專(zhuān)利名稱(chēng)：有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法，尤其涉及提高了用于結(jié)晶化的激光效率的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
有源矩陣型(Active Matrix type，簡(jiǎn)稱(chēng)為AM)有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，每個(gè)像素分別具有像素驅(qū)動(dòng)電路，該像素驅(qū)動(dòng)電路包括使用了硅的薄膜晶體管(Thin Film Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)為T(mén)FT)。用于構(gòu)成薄膜晶體管的硅有非晶硅或多晶硅。由于構(gòu)成源、柵以及溝道的半導(dǎo)體活性層為非晶硅，因此，適用于像素驅(qū)動(dòng)電路的非晶硅薄膜晶體管(amorphous silicon TFT，簡(jiǎn)稱(chēng)為a_Si TFT)具有l(wèi)cm2/Vs以下的電子遷移率。因而，最近以多晶硅薄膜晶體管(polycrystalline silicon TFT，簡(jiǎn)稱(chēng)為poly-Si TFT)替代所述非晶硅薄膜晶體管成為了趨勢(shì)。相比于非晶硅薄膜晶體管，這種多晶硅薄膜晶體管的電子遷移率大，并對(duì)光照射的穩(wěn)定性?xún)?yōu)異。從而，該多晶硅薄膜晶體管非常適合用于AM有機(jī)發(fā)光顯示裝置的驅(qū)動(dòng)和/或開(kāi)關(guān)薄膜晶體管的活性層?？梢砸远喾N方法制造如上所述的多晶硅，其大致可分為直接沉積多晶硅的方法和沉積非晶硅之后進(jìn)行結(jié)晶化的方法。直接沉積多晶硅的方法有熱化學(xué)汽相沉積法(Chemical Vapor D印osition，簡(jiǎn)稱(chēng)為CVD)、光照射式CVD (PhotoCVD)、HR(hydrogen radical，簡(jiǎn)稱(chēng)為HR) CVD,電子自旋共振 (electron cyclotron resonance，簡(jiǎn)稱(chēng)為 ECR) CVD、等離子體增強(qiáng)(Plasma Enhanced，簡(jiǎn)稱(chēng)為 ΡΕ) CVD、低壓(Low Pressure，簡(jiǎn)稱(chēng)為 LP) CVD 等。另外，沉積非晶硅之后進(jìn)行結(jié)晶化的方法有固相晶化(Solid Phase Crystallization，簡(jiǎn)稱(chēng)為 SPC)法、準(zhǔn)分子激光再結(jié)晶(Excimer Laser Crystallization, 簡(jiǎn)稱(chēng)為ELC)法、金屬誘發(fā)晶化(Metal Induced Crystallization，簡(jiǎn)稱(chēng)為MIC)法、金屬誘發(fā)側(cè)向晶化(Metal Induced Lateral Crystallization，簡(jiǎn)稱(chēng)為MILC)法、連續(xù)側(cè)向固化 (Sequential Lateral Solidification,簡(jiǎn)禾爾為 SLS)法等。圖1圖示了在沉積非晶硅之后將其結(jié)晶化的結(jié)晶化設(shè)備。所述結(jié)晶化設(shè)備9包括激光發(fā)生裝置91，發(fā)生激光束L ；聚焦透鏡92，聚焦從所述激光發(fā)生裝置發(fā)射出的所述激光束L ；以及縮小透鏡93，按一定的比率，縮小已通過(guò)所述聚焦透鏡92的激光束L。所述激光發(fā)生裝置91，發(fā)射出在光源中未經(jīng)加工的激光束L，通過(guò)使激光束L透過(guò)衰減器(未圖示)(attenuator)來(lái)調(diào)節(jié)能量大小，激光束L通過(guò)所述聚焦透鏡92來(lái)照射。另外，對(duì)應(yīng)于所述激光發(fā)生裝置91的位置上放置有χ-y坐標(biāo)臺(tái)94，所述χ-y坐標(biāo)臺(tái)94上固定有沉積有非晶硅層的基板。此時(shí)，為了結(jié)晶化所述基板10的所有區(qū)域，使用如下方法通過(guò)移動(dòng)所述x-y坐標(biāo)臺(tái)94，以逐漸擴(kuò)大結(jié)晶區(qū)域。下面探討使用如上所述的現(xiàn)有結(jié)晶化設(shè)備來(lái)將硅結(jié)晶化的方法。通常，在所述基板上形成作為絕緣膜的緩沖層(buffer layer)(未圖示)，在所述緩沖層的上部沉積非晶硅層之后，使用激光將其結(jié)晶化，從而形成晶化硅。通常，所述非晶硅層利用化學(xué)汽相沉積法(CVD)等而沉積于基板上。但是，利用現(xiàn)有激光束的結(jié)晶化方法對(duì)基板的全部區(qū)域進(jìn)行了結(jié)晶化，S卩，對(duì)像素區(qū)域和電路區(qū)域全部進(jìn)行了結(jié)晶化，同樣地，在像素區(qū)域中對(duì)溝道區(qū)域、存儲(chǔ)區(qū)域和發(fā)光區(qū)域全部進(jìn)行了結(jié)晶化。并且，由于激光束的光束寬度有限，因此，激光發(fā)生裝置或基板相對(duì)彼此進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)的同時(shí)，進(jìn)行結(jié)晶化。然而，隨著有機(jī)發(fā)光顯示裝置的大型化，導(dǎo)致了需結(jié)晶化的面積也逐漸擴(kuò)大，從而導(dǎo)致了在激光發(fā)生裝置中用于發(fā)生激光的維護(hù)費(fèi)隨之上升、生產(chǎn)效率隨之降低的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法，以提高用于結(jié)晶化的激光效率的同時(shí)降低維護(hù)費(fèi)。本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括薄膜晶體管，包括活性層、柵電極以及源電極和漏電極；有機(jī)發(fā)光器件，依次層疊有像素電極、中間層以及相對(duì)電極，所述像素電極與所述薄膜晶體管電連接，所述中間層包括發(fā)光層；儲(chǔ)能電容器，包括電容器第一電極以及電容器第二電極，所述電容器第一電極形成于與所述活性層相同的層上，介于所述電容器第二電極與所述電容器第一電極之間具有第一絕緣層，所述電容器第二電極與所述電容器第一電極相對(duì)地形成；以及連接電極，電連接所述活性層和所述電容器第一電極。在本發(fā)明中，可以以多晶硅形成所述活性層，可以以非晶硅形成所述電容器第一電極。在本發(fā)明中，所述連接電極可以以與所述柵電極相同的物質(zhì)形成于相同的層上。其中，所述第一絕緣層形成為覆蓋所述活性層和所述電容器第一電極；在所述第一絕緣層中，對(duì)應(yīng)于所述活性層以及所述電容器第一電極的各個(gè)區(qū)域形成有預(yù)定的接觸孔，通過(guò)所述接觸孔，所述連接電極可以電連接所述活性層和所述電容器第一電極。在本發(fā)明中，所述連接電極可以以與所述源電極和漏電極相同的物質(zhì)形成于相同的層上。其中，還包括第二絕緣層；所述第一絕緣層以及所述第二絕緣層形成為覆蓋所述活性層和所述電容器第一電極；在所述第一絕緣層以及所述第二絕緣層中，對(duì)應(yīng)于所述活性層以及所述電容器第一電極的各個(gè)區(qū)域形成有預(yù)定的接觸孔，通過(guò)所述接觸孔，所述連接電極可以電連接所述活性層和所述電容器第一電極。關(guān)于另一方面的本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括活性層以及電容器第一電極，所述活性層形成于基板上，在形成有所述活性層的相同的層上間隔預(yù)定距離形成有所述電容器第一電極；第一絕緣層，覆蓋所述活性層以及所述電容器第一電極；柵電極以及連接電極，所述柵電極形成于所述第一絕緣層上，所述連接電極以與所述柵電極相同的物質(zhì)間隔預(yù)定距離形成于相同的層上，從而電連接所述活性層以及所述電容器第一電極；第二絕緣層，以覆蓋所述柵電極以及所述連接電極；源電極和漏電極以及電容器第二電極，所述源電極和漏電極形成于所述第二絕緣層上，所述電容器第二電極以與源電極和漏電極相同的物質(zhì)間隔預(yù)定距離形成于相同的層上；以及有機(jī)發(fā)光器件，依次層疊有像素電極、中間層以及相對(duì)電極，所述像素電極與所述源電極或漏電極電連接，所述中間層包括發(fā)光層。在本發(fā)明中，可以以多晶硅形成所述活性層，可以以非晶硅形成所述電容器第一電極。關(guān)于再另一方面的本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括活性層以及電容器第一電極，所述活性層形成于基板上，在形成有所述活性層的相同的層上間隔預(yù)定距離形成有所述電容器第一電極；第一絕緣層，覆蓋所述活性層以及所述電容器第一電極；柵電極以及電容器第二電極，所述柵電極形成于所述第一絕緣層上，所述電容器第二電極以與柵電極相同的物質(zhì)間隔預(yù)定距離形成于相同的層上；第二絕緣層，覆蓋所述柵電極以及所述電容器第二電極；源電極和漏電極以及連接電極，所述源電極和漏電極形成于所述第二絕緣層上，所述連接電極以與所述源電極和漏電極相同的物質(zhì)形成于相同的層上，以電連接所述活性層以及所述電容器第一電極；以及有機(jī)發(fā)光器件，依次層疊有像素電極、中間層以及相對(duì)電極，所述像素電極與所述源電極或漏電極電連接，所述中間層包括發(fā)光層。在本發(fā)明中，可以以多晶硅形成所述活性層，可以以非晶硅形成所述電容器第一電極。關(guān)于再另一方面的本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的特征在于，包括像素區(qū)域，所述像素區(qū)域形成有多個(gè)像素，所述像素包括薄膜晶體管；有機(jī)發(fā)光器件，電連接至所述薄膜晶體管；以及儲(chǔ)能電容器，與所述薄膜晶體管間隔預(yù)定距離，并電連接至所述薄膜晶體管；電路區(qū)域，形成為圍繞所述像素區(qū)域，將電源以及電信號(hào)供給至所述像素區(qū)域；以及以多晶硅形成所述電路區(qū)域的半導(dǎo)體層，以多晶硅和非晶硅交替來(lái)形成所述像素區(qū)域的半導(dǎo)體層。在本發(fā)明中，可以以多晶硅形成所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體層，可以以非晶形成所述儲(chǔ)能電容器的半導(dǎo)體層。在本發(fā)明中，形成于所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體層和形成于所述儲(chǔ)能電容器的半導(dǎo)體層可以相互電連接。關(guān)于再另一方面的本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，包括在基板上沉積半導(dǎo)體層的步驟；進(jìn)行選擇性結(jié)晶化的步驟，只將部分所述半導(dǎo)體層結(jié)晶化；將所述半導(dǎo)體層圖案化，以形成活性層以及電容器第一電極的步驟；形成具有接觸孔的第一絕緣層的步驟，所述接觸孔分別露出部分所述活性層以及部分所述電容器第一電極；分別形成連接電極和柵電極的步驟，所述連接電極分別與所述活性層以及所述電容器第一電極的露出的部分接觸；形成具有接觸孔的第二絕緣層的步驟，所述接觸孔露出所述活性層兩端部的部分；以及分別形成源電極和漏電極以及電容器第二電極的步驟，所述源電極和漏電極與所述活性層的露出的兩側(cè)接觸。在本發(fā)明中，進(jìn)行只將部分所述半導(dǎo)體層結(jié)晶化的選擇性結(jié)晶化的步驟是可以只結(jié)晶化將會(huì)形成為所述活性層的區(qū)域。在本發(fā)明中，進(jìn)行只將部分所述半導(dǎo)體層結(jié)晶化的選擇性結(jié)晶化的步驟是激光發(fā)生裝置對(duì)所述基板作相對(duì)移動(dòng)時(shí)進(jìn)行結(jié)晶化的期間，只有當(dāng)所述激光發(fā)生裝置通過(guò)將會(huì)形成為所述活性層的區(qū)域時(shí)，才可以開(kāi)啟所述激光發(fā)生裝置。關(guān)于再另一方面的本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，包括在基板上沉積半導(dǎo)體層的步驟；進(jìn)行只將部分所述半導(dǎo)體層結(jié)晶化的選擇性結(jié)晶化的步驟；將所述半導(dǎo)體層圖案化，以形成活性層以及電容器第一電極的步驟；在所述活性層以及所述電容器第一電極上形成第一絕緣層，在所述第一絕緣層上分別形成柵電極以及電容器第二電極的步驟；在所述柵電極以及所述電容器第二電極上形成第二絕緣層的步驟；將所述第一絕緣層以及所述第二絕緣層圖案化，以形成第一接觸孔和第二接觸孔的步驟，所述第一接觸孔露出所述活性層兩端部的部分，所述第二接觸孔分別露出部分所述活性層以及部分所述電容器第一電極；分別形成源電極和漏電極和連接電極的步驟，所述源電極和漏電極與所述活性層的露出的兩側(cè)接觸，所述連接電極分別與所述活性層以及所述電容器第一電極的露出的區(qū)域接觸。在本發(fā)明中，進(jìn)行只將部分所述半導(dǎo)體層結(jié)晶化的選擇性結(jié)晶化的步驟可以只結(jié)晶化將會(huì)形成為所述活性層的區(qū)域。在本發(fā)明中，進(jìn)行只將部分所述半導(dǎo)體層結(jié)晶化的選擇性結(jié)晶化的步驟是激光發(fā)生裝置對(duì)所述基板作相對(duì)移動(dòng)時(shí)進(jìn)行結(jié)晶化的期間，只有當(dāng)所述激光發(fā)生裝置通過(guò)將會(huì)形成為所述活性層的區(qū)域時(shí)，才可以開(kāi)啟所述激光發(fā)生裝置。關(guān)于再另一方面的本發(fā)明提供一種包括像素區(qū)域以及電路區(qū)域的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，特征在于結(jié)晶化形成于所述電路區(qū)域的半導(dǎo)體層時(shí)，維持激光發(fā)生裝置的開(kāi)啟狀態(tài)下進(jìn)行結(jié)晶化；結(jié)晶化形成于所述像素區(qū)域的半導(dǎo)體層時(shí)，周期性地開(kāi)啟以及關(guān)閉激光發(fā)生裝置，以進(jìn)行結(jié)晶化。根據(jù)如上述的本發(fā)明，能夠達(dá)到提高用于結(jié)晶化的激光效率的同時(shí)降低維護(hù)費(fèi)的效果。


圖1是在沉積非晶硅之后將其結(jié)晶化的結(jié)晶化設(shè)備的簡(jiǎn)要示意圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的簡(jiǎn)要平面圖；圖3是由激光發(fā)生裝置照射的激光束將基板結(jié)晶化的工序的一實(shí)施例示意圖；圖4是由激光發(fā)生裝置照射的激光束將基板結(jié)晶化的工序的另一實(shí)施例示意圖；圖5是構(gòu)成圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的一個(gè)像素的一實(shí)施例平面圖；圖6是構(gòu)成圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的一個(gè)像素的另一實(shí)施例平面圖；圖7是構(gòu)成圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的一個(gè)像素的一實(shí)施例截面圖；圖8是將多晶硅作為存儲(chǔ)區(qū)域的電容器電極來(lái)使用時(shí)根據(jù)電壓變化的電容 (capacitance)值的圖表；圖9是將非晶硅作為存儲(chǔ)區(qū)域的電容器電極來(lái)使用并將存儲(chǔ)區(qū)域的電容器電極和溝道區(qū)域的活性層電連接時(shí)根據(jù)電壓變化的電容(capacitance)值的圖表；圖10至圖20是制造如圖7所示的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的工序的簡(jiǎn)要截面圖；圖21是構(gòu)成圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的另一實(shí)施例截面圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明2:溝道區(qū)域； 214:柵電極； 3:存儲(chǔ)區(qū)域； 314:連接電極; 4:發(fā)光區(qū)域； 420:中間層；
1:有機(jī)發(fā)光顯示裝置； 211:活性層；
216a/216b:源電極/漏電極； 311:電容器第一電極； 316:電容器第二電極； 418:像素電極； 421:相對(duì)電極；
具體實(shí)施例方式下面參考附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明以使本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能夠簡(jiǎn)單地實(shí)施。本發(fā)明并不局限于在此所述的實(shí)施例，而是能夠以多種不同的形態(tài)實(shí)現(xiàn)。圖2是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的簡(jiǎn)要平面圖。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置1包括第一基板10，包括TFT(thin film transistor)以及發(fā)光像素等；以及第二基板(未圖示)，通過(guò)密封(sealing)與所述第一基板10接合。第一基板10上可形成有薄膜晶體管(TFT)、有機(jī)發(fā)光器件(EL)、儲(chǔ)能電容器(Cst) 等。并且，第一基板10可以為L(zhǎng)TPS(crystalline silicon)基板、玻璃基板、塑料基板、不銹鋼 Stainless Using Steel :SUS)基板等。第二基板(未圖示)可以是設(shè)置在第一基板10上的封裝基板，用于將形成于第一基板的TFT以及發(fā)光像素等與外部水分、空氣等隔離。第二基板(未圖示)與第一基板10 相對(duì)設(shè)置，第一基板10和第二基板(未圖示)通過(guò)沿其邊緣設(shè)置的密封部件12相互接合。 第二基板(未圖示)可以是透明材質(zhì)的玻璃基板或塑料基板。第一基板10包括像素區(qū)域PA，射出光；和電路區(qū)域CA，位于該像素區(qū)域PA的外圍。根據(jù)本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施例，像素區(qū)域PA外側(cè)的電路區(qū)域CA設(shè)置有密封部件12，從而接合第一基板10和第二基板(未圖示)。如上所述，第一基板10的像素區(qū)域PA形成有有機(jī)發(fā)光器件EL ；薄膜晶體管TFT， 驅(qū)動(dòng)所述有機(jī)發(fā)光器件EL ；以及排線，與它們電連接。并且，電路區(qū)域CA可以包括從像素區(qū)域PA的排線延伸而成的焊盤(pán)電極PE (pad electrode)。其中，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置1，一方面，對(duì)電路區(qū)域CA的半導(dǎo)體層進(jìn)行完全結(jié)晶化(fully crystallization)，另一方面，對(duì)像素區(qū)域PA的半導(dǎo)體層進(jìn)
(selectively crystallization) 0具體來(lái)說(shuō)，現(xiàn)有的使用激光束的結(jié)晶化是將基板的全部區(qū)域結(jié)晶化，S卩，將像素區(qū)域和電路區(qū)域都結(jié)晶化，在像素區(qū)還對(duì)溝道區(qū)、存儲(chǔ)區(qū)和發(fā)光區(qū)都進(jìn)行了結(jié)晶化。然而，隨著有機(jī)發(fā)光顯示裝置的大型化，導(dǎo)致了需結(jié)晶化的面積也逐漸擴(kuò)大，從而導(dǎo)致了在激光發(fā)生裝置中發(fā)生激光的維護(hù)費(fèi)隨之上升、生產(chǎn)效率隨之降低的問(wèn)題。為了解決這種問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置1是對(duì)于整體都要求高電子遷移率的電路區(qū)域CA，均進(jìn)行結(jié)晶化；相反，對(duì)于只有特定部位部分要求高電子遷移率的像素區(qū)域PA，例如薄膜晶體管(TFT)，選擇性地只對(duì)該部分進(jìn)行結(jié)晶化。并且，這種完全結(jié)晶化(fully crystallization)或選擇性結(jié)晶化(selectively crystallization)能夠通過(guò)控制激光的開(kāi)啟(ON)/關(guān)閉(OFF)來(lái)進(jìn)行。即，將需要完全結(jié)晶化的電路區(qū)域CA結(jié)晶化時(shí)，在維持激光發(fā)生裝置的開(kāi)啟(ON)狀態(tài)下，基板或激光發(fā)生裝置相對(duì)于對(duì)方進(jìn)行移動(dòng)，從而進(jìn)行結(jié)晶化。相反，將需要選擇性結(jié)晶化的像素區(qū)域PA結(jié)晶化時(shí)，在維持激光發(fā)生裝置的關(guān)閉(OFF)狀態(tài)下，基板或激光發(fā)生裝置相對(duì)于對(duì)方進(jìn)行移動(dòng)的過(guò)程中，當(dāng)通過(guò)需要結(jié)晶化的部分時(shí)，例如，薄膜晶體管(TFT)部分時(shí)，開(kāi)啟(ON)激光發(fā)生裝置，從而進(jìn)行結(jié)晶化。S卩，如圖3a至圖3c所示，基板10相對(duì)激光發(fā)生裝置(未圖示)移動(dòng)的過(guò)程中，當(dāng)基板10的電路區(qū)域CA通過(guò)從激光發(fā)生裝置照射的激光束L時(shí)，在維持激光發(fā)生裝置的開(kāi)啟(ON)狀態(tài)下，基板移動(dòng)，從而進(jìn)行結(jié)晶化。另外，當(dāng)基板10的像素區(qū)域PA通過(guò)從激光發(fā)生裝置照射的激光束L時(shí)，在維持激光發(fā)生裝置的關(guān)閉(OFF)狀態(tài)下，基板向箭頭方向移動(dòng)的過(guò)程中，當(dāng)通過(guò)需結(jié)晶化的部分時(shí)，例如，薄膜晶體管(TFT)部分時(shí)，開(kāi)啟(ON)激光發(fā)生裝置，從而進(jìn)行結(jié)晶化。如上所述，通過(guò)區(qū)分像素區(qū)域PA和電路區(qū)域CA的結(jié)晶化方法，從而在電路區(qū)域 CA進(jìn)行完全結(jié)晶化(fully crystallization)，相反，在像素區(qū)域PA進(jìn)行選擇性結(jié)晶化 (selectively crystallization)，從而能夠達(dá)到激光發(fā)生裝置效率最大、降低維護(hù)費(fèi)的同時(shí)提高生產(chǎn)效率的效果。圖4是由激光發(fā)生裝置照射的激光束將基板結(jié)晶化的工序的另一實(shí)施例示意圖。 如圖4所示，隨著有機(jī)發(fā)光顯示裝置的大型化，在一個(gè)母體玻璃(mother glass)上還可以形成多個(gè)面板(即，有機(jī)發(fā)光顯示裝置)。此時(shí)，如圖4所示，當(dāng)面板設(shè)置成兩列時(shí)，能夠按以下結(jié)構(gòu)形成相對(duì)于基板的移動(dòng)方向，相鄰面板的電路區(qū)域CA可以鄰近設(shè)置。S卩，對(duì)于相鄰的兩個(gè)面板來(lái)講，為了進(jìn)行完全結(jié)晶化，維持開(kāi)啟(ON)狀態(tài)，并將電路區(qū)域CA連續(xù)地相鄰設(shè)置而成，從而，對(duì)相鄰的兩個(gè)面板可以只進(jìn)行一次完全結(jié)晶化。下面對(duì)有機(jī)發(fā)光顯示裝置1的像素區(qū)域PA的一像素的構(gòu)成進(jìn)行說(shuō)明，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置1為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。圖5是構(gòu)成圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的一個(gè)像素的一實(shí)施例平面圖，圖6是構(gòu)成圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的一個(gè)像素的另一實(shí)施例平面圖。如圖5以及圖6所示，本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置1的一像素包括溝道區(qū)域2、 存儲(chǔ)區(qū)域3以及發(fā)光區(qū)域4。其中，圖5圖示了溝道區(qū)域2、存儲(chǔ)區(qū)域3以及發(fā)光區(qū)域4沿一個(gè)方向整齊地排列而成的像素的構(gòu)成；圖6圖示了如下的像素構(gòu)成存儲(chǔ)區(qū)域3和發(fā)光區(qū)域4沿長(zhǎng)度方向相鄰而成，其一側(cè)形成有溝道區(qū)域2，所述溝道區(qū)域2形成為與存儲(chǔ)區(qū)域3、發(fā)光區(qū)域4分別相鄰。此時(shí)，如圖5以及圖6所示，即使在一個(gè)像素內(nèi)，要求高電子遷移率的區(qū)域只有溝道區(qū)域2和存儲(chǔ)區(qū)域3，占一像素整體面積的一半以上的發(fā)光區(qū)域4并不要求高電子遷移率。從而，只有溝道區(qū)域2和存儲(chǔ)區(qū)域3才需要結(jié)晶化。然而，存儲(chǔ)區(qū)域3亦占大面積，達(dá)到了幾乎與溝道區(qū)域2的面積相同的程度，因此，如果研究不對(duì)存儲(chǔ)區(qū)域3進(jìn)行結(jié)晶化而是將非晶硅當(dāng)作存儲(chǔ)區(qū)域3的電極來(lái)使用的方案，則只將占一像素整體面積的一部分的溝道區(qū)域2結(jié)晶化即可，因此，能夠減少激光維護(hù)費(fèi)的同時(shí)提高激光使用效率。為此，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置1，只將形成于溝道區(qū)域2的半導(dǎo)體層選擇性地結(jié)晶化，從而形成多晶硅狀態(tài)的活性層，形成于存儲(chǔ)區(qū)域3的半導(dǎo)體層形成了未進(jìn)行結(jié)晶化的非晶硅狀態(tài)的電容器第一電極。并且，在覆蓋所述活性層和電容器第一電極的絕緣層上形成接觸孔，通過(guò)所述接觸孔，將所述活性層和電容器第一電極電連接，從而使電容器第一電極能夠起到電極功能。下面對(duì)其進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。圖7是構(gòu)成圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的一個(gè)像素的一實(shí)施例截面圖。如圖7所示，本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置1的一像素包括溝道區(qū)域2、存儲(chǔ)區(qū)域3 以及發(fā)光區(qū)域4。溝道區(qū)域2具有作為驅(qū)動(dòng)器件的薄膜晶體管TFT。薄膜晶體管TFT以活性層211、 柵電極214以及源電極216a和漏電極216b構(gòu)成。第一絕緣層13介于所述柵電極214和活性層211之間，用于實(shí)現(xiàn)所述柵電極214和活性層211之間的絕緣。并且，所述活性層211 的兩側(cè)邊緣形成有注入高濃度不純物的源區(qū)域和漏區(qū)域，所述源區(qū)域和漏區(qū)域分別連接至所述源電極216a和漏電極216b。存儲(chǔ)區(qū)域3具有儲(chǔ)能電容器Cst。儲(chǔ)能電容器Cst以電容器第一電極311以及電容器第二電極316形成，第一絕緣層13介于所述電容器第一電極311以及所述電容器第二電極316之間。其中，所述電容器第一電極311能夠以與所述薄膜晶體管TFT的活性層211 相同的物質(zhì)形成于相同的層上。另外，所述電容器第二電極316能夠以與所述薄膜晶體管 TFT的源電極216a和漏電極216b相同的物質(zhì)形成于相同的層上。其中，溝道區(qū)域2的活性層211以多晶硅形成；相反，形成于與活性層211相同層的存儲(chǔ)區(qū)域3的電容器第一電極311以非晶硅形成。即，在基板10上沉積非晶硅狀態(tài)的半導(dǎo)體層之后，通過(guò)選擇性結(jié)晶化，將溝道區(qū)域2的非晶硅結(jié)晶化為多晶硅；相反，存儲(chǔ)區(qū)域3 的非晶硅未被結(jié)晶化，而是維持原狀態(tài)。另外，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置1還包括連接電極314。所述連接電極314電連接溝道區(qū)域2的活性層211和存儲(chǔ)區(qū)域3的電容器第一電極311。S卩，在第一絕緣層13上形成接觸孔(參考圖13的Hl、ffi)之后，在其上部形成連接電極314以填充所述接觸孔，從而電連接溝道區(qū)域2的活性層211和存儲(chǔ)區(qū)域3的電容器第一電極311， 所述第一絕緣層13將溝道區(qū)域2的活性層211和存儲(chǔ)區(qū)域3的電容器第一電極311覆蓋。 其中，連接電極314能夠以與溝道區(qū)域2的柵電極214相同的物質(zhì)形成于相同的層上。發(fā)光區(qū)域4具有有機(jī)發(fā)光器件EL。有機(jī)發(fā)光器件EL包括像素電極418，連接于所述薄膜晶體管TFT的源電極216a和漏電極216b中的一個(gè)；相對(duì)電極421，與像素電極418 相對(duì)而成；以及中間層420，介于像素電極418和相對(duì)電極421之間。所述像素電極418以透明的導(dǎo)電性物質(zhì)形成。圖8是將多晶硅作為存儲(chǔ)區(qū)域的電容器電極來(lái)使用時(shí)根據(jù)電壓變化的電容 (capacitance)值的圖表，圖9是將非晶硅作為存儲(chǔ)區(qū)域的電容器電極來(lái)使用并將存儲(chǔ)區(qū)域的電容器電極電連接至溝道區(qū)域的活性層時(shí)根據(jù)電壓變化的電容(capacitance)值的圖表。如圖8所示，將多晶硅當(dāng)作存儲(chǔ)區(qū)域的電容器電極來(lái)使用時(shí)，儲(chǔ)能電容器Cst的電容(capacitance)值約為Hll(F) 1. 6e_ll，另外，如圖9所示，將非晶硅當(dāng)作存儲(chǔ)區(qū)域的電容器電極來(lái)使用，并將存儲(chǔ)區(qū)域的電容器電極和溝道區(qū)域的活性層電連接時(shí)，儲(chǔ)能電容器Cst的電容(capacitance)值約為0. 6e_ll(F) 1. 6e_ll。這與圖8所圖示的電容 (capacitance)值相比略小，但是起到儲(chǔ)能電容器Cst的功能卻已充分。通過(guò)這種實(shí)驗(yàn)結(jié)果能夠了解將溝道區(qū)域的活性層和存儲(chǔ)區(qū)域的電容器第一電極電連接，從而能夠?qū)⒎蔷Ч璁?dāng)作存儲(chǔ)區(qū)域的電容器電極來(lái)使用，而無(wú)需將多晶硅當(dāng)作存儲(chǔ)區(qū)域的電容器電極來(lái)使用。下面簡(jiǎn)要說(shuō)明圖7所示的背面發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造工序。圖10至圖 20是圖7所圖示的有機(jī)發(fā)光顯示裝置制造工序的簡(jiǎn)要截面圖。首先，如圖10所示，在基板10上部沉積半導(dǎo)體層11。具體是，基板10能夠以透明材質(zhì)的玻璃材質(zhì)形成，所述玻璃材質(zhì)以S^2作為主成分。然而，基板10并不限于此，其還能夠使用透明的塑料材質(zhì)基板或金屬材質(zhì)基板等多種材質(zhì)的基板。能夠通過(guò)熱化學(xué)汽相沉積法(Chemical Vapor D印osition，簡(jiǎn)稱(chēng)為CVD)、光照射式 CVD(PhotoCVD)、HR(hydrogen radical)CVD,電子自旋共振(electron cyclotron resonance :ECR)CVD、等離子體增強(qiáng)(Plasma Enhanced,簡(jiǎn)稱(chēng)為 ΡΕ) CVD、低壓(Low ^ essure，簡(jiǎn)稱(chēng)為L(zhǎng)P)CVD等多種沉積方法沉積所述半導(dǎo)體層11。其中，半導(dǎo)體層能夠以非晶娃(amorphous silicon)層形成。另外，在基板10上沉積半導(dǎo)體層11之前，在基板10上面可以設(shè)有如阻擋層和/或緩沖層等絕緣層(未圖示)，所述絕緣層用于防止雜質(zhì)離子擴(kuò)散、防止水分或外部氣體滲透、并平坦化表面。使用S^2和/或SiNx等，通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積 (plasma enhanced chemical vapor exposition，簡(jiǎn)稱(chēng)為 PECVD)法、常壓化學(xué)汽相沉積 (atmospheric pressure CVD，簡(jiǎn)稱(chēng)為 APCVD)法、低壓化學(xué)汽相沉積(low pressure CVD，簡(jiǎn)稱(chēng)為L(zhǎng)PCVD)法等多種沉積方法沉積所述絕緣層(未圖示)。然后，如圖11所示，相對(duì)于基板10移動(dòng)激光發(fā)生裝置91或相對(duì)于激光發(fā)生裝置 91移動(dòng)基板10時(shí)，只將預(yù)定區(qū)域Ila結(jié)晶化，所述預(yù)定區(qū)域Ila在半導(dǎo)體層11中將會(huì)成為溝道區(qū)域(參考圖7的2)的活性層(參考圖7的211)。如上所述的選擇性結(jié)晶化為在維持激光發(fā)生裝置91的關(guān)閉(OFF)狀態(tài)下，基板或激光發(fā)生裝置相對(duì)對(duì)方移動(dòng)的過(guò)程中，只有當(dāng)通過(guò)需要結(jié)晶化的預(yù)定區(qū)域Ila時(shí)，才開(kāi)啟(ON)激光發(fā)生裝置，從而進(jìn)行結(jié)晶化。圖 11中只圖示了在一個(gè)像素內(nèi)的激光束的波形，然而，當(dāng)激光發(fā)生裝置91移動(dòng)并通過(guò)各個(gè)像素時(shí)，將會(huì)重復(fù)產(chǎn)生圖11所示的激光束的波形。其中，半導(dǎo)體層11能夠通過(guò)快速熱退火(rapid thermal annealing :RTA)法、 固相晶化(solid phase crystallization，簡(jiǎn)稱(chēng)為SPC)法、準(zhǔn)分子激光熱處理(excimer laser annealing, 1 !^ ELA)胃晶ftii (metal induced crystallization, M 稱(chēng)為MIC)法、金屬誘發(fā)側(cè)向晶化法(metal induced lateral crystallization，簡(jiǎn)稱(chēng)為 MILC)法、連續(xù)側(cè)向固化法(sequential lateral solidification，簡(jiǎn)稱(chēng)為SLS)法等多種方法，從而結(jié)晶化為多晶硅(polycrystalline silicon)。然后，如圖12所示，將半導(dǎo)體層11圖案化，以形成薄膜晶體管TFT的活性層211 和儲(chǔ)能電容器Cst的電容器第一電極311。即，通過(guò)使用第一掩模(mask)(未圖示)的掩模工序，半導(dǎo)體層11被圖案化為薄膜晶體管TFT的活性層211以及電容器Cst的電容器第一電極311。其中，薄膜晶體管TFT的活性層211為多晶硅，電容器Cst的電容器第一電極311為非晶硅。雖然在本實(shí)施例中，活性層211和電容器第一電極311分離形成，但是，活性層211和電容器第一電極311還能夠形成為一體。然后，圖13所示，在形成有活性層211和電容器第一電極311的基板10的全面沉積第一絕緣層13之后，形成預(yù)定的接觸孔Hl和接觸孔H2。其中，能夠以SiNx或SiOx等無(wú)機(jī)絕緣膜通過(guò)PECVD法、APCVD法、LPCVD法等方法沉積來(lái)形成第一絕緣層13。所述第一絕緣層13介于薄膜晶體管TFT的活性層211和柵電極(參考圖7的214)之間，起到薄膜晶體管TFT的柵絕緣膜功能；介于電容器第二電極 (參考圖7的316)和電容器第一電極311之間，起到電容器Cst的電介質(zhì)層功能。并且，這種第一絕緣層13通過(guò)掩模工序被圖案化，從而形成接觸孔Hl和接觸孔 H2，所述掩模工序使用第二掩模(未圖示)。其中，接觸孔Hl露出部分活性層211，接觸孔 H2露出部分電容器第一電極311。然后，如圖14所示，在第一絕緣層13上部沉積第一導(dǎo)電層14。其中，第一導(dǎo)電層14能夠包括選自ΙΤ0、IZO、ZnO或^i2O3等透明物質(zhì)中的一個(gè)以上的物質(zhì)?；蛘撸谝粚?dǎo)電層14能夠包括選自Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、 Ca、Mo、Ti、W、MoW、Al/Cu的一個(gè)以上的物質(zhì)。并且，能夠?qū)⑺龅谝粚?dǎo)電層14沉積成充分的厚度，所述厚度為能夠填充所述接觸孔Hl和接觸孔H2的程度的厚度。然后，如圖15所示，將第一導(dǎo)電層14圖案化，從而形成薄膜晶體管TFT的柵電極 214以及連接電極314。即，第一導(dǎo)電層14通過(guò)掩模工序被圖案化成薄膜晶體管TFT的柵電極214以及連接電極314，所述掩模工序使用了第三掩模(未圖示)。通過(guò)如上所述的連接電極314，能夠電連接活性層211和電容器第一電極311，并通過(guò)此，以非晶硅形成的電容器第一電極311能夠起到電極功能。然后，如圖16所示，在形成有第一絕緣層13、柵電極214以及連接電極314的基板 10的全面沉積第二絕緣層15之后，形成預(yù)定的接觸孔H3和接觸孔H4。以選自聚酰亞胺(polyimide)、聚酰胺(polyamide)、丙烯酸樹(shù)脂(acrylic resin)、苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene)以及酚樹(shù)月旨(phenol resin)的一個(gè)以上有機(jī)絕緣物質(zhì)，通過(guò)旋涂等方式形成所述第二絕緣層15。以充分的厚度形成第二絕緣層15，例如， 第二絕緣層15形成為相比于所述第一絕緣層13還厚，從而起到薄膜晶體管的柵電極214 和源電極和漏電極(參考圖7的216a/216b)之間的層間絕緣膜功能。另外，第二絕緣層15 不僅能夠以如上所述的有機(jī)絕緣物質(zhì)形成，還能夠以如上所述的與第一絕緣層等相同的無(wú)機(jī)絕緣物質(zhì)形成，而且，還能夠?qū)⒂袡C(jī)絕緣物質(zhì)和無(wú)機(jī)絕緣物質(zhì)交替來(lái)形成所述第二絕緣層15。并且，如上所述的第二絕緣層15通過(guò)掩模工序被圖案化，從而形成接觸孔H3和 H4，所述掩模工序使用了第四掩模(未圖示)。其中，接觸孔H3和接觸孔H4露出活性層211 的兩端部的部分源區(qū)域和漏區(qū)域。然后，如圖17所示，在基板10全面沉積第二導(dǎo)電層16以覆蓋所述層間絕緣膜，即第二絕緣層15。所述第二導(dǎo)電層16能夠從與所述第一導(dǎo)電層14相同的導(dǎo)電物質(zhì)中選擇，但并不限于此，而是能夠以多種導(dǎo)電物質(zhì)形成所述第二導(dǎo)電層16。并且，能夠?qū)⑺鰧?dǎo)電物質(zhì)沉積成充分的厚度，所述厚度能夠填充所述接觸孔H3和所述接觸孔H4。
然后，如圖18所示，將第二導(dǎo)電層(參考圖17的16)圖案化，以分別形成源電極 216a和漏電極21 以及電容器第二電極316。具體是，通過(guò)掩模工序，將第二導(dǎo)電層(參考圖17的16)圖案化，以形成源電極 216a和漏電極216b以及電容器第二電極316，所述掩模工序使用了第五掩模(未圖示)。從而，在相同的層中以相同的物質(zhì)形成源電極216a和漏電極216b以及電容器第二電極316。然后，如圖19所示，在形成有第二絕緣層15、源電極216a和漏電極216b以及電容器第二電極316的基板10的全面沉積第三絕緣層17之后，形成預(yù)定的接觸孔H5。其中，能夠?qū)⑷鏢iNx或SiOx等無(wú)機(jī)絕緣膜以PECVD法、APCVD法、LPCVD法等方法沉積第三絕緣層17。所述第三絕緣層17起到鈍化層的功能。并且，如上所述的第三絕緣層17通過(guò)掩模工序被圖案化，以形成接觸孔H5，所述掩模工序使用第六掩模(未圖示)。其中，接觸孔H5露出部分源電極216a或漏電極216b。然后，如圖20所示，在基板10全面沉積第三導(dǎo)電層(未圖示)以覆蓋所述第三絕緣層17，然后將其圖案化，以形成像素電極418。然后，如圖7所示，形成像素限定層(pixel define layer，簡(jiǎn)稱(chēng)為PDL) 19以覆蓋像素電極418的兩端部，然后在被像素限定層19定義的發(fā)光區(qū)域中形成中間層420以及相對(duì)電極421，所述中間層420包括有機(jī)發(fā)光層。中間層420，可以由有機(jī)發(fā)光層(emissive layer，簡(jiǎn)稱(chēng)為EML)，以及選自空穴傳輸層(hole transport layer，簡(jiǎn)稱(chēng)為 HTL)、空穴注入層(hole injection layer，簡(jiǎn)稱(chēng)為 HIL)、電子傳輸層(electron transport layer，簡(jiǎn)稱(chēng)為ETL)以及電子注入層(electron injection layer，簡(jiǎn)稱(chēng)為EIL)等功能層的至少一個(gè)的單一結(jié)構(gòu)或組合結(jié)構(gòu)，層疊而成。所述中間層420能夠具有低分子有機(jī)物或高分子有機(jī)物。以低分子有機(jī)物形成中間層420時(shí)，中間層420層疊為下述結(jié)構(gòu)以有機(jī)發(fā)光層為中心，向像素電極418的方向?qū)盈B空穴傳輸層以及空穴注入層等；向相對(duì)電極421方向?qū)盈B電子傳輸層以及電子注入層等。另外，根據(jù)需求，還能層疊多種層。此時(shí)，可使用的有機(jī)材料包括但不限于酞菁銅(CuPc :copper phthalocyanine)、N，N，-二(萘基)-N， N' - 二苯基-聯(lián)苯胺(N，N，-Di(naphthalene-l-yl)-N，N' -diphenyl-benzidine :NPB)、 三-8-輕基喹啉招(tris-8-hydroxyquinoline aluminum) (Alq3)等。另外，以高分子有機(jī)物形成中間層420時(shí)，中間層420以有機(jī)發(fā)光層為中心，向像素電極418的方向只包括空穴傳輸層。空穴傳輸層能夠使用聚_(2，4)-乙烯-二羥基噻吩 (PED0T :poly-(2,4)-ethylene-dihydroxy thiophene)或聚苯胺(PANI :polyaniline)等， 通過(guò)噴墨圖案化方法或旋涂方法，形成于像素電極418的上部。此時(shí)，可以使用的有機(jī)材料有聚亞苯基乙烯(Poly-Phenylenevinylene =PPV)系列以及聚芴(Polyfluorene)系列等高分子有機(jī)物；能夠通過(guò)噴墨圖案化、旋涂或者使用激光的熱轉(zhuǎn)移方式等通常方法來(lái)形成彩色圖案。所述相對(duì)電極421可通過(guò)在整個(gè)基板10上沉積，從而形成為公共電極。根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，將像素電極418當(dāng)作陽(yáng)電極來(lái)使用，將相對(duì)電極421當(dāng)作陰電極來(lái)使用。無(wú)疑，還可將電極的極性顛倒過(guò)來(lái)使用。有機(jī)發(fā)光顯示裝置為在基板10的方向上顯示影像的背面發(fā)光型(bottom emission type)時(shí)，像素電極418成為透明電極，相對(duì)電極421成為反射電極。此時(shí)，可通過(guò)將功函數(shù)小的金屬，例如，Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al 及其化合物沉積得很薄，從而形成反射電極。圖21是構(gòu)成圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的一個(gè)像素的另一實(shí)施例截面圖。如圖21所示，根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置1'的一像素包括溝道區(qū)域2、存儲(chǔ)區(qū)域3以及發(fā)光區(qū)域4。其中，根據(jù)另一實(shí)施例的一像素與所述實(shí)施例的一像素的區(qū)別在于根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置1'的一像素中，連接電極 316’不是形成于與柵電極相同的層上，而是形成于與源電極216a和漏電極216b相同的層上。溝道區(qū)域2具有薄膜晶體管TFT，所述薄膜晶體管TFT當(dāng)作驅(qū)動(dòng)器件。薄膜晶體管 TFT以活性層211、柵電極214以及源電極216a和漏電極216b構(gòu)成。第一絕緣層13介于所述柵電極214和活性層211之間，用于絕緣所述柵電極214和所述活性層211。并且，所述活性層211兩側(cè)邊緣形成有源區(qū)域和漏區(qū)域，所述源區(qū)域和漏區(qū)域分別連接至所述源電極216a和漏電極216b，所述源區(qū)域和漏區(qū)域中注入有高濃度不純物。存儲(chǔ)區(qū)域3具有儲(chǔ)能電容器Cst。儲(chǔ)能電容器Cst以電容器第一電極311以及電容器第二電極314'構(gòu)成，第一絕緣層13介于所述電容器第一電極311以及所述電容器第二電極314'之間。其中，所述電容器第一電極311能夠以與所述薄膜晶體管TFT的活性層 211相同的物質(zhì)形成于相同的層上。并且，所述電容器第二電極314'能夠以與所述薄膜晶體管TFT的柵電極214相同的物質(zhì)形成于相同的層上。其中，以多晶硅形成溝道區(qū)域2的活性層211，相反，以非晶硅形成存儲(chǔ)區(qū)域3的電容器第一電極311，所述電容器第一電極311形成于與活性層211相同的層上。S卩，在基板 10上沉積非晶硅之后，通過(guò)選擇性結(jié)晶化，將溝道區(qū)域2的非晶硅結(jié)晶化成多晶硅，相反， 存儲(chǔ)區(qū)域3的非晶硅未被結(jié)晶化，而是維持原狀態(tài)。并且，根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置1’還包括連接電極316'，所述連接電極316'將溝道區(qū)域2的活性層211和存儲(chǔ)區(qū)域3的電容器第一電極311電連接。 即，在第一絕緣層13以及第二絕緣層15上形成接觸孔之后，在其上部形成連接電極316' 以填充所述接觸孔，從而將溝道區(qū)域2的活性層211和存儲(chǔ)區(qū)域3的電容器第一電極311 電連接，所述第一絕緣層13用于覆蓋溝道區(qū)域2的活性層211和存儲(chǔ)區(qū)域3的電容器第一電極311。其中，連接電極316'能夠以與溝道區(qū)域2的源電極216a和漏電極216b相同的物質(zhì)形成于相同的層上。發(fā)光區(qū)域4具有有機(jī)發(fā)光器件EL。有機(jī)發(fā)光器件EL以像素電極418、相對(duì)電極421 以及中間層420構(gòu)成，其中，所述像素電極418與所述薄膜晶體管TFT的源電極216a和漏電極216b中的一個(gè)連接，所述相對(duì)電極421形成為與所述像素電極418相對(duì)，所述中間層 420介于所述像素電極418與所述相對(duì)電極421之間。以透明導(dǎo)電性物質(zhì)形成所述像素電極 418。在本說(shuō)明書(shū)中，以特定的實(shí)施例為中心對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說(shuō)明，然而，在本發(fā)明所要保護(hù)的范圍內(nèi)可有多種實(shí)施例。另外，雖未進(jìn)行說(shuō)明，但是等效的方法亦可以結(jié)合于本發(fā)明中。因而，本發(fā)明所要保護(hù)的范圍應(yīng)由權(quán)利要求所要保護(hù)的技術(shù)思想所決定。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括薄膜晶體管，包括活性層、柵電極以及源電極和漏電極；有機(jī)發(fā)光器件，依次層疊有像素電極、中間層以及相對(duì)電極，所述像素電極與所述薄膜晶體管電連接，所述中間層包括發(fā)光層；儲(chǔ)能電容器，包括電容器第一電極以及電容器第二電極，所述電容器第一電極形成于與所述活性層相同的層上，介于所述電容器第二電極與所述電容器第一電極之間具有第一絕緣層，所述電容器第二電極與所述電容器第一電極相對(duì)地形成；以及連接電極，電連接所述活性層和所述電容器第一電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于，以多晶硅形成所述活性層，以非晶硅形成所述電容器第一電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述連接電極以與所述柵電極相同的物質(zhì)形成于相同的層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述第一絕緣層形成為覆蓋所述活性層和所述電容器第一電極；在所述第一絕緣層中，對(duì)應(yīng)于所述活性層以及所述電容器第一電極的各個(gè)區(qū)域形成有預(yù)定的接觸孔，通過(guò)所述接觸孔，所述連接電極電連接所述活性層和所述電容器第一電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述連接電極以與所述源電極和漏電極相同的物質(zhì)形成于相同的層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于，還包括第二絕緣層；所述第一絕緣層以及所述第二絕緣層形成為覆蓋所述活性層和所述電容器第一電極；在所述第一絕緣層以及所述第二絕緣層中，對(duì)應(yīng)于所述活性層以及所述電容器第一電極的各個(gè)區(qū)域形成有預(yù)定的接觸孔，通過(guò)所述接觸孔，所述連接電極電連接所述活性層和所述電容器第一電極。
7.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括活性層以及電容器第一電極，所述活性層形成于基板上，在形成有所述活性層的相同的層上間隔預(yù)定距離形成有所述電容器第一電極；第一絕緣層，覆蓋所述活性層以及所述電容器第一電極；柵電極以及連接電極，所述柵電極形成于所述第一絕緣層上，所述連接電極以與所述柵電極相同的物質(zhì)間隔預(yù)定距離形成于相同的層上，從而電連接所述活性層以及所述電容器第一電極；第二絕緣層，以覆蓋所述柵電極以及所述連接電極；源電極和漏電極以及電容器第二電極，所述源電極和漏電極形成于所述第二絕緣層上，所述電容器第二電極以與源電極和漏電極相同的物質(zhì)間隔預(yù)定距離形成于相同的層上；以及有機(jī)發(fā)光器件，依次層疊有像素電極、中間層以及相對(duì)電極，所述像素電極與所述源電極或漏電極電連接，所述中間層包括發(fā)光層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于，以多晶硅形成所述活性層，以非晶硅形成所述電容器第一電極。
9.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括活性層以及電容器第一電極，所述活性層形成于基板上，在形成有所述活性層的相同的層上間隔預(yù)定距離形成有所述電容器第一電極；第一絕緣層，覆蓋所述活性層以及所述電容器第一電極；柵電極以及電容器第二電極，所述柵電極形成于所述第一絕緣層上，所述電容器第二電極以與柵電極相同的物質(zhì)間隔預(yù)定距離形成于相同的層上； 第二絕緣層，覆蓋所述柵電極以及所述電容器第二電極；源電極和漏電極以及連接電極，所述源電極和漏電極形成于所述第二絕緣層上，所述連接電極以與所述源電極和漏電極相同的物質(zhì)形成于相同的層上，以電連接所述活性層以及所述電容器第一電極；以及有機(jī)發(fā)光器件，依次層疊有像素電極、中間層以及相對(duì)電極，所述像素電極與所述源電極或漏電極電連接，所述中間層包括發(fā)光層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于，以多晶硅形成所述活性層，以非晶硅形成所述電容器第一電極。
11.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括像素區(qū)域，所述像素區(qū)域形成有多個(gè)像素，所述像素包括 薄膜晶體管；有機(jī)發(fā)光器件，電連接至所述薄膜晶體管；以及儲(chǔ)能電容器，與所述薄膜晶體管間隔預(yù)定距離，并電連接至所述薄膜晶體管； 電路區(qū)域，形成為圍繞所述像素區(qū)域，將電源以及電信號(hào)供給至所述像素區(qū)域；以及以多晶硅形成所述電路區(qū)域的半導(dǎo)體層，以多晶硅和非晶硅交替來(lái)形成所述像素區(qū)域的半導(dǎo)體層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于，以多晶硅形成所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體層，以非晶形成所述儲(chǔ)能電容器的半導(dǎo)體層。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于，形成于所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體層和形成于所述儲(chǔ)能電容器的半導(dǎo)體層能夠相互電連接。
14.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，包括 在基板上沉積半導(dǎo)體層；進(jìn)行選擇性結(jié)晶化，只將部分所述半導(dǎo)體層結(jié)晶化； 將所述半導(dǎo)體層圖案化，以形成活性層以及電容器第一電極； 形成具有接觸孔的第一絕緣層，所述接觸孔分別露出部分所述活性層以及部分所述電容器第一電極；分別形成連接電極和柵電極，所述連接電極分別與所述活性層以及所述電容器第一電極的露出的部分接觸；形成具有接觸孔的第二絕緣層，所述接觸孔露出所述活性層兩端部的部分；以及分別形成源電極和漏電極以及電容器第二電極，所述源電極和漏電極與所述活性層的露出的兩側(cè)接觸。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，進(jìn)行只將部分所述半導(dǎo)體層結(jié)晶化的選擇性結(jié)晶化的步驟，只結(jié)晶化將會(huì)形成為所述活性層的區(qū)域。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，進(jìn)行只將部分所述半導(dǎo)體層結(jié)晶化的選擇性結(jié)晶化的步驟是激光發(fā)生裝置對(duì)所述基板作相對(duì)移動(dòng)時(shí)進(jìn)行結(jié)晶化的期間，只有當(dāng)所述激光發(fā)生裝置通過(guò)將會(huì)形成為所述活性層的區(qū)域時(shí)，才開(kāi)啟所述激光發(fā)生裝置。
17.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，包括 在基板上沉積半導(dǎo)體層；進(jìn)行只將部分所述半導(dǎo)體層結(jié)晶化的選擇性結(jié)晶化； 將所述半導(dǎo)體層圖案化，以形成活性層以及電容器第一電極； 在所述活性層以及所述電容器第一電極上形成第一絕緣層，在所述第一絕緣層上分別形成柵電極以及電容器第二電極；在所述柵電極以及所述電容器第二電極上形成第二絕緣層；將所述第一絕緣層以及所述第二絕緣層圖案化，以形成第一接觸孔和第二接觸孔，所述第一接觸孔露出所述活性層兩端部的部分，所述第二接觸孔分別露出部分所述活性層以及部分所述電容器第一電極；分別形成源電極和漏電極和連接電極，所述源電極和漏電極與所述活性層的露出的兩側(cè)接觸，所述連接電極分別與所述活性層以及所述電容器第一電極的露出的區(qū)域接觸。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，進(jìn)行只將部分所述半導(dǎo)體層結(jié)晶化的選擇性結(jié)晶化的步驟只結(jié)晶化將會(huì)形成為所述活性層的區(qū)域。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，進(jìn)行只將部分所述半導(dǎo)體層結(jié)晶化的選擇性結(jié)晶化的步驟是激光發(fā)生裝置對(duì)所述基板作相對(duì)移動(dòng)時(shí)進(jìn)行結(jié)晶化的期間，只有當(dāng)所述激光發(fā)生裝置通過(guò)將會(huì)形成為所述活性層的區(qū)域時(shí)，才開(kāi)啟所述激光發(fā)生裝置。
20.一種包括像素區(qū)域以及電路區(qū)域的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于， 結(jié)晶化形成于所述電路區(qū)域的半導(dǎo)體層時(shí)，維持激光發(fā)生裝置的開(kāi)啟狀態(tài)下進(jìn)行結(jié)晶化；結(jié)晶化形成于所述像素區(qū)域的半導(dǎo)體層時(shí)，周期性地開(kāi)啟以及關(guān)閉激光發(fā)生裝置，以進(jìn)行結(jié)晶化。
全文摘要
為了提供提高用于結(jié)晶化的激光效率的同時(shí)降低維護(hù)費(fèi)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法，本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括薄膜晶體管，包括活性層、柵電極以及源電極和漏電極；有機(jī)發(fā)光器件，依次層疊有像素電極、中間層以及相對(duì)電極，所述像素電極與所述薄膜晶體管電連接，所述中間層包括發(fā)光層；儲(chǔ)能電容器，包括電容器第一電極以及電容器第二電極，所述電容器第一電極形成于與所述活性層相同的層上，介于所述電容器第二電極與所述電容器第一電極之間具有第一絕緣層，所述電容器第二電極形成為與所述電容器第一電極相對(duì)；以及連接電極，電連接所述活性層和所述電容器第一電極。
文檔編號(hào)H01L51/52GK102376745SQ201110229810
公開(kāi)日2012年3月14日 申請(qǐng)日期2011年8月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月17日
發(fā)明者吳在煥, 崔宰凡, 張榮真, 樸喆鎬, 李源規(guī), 陳圣鉉 申請(qǐng)人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社