專利名稱：一種陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管-液晶顯示器)是有源矩陣類型液晶顯示器的一種，具有更高的對(duì)比度和更豐富的色彩，熒屏更新頻率也更快。顯示屏由許多可以發(fā)出任意顏色的光線的像素點(diǎn)組成，只要控制各個(gè)像素點(diǎn)顯示相應(yīng)的顏色就能達(dá)到目的了。TFT-LCD 一般采用背光技術(shù)，為了能精確地控制每一個(gè)像素點(diǎn)的顏色和亮度，就需要在每一個(gè)像素點(diǎn)位置設(shè)置具有開(kāi)關(guān)功能的薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管。像素的三基色為紅色R、綠色G和藍(lán)色B，因此一個(gè)像素點(diǎn)的位置布有紅色彩膜、綠色彩膜和藍(lán)色彩膜，在上下夾層間每個(gè)彩膜對(duì)應(yīng)一個(gè)薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管，薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通時(shí)，通過(guò)控制薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通電流的大小，利用上下夾層間填充的液晶分子的旋光性能，改變液晶分子的旋光程度，從而改變透過(guò)各個(gè)彩膜位置的光線，使像素點(diǎn)顯示不同的顏色。圖1-2為圖1-1中沿切線A-A’方向的剖面圖，如圖1-2所示，薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括柵極I、柵絕緣層2、有源層3和S/D層，S/D層包括源極4和漏極5，源極4和漏極5之間形成溝道。在柵極I施加一定電壓時(shí)，源極4和漏極5之間通過(guò)有源層3導(dǎo)通。有源層3包括沉積物為富氮非晶硅N+a-Si的N+a-Si層及沉積物為非晶硅a_Si的a_Si層，S/D層上有絕緣層6。漏極5通過(guò)絕緣層6上的過(guò)孔7連接像素電極8，像素電極8分布在玻璃基板9上的顯示區(qū)域，玻璃基板9上位于像素電極8的下方，具有公共電極10，公共電極10與像素電極8形成儲(chǔ)能電容?，F(xiàn)有的方案中液晶面板的制造方法，如圖2所示，主要包括以下步驟步驟S201，采用掩膜工藝，在玻璃基板上完成第一個(gè)透明電極-公共電極的制作；公共電極在玻璃基板上有確定的圖形，因此采用掩膜mask工藝完成公共電極的成型，掩膜的工藝流程主要包括貼膜，即在玻璃基板上貼上一層光刻膠；曝光，根據(jù)光刻膠的性質(zhì)照射公共電極圖形區(qū)域或不照射公共電極圖形區(qū)域；刻蝕，經(jīng)曝光后，經(jīng)照射的區(qū)域或未被照射的區(qū)域被刻蝕掉；顯影，去除被刻蝕掉的部分得到想要的圖形，完成顯影。步驟S202，采用掩膜工藝，在玻璃基板上制作柵極；同樣，柵極也有特定的圖形，需要采用貼膜、曝光、刻蝕和顯影流程制作出特定圖形的柵極。步驟S203，采用半掩膜half-tone工藝流程進(jìn)行S/D層和有源層的制作；在制作S/D層和有源層之前，需要在柵極上制作柵絕緣層，以實(shí)現(xiàn)對(duì)柵極的保護(hù)和與有源層的絕緣。半掩膜工藝流程的特點(diǎn)是，在刻蝕過(guò)程中對(duì)不同部位的刻蝕厚度不同，將未刻蝕的S/D層和有源層同時(shí)涂覆在柵絕緣層上，采用貼膜、曝光、刻蝕和顯影，制作出相同圖形的S/D層和有源層，且由于采用半掩膜技術(shù)，在源極和漏極間形成溝道；步驟S204，采用掩膜工藝，在S/D層上制作絕緣層，并在絕緣層制作過(guò)孔，以與像素電極連接；步驟S205，采用掩膜工藝，在絕緣層上制作第二個(gè)透明電極-像素電極，并經(jīng)過(guò)孔與漏極連接。上述液晶面板的制作流程中，由于S/D層與有源層光罩應(yīng)用了 half-tone技術(shù)，使得兩步制程合二為一，理想的應(yīng)如圖1-2中虛線圈標(biāo)識(shí)的樣式，即有源層應(yīng)與S/D層平齊，但是由于S/D層金屬與有源層的蝕刻方法和蝕刻速率的不同，如圖1-3所示，S/D層金屬與有源層的切面并不是對(duì)齊的，造成d2的存在，造成有源層外露的情況。為避免電極邊緣耦合存儲(chǔ)電容的影響，需要增加dl+d2的距離和黑矩陣(BM)Il的寬度。這樣不但影響像素Pixel電學(xué)性質(zhì)，而且對(duì)黑矩陣11的設(shè)計(jì)有一定的不利影響，降低開(kāi)口率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種陣列基板及其制造方法，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中應(yīng)用了 Half-tone技術(shù)所造成的對(duì)Pixel電學(xué)性質(zhì)及黑矩陣設(shè)計(jì)不良影響的問(wèn)題。本發(fā)明提供一種陣列基板制造方法，包括在柵絕緣層上制作出圖形化的有源層，所述有源層覆蓋部分柵絕緣層；利用S/D層上的絕緣層作為S/D層刻蝕的掩膜，在有源層和柵絕緣層上，制作出圖形化的S/D層和S/D層上帶有過(guò)孔的絕緣層，所述S/D層包括源極和漏極，所述源極和漏極之間形成溝道。本發(fā)明還提供一種陣列基板，包括基板及分別位于基板上的柵極和公共電極；覆蓋所述柵極和公共電極的柵絕緣層；位于柵絕緣層上與柵極頂部相對(duì)的位置的有源層；利用S/D層上的絕緣層作為S/D層刻蝕的掩膜，在有源層和柵絕緣層上，制作出圖形化的S/D層和S/D層上帶有過(guò)孔的絕緣層，所述S/D層包括源極和漏極，所述源極和漏極之間形成溝道；與漏極連接的像素電極，像素電極分布在陣列基板的顯示區(qū)域。利用本發(fā)明提供的陣列基板及其制造方法，具有以下有益效果有源層的制作與目前的制作工藝不同，S/D層的制作也與現(xiàn)有技術(shù)不同，將有源層先蝕刻成型之后再進(jìn)行S/D層制作，以絕緣層作為S/D層的掩膜，可以有效防止FFS原有陣列制作過(guò)程中，因?yàn)閼?yīng)用了 Half-tone技術(shù)所造成的對(duì)Pixel電學(xué)性質(zhì)及BM設(shè)計(jì)的不良影響。


圖1-1、圖1-2、圖1-3為現(xiàn)有技術(shù)制作出的陣列基板結(jié)構(gòu)圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)陣列基板制造方法流程圖； 圖3為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板制造方法流程圖；圖4-1 圖4-7為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板制造方法對(duì)應(yīng)的工藝流程圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提供的陣列基板及其制造方法進(jìn)行更詳細(xì)地說(shuō)明。本發(fā)明針對(duì)FFS(Fringe Field Switching)在步驟 S203 中應(yīng)用了 Half-tone 技術(shù)所造成的對(duì)Pixel電學(xué)性質(zhì)及BM設(shè)計(jì)的不良影響，提出新的適用于液晶面板的陣列array基板制作過(guò)程，可以有效地防止上述問(wèn)題的發(fā)生，提高開(kāi)口率。本發(fā)明實(shí)施提供一種陣列基板制造方法，包括在柵絕緣層上制作出圖形化的有源層，所述有源層覆蓋部分柵絕緣層；利用S/D層上的絕緣層作為S/D層刻蝕的掩膜，在有源層和柵絕緣層上，制作出圖形化的S/D層和S/D層上帶有過(guò)孔的絕緣層，所述S/D層包括源極和漏極，所述源極和漏極之間形成溝道。
本發(fā)明實(shí)施例對(duì)于有源層的制作，與目前的制作工藝不同，目前的制作工藝在完成柵絕緣層制作后對(duì)有源Active層沒(méi)有蝕刻成型，而只在上面繼續(xù)沉積S/D金屬層，然后用half-tone技術(shù)將兩道光罩合而為一，這樣做的結(jié)果是所有的S/D金屬下面都會(huì)有Active層的存在,而active層只有在薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管TFT中起作用,其他位置的Active層都是多余的，弊端為造成對(duì)Pixel電學(xué)性質(zhì)及BM設(shè)計(jì)的不良影響，對(duì)S/D層邊緣的耦合電容(即公共電極和像素電極形成的電容)有很大的影響，這樣影響黑矩陣BM設(shè)計(jì)，降低開(kāi)口率。本發(fā)明實(shí)施例改進(jìn)之處在于將Active層先蝕刻成型，與S/D層的制作是分開(kāi)的，Active層覆蓋部分柵絕緣層，因此，可以在薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管TFT中起作用，即導(dǎo)通源極和漏極的部位制作有源層，而其余多余位置不制作有源層，有效地克服了上述問(wèn)題。同樣，S/D層有特定的圖形要求，本發(fā)明實(shí)施例中將S/D層上的絕緣層作為S/D層刻蝕的掩膜，制作出圖形化的S/D層，從而使絕緣層和S/D層的覆蓋區(qū)域相同，而不是像現(xiàn)有技術(shù)如圖1-2那樣絕緣層覆蓋整個(gè)區(qū)域。本發(fā)明實(shí)施例中將現(xiàn)有技術(shù)中的S/D層和過(guò)孔Through Hole兩道光罩合二為一，這樣做的好處是即避免了原有技術(shù)的弊端，又沒(méi)有增加制作工序，在制作過(guò)程實(shí)現(xiàn)了以絕緣層作為金屬刻蝕的掩膜。優(yōu)選地，本實(shí)施例中制作出圖形化的S/D層和S/D層上帶有過(guò)孔的絕緣層，具體包括依次涂覆未經(jīng)刻蝕的S/D層和絕緣層；經(jīng)在S/D層上貼膜、曝光、刻蝕和顯影，應(yīng)用半掩膜工藝，將絕緣層圖形化，露出S/D層上溝道部位及絕緣層上的過(guò)孔部位，即在刻蝕過(guò)程中，對(duì)絕緣層的不同部位刻蝕厚度不同，最后形成的圖形化的絕緣層，應(yīng)露出S/D層上溝道部位及絕緣層上的過(guò)孔部位，且絕緣層覆蓋的區(qū)域?yàn)轭A(yù)制作的S/D層的覆蓋區(qū)域；利用絕緣層作為S/D層刻蝕的掩膜，即不需要再進(jìn)行貼膜和曝光，將S/D層圖形化，形成源極和漏極之間的溝道，由于露出S/D層上溝道部位，因此可以利用絕緣層作為S/D層的掩膜，將S/D層圖形化，這里的S/D層圖形化為刻蝕掉沒(méi)有被絕緣層覆蓋的部分，包括刻蝕掉溝道間的S/D層部分，從而形式源極和漏極間的溝道；對(duì)絕緣層進(jìn)行刻蝕，在絕緣層的過(guò)孔部位形成過(guò)孔。絕緣層的刻蝕和S/D的刻蝕優(yōu)選采用不同的刻蝕方式，絕緣層采用干法刻蝕，則絕緣層的刻蝕不會(huì)影響到S/D層，而對(duì)于金屬的S/D層，采用濕法刻蝕，同樣，S/D層的刻蝕也不會(huì)影響到絕緣層，因此在完成S/D層刻蝕后，再形成最終需要的S/D層，即在絕緣層上形成過(guò)孔Through Hole。對(duì)于有源層來(lái)說(shuō)，本發(fā)明實(shí)施例中有源層包括沉積物為富氮非晶硅N+a-Si的N+a-Si層及沉積物為非晶娃a-Si的a_Si層,N+a_Si層位于a_Si層之上，優(yōu)選地，本發(fā)明實(shí)施例中上述圖形化的有源層，未對(duì)溝道間的N+a-Si層進(jìn)行刻蝕。則本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中，對(duì)絕緣層進(jìn)行刻蝕的同時(shí)，還對(duì)溝道間露出的N+a-Si層進(jìn)行刻蝕，在溝道間露出a-Si層，完成最終的有源層制作。優(yōu)選地，上述圖形化的有源層位于柵絕緣層上與柵極頂部相對(duì)的位置，該部位的 有源層起到導(dǎo)通源極和漏極的作用，由于是有源層單獨(dú)刻蝕成型，因此克服了與S/D層采用half-tone技術(shù)造成有源層外露所造成的問(wèn)題。有源層有特定的圖形要求，因此采用掩膜工藝制作，本實(shí)施例在柵絕緣層上制作出刻蝕成型的有源層，具體包括在柵絕緣層上涂覆未經(jīng)刻蝕的有源層；經(jīng)在有源層上貼膜、曝光、刻蝕和顯影，形成圖形化的絕緣層，具體如何進(jìn)行貼膜、曝光、刻蝕和顯影為現(xiàn)有流程，這里不再詳述。本發(fā)明實(shí)施例中在制作有源層之前，還包括在基板上制作出公共電極；在基板上制作出柵極；制作覆蓋柵極和公共電極的柵絕緣層。公共電極、柵極和柵絕緣層的制作工藝采用現(xiàn)有制作工藝，這里不作限定。由于公共電極、柵極由特定的圖形要求，優(yōu)選地，本實(shí)例例在基板上依次制作出公共電極、柵極和柵絕緣層，具體包括采用掩膜工藝，在基板上制作出公共電極；采用掩膜工藝，在基板上制作出柵極；制作覆蓋柵極和公共電極的柵絕緣層。本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中，在完成絕緣層制作后，還包括制作出經(jīng)過(guò)孔與所述漏極連接的像素電極。像素電極有特定的圖形要求，優(yōu)選地，本實(shí)施例制作像素電極具體包括采用掩膜工藝，制作出經(jīng)過(guò)孔與所述漏極連接的像素電極，掩膜工藝流程如前所述。為了實(shí)現(xiàn)對(duì)溝道的保護(hù)，本實(shí)施例制作像素電極之后，還包括采用掩膜工藝，在所述溝道間及絕緣層上溝道的兩側(cè)，制作絕緣的保護(hù)層。下面結(jié)合附圖給出本發(fā)明陣列基板制造方法的詳細(xì)流程。如圖3所示，包括以下流程步驟S301，采用掩膜工藝，在玻璃基板上制作出第一個(gè)透明電極-公共電極；如圖4-1所示，公共電極10位于玻璃基板9的邊緣位置，掩膜工藝的具體流程同現(xiàn)有過(guò)程，這里不再詳述。通常情況下，玻璃基板上具有彩膜，該公共電極作為存儲(chǔ)電極。步驟S302，采用掩膜工藝，在玻璃基板上制作出柵極；如圖4-2所示，柵極I位于玻璃基板兩個(gè)對(duì)邊位置，柵極I采用金屬制作，掩膜工藝的具體流程同現(xiàn)有過(guò)程，這里不再詳述。步驟S303,制作覆蓋柵極和公共電極的柵絕緣層Gate insulate grow ；如圖4-3所示，柵絕緣層2的制作沒(méi)有圖形要求，覆蓋柵極和公共電極及柵極和公共電極間區(qū)域即可，具體制作流程采用現(xiàn)有技術(shù)，這里不再詳述。步驟S304，采用掩膜工藝，在柵絕緣層上制作出圖形化的有源層；采用掩膜工藝，具體包括在柵絕緣層上涂覆未經(jīng)刻蝕的有源層；經(jīng)在有源層上貼膜、曝光、刻蝕和顯影，形成圖形化的有源層。
如圖4-4所示，圖形化的有源層3位于柵絕緣層2上與柵極I頂部相對(duì)的位置。有源層2具體包括沉積物為富氮非晶硅N+a-Si的N+a-Si層及沉積物為非晶硅a_Si的a_Si層，且未對(duì)N+a-Si層進(jìn)行溝道間刻蝕。 該步驟中的有源層制作，與目前的制作工藝不同，目前的制作工藝在此處Active層沒(méi)有蝕刻成型，而只在上面繼續(xù)沉積S/D金屬層，然后用half-tone技術(shù)將兩道光罩合而為一，這樣做的結(jié)果是所有的S/D金屬下面都會(huì)有Active層的存在，而active層只有在TFT中起作用其他位置的Active層都是多余的，弊端如上所述，對(duì)S/D邊緣的耦合電容有很大的影響，這樣影響黑矩陣BMdesign margin,降低開(kāi)口率。本發(fā)明實(shí)施例的改進(jìn)之處在于將Active層先圖形化，克服了上述問(wèn)題。步驟S305，利用S/D層上的絕緣層作為S/D層刻蝕的掩膜，結(jié)合半掩膜工藝，制作出圖形化的S/D層和S/D層上帶有過(guò)孔的絕緣層；本實(shí)施例中S/D層的制作與目前的制作工藝不同，為了能夠去掉多余的Active層應(yīng)用的mask，但是為了不增加整體的制作程序并且能夠?qū)崿F(xiàn)原有的功能，本發(fā)明實(shí)施例將S/D金屬和S/D上面的絕緣層制作應(yīng)用half-tone技術(shù)，將S/D和Through Hole兩道光罩合二為一，這樣做的好處是既避免了原有技術(shù)的弊端，又沒(méi)有增加制作工序，蝕刻過(guò)程如圖4-5所示,具體包括依次涂覆未經(jīng)刻蝕的S/D層和絕緣層，涂覆后如箭頭I上面的附圖所示；經(jīng)在S/D層上貼膜、曝光、刻蝕和顯影，應(yīng)用半掩膜工藝，將絕緣層圖形化，露出S/D層上溝道部位及絕緣層上的過(guò)孔部位，如箭頭I下面的附圖所示，其中圓圈標(biāo)注部位為過(guò)孔部分，優(yōu)選地，經(jīng)此次刻蝕除過(guò)孔部位外其它刻蝕部位的深度即斷差值，為絕緣層的設(shè)計(jì)高度，優(yōu)選為0.4um，過(guò)孔部位的底部與絕緣層上平面的高度差優(yōu)選為0.05um，即采用8 I的比例，當(dāng)然還可以是其它比例值；利用絕緣層作為S/D層刻蝕的掩膜，將S/D層圖形化，形成源極和漏極之間的溝道，具體如箭頭2下面的附圖所示；對(duì)絕緣層進(jìn)行刻蝕，同時(shí)還對(duì)溝道間露出的N+a-Si層進(jìn)行刻蝕，在絕緣層的過(guò)孔部位形成過(guò)孔，在溝道間露出a-Si層，具體如箭頭3下面的附圖所示。因此，本發(fā)明實(shí)施例S/D+(n+A_si)and Through Hole 應(yīng)用 half-tone 技術(shù)。步驟S306，采用掩膜工藝，制作第二個(gè)透明電極-像素電極；如圖4-6所示，像素電極8經(jīng)過(guò)孔與漏極連接，掩膜工藝的具體流程同現(xiàn)有技術(shù)，這里不再詳述。步驟S307，采用掩膜工藝，在溝道間及絕緣層上溝道的兩側(cè)，制作絕緣的保護(hù)層。如圖4-7所示，由于僅在位于柵絕緣層上與柵極頂部相對(duì)的位置存在有源層，因此，僅在溝道間及絕緣層上溝道的兩側(cè)，制作絕緣的保護(hù)層12即可。保護(hù)層12絕緣層應(yīng)用Gate mask制做，與目前的制作工藝不同，這層制作的目的是為了 TFT溝道保護(hù)。本發(fā)明實(shí)施例針對(duì)FFS Array 5道m(xù)ask制程提出新的變更設(shè)計(jì)。將原有FFSarray制造流程中的第3次mask的half-tone技術(shù)(S/D+Active),變更為第4次mask的half-tone技術(shù)(S/D+Through Hole),可以避免原有技術(shù)S/D下方Active邊緣突出所帶來(lái)的設(shè)計(jì)問(wèn)題，利用絕緣層作為金屬刻蝕(優(yōu)選采用濕刻)的掩膜。
本發(fā)明實(shí)施例還提供一種陣列基板，如圖4-7所示，包括玻璃基板9及分別位于玻璃基板9上的柵極I和公共電極；覆蓋所述柵極I和公共電極的柵絕緣層2 ;位于柵絕緣層2上與柵極I頂部相對(duì)的位置的有源層3 ;利用S/D層上的絕緣層作為S/D層刻蝕的掩膜，在有源層3和柵絕緣層2上，制作出圖形化的S/D層和S/D層上帶有過(guò)孔的絕緣層6，所述S/D層包括源極4和漏極5，所述源極4和漏極5之間形成溝道；與漏極5連接的像素電極8，像素電極8分布在陣列基板的顯示區(qū)域。優(yōu)選地，還包括像素電極8經(jīng)過(guò)孔與漏極5連接；保護(hù)層，位于所述溝道間及絕緣層6上溝道的兩側(cè)。 顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板制造方法，其特征在于，包括 在柵絕緣層上制作出圖形化的有源層，所述有源層覆蓋部分柵絕緣層； 利用S/D層上的絕緣層作為S/D層刻蝕的掩膜，在有源層和柵絕緣層上，制作出圖形化的S/D層和S/D層上帶有過(guò)孔的絕緣層，所述S/D層包括源極和漏極，所述源極和漏極之間形成溝道。
2.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，制作出圖形化的S/D層和S/D層上帶有過(guò)孔的絕緣層，具體包括 依次涂覆未經(jīng)刻蝕的S/D層和絕緣層； 經(jīng)在S/D層上貼膜、曝光、刻蝕和顯影，應(yīng)用半掩膜工藝，將絕緣層圖形化，露出S/D層上溝道部位及絕緣層上的過(guò)孔部位； 利用絕緣層作為S/D層刻蝕的掩膜，將S/D層圖形化，形成源極和漏極之間的溝道； 對(duì)絕緣層進(jìn)行刻蝕，在絕緣層的過(guò)孔部位形成過(guò)孔。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述有源層包括沉積物為富氮非晶硅N+a-Si的N+a-Si層及沉積物為非晶娃a_Si的a_Si層， 對(duì)絕緣層進(jìn)行刻蝕的同時(shí)，還對(duì)溝道間露出的N+a-Si層進(jìn)行刻蝕，在溝道間露出a-Si層。
4.如權(quán)利要求I 3任一所述的方法，其特征在于，在制作有源層之前，還包括 在基板上制作出公共電極； 在基板上制作出柵極； 制作覆蓋柵極和公共電極的柵絕緣層。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述圖形化的有源層位于柵絕緣層上與柵極頂部相對(duì)的位置。
6.如權(quán)利要求I 3任一所述的方法，其特征在于，還包括 制作出經(jīng)過(guò)孔與所述漏極連接的像素電極。
7.如權(quán)利要求I 3任一所述的方法，其特征在于，還包括 在所述溝道間及絕緣層上溝道的兩側(cè)，制作絕緣的保護(hù)層。
8.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，在柵絕緣層上制作出圖形化的有源層，具體包括 在柵絕緣層上涂覆未經(jīng)刻蝕的有源層； 經(jīng)在有源層上貼膜、曝光、刻蝕和顯影，形成圖形化的有源層。
9.一種陣列基板，其特征在于，包括 基板及分別位于基板上的柵極和公共電極； 覆蓋所述柵極和公共電極的柵絕緣層； 位于柵絕緣層上與柵極頂部相對(duì)的位置的有源層； 利用S/D層上的絕緣層作為S/D層刻蝕的掩膜，在有源層和柵絕緣層上，制作出圖形化的S/D層和S/D層上帶有過(guò)孔的絕緣層，所述S/D層包括源極和漏極，所述源極和漏極之間形成溝道； 與漏極連接的像素電極，像素電極分布在陣列基板的顯示區(qū)域。
10.如權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于，還包括保護(hù)層，位于所述溝道間及絕緣層上溝 道的兩側(cè)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種陣列基板及其制造方法，該方法包括在柵絕緣層上制作出圖形化的有源層，所述有源層覆蓋部分柵絕緣層；利用S/D層上的絕緣層作為S/D層刻蝕的掩膜，在有源層和柵絕緣層上，制作出圖形化的S/D層和S/D層上帶有過(guò)孔的絕緣層，所述S/D層包括源極和漏極，所述源極和漏極之間形成溝道。本發(fā)明可以有效防止FFS原有陣列制作過(guò)程中，因?yàn)閼?yīng)用了Half-tone技術(shù)所造成的對(duì)Pixel電學(xué)性質(zhì)及BM設(shè)計(jì)的不良影響。
文檔編號(hào)H01L29/786GK102629575SQ20111024324
公開(kāi)日2012年8月8日 申請(qǐng)日期2011年8月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月23日
發(fā)明者王丹, 邵喜斌 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司