專利名稱：畫素?cái)?shù)組的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種畫素?cái)?shù)組，且特別是有關(guān)于一種具有高開口率的畫素?cái)?shù)組。
背景技術(shù)：
圖IA繪示傳統(tǒng)一種畫素?cái)?shù)組的上視示意圖。請參照圖1A，畫素?cái)?shù)組IOOa包括多數(shù)條掃描線GL、多數(shù)條數(shù)據(jù)線DL、多數(shù)個(gè)薄膜晶體管100T及多數(shù)個(gè)畫素單元100P，其中畫素單元100P透過薄膜晶體管100T耦接至掃描線GL以及數(shù)據(jù)線DL。除此之外，每一畫素單元100P包括一共享電極線CL，其中共享電極線CL平行掃描線GL。承上述，掃描線GL以及共享電極線CL由一第一導(dǎo)電層(未繪示)所構(gòu)成，而資料線 DL由位于第一導(dǎo)電層上方的一第二導(dǎo)電層(未繪示)所構(gòu)成。此外，為了確保相同膜層所構(gòu)成的掃描線GL以及共享電極線CL因兩者不會發(fā)生電性導(dǎo)通或干擾的情形，掃描線GL以及共享電極線CL之間相距距離Da。由圖IA可知，距離Da之內(nèi)的布局空間無法進(jìn)行畫面的顯
7J\ ο另一種傳統(tǒng)畫素?cái)?shù)組被提出，如圖IB所示。掃描線GL由第一導(dǎo)電層(未繪示)所構(gòu)成，而數(shù)據(jù)線DL以及共享電極線CL由位于第一導(dǎo)電層上方的第二導(dǎo)電層(未繪示)所構(gòu)成，其中由相同膜層所構(gòu)成的數(shù)據(jù)線DL以及共享電極線CL兩者也透過相距距離Db的方式來避免電性導(dǎo)通或干擾的情形。同樣地，由圖IB可知，距離Db之內(nèi)的布局空間也無法進(jìn)行畫面的顯示。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種畫素?cái)?shù)組，其具有高開口率。本發(fā)明提出一種畫素?cái)?shù)組，其包括多條第一訊號線、多條第二訊號線、多個(gè)開關(guān)組件及多個(gè)畫素單元。第一訊號線及第二訊號線布局于不同的膜層上，畫素單元透過開關(guān)組件耦接至第一訊號線及第二訊號線。每一畫素單元包括一共享電極線，其中在第i列的每一畫素單元中，共享電極線具有彼此連接但布局于不同的膜層上的至少一第一線段及至少一第二線段，且第(i_l)條第一訊號線與第一線段兩者之間的距離不等于第(i_l)條第一訊號線與第二線段兩者之間的距離。第一訊號線為該畫素?cái)?shù)組的多條掃描線或多條數(shù)據(jù)線兩者其一，第二訊號線為掃描線或數(shù)據(jù)線兩者另一。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，當(dāng)?shù)谝挥嵦柧€為掃描線且第二訊號線為數(shù)據(jù)線時(shí)，在第i 列的每一畫素單元中，第(i_l)條掃描線與第二線段兩者之間的距離小于第(i_l)條掃描線與第一線段兩者之間的距離。在一實(shí)施例中，每一掃描線與鄰近的第二線段布局于不同的膜層上。在另一實(shí)施例中，每一掃描線與鄰近的第一線段布局于相同的膜層上。在又一實(shí)施例中，掃描線與共享電極線實(shí)質(zhì)上平行。在更一實(shí)施例中，資料線與共享電極線相交。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，每一共享電極線更具有與第二線段彼此連接的至少一第三線段。在一實(shí)施例中，在第i列的每一畫素單元中，第三線段覆蓋第(i-Ι)條掃描線。在另一實(shí)施例中，在第i列的每一畫素單元中，第(i-ι)條掃描線覆蓋第三線段。在又一實(shí)施例中，第三線段以及第二線段布局于相同的膜層上，但每一掃描線與鄰近的第三線段布局于不同的膜層上。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，當(dāng)?shù)谝挥嵦柧€為數(shù)據(jù)線且第二訊號線為掃描線時(shí)，在第i 列的每一畫素單元中，第(i-Ι)條數(shù)據(jù)線與第二線段兩者之間的距離小于第(i-Ι)條數(shù)據(jù)線與第一線段兩者之間的距離。在一實(shí)施例中，每一數(shù)據(jù)線與鄰近的第二線段布局于不同的膜層上。在另一實(shí)施例中，每一數(shù)據(jù)線與鄰近的第一線段布局于相同的膜層上。在又一實(shí)施例中，資料線與共享電極線實(shí)質(zhì)上平行。在再一實(shí)施例中，掃描線與共享電極線相交。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，每一共享電極線更具有與第二線段彼此連接的至少一第三線段。在一實(shí)施例中，在第i列的每一畫素單元中，第三線段覆蓋第(i-Ι)條數(shù)據(jù)線。在另一實(shí)施例中，在第i列的每一畫素單元中，第(i-ι)條數(shù)據(jù)線覆蓋第三線段。在又一實(shí)施例中，第三線段以及第二線段布局于相同的膜層上，但每一數(shù)據(jù)線與鄰近的第三線段布局于不同的膜層上?；谏鲜觯景l(fā)明透過共享電極線以及掃描線或數(shù)據(jù)線之間的配置關(guān)系，來設(shè)計(jì)共享電極線的布局，使本發(fā)明的畫素?cái)?shù)組具有高開口率。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說明如下。


圖IA以及圖IB繪示傳統(tǒng)一種畫素?cái)?shù)組的上視示意圖。圖2A以及圖2B繪示本發(fā)明的第一實(shí)施例的兩種畫素?cái)?shù)組的上視示意圖。圖3A以及圖3B繪示本發(fā)明的第二實(shí)施例的兩種畫素?cái)?shù)組的上視示意圖。主要組件符號說明
100、200a、200b、300a、300b 畫素?cái)?shù)組 100T 薄膜晶體管
100P、PI、PI，、P2、P2，、P3、P3，、P4、P4，、P5、P5，、P6、P6，、P7、P7，、P8、P8，畫素單元 A、A，、B、B，位置
CL、CL1、CL1，、CL2、CL2，共享電極線 GL, GLi^2, GLi^1, GLi 掃描線 Da、Db、Dl、D2、D3、D4 距離 DL 資料線 H 接觸窗
Ll第--線段L2A-Ap — 弟—二線段L3 第三三線段
Sff 開關(guān)組件。
具體實(shí)施例方式
以下舉例說明本實(shí)施例的畫素?cái)?shù)組，但本發(fā)明并不限定以下說明為本發(fā)明的所有實(shí)施方式。
第一實(shí)施例
圖2A繪示本發(fā)明的第一實(shí)施例的畫素?cái)?shù)組的上視示意圖。請參照圖2A，本實(shí)施例的畫素?cái)?shù)組200a包括多數(shù)條第一訊號線、多數(shù)條第二訊號線、多數(shù)個(gè)開關(guān)組件SW及多數(shù)個(gè)畫素單元PI、P2、P3、P4、…，其中開關(guān)組件SW例如是薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)。在本實(shí)施例中，第一訊號線例如是掃描線GI^.fGLhpGL,.、…，而第二訊號線例如是數(shù)據(jù)線01^，且畫素單元？1、？2、卩3、卩4、…可透過開關(guān)組件SW耦接至掃描線GLpGI^1、... 以及數(shù)據(jù)線DL。值得注意的是，本發(fā)明并非限制第一訊號線和第二訊號線必需分別為掃描線 GLmGL^GLi、…和資料線DL。然而，在本實(shí)施例中，主要針對以第一訊號線為掃描線GL,._2、 GLi+ GLi,…和以第二訊號線為數(shù)據(jù)線DL所組成的畫素?cái)?shù)組200a進(jìn)行說明。當(dāng)然，畫素?cái)?shù)組200a及其畫素單元PI、P2、P3、P4、…還可分別包括其它構(gòu)件 (component)，例如畫素電極、…等。但為了使說明更加簡明，該些構(gòu)件的連接方式與功用于此將不再贅述，本實(shí)施例僅繪示出發(fā)明主要相關(guān)設(shè)計(jì)來做說明。在本實(shí)施例中，掃描線GLyfGI^pGL,.、···以及數(shù)據(jù)線DL兩種訊號線分別布局于不同的膜層上，且這兩種訊號線之間通常會透過夾設(shè)絕緣材料來降低此兩種不同訊號線之間的電性干擾。舉例來說，掃描線GLmGLy+GL,.、…由一第一導(dǎo)電層所構(gòu)成，而資料線DL由位于第一導(dǎo)電層上方的一第二導(dǎo)電層所構(gòu)成，其中第一導(dǎo)電層以及第二導(dǎo)電層之間具有一絕緣層(未繪示)。當(dāng)然，實(shí)際布局的膜層應(yīng)視產(chǎn)品的需求而定，本發(fā)明不以上述布局為限。在本實(shí)施例中，畫素單元PI、P2、P3、P4、…分別包括一共享電極線CL1。共享電極線CLl實(shí)質(zhì)上平行掃描線GL,._2、GLi^GLp…，并相交于資料線DL。此外，每一共享電極線CLl具有彼此連接的至少一第一線段Ll以及至少一第二線段L2，如圖2A所示，其中第一線段Ll與掃描線GL,._2、GLi+ GLi,…實(shí)質(zhì)上平行，并與資料線DL相交。在本實(shí)施例中，第一線段Ll以及第二線段L2兩者布局于不同的膜層上。更具體地說，本實(shí)施例假設(shè)第一線段Ll由第一導(dǎo)電層所構(gòu)成，并假設(shè)與此第一線段Ll相連接的第二線段L2則改由第二導(dǎo)電層所構(gòu)成，但本發(fā)明不以此為限。實(shí)務(wù)上，第一線段Ll以及第二線段L2兩者在可透過至少一接觸窗H電性連接。一般來說，依據(jù)制程條件，相同膜層的構(gòu)件之間通常會相距一定程度的距離，以確保同一膜層上的不同構(gòu)件之間不會發(fā)生電性導(dǎo)通或干擾的情形。在本實(shí)施例中，雖然第一線段Ll以及掃描線GL,._2、GLi+ GLi,…屬于相同膜層，但是，由于第二線段L2以及掃描線 GLhDL”…分別屬于不同膜層，因而第二線段L2以及掃描線GLi^GLf1、GLi、…之間的距離D2可小于第一線段Ll以及掃描線GLiIGLi^GLp…之間的距離D1。相較于先前技術(shù)所揭露的畫素單元100P，本實(shí)施例的畫素單元P1、P2、P3、P4、… 中位置A內(nèi)并無設(shè)置共享電極線CL1，因而具有較大的開口率(Aperture ratio)。基于上述概念，布局設(shè)計(jì)還可以采取畫素?cái)?shù)組200b的樣貌，如圖2B所示。詳細(xì)而言，每一共享電極線CL1’可進(jìn)一步設(shè)置至少一第三線段L3，其中第三線段L3與第二線段 L2相互連接且布局于相同的膜層上。也就是說，第二、第三線段L2、L3例如皆由第二導(dǎo)電層所構(gòu)成，且第二、第三線段[2、1^3與掃描線61^2、61^1、61^、…布局于不同的膜層上。由圖 2B可清楚觀之，這樣的布局設(shè)計(jì)可使位置A’不會被共享電極線CL1’所占據(jù)，如此一來，畫素單元？1’、？2’13’14’、…的開口率可更為提升。值得一提的是，由于本實(shí)施例的第一、第二導(dǎo)電層之間配置有絕緣層(未繪示)，因此，第三線段L3與掃描線GLyfGI^pGL,.、…兩者彼此重迭處的電性干擾可被忽略。在此需要說明的是，畫素?cái)?shù)組200b中是假設(shè)掃描線GL,._2、GLi+ GLi,…以及第一線段Ll由第一導(dǎo)電層所構(gòu)成，并假設(shè)數(shù)據(jù)線DL、第二線段L2以及第三線段L3由位于第一導(dǎo)電層上方的第二導(dǎo)電層所構(gòu)成，因而共享電極線CL1’以及掃描線GLyfGI^pGL,.、…之間的配置關(guān)系例如采取第三線段L3覆蓋掃描線GL,._2、GLi+ GLi,…的布局設(shè)計(jì)。然而，在其它實(shí)施例中，倘若數(shù)據(jù)線DL、第二線段L2以及第三線段L3改由第一導(dǎo)電層所構(gòu)成，且掃描線GL,._2、GLh、GLi,…以及第一線段Ll改由位于第一導(dǎo)電層上方的第二導(dǎo)電層所構(gòu)成，則共享電極線CL1’以及掃描線GLyfGI^pGL,.、…之間的布局設(shè)計(jì)便是采取掃描線GLiIGLi^GLp…覆蓋第三線段L3的方式。第二實(shí)施例
本實(shí)施例欲闡述的精神與第一實(shí)施例相類似，而本實(shí)施例與第一實(shí)施例主要差異在于本實(shí)施例的第一訊號線以及第二訊號線分別為數(shù)據(jù)線以及掃描線，其中數(shù)據(jù)線與共享電極線實(shí)質(zhì)上平行，而掃描線與共享電極線相交。然而，本實(shí)施例與前述實(shí)施例若有相同或相似的標(biāo)號則代表相同或相似的構(gòu)件，在此不重復(fù)敘述。圖3A繪示本發(fā)明的第二實(shí)施例的畫素?cái)?shù)組的上視示意圖。請參照圖3A，本實(shí)施例的畫素?cái)?shù)組300a包括多數(shù)條掃描線GL,._2、GLi+ GLi,…、多數(shù)條數(shù)據(jù)線DL、多數(shù)個(gè)開關(guān)組件SW及多數(shù)個(gè)畫素單元P5、P6、P7、P8、…，其中開關(guān)組件SW例如是薄膜晶體管，而畫素單元P5、P6、P7、P8、…可透過開關(guān)組件SW耦接至掃描線GL,.、GLi+…及資料線DL。在本實(shí)施例中，掃描線GLy_2、GLi^GLp…例如由一第一導(dǎo)電層(未繪示)所構(gòu)成， 而數(shù)據(jù)線DL例如由一第二導(dǎo)電層(未繪示)所構(gòu)成，其中第一導(dǎo)電層以及第二導(dǎo)電層之間具有一絕緣層(未繪示)，因而掃描線GL,._2、GLi+ GLi,…以及數(shù)據(jù)線DL兩種訊號線分別布局于不同的膜層上。當(dāng)然，實(shí)際布局的膜層應(yīng)視產(chǎn)品的需求而定，本發(fā)明不以上述布局為限。在本實(shí)施例中，畫素單元P5、P6、P7、P8、…分別包括一共享電極線CL2。共享電極線CL2實(shí)質(zhì)上平行資料線DL，并相交于掃描線GI^.fGI^pGL,.、…。此外，每一共享電極線CL2具有彼此連接的至少一第一線段Ll以及至少一第二線段L2。由圖3A可知，本實(shí)施例的第一線段Ll與數(shù)據(jù)線DL實(shí)質(zhì)上平行，并與掃描線GL,._2、GLh、GLi,…相交。在本實(shí)施例中，第一線段Ll例如由第二導(dǎo)電層所構(gòu)成，且第二線段L2例如由第一導(dǎo)電層所構(gòu)成，因而第一線段Ll以及第二線段L2兩者布局于不同的膜層上。實(shí)務(wù)上，第一線段Ll以及第二線段L2兩者在可透過至少一接觸窗H電性連接。在本實(shí)施例中，雖然第一線段Ll以及數(shù)據(jù)線DL屬于相同膜層，但是，由于第二線段L2以及數(shù)據(jù)線DL分別屬于不同膜層，因而第二線段L2以及數(shù)據(jù)線DL之間的距離D4可小于第一線段Ll以及數(shù)據(jù)線DL之間的距離D3。由圖3A可知，因?yàn)槲恢肂內(nèi)并無設(shè)置共享電極線CL2，所以畫素單元P1、P2、P3、P4、…的開口率可隨之提升。根據(jù)上述概念，布局設(shè)計(jì)還可以采取畫素?cái)?shù)組300b的樣貌，如圖3B所示。詳言之， 每一共享電極線CL2’可進(jìn)一步設(shè)置至少一第三線段L3，其中第三線段L3與第二線段L2相互連接且布局于相同的膜層上。換句話說，第二、第三線段L2、L3例如皆由第一導(dǎo)電層所構(gòu)成，且第二、第三線段L2、L3與資料線DL布局于不同的膜層上。由圖3B可清楚看到，這樣的布局設(shè)計(jì)可使位置B’不會被共享電極線CL2’所占據(jù)，如此一來，畫素單元P5’、P6’、P7’、P8’、…的開口率可更為提升。特別一提的是，由于本實(shí)施例的第一、第二導(dǎo)電層之間配置有絕緣層(未繪示)，因此，第三線段L3與數(shù)據(jù)線DL兩者彼此重迭處的電性干擾可被忽略。最后尚須需要說明的是，上述實(shí)施例是假設(shè)掃描線GL,._2、GLi+ GLi,…、第二線段 L2以及第三線段L3由第一導(dǎo)電層所構(gòu)成，并假設(shè)數(shù)據(jù)線DL以及第一線段Ll由位于第一導(dǎo)電層上方的第二導(dǎo)電層所構(gòu)成，因而共享電極線CL2’以及數(shù)據(jù)線DL之間的配置關(guān)系例如采取數(shù)據(jù)線DL覆蓋第三線段L3的布局設(shè)計(jì)。當(dāng)然，在其它實(shí)施例中，也可采取數(shù)據(jù)線DL以及第一線段Ll由位于第一導(dǎo)電層所構(gòu)成，且掃描線GL,._2、GLi+ GLi,…、第二線段L2以及第三線段L3改由位于第一導(dǎo)電層上方的第二導(dǎo)電層所構(gòu)成的布局方式。如此，共享電極線CL2’以及數(shù)據(jù)線DL之間的布局設(shè)計(jì)便會以第三線段L3覆蓋數(shù)據(jù)線DL的方式呈現(xiàn)。綜上所述，本發(fā)明的畫素電極中的共享電極線由不只一種膜層所構(gòu)成，因而掃描線以及數(shù)據(jù)線二者其一與共享電極線的配置可更為靠近，進(jìn)而使本發(fā)明的畫素?cái)?shù)組具有高開口率的優(yōu)勢。將本實(shí)施例的畫素?cái)?shù)組應(yīng)用于顯示裝置中，則顯示畫面的亮度以及對比度可獲得提升，進(jìn)而改善顯示質(zhì)量。雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的申請專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種畫素?cái)?shù)組，其特征在于其包括多數(shù)條第一訊號線、多數(shù)條第二訊號線、多數(shù)個(gè)開關(guān)組件以及多數(shù)個(gè)畫素單元，該些第一訊號線以及該些第二訊號線布局于不同的膜層上，且該些畫素單元透過該些開關(guān)組件耦接至該些第一訊號線以及該些第二訊號線，其中第i列的每一畫素單元包括一共享電極線，具有彼此連接的至少一第一線段以及至少一第二線段，其中該第一線段以及該第二線段布局于不同的膜層上，且第(i-ι)條第一訊號線與該第一線段兩者之間的距離不等于該第(i-ι)條第一訊號線與該第二線段兩者之間的距離，其中，該些第一訊號線為該畫素?cái)?shù)組的多數(shù)條掃描線或多數(shù)條數(shù)據(jù)線兩者其一，且該些第二訊號線為該些掃描線或該些數(shù)據(jù)線兩者另一。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素?cái)?shù)組，其特征在于其中當(dāng)該些第一訊號線為該些數(shù)據(jù)線且該些第二訊號線為該些掃描線時(shí)，在第i列的每一畫素單元中，該第(i_l)條數(shù)據(jù)線與該第二線段兩者之間的距離小于該第(i_l)條數(shù)據(jù)線與該第一線段兩者之間的距離。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的畫素?cái)?shù)組，其特征在于其中每一數(shù)據(jù)線與鄰近的該第二線段布局于不同的膜層上；其中每一數(shù)據(jù)線與鄰近的該第一線段布局于相同的膜層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的畫素?cái)?shù)組，其特征在于其中該些數(shù)據(jù)線與該些共享電極線實(shí)質(zhì)上平行。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的畫素?cái)?shù)組，其特征在于其中該些掃描線與該些共享電極線相交。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的畫素?cái)?shù)組，其特征在于其中每一共享電極線更具有與該第二線段彼此連接的至少一第三線段。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的畫素?cái)?shù)組，其特征在于其中在第i列的每一畫素單元中，該第三線段覆蓋該第(i_l)條數(shù)據(jù)線。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的畫素?cái)?shù)組，其特征在于其中在第i列的每一畫素單元中，該第(i_l)條數(shù)據(jù)線覆蓋該第三線段。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的畫素?cái)?shù)組，其特征在于其中該些第三線段以及該些第二線段布局于相同的膜層上，但每一數(shù)據(jù)線與鄰近的該第三線段布局于不同的膜層上。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種畫素?cái)?shù)組，其包括多條第一訊號線、多條第二訊號線、多個(gè)開關(guān)組件及多個(gè)畫素單元。第一訊號線及第二訊號線布局于不同的膜層上，畫素單元透過開關(guān)組件耦接至第一訊號線及第二訊號線。每一畫素單元包括一共享電極線，其中在第i列的每一畫素單元中，共享電極線具有彼此連接但布局于不同的膜層上的至少一第一線段及至少一第二線段，且第(i-1)條第一訊號線與第一線段兩者之間的距離不等于第(i-1)條第一訊號線與第二線段兩者之間的距離。本發(fā)明透過共享電極線以及掃描線或數(shù)據(jù)線之間的配置關(guān)系，來設(shè)計(jì)共享電極線的布局，使本發(fā)明的畫素?cái)?shù)組具有高開口率。
文檔編號H01L27/02GK102253554SQ201110231270
公開日2011年11月23日 申請日期2009年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月26日
發(fā)明者張錫明 申請人:中華映管股份有限公司, 華映光電股份有限公司