專(zhuān)利名稱(chēng)：等離子體處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)基板實(shí)施等離子體處理的感應(yīng)耦合型的等離子體處理裝置。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體設(shè)備和以液晶顯示裝置(LCD)為代表的FPD(Flat Panel Display 平板顯示器)的制造工序中，已知有對(duì)以玻璃基板為代表的各種基板實(shí)施等離子體處理的等離子體處理裝置。等離子體處理裝置由等離子體的生成方法的不同，可大致分為電容耦合型等離子體處理裝置和感應(yīng)耦合型等離子體處理裝置。感應(yīng)耦合型等離子體處理裝置(以下稱(chēng)為“ICP處理裝置”。)，經(jīng)由設(shè)置在處理室 (腔室)的一部分的石英等電介質(zhì)，對(duì)配置在腔室的外部的漩渦狀、線(xiàn)圈狀或螺旋狀的高頻天線(xiàn)(以下稱(chēng)為“RF天線(xiàn)”。)施加高頻電力，在施加了該高頻電力的RF天線(xiàn)的周?chē)纬筛袘?yīng)磁場(chǎng)，通過(guò)基于該感應(yīng)磁場(chǎng)形成在腔室內(nèi)的感應(yīng)電場(chǎng)，生成處理氣體的等離子體，用生成的等離子體對(duì)基板實(shí)施等離子體處理。這樣的ICP處理裝置，由于主要通過(guò)感應(yīng)電場(chǎng)生成等離子體，所以在能夠得到高密度的等離子體方面出色，適用于FPD等的制造中的蝕刻和成膜工序。另外，最近，也在開(kāi)發(fā)用于有效地防止等離子體處理中產(chǎn)生的異物附著于配置在 ICP處理裝置的腔室內(nèi)的電介質(zhì)的技術(shù)等(例如參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)1 日本特開(kāi)2003-209098號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明想要解決的問(wèn)題 但是，在這樣的ICP處理裝置中，即使例如多重地配置RF天線(xiàn)，并控制施加到該RF 天線(xiàn)的等離子體生成用的高頻電力(以下稱(chēng)為“激發(fā)用RFh”)的功率，也難以產(chǎn)生分布成與 RF天線(xiàn)一一對(duì)應(yīng)的等離子體，存在不能任意地控制腔室內(nèi)的等離子體分布的問(wèn)題。圖16是用于對(duì)在與高頻天線(xiàn)所對(duì)應(yīng)的位置不同的位置產(chǎn)生等離子體的狀況進(jìn)行說(shuō)明的等離子體處理裝置的截面圖。在圖16中，在等離子體處理裝置200的腔室201的頂部部分配置有電介質(zhì)(以下稱(chēng)為“電介質(zhì)窗”)202。在電介質(zhì)窗202上方即隔著電介質(zhì)窗202與腔室201的處理空間S 相鄰的空間內(nèi)，同心圓狀地配置有圓環(huán)狀的RF天線(xiàn)203a和20 。圓環(huán)狀的RF天線(xiàn)203a 和20 的一端分別經(jīng)由匹配器與等離子體生成用的高頻電源20 和204b電連接，另一端分別與大地電位接地。在這樣的等離子體處理裝置200中，當(dāng)施加激發(fā)用RFh到RF天線(xiàn)203a和20 時(shí)， 不產(chǎn)生與在同心圓狀地配置的兩個(gè)圓環(huán)狀的RF天線(xiàn)203a和20 各自對(duì)應(yīng)的雙重的等離子體，而產(chǎn)生與兩個(gè)圓環(huán)狀的RF天線(xiàn)203a和20 的中間部對(duì)應(yīng)的一個(gè)圓環(huán)狀的等離子體
3205。其原因可以認(rèn)為如下。S卩，當(dāng)施加激發(fā)用Ri711到圓環(huán)狀的RF天線(xiàn)203a和20 時(shí)， 高頻電流在RF天線(xiàn)203a和20 流動(dòng)，在RF天線(xiàn)203a和20 的各自的周?chē)纬筛袘?yīng)磁場(chǎng)。于是，對(duì)應(yīng)于所合成的感應(yīng)磁場(chǎng)強(qiáng)的位置，形成一個(gè)圓環(huán)狀的等離子體205。即，在現(xiàn)有的等離子體處理裝置中，難以生成與RF天線(xiàn)203a和20 —一對(duì)應(yīng)的等離子體，存在不能任意地控制腔室內(nèi)的等離子體分布的問(wèn)題。本發(fā)明的課題是提供一種能夠根據(jù)功率生成與高頻天線(xiàn)一一對(duì)應(yīng)的等離子體，并能夠任意地控制處理室內(nèi)的等離子體分布的等離子體處理裝置。用于解決課題的方法為了解決上述課題，本發(fā)明的第一方面的等離子體處理裝置，其特征在于，包括 對(duì)基板實(shí)施規(guī)定的等離子體處理的可排真空的處理室；在該處理室內(nèi)載置上述基板的基板載置臺(tái)；設(shè)置成隔著處理空間與該基板載置臺(tái)相對(duì)的電介質(zhì)窗；設(shè)置在隔著該電介質(zhì)窗與上述處理空間相鄰的空間內(nèi)的多個(gè)或多重RF天線(xiàn)；將處理氣體供給到上述處理空間的氣體供給部；和施加高頻電力到上述多個(gè)或多重高頻天線(xiàn)，通過(guò)感應(yīng)耦合在上述處理空間內(nèi)產(chǎn)生上述處理氣體的等離子體的高頻電源，該等離子體處理裝置具有感應(yīng)磁場(chǎng)合成防止機(jī)構(gòu)，該感應(yīng)磁場(chǎng)合成防止機(jī)構(gòu)防止與上述多個(gè)或多重高頻天線(xiàn)對(duì)應(yīng)地形成的感應(yīng)磁場(chǎng)的合成。本發(fā)明的第二方面所述的等離子體處理裝置，在第一方面所述的等離子體處理裝置的基礎(chǔ)上，特征在于上述感應(yīng)磁場(chǎng)合成防止機(jī)構(gòu)為，由在上述電介質(zhì)窗的上述處理空間側(cè)表面的與上述多個(gè)或多重高頻天線(xiàn)相互間對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置的電介質(zhì)形成的突出部。本發(fā)明的第三方面所述的等離子體處理裝置，在第一方面或第二方面所述的等離子體處理裝置的基礎(chǔ)上，特征在于除了具有上述感應(yīng)磁場(chǎng)合成防止機(jī)構(gòu)以外，上述電介質(zhì)窗的與上述多個(gè)或多重高頻天線(xiàn)對(duì)應(yīng)的部分的厚度，比上述電介質(zhì)體窗的其他部分的厚度薄。本發(fā)明的第四方面所述的等離子體處理裝置，在第一方面 第三方面中任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置的基礎(chǔ)上，特征在于除了具有上述感應(yīng)磁場(chǎng)合成防止機(jī)構(gòu)以外，還在上述電介質(zhì)窗的與上述多個(gè)或多重高頻天線(xiàn)相互間對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置有由與上述電介質(zhì)窗相比透磁率不同的部件構(gòu)成的突出部。本發(fā)明的第五方面所述的等離子體處理裝置，在第四方面所述的等離子體處理裝置的基礎(chǔ)上，特征在于由與上述電介質(zhì)窗相比透磁率不同的部件構(gòu)成的突出部，設(shè)置在上述電介質(zhì)窗的上述處理空間側(cè)表面或與上述處理空間側(cè)表面相反的表面。本發(fā)明的第六方面所述的等離子體處理裝置，在第四方面或第五方面所述的等離子體處理裝置的基礎(chǔ)上，特征在于由與上述電介質(zhì)窗相比透磁率不同的部件構(gòu)成的突出部，其一部分埋設(shè)于上述電介質(zhì)窗。本發(fā)明的第七方面所述的等離子體處理裝置，在第一方面 第六方面中任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置的基礎(chǔ)上，特征在于除了具有上述感應(yīng)磁場(chǎng)合成防止機(jī)構(gòu)以外，還將上述多個(gè)或多重高頻天線(xiàn)相互間調(diào)整成具有充分的間隔，使得能夠避免與上述多個(gè)或多重的高頻天線(xiàn)對(duì)應(yīng)地生成的感應(yīng)磁場(chǎng)的合成。本發(fā)明的第八方面所述的等離子體處理裝置，在第一方面 第七方面中任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置的基礎(chǔ)上，特征在于除了上述感應(yīng)磁場(chǎng)合成防止機(jī)構(gòu)以外，進(jìn)一步還與上述多個(gè)或多重高頻天線(xiàn)對(duì)應(yīng)地分割上述電介質(zhì)窗，在分割后的電介質(zhì)窗相互間配置有與大地電位接地(即與大地電位連接)的導(dǎo)電體。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能夠根據(jù)功率生成與高頻天線(xiàn)一一對(duì)應(yīng)的等離子體，并能夠任意地控制處理室內(nèi)的等離子體分布。


圖1是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的等離子體處理裝置的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。圖2是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的等離子體處理裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。圖3是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式的等離子體處理裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。圖4是表示第三實(shí)施方式的變形例的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。圖5是表示第三實(shí)施方式的其他的變形例的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。圖6是表示本發(fā)明的第四實(shí)施方式的等離子體處理裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。圖7是表示本發(fā)明的第五實(shí)施方式的等離子體處理裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。圖8是表示本發(fā)明的第六實(shí)施方式的等離子體處理裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。圖9是表示本發(fā)明的第七實(shí)施方式的等離子體處理裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。圖10是表示本發(fā)明的第七實(shí)施方式的變形例的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。圖11是表示本發(fā)明的第八實(shí)施方式的等離子體處理裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。圖12是表示本發(fā)明的第九實(shí)施方式的等離子體處理裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。圖13是表示本發(fā)明的第十實(shí)施方式的等離子體處理裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。圖14是表示本發(fā)明的第十一實(shí)施方式的等離子體處理裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。圖15是表示本發(fā)明的第十二實(shí)施方式的等離子體處理裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。圖16是用于對(duì)在與高頻天線(xiàn)所對(duì)應(yīng)的位置不同的位置產(chǎn)生等離子體的狀況進(jìn)行說(shuō)明的等離子體處理裝置的截面圖。附圖符號(hào)說(shuō)明10等離子體處理裝置30、30a、30b 電介質(zhì)窗
31a 31dRF 天線(xiàn)33a、33b 高頻電源34、92、94由電介質(zhì)形成的突出部41、82、112 凹部42、52、62、72 等離子體51a 51c由與電介質(zhì)窗相比透磁率不同的部件構(gòu)成的突出部71、81、91 金屬
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。圖1是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的等離子體處理裝置的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。該等離子體處理裝置例如對(duì)液晶顯示裝置(LCD)制造用的玻璃基板實(shí)施蝕刻或成膜等規(guī)定的等離子體處理。在圖1中，等離子體處理裝置10具有收納處理對(duì)象的玻璃基板(以下簡(jiǎn)稱(chēng)為“基板”)G的處理室(腔室)11，在該腔室11的圖中下方配置有載置基板G的圓筒狀的載置臺(tái) (基座)12?；?2例如主要由表面經(jīng)過(guò)耐酸鋁處理的鋁構(gòu)成的基板13構(gòu)成，基材13隔著絕緣部件14被支承于腔室11的底部?；?3的上部平面為載置基板G的基板載置面， 設(shè)置有聚焦環(huán)15，以包圍基板載置面的周?chē)?。在基?3的基板載置面形成有內(nèi)置有靜電電極板16的靜電卡盤(pán)(ESC) 20。在靜電電極板16連接有直流電源17，當(dāng)施加正的直流電壓到靜電電極板16時(shí)，在載置于基板載置面的基板G的靜電電極板16 —側(cè)的面(以下稱(chēng)為“背面”)產(chǎn)生負(fù)電位，由此在靜電電極板16和基板G的背面之間產(chǎn)生電位差，由起因于該電位差的庫(kù)侖力或約翰遜-拉別克 (Johnson-Rahbek)力，基板G被吸附保持于基板載置面。在基座12的基材13的內(nèi)部例如設(shè)置有在圓周方向上延伸的環(huán)狀的制冷劑流路 18。在制冷劑流路18，從冷卻單元(省略圖示)經(jīng)由制冷劑用配管19循環(huán)供給有低溫的制冷劑，例如冷卻水或GALDEN (注冊(cè)商標(biāo))。被制冷劑冷卻的基座12經(jīng)由靜電卡盤(pán)20對(duì)基板 G和聚焦環(huán)15進(jìn)行冷卻。在基材13和靜電卡盤(pán)20開(kāi)口有省略圖示的多個(gè)傳熱氣體供給孔21。多個(gè)傳熱氣體供給孔21與省略圖示的傳熱氣體供給部連接，從傳熱氣體供給部向靜電卡盤(pán)20和基板 G的背面的間隙供給傳熱氣體例如氦氣(He)。向靜電卡盤(pán)20和基板G的背面的間隙供給的氦氣，將基板G的熱有效地傳導(dǎo)給基座12。在基座12的基材13經(jīng)由供電棒22和匹配器23連接有用于供給高頻電力(以下稱(chēng)為“偏置用RFJ)的高頻電源M。基座12作為下部電極發(fā)揮功能，匹配器23減少來(lái)自基座12的高頻電力的反射，使高頻電力對(duì)基座12的施加效率最大。從高頻電源M向基座 12施加40MHz以下例如13. 56MHz的偏置用R&，由此將在處理空間S生成的等離子體引入到基板G。在等離子體處理裝置10中，在腔室11的內(nèi)側(cè)壁和基座12的側(cè)面之間形成有側(cè)面排氣路26。該側(cè)面排氣路沈經(jīng)由排氣管27與排氣裝置觀(guān)連接。作為排氣裝置觀(guān)的 TMP (Turbo Molecular Pump 渦輪分子泵)和DP (Dry Pump 干式泵)(均省略圖示)對(duì)腔室
611內(nèi)進(jìn)行抽真空來(lái)進(jìn)行減壓。具體而言，DP將腔室11內(nèi)從大氣壓減壓至中真空狀態(tài)(例如1. 3X IOPa(0. ITorr)以下)，TMP與DP協(xié)動(dòng)將腔室11內(nèi)減壓至比中真空狀態(tài)壓力更低的高真空狀態(tài)(例如1.3 X KT3Pa (1.0 X I(T5Torr)以下)。另外，腔室11內(nèi)的壓力由APC閥 (省略圖示)控制。在腔室11的頂部部分，隔著基座12和處理空間S相對(duì)地配置有電介質(zhì)窗30。電介質(zhì)窗30例如是由石英板構(gòu)成的密封狀的部件，使磁力線(xiàn)透過(guò)。在電介質(zhì)窗30的上部空間29，同心圓狀且例如與基座12同軸狀地配置有圓環(huán)狀的RF天線(xiàn)31a和31b。圓環(huán)狀的 RF天線(xiàn)31a和31b例如通過(guò)由絕緣體形成的固定部件(省略圖示)，固定于電介質(zhì)窗30的與上部空間S側(cè)的表面相反的表面(以下稱(chēng)為“上表面”)。RF天線(xiàn)31a和31b的一端分別經(jīng)由匹配器32a、32b與等離子體生成用的高頻電源33a和33b電連接，另一端分別與大地電位接地。高頻電源33a和3 輸出適合通過(guò)高頻放電生成等離子體的固定頻率，例如13.56MHz的高頻電力(RFh)，并將其施加到RF天線(xiàn) 31a和31b。匹配器32a、32b的功能與匹配器23的功能相同。在電介質(zhì)窗30的下方的腔室11的側(cè)壁，沿腔室11的內(nèi)周設(shè)置有環(huán)狀的支管36， 該環(huán)狀的支管36經(jīng)由氣體流路與處理氣體供給源37連接。在環(huán)狀的支管36例如等間隔地設(shè)置有多個(gè)氣體排出口 36a，將從處理氣體供給源37導(dǎo)入支管36的處理氣體，經(jīng)由氣體排出口 36a供給到腔室11內(nèi)。在該等離子體處理裝置10中，設(shè)置有感應(yīng)磁場(chǎng)合成防止機(jī)構(gòu)，用于防止在從高頻電源33a和3 施加了高頻電力的RF天線(xiàn)31a和31b的周?chē)纬傻母袘?yīng)磁場(chǎng)發(fā)生合成。S卩，在圖1中，在電介質(zhì)窗30的處理空間S側(cè)的表面(以下稱(chēng)為“下表面”)的與圓環(huán)狀的RF天線(xiàn)31a和31b相互間對(duì)應(yīng)的位置分別設(shè)置有由電介質(zhì)形成的突出部34。在此，所謂RF天線(xiàn)相互間，是一個(gè)寬泛的概念，除了分別獨(dú)立設(shè)置的RF天線(xiàn)相互之間，還包括漩渦狀或螺旋狀的RF天線(xiàn)的形成渦旋形狀或螺旋形狀的間隙部分和圓環(huán)狀的RF天線(xiàn)的中心部分的空間。作為構(gòu)成突出部34的電介質(zhì)，例如能夠使用氧化釔、氧化鋁等，優(yōu)選使用玻璃。由于突出部34設(shè)置成物理性地占領(lǐng)合成磁場(chǎng)產(chǎn)生的位置，所以不會(huì)存在基于合成磁場(chǎng)的等離子體，作為結(jié)果，在與RF天線(xiàn)31a和31b各自對(duì)應(yīng)的位置生成等離子體。在腔室11的側(cè)壁設(shè)置有基板搬入搬出口 38，該基板搬入搬出口 38能夠通過(guò)閘閥 39開(kāi)關(guān)。經(jīng)由基板搬入搬出口 38將作為處理對(duì)象的基板G搬入到腔室11內(nèi)或從腔室11 內(nèi)搬出。在這種結(jié)構(gòu)的等離子體處理裝置10中，從處理氣體供給源37經(jīng)由支管36和氣體排出口 36a，將處理氣體供給到腔室11的處理空間S內(nèi)。另一方面，從高頻電源33a和3 經(jīng)由匹配器3 和32b分別向RF天線(xiàn)31a和31b施加激發(fā)用RFH，在RF天線(xiàn)31a和31b流動(dòng)有高頻電流。由于高頻電流流動(dòng)而在RF天線(xiàn)31a和31b的周?chē)a(chǎn)生感應(yīng)磁場(chǎng)，通過(guò)該感應(yīng)磁場(chǎng)在處理空間S產(chǎn)生感應(yīng)電場(chǎng)。于是，被該感應(yīng)電場(chǎng)加速的電子與處理氣體的分子或原子發(fā)生電離碰撞，產(chǎn)生與感應(yīng)電場(chǎng)對(duì)應(yīng)的處理氣體的等離子體。生成的等離子體中的離子，被從高頻電源M經(jīng)由匹配器23和供電棒22施加到基座12的偏置用吸引到基板G，對(duì)基板G實(shí)施規(guī)定的等離子體處理。等離子體處理裝置10的各構(gòu)成部件的動(dòng)作，由等離子體處理裝置10所具有的控制部(省略圖示)的CPU按照等離子體處理所對(duì)應(yīng)的程序進(jìn)行控制。
根據(jù)本實(shí)施方式，電介質(zhì)窗30的下表面的與RF天線(xiàn)31a和31b相互間對(duì)應(yīng)的位置，具體而言，在與RF天線(xiàn)31a和31b之間和圓環(huán)狀的RF天線(xiàn)31a的與中心部對(duì)應(yīng)的位置，分別設(shè)置有由玻璃構(gòu)成的圓環(huán)狀的突出部和圓形的突出部34，所以在RF天線(xiàn)31a的周?chē)纬傻母袘?yīng)磁場(chǎng)和在RF天線(xiàn)31b的周?chē)纬傻母袘?yīng)磁場(chǎng)的合成磁場(chǎng)的產(chǎn)生部位不存在等離子體，作為結(jié)果，分別與RF天線(xiàn)31a和31b對(duì)應(yīng)的感應(yīng)磁場(chǎng)得以維持，基于各感應(yīng)磁場(chǎng)分別產(chǎn)生感應(yīng)電場(chǎng)，起因于各感應(yīng)電場(chǎng)，生成與RF天線(xiàn)31a和31b分別一一對(duì)應(yīng)且與被施加的高頻RFh的功率相應(yīng)的等離子體。根據(jù)本實(shí)施方式，與腔室11內(nèi)的想要生成等離子體的任意的位置對(duì)應(yīng)地配置有 RF天線(xiàn)，對(duì)施加到該RF天線(xiàn)的高頻RFh的輸出進(jìn)行調(diào)整，由此能夠任意地控制腔室11內(nèi)的等離子體分布。在本實(shí)施方式中，由電介質(zhì)形成的突出部34，能夠使用與電介質(zhì)窗30相同的材料一體地形成，另外，也能夠使用與電介質(zhì)窗30不同的材料另外形成。在本實(shí)施方式中，也能夠在由電介質(zhì)形成的圓環(huán)狀或圓形的突出部34例如設(shè)置支管，兼用作氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)。圖2是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的等離子體處理裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。近年來(lái)，隨著作為處理對(duì)象的基板G的大型化，腔室11也大型化，并且為了保持大的腔室11內(nèi)的內(nèi)部空間的真空度，電介質(zhì)窗30的厚度也變厚。當(dāng)電介質(zhì)窗30變厚時(shí)，RF 天線(xiàn)31a和31b和腔室11內(nèi)的處理空間S的距離變長(zhǎng)，容易在鄰接的RF天線(xiàn)相互的中間部形成合成磁場(chǎng)，由此，難以生成與RF天線(xiàn)一一對(duì)應(yīng)的等離子體。本實(shí)施方式解決這樣的問(wèn)題，使電介質(zhì)窗30的與RF天線(xiàn)31a和31b對(duì)應(yīng)的位置的厚度比其以外的部分的厚度薄， 由此，在腔室11內(nèi)產(chǎn)生與RF天線(xiàn)31a和31b —一對(duì)應(yīng)的等離子體42。具體而言，圖2所示的等離子體處理裝置40，與圖1的等離子體處理裝置10不同， 不在電介質(zhì)窗30的下表面的與RF天線(xiàn)31a和31b相互間對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置由電介質(zhì)形成的圓環(huán)狀或圓形的突出部；34，而在電介質(zhì)窗30的下表面的分別與RF天線(xiàn)31a和31b對(duì)應(yīng)的部分設(shè)置圓環(huán)狀的凹部41，使與RF天線(xiàn)31a和31b對(duì)應(yīng)的部分的電介質(zhì)窗30的厚度比其以外的部分的厚度薄。根據(jù)本實(shí)施方式，在電介質(zhì)窗30的下表面的與RF天線(xiàn)31a和31b對(duì)應(yīng)的部分設(shè)置圓環(huán)狀的凹部41，并使該部分的厚度比其以外的部分的厚度薄，所以在RF天線(xiàn)31a和31b 的正下方分別形成比合成磁場(chǎng)更強(qiáng)的感應(yīng)磁場(chǎng)。由此，在腔室11內(nèi)能夠生成分別與各RF 天線(xiàn)31a和31b對(duì)應(yīng)的等離子體42。在本實(shí)施方式中，電介質(zhì)窗30的厚度例如為20 50mm，設(shè)置有圓環(huán)狀的凹部41 的部分的厚度例如為10 20mm。在本實(shí)施方式中，圓環(huán)狀的凹部41與RF天線(xiàn)31a和31b對(duì)應(yīng)地在全周設(shè)置，但考慮電介質(zhì)窗30的強(qiáng)度等，也能夠設(shè)置在與RF天線(xiàn)31a和31b對(duì)應(yīng)的全圓周的一部分。圖3是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式的等離子體處理裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。在圖3中，該等離子體處理裝置50與圖1的等離子體處理裝置10不同點(diǎn)在于不在電介質(zhì)窗30的下表面的與RF天線(xiàn)31a和31b相互間對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置由電介質(zhì)形成的突出部34，而在電介質(zhì)窗30的上表面的RF天線(xiàn)31a和31b相互間，設(shè)置由與電介質(zhì)窗30相比透磁率不同的部件構(gòu)成的圓環(huán)狀或圓形的突出部51a。根據(jù)本實(shí)施方式，由于在RF天線(xiàn)31a和31b相互間分別設(shè)置有由與電介質(zhì)窗30 相比透磁率不同的部件構(gòu)成的圓環(huán)狀或圓形的突出部51a，所以在RF天線(xiàn)31a和31b的周?chē)謩e生成的感應(yīng)磁場(chǎng)的磁力線(xiàn)由突出部51a而變化，生成的等離子體發(fā)生改變。由此，合成磁場(chǎng)的生成受到阻礙，作為結(jié)果，在腔室11內(nèi)形成分別與各RF天線(xiàn)31a和31b對(duì)應(yīng)的感應(yīng)電場(chǎng)，基于該感應(yīng)電場(chǎng)分別生成與RF天線(xiàn)31a和31b對(duì)應(yīng)的圓環(huán)狀的等離子體52。根據(jù)本實(shí)施方式，能夠在與RF天線(xiàn)31a和31b —一對(duì)應(yīng)的位置生成等離子體52， 并能夠通過(guò)施加的激發(fā)用RFh的功率對(duì)等離子體52的強(qiáng)度進(jìn)行控制，所以腔室11內(nèi)的等離子體的控制性顯著提高。在本實(shí)施方式中，作為與電介質(zhì)窗30相比透磁率不同的部件，可以列舉例如鐵素體、透磁合金(permalloy)等，突出部51a例如由鐵素體形成。圖4是表示第三實(shí)施方式的變形例的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。在圖4中，該等離子體處理裝置50與圖3的等離子體處理裝置不同點(diǎn)在于使由與電介質(zhì)窗30相比透磁率不同的部件構(gòu)成的突出部51b的截面積，比圖3的突出部51a的截面積大若干，并且將其一部分嵌合并埋設(shè)到設(shè)置于電介質(zhì)窗30的上表面的例如锪孔(芒· <-”)部分。本實(shí)施方式的變形例，也能夠得到與上述實(shí)施方式相同的效果。另外，根據(jù)本實(shí)施方式的變形例，由于使圓環(huán)狀的突出部51b的截面積比上述實(shí)施方式的突出部50a的截面積大若干，所以阻礙合成磁場(chǎng)的生成的效果變大，能夠正確地在各與RF天線(xiàn)31a和31b對(duì)應(yīng)的位置生成等離子體52。另外，通過(guò)使突出部51b的一部分埋設(shè)到電介質(zhì)窗30，能夠正確地定位突出部51b并將其固定。圖5是表示第三實(shí)施方式的其他的變形例的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。在圖5中，該等離子體處理裝置50與圖3的等離子體處理裝置不同點(diǎn)在于使圓環(huán)狀的突出部51c的截面積比上述實(shí)施方式的突出部51a的截面積大若干，并配置于電介質(zhì)窗30的下表面。本實(shí)施方式的其他的變形例，也能夠得到與上述實(shí)施方式相同的效果。另外，根據(jù)本實(shí)施方式的其他的變形例，由于使圓環(huán)狀的突出部51c的截面積比上述實(shí)施方式的突出部50a的截面積大若干，所以阻礙合成磁場(chǎng)的生成的效果變大，能夠正確地在各與RF天線(xiàn)31a和31b對(duì)應(yīng)的位置生成等離子體52。在本實(shí)施方式的其他的變形例中，由于突出部51c暴露于在腔室11內(nèi)產(chǎn)生的等離子體，所以?xún)?yōu)選用例如S^2和氧化釔等覆蓋。由此，能夠延長(zhǎng)突出部51c的壽命。圖6是表示本發(fā)明的第四實(shí)施方式的等離子體處理裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。在圖6中，該等離子體處理裝置60與圖1的等離子體處理裝置10不同點(diǎn)在于不在電介質(zhì)窗30的下表面的與RF天線(xiàn)31a和31b相互間對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置由電介質(zhì)形成的突出部34，而使RF天線(xiàn)31b的圓環(huán)狀的徑比RF天線(xiàn)31a的圓環(huán)狀的徑大不少，將RF天線(xiàn)31b 設(shè)置在腔室11內(nèi)。具體而言，將比基板G的徑大的徑的RF天線(xiàn)31b配置于電介質(zhì)窗30的外側(cè)且配置在腔室11內(nèi)。
根據(jù)本實(shí)施方式，由于使RF天線(xiàn)31a和31b的間隔變大，所以起因于RF天線(xiàn)31a 和31b的周?chē)謩e產(chǎn)生的感應(yīng)磁場(chǎng)的渦電流不發(fā)生重合。因此，能夠避免合成渦電流的生成，能夠在腔室11內(nèi)產(chǎn)生與各RF天線(xiàn)31a和31b —一對(duì)應(yīng)的感應(yīng)電場(chǎng)，進(jìn)而生成等離子體 62。在本實(shí)施方式中，優(yōu)選用例如SiO2和氧化釔等電介質(zhì)覆蓋設(shè)置在腔室11內(nèi)的RF 天線(xiàn)31b。由此，能夠避免等離子體對(duì)RF天線(xiàn)31b的直接照射，能夠延長(zhǎng)RF天線(xiàn)31b的壽命。圖7是表示本發(fā)明的第五實(shí)施方式的等離子體處理裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。在圖7中，該等離子體處理裝置70與圖1的等離子體處理裝置10不同點(diǎn)在于 不在電介質(zhì)窗30的下表面的與RF天線(xiàn)31a和31b相互間對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置電介質(zhì)的突出部 34，而與RF天線(xiàn)31a和31b對(duì)應(yīng)地分割電介質(zhì)窗30，在分割部分配置與大地電位接地的作為導(dǎo)電體的金屬71。作為金屬71例如使用鋁等。優(yōu)選與等離子體相接的鋁面由SiO2和氧化釔等電介質(zhì)覆蓋。在配置于腔室11的中央部的電介質(zhì)窗30a上設(shè)置有圓環(huán)狀的RF天線(xiàn)3la，在配置于腔室11的內(nèi)周部的電介質(zhì)窗30b上設(shè)置有圓環(huán)狀的RF天線(xiàn)31b。根據(jù)本實(shí)施方式，由于將電介質(zhì)窗分割成配置于腔室11的中央部的電介質(zhì)窗30a 和配置于腔室11的內(nèi)周部的電介質(zhì)窗30b，并在分割后的電介質(zhì)窗相互間配置有與大地電位接地的金屬71，所以設(shè)置在電介質(zhì)窗30a上的RF天線(xiàn)31a和設(shè)置在電介質(zhì)窗30b上的 RF天線(xiàn)31b的周?chē)謩e形成的感應(yīng)磁場(chǎng)的渦電流，經(jīng)由金屬71流至大地。由此避免渦電流的合成，產(chǎn)生與各RF天線(xiàn)31a和31b —一對(duì)應(yīng)的等離子體72。本實(shí)施方式，也能夠在設(shè)置于分割后的電介質(zhì)窗相互間的金屬71設(shè)置處理氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)，使其作為噴頭發(fā)揮作用。圖8是表示本發(fā)明的第六實(shí)施方式的等離子體處理裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。在圖8中，該等離子體處理裝置80組合了第五實(shí)施方式的特征部分和第二實(shí)施方式的特征部分，與RF天線(xiàn)31a和31b對(duì)應(yīng)地分割電介質(zhì)窗30，在分割部分配置有與大地電位接地的金屬81，并在與RF天線(xiàn)31a和31b對(duì)應(yīng)的電介質(zhì)窗30a和30b的下表面設(shè)置有圓環(huán)狀的凹部82，使該部分的電介質(zhì)窗30a和30b厚度比其以外的部分的厚度薄。根據(jù)本實(shí)施方式，由于與RF天線(xiàn)31a和31b對(duì)應(yīng)地將電介質(zhì)窗分割成電介質(zhì)窗 30a和30b，在分割后的電介質(zhì)窗相互間配置有與大地電位接地的金屬81，并在與RF天線(xiàn) 31a和31b對(duì)應(yīng)的電介質(zhì)窗30a和30b的下表面設(shè)置有圓環(huán)狀的凹部82，使該部分的電介質(zhì)窗30a和30b厚度比其以外的部分的厚度薄，所以通過(guò)與大地電位接地的金屬81的消除渦電流的作用，和使電介質(zhì)窗變薄從而利用比合成磁場(chǎng)強(qiáng)的感應(yīng)磁場(chǎng)在RF天線(xiàn)的正下方的腔室內(nèi)產(chǎn)生等離子體的作用的協(xié)同作用(相乘作用)，能夠在腔室11內(nèi)生成分別與RF天線(xiàn)31a和31b對(duì)應(yīng)的等離子體83。另外，由此，能夠與RF天線(xiàn)31a和31b的配置位置對(duì)應(yīng)地在腔室11內(nèi)的任意的位置形成等離子體83，提高腔室11內(nèi)的等離子體分布的控制性。圖9是表示本發(fā)明的第七實(shí)施方式的等離子體處理裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。
在圖9中，該等離子體處理裝置90組合了第五實(shí)施方式的特征部分和第一實(shí)施方式的特征部分，與RF天線(xiàn)31a和31b對(duì)應(yīng)地將電介質(zhì)窗分割成電介質(zhì)窗30a和30b，在分割部分配置有與大地電位接地的金屬91，并在電介質(zhì)窗30a上設(shè)置有比RF天線(xiàn)31a徑大的 RF天線(xiàn)31c，在與RF天線(xiàn)31a和31c相互間對(duì)應(yīng)的電介質(zhì)窗30a的下表面設(shè)置有由電介質(zhì)形成的突出部92。根據(jù)本實(shí)施方式，由于與RF天線(xiàn)31a和31b對(duì)應(yīng)地將電介質(zhì)窗分割成電介質(zhì)窗 30a和30b，在分割后的電介質(zhì)窗相互間設(shè)置有與大地電位接地的金屬91，并在電介質(zhì)窗 30a上設(shè)置有比RF天線(xiàn)31a徑大的RF天線(xiàn)31c，在與RF天線(xiàn)31a和31c相互間對(duì)應(yīng)的電介質(zhì)窗30a的下表面設(shè)置有由電介質(zhì)例如玻璃形成的突出部92，所以通過(guò)與大地電位接地的金屬91的消除渦電流的作用，和在由電介質(zhì)形成的突出部92的使等離子體在合成磁場(chǎng)的產(chǎn)生位置物理性地不存在的作用的協(xié)同作用，能夠在腔室11內(nèi)生成分別與RF天線(xiàn)31a 31c 一一對(duì)應(yīng)的等離子體93。另外，由于能夠與RF天線(xiàn)31a 31c對(duì)應(yīng)地在任意的位置形成等離子體，所以腔室11內(nèi)的等離子體分布控制性提高。圖10是表示本發(fā)明的第七實(shí)施方式的變形例的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。在圖10中，該等離子體處理裝置90與圖9的等離子體處理裝置不同點(diǎn)在于不在電介質(zhì)窗30a的RF天線(xiàn)31a的外周部設(shè)置RF天線(xiàn)31c，而在設(shè)置于腔室11的內(nèi)周部的電介質(zhì)窗30b上設(shè)置比RF天線(xiàn)31b徑小的RF天線(xiàn)31c，在與RF天線(xiàn)31b和31c相互間對(duì)應(yīng)的電介質(zhì)窗30b的下表面設(shè)置由玻璃形成的圓環(huán)狀的突出部94。本實(shí)施方式也能夠得到與第七實(shí)施方式相同的效果。圖11是表示本發(fā)明的第八實(shí)施方式的等離子體處理裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。在圖11中，該等離子體處理裝置100組合了第五實(shí)施方式的特征部分和第三實(shí)施方式的特征部分，將電介質(zhì)窗分割成腔室11的中央部的電介質(zhì)窗30a和腔室11的內(nèi)周部的電介質(zhì)窗30b，在分割部分設(shè)置有與大地電位接地的金屬101，并在電介質(zhì)窗30a上設(shè)置有比RF天線(xiàn)31a徑大的RF天線(xiàn)31c，在與RF天線(xiàn)31a和31c相互間對(duì)應(yīng)的電介質(zhì)窗30a 的上表面設(shè)置有由與電介質(zhì)窗30a相比透磁率不同的圓環(huán)狀或圓形的突出部102。根據(jù)本實(shí)施方式，由于與RF天線(xiàn)31a和31b對(duì)應(yīng)地將電介質(zhì)窗分割成電介質(zhì)窗 30a和30b，在分割后的電介質(zhì)窗相互間設(shè)置有與大地電位接地的金屬101，并在電介質(zhì)窗 30a上設(shè)置有比RF天線(xiàn)31a徑大的RF天線(xiàn)31c，在與RF天線(xiàn)31a和31c對(duì)應(yīng)的電介質(zhì)窗 30a的上表面設(shè)置有與電介質(zhì)窗30a相比透磁率不同的圓環(huán)狀或圓形的突出部102，所以通過(guò)與大地電位接地的金屬101的消除渦電流的作用，和透磁率不同的突出部102的分割磁力線(xiàn)的作用的協(xié)同作用，能夠形成分別與RF天線(xiàn)31a 31c —一對(duì)應(yīng)的等離子體103。另外，由于能夠與RF天線(xiàn)31a 31c對(duì)應(yīng)地在在腔室11內(nèi)的任意位置形成等離子體103，所以等離子體控制性提高。圖12是表示本發(fā)明的第九實(shí)施方式的等離子體處理裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。在圖12中，該等離子體處理裝置110組合了第三實(shí)施方式的特征部分和第二實(shí)施方式的特征部分，在RF天線(xiàn)31a和31b相互間設(shè)置有由與電介質(zhì)窗30相比透磁率不同的部件構(gòu)成的圓環(huán)狀或圓形的突出部111，并在與RF天線(xiàn)31a和RF天線(xiàn)31b對(duì)應(yīng)的電介質(zhì)窗30的下表面設(shè)置有凹部112，使該部分的厚度比其以外的部分的厚度薄。根據(jù)本實(shí)施方式，由于在與RF天線(xiàn)31a和31b相互間對(duì)應(yīng)的電介質(zhì)窗30的上表面設(shè)置有與電介質(zhì)窗30相比透磁率不同的圓環(huán)狀或圓形的突出部111，并在與RF天線(xiàn)31a 和RF天線(xiàn)31b對(duì)應(yīng)的電介質(zhì)窗30的下表面設(shè)置有凹部112，使該部分的厚度比其以外的部分的厚度薄，所以通過(guò)透磁率不同的突出部111的分割磁力線(xiàn)的作用，和使電介質(zhì)窗30 變薄從而利用比合成磁場(chǎng)強(qiáng)的感應(yīng)磁場(chǎng)在RF天線(xiàn)的正下方產(chǎn)生等離子體的作用的協(xié)同作用，能夠分別與RF天線(xiàn)31a和31b對(duì)應(yīng)地生成等離子體113。圖13是表示本發(fā)明的第十實(shí)施方式的等離子體處理裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。在圖13中，該等離子體處理裝置120組合了第二實(shí)施方式的特征部分和第一實(shí)施方式的特征部分，在與RF天線(xiàn)31a和31b相互間對(duì)應(yīng)的電介質(zhì)窗30的下表面設(shè)置有由電介質(zhì)形成的圓環(huán)狀或圓形的突出部121，并在與RF天線(xiàn)31a和RF天線(xiàn)31b對(duì)應(yīng)的電介質(zhì)窗 30的下表面設(shè)置有凹部122，使該部分的厚度比其以外的部分的厚度薄。根據(jù)本實(shí)施方式，由于在與RF天線(xiàn)31a和31b相互間對(duì)應(yīng)的電介質(zhì)窗30的下表面設(shè)置有由電介質(zhì)形成的圓環(huán)狀或圓形的突出部121，且在與RF天線(xiàn)31a和RF天線(xiàn)31b對(duì)應(yīng)的電介質(zhì)窗30的下表面設(shè)置有凹部122，使該部分的厚度比其以外的部分的厚度薄，所以通過(guò)由電介質(zhì)形成的突出部121的使等離子體在合成磁場(chǎng)的產(chǎn)生位置物理性地不存在的作用，和使與RF天線(xiàn)對(duì)應(yīng)的電介質(zhì)窗30變薄從而利用比合成磁場(chǎng)強(qiáng)的感應(yīng)磁場(chǎng)在RF天線(xiàn)的正下方產(chǎn)生等離子體的作用的協(xié)同作用，能夠形成分別與RF天線(xiàn)31a和31b對(duì)應(yīng)的等離子體123。另外，由此，與上述實(shí)施方式同樣地，腔室11內(nèi)的等離子體控制性提高。圖14是表示本發(fā)明的第十一實(shí)施方式的等離子體處理裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。在圖14中，該等離子體處理裝置130組合了第一實(shí)施方式的特征部分和第四實(shí)施方式的特征部分，將具有比RF天線(xiàn)31b的徑大的徑的RF天線(xiàn)31c配置在電介質(zhì)窗30的外周部的外側(cè)的腔室11內(nèi)，并在與RF天線(xiàn)31a 31c相互間對(duì)應(yīng)的電介質(zhì)窗30的下表面設(shè)置由電介質(zhì)形成的圓環(huán)狀的突出部131。根據(jù)本實(shí)施方式，通過(guò)由電介質(zhì)形成的突出部131的使等離子體在合成磁場(chǎng)的產(chǎn)生位置物理性地不存在的作用，和使RF天線(xiàn)31c離開(kāi)RF天線(xiàn)31b地配置在腔室11內(nèi)的防止合成磁場(chǎng)生成的作用的協(xié)同作用，能夠形成分別與RF天線(xiàn)31a 31c對(duì)應(yīng)的獨(dú)立的等離子體132。另外，由此，與上述實(shí)施方式同樣地，腔室11內(nèi)的等離子體控制性提高。在本實(shí)施方式中，RF天線(xiàn)3 Ib和31 c共用高頻電源33b，但各高頻電源也能夠分別獨(dú)立設(shè)置。圖15是表示本發(fā)明的第十二實(shí)施方式的等離子體處理裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。在圖15中，該等離子體處理裝置140具有第一 第五實(shí)施方式的全部的特征部分，將電介質(zhì)窗分割成腔室11的中央部的電介質(zhì)窗30a和沿內(nèi)周部附近的電介質(zhì)窗30b，在分割部分配置有與大地電位接地的金屬141，在電介質(zhì)窗30a的下表面的與RF天線(xiàn)31a和 31b相互間對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置有由電介質(zhì)形成的圓環(huán)狀或圓形的突出部142，在上表面設(shè)置有由與電介質(zhì)窗30a透過(guò)率不同的部件構(gòu)成的圓環(huán)狀或圓形的突出部143，在電介質(zhì)窗30a和電介質(zhì)窗30b的下表面的與RF天線(xiàn)31a和31b相互間對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置有凹部144，使其厚度比其以外的部分的厚度薄，且將設(shè)置在電介質(zhì)窗30b上的具有比RF天線(xiàn)31c的徑大的徑的RF天線(xiàn)31d，配置在電介質(zhì)窗30b的外周部的外側(cè)的腔室11內(nèi)。根據(jù)本實(shí)施方式，通過(guò)具有第一 第五實(shí)施方式的全部的特征部分的結(jié)構(gòu)，由這些特征結(jié)構(gòu)的協(xié)同作用，能夠正確地分別在與各RF天線(xiàn)31a 31d —一相應(yīng)的位置產(chǎn)生等離子體145，由此，與上述各實(shí)施方式同樣地，能夠提高腔室11內(nèi)的等離子體分布的控制性。在本實(shí)施方式中，在RF天線(xiàn)31a和31b以及在RF天線(xiàn)31c和31d，分別共用高頻電源33a和33b，但也能夠與各RF天線(xiàn)31a 31d對(duì)應(yīng)地分別設(shè)置單獨(dú)的高頻電源。即，高頻電力的施加方法并不做特別限定。另外，電介質(zhì)窗30的分割方法也并不做特別限定。在上述的各實(shí)施方式中，實(shí)施等離子體處理的基板不僅是液晶顯示器(LCD)用的玻璃基板，也可以是以電致發(fā)光(Electro Luminescence :EL)顯示器、等離子體顯示器面板(PDP)等為代表的FPD(Flat Panel Display 平板顯示器)所用的各種基板。
權(quán)利要求
1.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括對(duì)基板實(shí)施規(guī)定的等離子體處理的可排真空的處理室；在該處理室內(nèi)載置所述基板的基板載置臺(tái)；設(shè)置成隔著處理空間與該基板載置臺(tái)相對(duì)的電介質(zhì)窗；設(shè)置在隔著該電介質(zhì)窗與所述處理空間相鄰的空間內(nèi)的多個(gè)或多重RF天線(xiàn)；將處理氣體供給到所述處理空間的氣體供給部；和施加高頻電力到所述多個(gè)或多重高頻天線(xiàn)，通過(guò)感應(yīng)耦合在所述處理空間內(nèi)產(chǎn)生所述處理氣體的等離子體的高頻電源，該等離子體處理裝置具有感應(yīng)磁場(chǎng)合成防止機(jī)構(gòu)，該感應(yīng)磁場(chǎng)合成防止機(jī)構(gòu)防止與所述多個(gè)或多重高頻天線(xiàn)對(duì)應(yīng)地形成的感應(yīng)磁場(chǎng)的合成。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述感應(yīng)磁場(chǎng)合成防止機(jī)構(gòu)為，由在所述電介質(zhì)窗的所述處理空間側(cè)表面的與所述多個(gè)或多重高頻天線(xiàn)相互間對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置的電介質(zhì)形成的突出部。
3.如權(quán)利要求1或2所述的等離子體處理裝置，其特征在于除了所述感應(yīng)磁場(chǎng)合成防止機(jī)構(gòu)以外，所述電介質(zhì)窗的與所述多個(gè)或多重高頻天線(xiàn)對(duì)應(yīng)的部分的厚度，比所述電介質(zhì)體窗的其他部分的厚度薄。
4.如權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于除了所述感應(yīng)磁場(chǎng)合成防止機(jī)構(gòu)以外，還在所述電介質(zhì)窗的與所述多個(gè)或多重高頻天線(xiàn)相互間對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置有由與所述電介質(zhì)窗相比透磁率不同的部件構(gòu)成的突出部。
5.如權(quán)利要求4所述的等離子體處理裝置，其特征在于由與所述電介質(zhì)窗相比透磁率不同的部件構(gòu)成的突出部，設(shè)置在所述電介質(zhì)窗的所述處理空間側(cè)表面或與所述處理空間側(cè)表面相反的表面。
6.如權(quán)利要求4或5所述的等離子體處理裝置，其特征在于由與所述電介質(zhì)窗相比透磁率不同的部件構(gòu)成的突出部，其一部分埋設(shè)于所述電介質(zhì)窗。
7.如權(quán)利要求1 6中任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于除了所述感應(yīng)磁場(chǎng)合成防止機(jī)構(gòu)以外，還將所述多個(gè)或多重高頻天線(xiàn)相互間調(diào)整成具有充分的間隔，使得能夠避免與所述多個(gè)或多重的高頻天線(xiàn)對(duì)應(yīng)地生成的感應(yīng)磁場(chǎng)的合成。
8.如權(quán)利要求1 7中任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于除了所述感應(yīng)磁場(chǎng)合成防止機(jī)構(gòu)以外，進(jìn)一步還與所述多個(gè)或多重高頻天線(xiàn)對(duì)應(yīng)地分割所述電介質(zhì)窗，在分割后的電介質(zhì)窗相互間配置有與大地電位接地的導(dǎo)電體。
全文摘要
本發(fā)明提供能夠根據(jù)功率生成與RF天線(xiàn)一一對(duì)應(yīng)的等離子體，并能夠任意地控制處理室內(nèi)的等離子體分布的等離子體處理裝置。包括對(duì)基板(G)實(shí)施等離子體處理的可排真空的腔室(11)；在腔室(11)內(nèi)載置基板(G)的基座(12)；配置成隔著基座(12)與處理空間(S)相對(duì)的電介質(zhì)窗(30)；在隔著電介質(zhì)窗(30)與處理空間相鄰的空間內(nèi)設(shè)置的多個(gè)或多重RF天線(xiàn)(30a、30b)；將處理氣體供給處理空間(S)的氣體供給部(37、36)；和將高頻(RFH)施加到多個(gè)或多重RF天線(xiàn)(30a、30b)通過(guò)感應(yīng)耦合在處理空間(S)內(nèi)產(chǎn)生等離子體的高頻電源，作為感應(yīng)磁場(chǎng)合成機(jī)構(gòu)，在與多個(gè)或多重RF天線(xiàn)相互間對(duì)應(yīng)的電介質(zhì)窗的下表面設(shè)置由電介質(zhì)形成的突出部(34)。
文檔編號(hào)H01L21/00GK102378462SQ201110225828
公開(kāi)日2012年3月14日 申請(qǐng)日期2011年8月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月4日
發(fā)明者輿水地鹽 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社