滑動板111 (111A、111B)和使該滑動板111 進入、避讓的驅(qū)動部112。通過使驅(qū)動部112工作，滑動板IllA以及IllB進入處理容器1 內(nèi)的原料托盤33的上方位置、或者從該位置避讓。其中，滑動板111可以由1張板構成。滑動板111貫通處理容器1的側(cè)壁lb，并且在其周圍設有保持處理容器1內(nèi)的氣密狀態(tài)的可伸縮的波紋管113。在成膜裝置100D中，在關閉閘門110的狀態(tài)下開放閘閥62向處理容器1內(nèi)搬入晶片W。然后，關閉閘閥62，將晶片W保持在保持部件21后利用導熱板12內(nèi)的基板加熱器11進行預熱。此外，利用原料加熱器41加熱工作臺31上的原料托盤33內(nèi)的固體原料A。然后，在上述第一方法(化學反應氣化方法)中，關閉閘門110直至通過來自氣體供給裝置71的氣化促進氣體B和固體原料A的反應而生成的成膜原料氣體C到達規(guī)定的濃度，在到達規(guī)定濃度的階段開放閘門110—定時間后，向晶片W的表面供給成膜原料氣體C。此外，在上述第二方法(單純加熱氣化方法)中，關閉閘門110直至由固體原料A 形成的氣化氣體A’到達規(guī)定的濃度，在到達規(guī)定的濃度的階段開放閘門110—定時間后， 向晶片W的表面供給由固體原料A形成的氣化氣體A’。另外，不管是哪一種情況，均在經(jīng)過規(guī)定時間之后，關閉閘門110，打開閘閥62，搬出晶片W，從而結束對1枚晶片W的成膜處理。這樣，通過閘門110的開閉，能夠精密地控制成膜原料氣體C或由固體原料A形成的氣化氣體A’向晶片W表面的供給時間以及供給總量。
如上所述，本實施方式的成膜裝置可進行各種變形。此外，上述的各變形例在不影響發(fā)明的效果的范圍內(nèi)可進行組合。例如，在圖5以及圖6所例示的變形例中，可以如圖7 所示的變形例那樣使工作臺31旋轉(zhuǎn)，還可以如圖8所示的變形例那樣設置閘門110。進一步，在圖8所示的變形例中，可以如圖7所示的變形例那樣使工作臺31旋轉(zhuǎn)。[第二實施方式]接下來，對本發(fā)明的第二實施方式進行說明。圖9為表示第二實施方式所涉及的成膜裝置101的簡要結構的剖視圖。在本實施方式中，作為對固體原料A加熱的單元，使用燈加熱器。另外，在以下的說明中，以圖9的成膜裝置101的特征結構為中心進行說明，對于成膜裝置101的與圖1的成膜裝置100相同的結構標記相同的符號且省略說明。本實施方式的成膜裝置101中，作為原料支承部而具備例如呈環(huán)狀的可升降的活動部件121、從該活動部件121立設且與原料托盤33的底面抵接來支承該原料托盤33的多個(只圖示兩個)支承突起122、使活動部件121升降的軸123、以及對軸123進行驅(qū)動的驅(qū)動部124?；顒硬考?21以及支承突起122均由透過熱線的材料、例如石英構成。驅(qū)動部IM設在處理容器1的外部下方。驅(qū)動部IM通過軸123與活動部件121連結。軸123 貫通處理容器1的底壁lc，并且為了保持處理容器1內(nèi)的氣密狀態(tài)而在其周圍設有可伸縮的波紋管125。通過利用驅(qū)動部IM經(jīng)由軸123使活動部件121上下移動，能夠?qū)τ芍С型黄?22保持原料托盤33的高度進行調(diào)節(jié)。從而構成為，能夠與例如未圖示的輸送裝置間進行原料托盤33的交接、或者能夠任意調(diào)節(jié)成膜處理時原料托盤33中的固體原料A與晶片 W的間隔(縫隙G)。此外，在活動部件121正下方的處理容器1的底部，設有燈單元131。燈單元131 具備劃出燈單元131的外延的隔墻132 ；被隔墻132支承的由例如石英等通過熱線的材料構成的透過窗133 ；以及配置于透過窗133的下方的作為原料加熱單元的多個加熱燈134。 由加熱燈134放出的熱線通過透過窗133后照射原料托盤33的下表面，使得能夠?qū)κ占{在原料托盤33中的固體原料A加熱。在本實施方式的成膜裝置101中，使用具有通過切換導通/切斷而獲得的加熱/ 降溫的響應性優(yōu)越的加熱燈134的燈單元131，來對固體原料A進行加熱，因此原料的升溫速度快，能夠在短時間內(nèi)對固體原料A進行加熱。因此，能夠提高整個成膜處理的生產(chǎn)能力，并且還能容易地控制固體原料A的加熱溫度。此外，在本實施方式的成膜裝置101中， 設置為可升降變位的活動部件121的多個支承突起122，兼具作為對原料托盤33進行支承的原料支承部的功能、和作為在與輸送裝置(圖示省略)之間交接原料托盤33時的升降桿的功能，所以能夠減少部件件數(shù)，簡化裝置結構。此外，在成膜裝置101中，利用活動部件121的支承突起122以點接觸的狀態(tài)支承原料托盤33，所以能夠?qū)碜詿魡卧?31的熱直接傳遞到原料托盤33的背面，能夠提高固體原料A的加熱效率。此外，在成膜裝置101中，通過改變成膜處理中的、活動部件121的支承突起122 的高度位置的設定，能夠任意地設定縫隙G。因此，通過根據(jù)固體原料A的種類、氣化促進氣體B (必要的情況下)的種類或流量、處理壓力等其他成膜條件，對縫隙G進行微調(diào)而使縫隙G最佳化，能夠提高成膜效率，或者改善晶片W的面內(nèi)/面間的處理的均勻性。[變形例]
接下來，參照圖10對成膜裝置101的變形例進行說明。另外，在圖10中，對于與圖9相同的結構，標記相同的符號且省略說明。在圖9的成膜裝置101中，構成為在導熱板 12中內(nèi)設電阻加熱式基板加熱器11來對晶片W進行加熱的結構，但替代電阻加熱式基板加熱器11，還可以如圖10所示的成膜裝置IOlA那樣設置燈單元141。燈單元141具備劃出該燈單元141的外延的隔墻142 ；被隔墻142支承的由例如石英等透過熱線的材料構成的透過窗143 ；以及配置于透過窗143的上方的作為原料加熱單元的多個加熱燈144。由加熱燈144放出的熱線通過透過窗143后照射晶片W的上表面(背面)，使得能夠?qū)⒕琖加熱至規(guī)定溫度。另外，在圖10中，利用保持部件21將晶片W保持為接觸透過窗143的狀態(tài)， 但還可通過調(diào)節(jié)保持部件21的高度，將晶片W保持為與透過窗143分離的狀態(tài)。本實施方式的成膜裝置101、101A的其他結構以及效果，與第一實施方式相同。另外，在本實施方式中也可以與第一實施方式一樣地適用例如如圖5、圖6以及圖8所例示的變形例，能夠獲得上述的效果。[第三實施方式]接下來，對本發(fā)明的第三實施方式進行說明。圖11為表示第三實施方式所涉及的成膜裝置102的簡要結構的剖視圖。另外，在以下的說明中，以圖11的成膜裝置102的特征結構為中心進行說明，對于成膜裝置102的與圖1的成膜裝置100相同的結構，標記相同的符號且省略說明。在本實施方式的成膜裝置102中，利用靜電吸附機構來保持晶片W。在配置于處理容器1內(nèi)上部的導熱板12內(nèi)，埋設有作為基板保持器的靜電卡盤151。靜電卡盤151具有將未圖示的電極層夾入于電介體層之間的構造，該電極層經(jīng)由供電線152與直流電源153連接。另外，通過對靜電卡盤151施加直流電壓，靜電卡盤151通過庫侖力靜電吸附晶片W并將晶片W固定于導熱板12的下表面。此外，通過停止從直流電源153向靜電卡盤151施加電壓，能夠解除對晶片W的固定。如上所述，在本實施方式中，作為基板保持器具備靜電卡盤151，由此能夠以簡易的結構保持晶片W。另外，還可以如圖12所例示的成膜裝置102A那樣，在靜電卡盤151的基礎上還與圖1 一樣地設置具有保持部件21、懸掛支柱22、活動部件23、驅(qū)動部25等的保持機構。艮口， 在成膜裝置102A中，作為基板保持器具有靜電卡盤151和保持部件21。在該情況下，可以以靜電卡盤151為主、保持部件21為輔(輔助)地保持晶片W，還可以以保持部件21為主、 靜電卡盤151為輔(輔助)地保持晶片W。本實施方式的成膜裝置102、102A的其他結構以及效果，與第一實施方式一樣。另外，在本實施方式中，也可以與第一實施方式一樣地適用例如如圖5、圖6、圖7以及圖8所以例示的變形例，能夠獲得上述的效果。此外，在成膜裝置102、102A中，還可以與第二實施方式一樣地配備燈單元。實施例接下來，舉出實施例對本發(fā)明進一步進行詳細說明，但本發(fā)明不限于以下的實施例。實施例1作為固體原料A使用了無水蟻酸銅(Cu(HCOO)2)粉末。使用與圖6—樣結構的成膜裝置100B，從氣體供給裝置71經(jīng)由氣體導入口 72向處理容器1按照lOOml/min (sccm)的流量導入作為凈化氣體的N2氣體，利用APC(自動壓力控制器；Auto Pressure Controller) 將壓力調(diào)整為13. 3Pa(IOOmTorr)之后，將工作臺31上的原料托盤33中收納的固體原料A加熱至130°C。同時，將以緊貼于導熱板12的狀態(tài)保持于保持部件21的硅基板加熱至150°C。之后，停止N2氣體的供給，從氣體供給裝置71經(jīng)由氣體導入口 72按照IOOml/ min(sccm)的流量導入作為氣化促進氣體B的蟻酸(HCOOH)氣體。在這一期間，壓力保持 13. 3Pa (IOOmTorr)。流入10分鐘HCOOH氣體，之后取出硅基板，則在硅基板的表面形成膜厚IOOnm左右的金屬銅膜。金屬銅膜是通過固體原料A即無水蟻酸銅(Cu(HCOO)2)與氣化促進氣體B即蟻酸(HCOOH)反應而生成作為成膜原料氣體C的蟻酸亞銅(Cu (HCOO))，并且該蟻酸亞銅(Cu(HCOO))在硅基板的表面進行熱分解而形成的。這樣，確認出通過成膜裝置 100B，能夠使用固體原料A有效地形成金屬銅膜。在本實施例中，由于將固體原料A在處理容器1內(nèi)的工作臺31進行加熱，所以不會發(fā)生因原料供給時的固化引起的捕獲、溶劑向金屬銅膜的混入，也不產(chǎn)生微粒污染。 以上，以例示為目的詳細說明了本發(fā)明的實施方式，但本發(fā)明不限于上述實施方式。本領域的普通技術人員在不脫離本發(fā)明的思想以及范圍的前提下可進行多種改變，這些改變也均包含于本發(fā)明的范圍內(nèi)。例如，在上述實施方式中，舉例說明了以半導體晶片為處理對象的成膜裝置，但本發(fā)明也能應用于以液晶顯示裝置所使用的玻璃基板或陶瓷基板等為處理對象的成膜裝置。
權利要求
1.一種成膜裝置，其特征在于，具備 處理容器，該處理容器收納基板；基板保持器，該基板保持器將基板保持在上述處理容器內(nèi)的上部； 第一加熱器，該第一加熱器對保持在上述基板保持器的基板進行加熱； 原料支承部，該原料支承部與保持在上述基板保持器的基板對置地被配置在該基板保持器的下方；第二加熱器，該第二加熱器對支承在上述原料支承部的固體原料進行加熱； 氣體供給單元，該氣體供給單元用于向上述處理容器內(nèi)供給與上述固體原料反應而生成成膜原料氣體的氣化促進氣體；以及排氣單元，該排氣單元用于將上述處理容器內(nèi)保持為真空，其中使在上述處理容器內(nèi)生成的上述成膜原料氣體在基板表面上熱分解從而進行成膜。
2.一種成膜裝置，其特征在于，具備 處理容器，該處理容器收納基板；基板保持器，該基板保持器將基板保持在上述處理容器內(nèi)的上部； 第一加熱器，該第一加熱器對保持在上述基板保持器的基板進行加熱； 原料支承部，該原料支承部與保持在上述基板保持器的基板對置地被配置在該基板保持器的下方；第二加熱器，該第二加熱器對支承在上述原料支承部的固體原料進行加熱；以及排氣單元，該排氣單元用于將上述處理容器內(nèi)保持為真空，其中使通過對上述固體原料進行加熱而在上述處理容器內(nèi)生成的氣化氣體在基板表面上熱分解從而進行成膜。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的成膜裝置，其特征在于，上述基板保持器將基板保持成，使基板的下表面成為進行成膜處理的被處理面。
4.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的成膜裝置，其特征在于，上述固體原料在被收納到上方開放的盤型容器內(nèi)后被支承在上述原料支承部。
5.根據(jù)權利要求1至4中任一項所述的成膜裝置，其特征在于， 在上述處理容器的上部設有與上述排氣單元連接的排氣部。
6.根據(jù)權利要求5所述的成膜裝置，其特征在于，在上述處理容器的下部設有與上述氣體供給單元連接的氣體導入部。
7.根據(jù)權利要求5所述的成膜裝置，其特征在于，在上述處理容器的側(cè)部設有與上述氣體供給單元連接的氣體導入部。
8.一種成膜方法，其特征在于，該成膜方法使用成膜裝置，該成膜裝置具備 處理容器，該處理容器收納基板；基板保持器，該基板保持器將基板保持在上述處理容器內(nèi)的上部； 第一加熱器，該第一加熱器對保持在上述基板保持器的基板進行加熱； 原料支承部，該原料支承部與保持在上述基板保持器的基板對置地被配置在該基板保持器的下方；第二加熱器，該第二加熱器對支承在上述原料支承部的固體原料進行加熱；氣體供給單元，該氣體供給單元用于向上述處理容器內(nèi)供給氣體；以及排氣單元，該排氣單元用于將上述處理容器內(nèi)保持為真空， 該成膜方法具備向上述處理容器內(nèi)搬入固體原料，并將該固體原料配置于上述原料支承部的工序； 向上述處理容器內(nèi)搬入基板并利用上述基板保持器保持該基板的工序；以及將由上述原料支承部支承的固體原料，一邊利用上述第二加熱器進行加熱，一邊與由上述氣體供給單元導入到上述處理容器內(nèi)的其他氣化促進氣體反應，將生成的成膜原料氣體供給到上述基板的表面并使該成膜原料氣體熱分解從而進行成膜的工序。
9.一種成膜方法，其特征在于，該成膜方法使用成膜裝置，該成膜裝置具備 處理容器，該處理容器收納基板；基板保持器，該基板保持器將基板保持在上述處理容器內(nèi)的上部； 第一加熱器，該第一加熱器對保持在上述基板保持器的基板進行加熱； 原料支承部，該原料支承部與保持在上述基板保持器的基板對置地被配置在該基板保持器的下方；第二加熱器，該第二加熱器對支承在上述原料支承部的固體原料進行加熱； 氣體供給單元，該氣體供給單元用于向上述處理容器內(nèi)供給氣體；以及排氣單元，該排氣單元用于將上述處理容器內(nèi)保持為真空， 該成膜方法具備向上述處理容器內(nèi)搬入固體原料，并將該固體原料配置在上述原料支承部的工序； 向上述處理容器內(nèi)搬入基板并利用上述基板保持器保持該基板的工序；以及將由上述原料支承部支承的固體原料，利用上述第二加熱器進行加熱使該固體原料氣化，同時將該氣化氣體供給到上述基板的表面并使該氣化氣體熱分解從而進行成膜的工序。
10.根據(jù)權利要求8或9所述的成膜方法，其特征在于， 在由上述基板保持器保持的基板的下表面進行成膜。
全文摘要
本發(fā)明提供一種成膜裝置以及成膜方法，在使用固體原料進行成膜的情況下，能夠?qū)⒊赡ぴ蠚怏w穩(wěn)定地且有效地向基板的表面供給，并且降低微粒污染、雜質(zhì)向膜中混入的可能性。成膜裝置(100)具備收納晶片(W)的處理容器(1)；加熱晶片(W)的基板加熱器(11)；保持晶片(W)的保持部件(21)；作為原料支承部的工作臺(31)；以及加熱固體原料的原料加熱器(41)。在成膜裝置(100)中，例如在工作臺(31)上一邊加熱固體原料(A)一邊使該固體原料與其他的氣化促進氣體反應，并將生成的成膜原料氣體供給到保持在保持部件(21)的晶片(W)的下表面(被處理面)，使該成膜原料氣體在晶片(W)的表面熱分解而形成薄膜。
文檔編號H01L21/20GK102376549SQ20111021927
公開日2012年3月14日 申請日期2011年7月28日 優(yōu)先權日2010年8月12日
發(fā)明者軍司勛男 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社