專利名稱：制造底部發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，更具體地講，本公開涉及有機發(fā)光顯示裝置的制造過程中的雜質(zhì)摻雜工藝。
背景技術(shù)：
信息技術(shù)(IT)產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展正在急劇增加顯示裝置的使用。近來，已經(jīng)出現(xiàn)了對重量輕且薄、消耗低功率并且提供高分辨率的顯示裝置的需求。為了滿足這些需求，正在開發(fā)液晶顯示器或者利用有機發(fā)光特性的有機發(fā)光顯示器。作為具有自發(fā)光特性的下一代顯示裝置的有機發(fā)光顯示器在視角、對比度、響應(yīng)速度和功耗方面具有優(yōu)于液晶顯示器的特性，并且由于不需要背光，所以有機發(fā)光顯示器可以制造得薄且重量輕。有機發(fā)光顯示器包括基底，具有像素區(qū)域和非像素區(qū)域；容器或者另一基底，設(shè)置為面對所述基底以用于包封，并且通過例如環(huán)氧樹脂的密封劑附于所述基底。在基底的像素區(qū)域中，多個有機發(fā)光二極管(OLED)以矩陣圖案連接在掃描線和數(shù)據(jù)線之間，以形成像素。在非像素區(qū)域中，形成從像素區(qū)域的掃描線和數(shù)據(jù)線延伸的掃描線和數(shù)據(jù)線、用于操作OLED的電源線、以及用于處理經(jīng)輸入焊盤從外部源接收的信號并且將處理后的信號提供給掃描線和數(shù)據(jù)線的掃描驅(qū)動器和數(shù)據(jù)驅(qū)動器。在下文中，參照圖I至圖6來描述制造有機發(fā)光顯示裝置(具體地，底部發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝置)的方法的示例。參照圖1，在具有像素區(qū)域、晶體管區(qū)域和電容器區(qū)域的基底上形成緩沖層，并且在緩沖層上形成硅層。然后，將硅層圖案化，以在晶體管區(qū)域上形成半導(dǎo)體層(DR_TFT和 SW_TFT)，在電容器區(qū)域上形成電極(STC)。在圖案化的硅層上形成柵極絕緣膜。參照圖2，在整個基底上提供柵極材料，然后圖案化，以在像素區(qū)域、晶體管區(qū)域和電容器區(qū)域中的每個上形成柵極GATE。接下來，為了將硅層DR_TFT和SW_TFT轉(zhuǎn)變?yōu)榘雽?dǎo)體，用雜質(zhì)摻雜晶體管區(qū)域的硅層DR_TFT和SW_TFT。這里，形成在晶體管區(qū)域上的柵極 GATE防止硅層DR_TFT和SW_TFT中的每個硅層的中心部分被雜質(zhì)摻雜。另一方面，由于柵極GATE覆蓋電容器區(qū)域的整個硅層STC，所以摻雜離子不會滲透到硅層STC中。參照圖3，在整個基底上形成層間絕緣膜IDL，然后圖案化，以形成與像素區(qū)域?qū)?yīng)的開口區(qū)域以及用于形成源極和漏極S/D的接觸孔。參照圖4，源極和漏極S/D在晶體管區(qū)域被圖案化。然后，去除形成在像素區(qū)域和電容器區(qū)域的每個上的柵極GATE。由于去除了如圖2中所示的覆蓋電容器區(qū)域的硅層STC 并因此防止硅層STC被摻雜的柵極GATE，所以執(zhí)行另外的摻雜工藝，以將硅層STC轉(zhuǎn)變?yōu)殡姌O。
參照圖5，形成像素限定層roL，然后將像素限定層TOL圖案化，以暴露像素區(qū)域 (在圖5中用標號“PIXEL”示出)的透明電極(氧化銦錫(ITO))。用像素限定層PDL覆蓋晶體管區(qū)域和電容器區(qū)域，因此晶體管區(qū)域和電容器區(qū)域未被暴露。如上所述，在制造有機發(fā)光顯示裝置的方法的以上示例中，通過兩輪摻雜單獨摻雜了晶體管區(qū)域的多晶硅層和電容器區(qū)域的多晶硅層。這兩輪摻雜在工藝時間和成本方面是不利的。當用雜質(zhì)離子摻雜晶體管區(qū)域的多晶硅層(DR_TFT和SW_TFT)時，由于僅有柵極絕緣膜位于每個多晶硅層上，所以使用用于摻雜工藝的普通的加速電壓。然而，當用雜質(zhì)離子摻雜電容器區(qū)域的多晶硅層(STC)時，由于柵極絕緣膜和透明電極層(ITO)位于多晶硅層上，因此需要更高的加速電壓。這樣使用不同的加速電壓在工藝時間和成本方面是不利的。摻雜的多晶硅層下方的電阻趨于增加。因此，為了降低電阻，在單獨摻雜被施加了高頻率的電容器區(qū)域和晶體管區(qū)域的多晶硅層之后，另外需要熱處理工藝。另外的熱處理工藝在工藝時間和成本方面是不利的。如近來提出的，為了改善視角，陽極可以形成為具有圖6中示出的ITO-銀 (Ag)-ITO的多層結(jié)構(gòu)，而不是ITO的單層結(jié)構(gòu)。在這種情況下，除了透明電極(ITO)之外， 在電容器區(qū)域上形成Ag層。由于透明電極(ITO)和金屬層堆疊在電容器區(qū)域的多晶硅層 (STC)上，所以難以摻雜形成在電容器區(qū)域上的多晶硅層。在背景技術(shù)部分中的以上討論是為了提供普通的背景技術(shù)信息，并不構(gòu)成對現(xiàn)有技術(shù)的認可。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的多個方面提供了一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，在該方法中，可以通過單次摻雜工藝同時摻雜晶體管區(qū)域的硅層和電容器區(qū)域的硅層，并且不需要用于活化摻雜的娃層的熱處理工藝。本發(fā)明的多個方面還提供了一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，在該方法中，可以通過單次摻雜工藝同時摻雜晶體管區(qū)域的硅層和電容器區(qū)域的硅層，而不需要改變加速電壓。本發(fā)明的多個方面還提供了一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，在該方法中，可以采用氧化銦錫(ITO)-銀(Ag)-ITO的多層結(jié)構(gòu)來改善有機發(fā)光顯示裝置的視角。然而，本發(fā)明的多個方面不限于這里闡述的內(nèi)容。通過參照下面給出的詳細描述， 本發(fā)明的以上和其他方面對于本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說將變得更加清楚。根據(jù)本發(fā)明的方面，提供了一種制造底部發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括在包括晶體管區(qū)域和電容器區(qū)域的基底上形成硅層和柵極絕緣膜；在基底上形成半色調(diào)光致抗蝕劑；將硅層和柵極絕緣膜圖案化；通過使半色調(diào)光致抗蝕劑經(jīng)歷灰化工藝以在晶體管區(qū)域上方留下一部分半色調(diào)光致抗蝕劑，來形成殘留的光致抗蝕劑；通過在基底的整個區(qū)域上方施加雜質(zhì)來用雜質(zhì)摻雜硅層的至少一部分。根據(jù)本發(fā)明的方面，提供了一種制造底部發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝置的方法。所述方法包括在具有晶體管區(qū)域和電容器區(qū)域的基底上形成硅層和柵極絕緣膜；在基底上方形成光致抗蝕劑；將硅層和柵極絕緣膜圖案化；通過使一部分光致抗蝕劑未被去除來形成殘留的光致抗蝕劑；通過在基底的整個區(qū)域上方施加雜質(zhì)來用雜質(zhì)摻雜硅層的至少一部分。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造底部發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝置的方法。 所述方法包括在具有像素區(qū)域、晶體管區(qū)域和電容器區(qū)域的基底上方形成硅層和柵極絕緣膜；在基底上方形成半色調(diào)光致抗蝕劑；將硅層和柵極絕緣膜圖案化；通過使半色調(diào)光致抗蝕劑經(jīng)歷灰化工藝以在晶體管區(qū)域上方保留一部分半色調(diào)光致抗蝕劑，來形成殘留的光致抗蝕劑；通過在基底的整個區(qū)域上方施加雜質(zhì)來用雜質(zhì)摻雜硅層的至少一部分；去除殘留的光致抗蝕劑；在像素區(qū)域、晶體管區(qū)域和電容器區(qū)域中的每個區(qū)域上形成包括透明電極材料-金屬-透明電極材料的三層的陽極電極。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造底部發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝置的方法， 所述方法包括在包括晶體管區(qū)域和電容器區(qū)域的基底上形成硅層和柵極絕緣膜；在基底上方形成半色調(diào)光致抗蝕劑；將硅層和柵極絕緣膜圖案化；通過使半色調(diào)光致抗蝕劑經(jīng)歷灰化工藝以在晶體管區(qū)域上方保留一部分半色調(diào)光致抗蝕劑，來形成殘留的光致抗蝕劑； 通過在基底的整個區(qū)域上方施加雜質(zhì)來用雜質(zhì)摻雜硅層的至少一部分；去除殘留的光致抗蝕劑；順序地形成柵極、層間絕緣膜、源極和漏極以及像素限定層。


通過參照附圖對本發(fā)明實施例進行詳細的描述，本發(fā)明的以上和其他方面及特征將變得更加清楚，在附圖中圖I至圖6是示出制造有機發(fā)光顯示裝置的方法的示例的剖視圖；圖7是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法的流程圖；圖8至圖18是順序示出根據(jù)實施例的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法的剖視圖；圖19是示出利用根據(jù)實施例的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法形成的柵極的對準的剖視圖；圖20和圖21是順序示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法的剖視圖；圖22是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法的流程圖。
具體實施例方式通過參照下面對實施例和附圖進行的詳細描述，本發(fā)明及實現(xiàn)本發(fā)明的方法的優(yōu)點和特征可被更容易地理解。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式實施，而不應(yīng)該被理解為限于在此闡述的實施例。相反，提供這些實施例，使得本公開將是徹底和完整的，并且將把本發(fā)明的構(gòu)思充分傳達給本領(lǐng)域技術(shù)人員，本發(fā)明將僅由權(quán)利要求來限定。在附圖中，為了清晰起見，會夸大層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。將理解的是，當元件或?qū)颖环Q作“在”另一元件或?qū)印吧稀睍r，該元件或?qū)涌梢灾苯游挥诹硪辉驅(qū)由?，或者也可以存在中間元件或中間層。相反，當元件被稱作“直接在”另一元件或?qū)印吧稀睍r，不存在中間元件或中間層。在整個說明書中，相同的標號表示相同的元件。如這里所使用的，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項的一項或多項的任意組合和所有組合。
為了便于描述，這里可以使用空間相對術(shù)語，例如“在......下面”、“在......下
方”、“下面的”、“在......上方”、“上面的”等來描述如附圖中所示的一個元件或特征與其
他元件或特征的關(guān)系。將理解的是，空間相對術(shù)語意圖包括除了附圖中描繪的方位之外的裝置在使用或操作中的不同方位。這里參照作為本發(fā)明實施例的示意性圖示的平面圖和剖視圖來描述本發(fā)明的實施例。這樣，例如由制造技術(shù)和/或公差導(dǎo)致的圖示的形狀變化是預(yù)料之中的。因此，本發(fā)明的實施例不應(yīng)被理解為限于這里示出的區(qū)域的特定形狀，而是包括例如由制造導(dǎo)致的形狀的偏差。因此，附圖中示出的區(qū)域在本質(zhì)上是示意性的，它們的形狀不意圖示出裝置的區(qū)域的實際形狀，并且不意圖限制本發(fā)明的范圍。在下文中，將參照附圖進一步詳細地描述本發(fā)明的實施例。將參照圖7至圖21來描述本發(fā)明的實施例。圖7是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法的流程圖。圖8至圖18是順序示出根據(jù)實施例的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法的剖視圖。圖19是示出利用根據(jù)實施例的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法形成的柵極的對準的剖視圖。根據(jù)本發(fā)明當前實施例的制造有機發(fā)光顯示裝置(具體地，底部發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝置)的方法包括在具有晶體管區(qū)域和電容器區(qū)域的基底上形成硅層和柵極絕緣膜 (操作S110);在基底上形成光致抗蝕劑(操作S120);將硅層和柵極絕緣膜圖案化(操作 S130);通過使一部分光致抗蝕劑未被去除來形成殘留的光致抗蝕劑(操作S140);通過在基底的整個區(qū)域上方施加雜質(zhì)來用雜質(zhì)摻雜硅層的至少一部分(操作S150)。參照圖8，形成基底10，在基底10上形成緩沖層12，在緩沖層12上形成硅層14。基底10可以由包含SiO2作為主要成分的透明玻璃材料制成。然而，形成基底10 的材料不限于透明玻璃材料。基底10也可以由透明塑料材料制成，所述透明塑料材料可以為從由聚苯醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、 聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基化物、聚酰亞胺、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纖維素(TAC)和醋酸丙酸纖維素(CAP)組成的組中選擇的絕緣有機材料。在基底10中形成分別形成有晶體管、電容器和像素的晶體管區(qū)域、電容器區(qū)域和像素區(qū)域。在晶體管區(qū)域、電容器區(qū)域和像素區(qū)域之間沒有清晰的邊界?；?0的其上形成有晶體管的區(qū)域被定義為晶體管區(qū)域，基底10的其上形成有電容器的區(qū)域被定義為電容器區(qū)域。在朝向基底10實現(xiàn)圖像的底部發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝置中，基底10由透明材料制成。然而，在遠離基底10實現(xiàn)圖像的頂部發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝置中，基底10不是必須由透明材料制成。在這種情況下，基底10可以由金屬制成。當基底10由金屬制成時,基底 10可以包含從由碳(C)、鐵(Fe)、鉻(Cr)、錳(Mn)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鑰(Mo)和不銹鋼(SUS) 組成的組中選擇的至少一種材料。然而，形成基底10的材料不限于以上材料。基底10也可以由金屬箔制成。還可以在基底10上形成緩沖層12，以使基底10平坦化，并且防止雜質(zhì)滲透到基底 10中。緩沖層12可以是SiOx、SiNx或SiONx的單層或者這些材料的多層結(jié)構(gòu)。在緩沖層12上形成硅層14。硅層14可以由硅(Si) ( S卩，非晶硅(a-Si))制成?？蛇x地，硅層14可以由多晶硅(p-Si)制成。當硅層14由a-Si制成時，可以利用例如激光另外執(zhí)行晶化工藝。另外，娃層14可以由Ge、GaP、GaAs或AlAs制成,但不限于此?？梢杂肞型或N型雜質(zhì)摻雜硅層14的部分。如后面將描述的，形成在晶體管區(qū)域上的硅層14可以被部分地摻雜，以形成半導(dǎo)體，形成在電容器區(qū)域上的硅層14可以被完全地摻雜，以形成電容器電極。參照圖9，在硅層14上設(shè)置柵極絕緣膜16，以覆蓋硅層14并使硅層14與柵極20 絕緣。與緩沖層12類似，柵極絕緣膜16可以為Si02、SiNx或SiONx的單層或者這些材料的多層結(jié)構(gòu)。柵極絕緣膜16可以由與緩沖層12的材料相同的材料制成，或者由與緩沖層12 的材料不同的材料形成。參照圖10，為了將硅層14和柵極絕緣膜16圖案化，在柵極絕緣膜16上涂覆光致抗蝕劑PR。在基底上形成光致抗蝕劑的過程(操作S120)中涂覆的光致抗蝕劑PR可以為半色調(diào)光致抗蝕劑，因此使用光致抗蝕劑PR不僅可以將硅層14和柵極絕緣膜16圖案化， 而且光致抗蝕劑PR還可以用作防止摻雜的掩模。半色調(diào)光致抗蝕劑PR可以僅形成在晶體管區(qū)域上。如圖10所示，半色調(diào)光致抗蝕劑PR可以包括兩層。當沿著基底的厚度方向觀看時，半色調(diào)光致抗蝕劑PR的下層可以比半色調(diào)光致抗蝕劑PR的上層寬。參照圖11，硅層14和柵極絕緣膜16被圖案化(操作S 130)。圖11的左邊的島形結(jié)構(gòu)是將要形成晶體管的區(qū)域，圖11的右邊的島形結(jié)構(gòu)是將要形成電容器的區(qū)域。參照圖12，通過使一部分光致抗蝕劑PR未被去除來形成殘留的光致抗蝕劑 PR’(操作S 140)。當光致抗蝕劑PR是半色調(diào)光致抗蝕劑時，對半色調(diào)光致抗蝕劑執(zhí)行灰化工藝，從而僅使兩層半色調(diào)光致抗蝕劑中的上層保留下來，從而形成殘留的光致抗蝕劑 PR’。如上所述，殘留的光致抗蝕劑PR’可以僅留在晶體管區(qū)域上。參照圖13，用雜質(zhì)摻雜基底10的整個區(qū)域(操作S150)。由于如圖中所示殘留的光致抗蝕劑PR’形成在晶體管區(qū)域的柵極絕緣膜16上，所以晶體管區(qū)域的硅層14被分為未摻雜有雜質(zhì)的第一區(qū)域14a和摻雜有雜質(zhì)的第二區(qū)域14b。因此，只有第二區(qū)域14b被電極化。另一方面，殘留的光致抗蝕劑PR’不存在于電容器區(qū)域的柵極絕緣膜16上。因此， 電容器區(qū)域的整個硅層14形成摻雜有雜質(zhì)的第二區(qū)域14b，并且轉(zhuǎn)變?yōu)殡姌O。如后面將描述的，摻雜的硅層(即，第二區(qū)域14b)形成電容器電極。如上所述，在根據(jù)當前實施例的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法中，通過一次摻雜工藝，晶體管區(qū)域的硅層14和電容器區(qū)域的硅層14 一次被完全/部分形成為電極。因此， 可以同時形成半導(dǎo)體和電容器電極。另外，由于執(zhí)行一次摻雜工藝，所以可以利用雜質(zhì)離子的相同的加速電壓來摻雜晶體管區(qū)域和電容器區(qū)域。具體地講，由于只有單個柵極絕緣膜16形成在晶體管區(qū)域和電容器區(qū)域的硅層14上，所以可以同時摻雜晶體管區(qū)域的硅層14和電容器區(qū)域的硅層14，而不用改變加速電壓。在根據(jù)當前實施例的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法中，在形成柵極20之前摻雜硅層14。因此，在后續(xù)工藝中形成柵極20和/或源極和漏極24之后，為了改善接觸電阻， 對整個基底10執(zhí)行退火工藝。這使得在硅層14摻雜之后不是必須執(zhí)行用于降低硅層14的電阻的另外的退火工藝，從而縮短了工藝時間并降低了工藝成本。參照圖14，還可以在基底10的整個區(qū)域上形成另外的柵極絕緣膜18。另外的柵極絕緣膜18可以由與柵極絕緣膜16的材料相同的材料制成。另外的柵極絕緣膜18可以防止硅層14的第一區(qū)域14a和第二區(qū)域14b與將要形成在另外的柵極絕緣膜18上的柵極 20中的一個之間的短路。參照圖15，在另外的柵極絕緣膜18上形成柵極20。每個柵極20傳輸柵極信號，以控制每個像素的光發(fā)射。每個柵極20可以為Al或Al合金(例如，Cr-Al、Μο-Α1或Al-Nd) 的單層，或者Cr或Mo合金與堆疊在Cr或Mo合金上的Al合金的多層結(jié)構(gòu)。另外，每個柵極20可以包含氧化銦錫(ITO)、Mo和Al中的一種或多種。在圖15中，每個柵極20形成為從底部順序堆疊的ITO-M0-Al-M0的四層結(jié)構(gòu)。參照圖16，在柵極20上形成層間絕緣膜22。層間絕緣膜22使柵極20與源極和漏極24電絕緣。與緩沖層12類似，層間絕緣膜22可以為SiOx、SiNx或SiONx的單層或者這些材料的多層結(jié)構(gòu)。在層間絕緣膜22中形成用于形成像素區(qū)域的開口部分以及用于形成源極和漏極24的接觸孔。參照圖17，在層間絕緣膜22上形成電連接到硅層14的摻雜的第二區(qū)域14b的源極和漏極24。源極和漏極24通過形成在層間絕緣膜22中的接觸孔電連接到硅層14。源極和漏極24 可以由從 Mo、Cr、W、Moff、Al、Al-Nd、Ti、TiN, Cu、Mo 合金、Al 合金和Cu合金中選擇的任意一種材料制成。可選地，源極和漏極24可以為Mo-Al-Mo的三層結(jié)構(gòu)。在源極和漏極24被圖案化之后，可以同時蝕刻像素區(qū)域(在圖17中用標號 “PIXEL”表示)的柵極材料以及源極和漏極材料。這里，可以蝕刻形成在像素區(qū)域上的除了透明電極之外的所有層。參照圖18，可以在源極和漏極24上形成限定像素區(qū)域(在圖18中用標號“PIXEL” 表示)的像素限定層26。像素限定層26形成在整個基底10上，以覆蓋晶體管和電容器。 在像素限定層26中形成像素電極的開口暴露部分，以限定像素區(qū)域。參照圖19，如上所述，由于殘留的光致抗蝕劑PR’，所以硅層14可以被分為未摻雜有雜質(zhì)的第一區(qū)域14a和摻雜有雜質(zhì)的第二區(qū)域14b。當沿著基底的厚度方向觀看時，第一區(qū)域14a的寬度LI可以大于晶體管區(qū)域上的柵極20的寬度L2。當在摻雜工藝之后形成柵極20時，如果晶體管區(qū)域的柵極20朝向柵極20的兩側(cè)上的第二區(qū)域14b之一未對準，則會負面地影響電流特性。因此，為了即使在輕微未對準的情況下也保持恒定的電流特性，第一區(qū)域14a的寬度LI可以大于晶體管區(qū)域上的柵極20 的寬度L2。在下文中，將參照圖20至圖22來描述根據(jù)本發(fā)明另一實施例的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法。圖20和圖21是順序示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法的剖視圖。圖22是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法的流程圖。根據(jù)當前實施例的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法包括在具有像素區(qū)域、晶體管區(qū)域和電容器區(qū)域的基底上形成硅層和柵極絕緣膜(操作S210);在基底上方形成半色調(diào)光致抗蝕劑(操作S220);將硅層和柵極絕緣膜圖案化(操作S230);通過使半色調(diào)光致抗蝕劑經(jīng)歷灰化工藝以在晶體管區(qū)域上方保留一部分半色調(diào)光致抗蝕劑，來形成殘留的光致抗蝕劑(操作S240);通過在基底的整個區(qū)域上方施加雜質(zhì)來用雜質(zhì)摻雜硅層的至少一部分(操作S250);去除殘留的光致抗蝕劑(操作S260);在像素區(qū)域、晶體管區(qū)域和電容器區(qū)域中的每個上形成三層電極，所述三層電極包括透明電極材料-金屬-透明電極材料(操作 S270)。直到用雜質(zhì)摻雜基底的整個區(qū)域(操作S250)為止，當前實施例與前述實施例相同。然而，當前實施例還包括去除殘留的光致抗蝕劑(操作S260)，以及在像素區(qū)域、晶體管區(qū)域和電容器區(qū)域中的每個區(qū)域上形成包括透明電極材料-金屬-透明電極材料的三層陽極電極(操作S270)。另外，如前述實施例，當前實施例還可以包括在形成三層陽極電極之前在整個基底上形成另外的柵極絕緣膜。根據(jù)前述實施例的每個柵極20是ITO-Mo-Al-Mo的四層結(jié)構(gòu)。然而，參照圖20，根據(jù)當前實施例的每個柵極20是Mo-Al-Mo的三層結(jié)構(gòu)，在每個柵極20下面形成包括透明電極材料-金屬-透明電極材料的三層陽極電極19。構(gòu)成陽極電極19的透明電極可以包括從ΙΤ0、氧化銦鋅(IZO)、碳納米管、導(dǎo)電聚合物和納米線中選擇的一種或多種材料。設(shè)置在透明電極之間的金屬可以包括銀(Ag)。例如，陽極電極19可以包含IT0-Ag-IT0。按照與前述實施例的方式相同的方式執(zhí)行剩余工藝，以生產(chǎn)如圖21中所示的有機發(fā)光顯示裝置。陽極電極19被像素區(qū)域(在圖21中用標號“PIXEL”表示)的開口暴露。 包括Ag層的陽極電極19形成共振結(jié)構(gòu)，從而改善根據(jù)當前實施例的有機發(fā)光顯示裝置的視角特性。 在根據(jù)當前實施例的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法中，可以采用具有共振結(jié)構(gòu)的陽極電極19，并且可以同時蝕刻晶體管區(qū)域和電容器區(qū)域的硅層14。盡管已經(jīng)具體示出和描述了本發(fā)明的實施例，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是，在不脫離由權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在此進行形式和細節(jié)上的各種改變。實施例應(yīng)該被理解僅為描述性的，而不是出于限制的目的。
權(quán)利要求
1.一種制造底部發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括在包括晶體管區(qū)域和電容器區(qū)域的基底上形成硅層和柵極絕緣膜；在基底上形成半色調(diào)光致抗蝕劑；將硅層和柵極絕緣膜圖案化；通過使半色調(diào)光致抗蝕劑經(jīng)歷灰化工藝以在晶體管區(qū)域上方留下一部分半色調(diào)光致抗蝕劑，來形成殘留的光致抗蝕劑；通過在基底的整個區(qū)域上方施加雜質(zhì)來用雜質(zhì)摻雜硅層的至少一部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述底部發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝置包括半導(dǎo)體層，設(shè)置在基底的晶體管區(qū)域上方；柵極，與所述半導(dǎo)體層絕緣并且形成在半導(dǎo)體層上方；源極和漏極，形成在柵極上方并且包括連接到所述半導(dǎo)體層的端部。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述半色調(diào)光致抗蝕劑包括兩層，其中，當沿著基底的厚度方向觀看時，所述半色調(diào)光致抗蝕劑的下層比所述半色調(diào)光致抗蝕劑的上層寬。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述殘留的光致抗蝕劑包括半色調(diào)光致抗蝕劑的上層。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，利用雜質(zhì)離子的相同的加速電壓摻雜晶體管區(qū)域和電容器區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，圖案化的硅層的設(shè)置在電容器區(qū)域上方的整個部分被轉(zhuǎn)變?yōu)殡姌O。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，圖案化的硅層的設(shè)置在晶體管區(qū)域上方并且沒有設(shè)置在殘留的光致抗蝕劑下方的部分被轉(zhuǎn)變?yōu)殡姌O。
8.—種制造底部發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括在包括晶體管區(qū)域和電容器區(qū)域的基底上形成硅層和柵極絕緣膜；在基底上方形成光致抗蝕劑；將硅層和柵極絕緣膜圖案化；通過使一部分光致抗蝕劑未被去除來形成殘留的光致抗蝕劑；通過在基底的整個區(qū)域上方施加雜質(zhì)來用雜質(zhì)摻雜硅層的至少一部分。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，利用雜質(zhì)離子的相同的加速電壓摻雜晶體管區(qū)域和電容器區(qū)域。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，圖案化的硅層的設(shè)置在電容器區(qū)域上方的整個部分被轉(zhuǎn)變?yōu)殡姌O。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，圖案化的硅層的設(shè)置在晶體管區(qū)域上方并且沒有設(shè)置在殘留的光致抗蝕劑下方的部分被轉(zhuǎn)變?yōu)殡姌O。
12.一種制造底部發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括在包括晶體管區(qū)域和電容器區(qū)域的基底上形成硅層和柵極絕緣膜；在基底上方形成半色調(diào)光致抗蝕劑；將硅層和柵極絕緣膜圖案化；通過使半色調(diào)光致抗蝕劑經(jīng)歷灰化工藝以在晶體管區(qū)域上方保留一部分半色調(diào)光致抗蝕劑，來形成殘留的光致抗蝕劑；通過在基底的整個區(qū)域上方施加雜質(zhì)來用雜質(zhì)摻雜硅層的至少一部分；去除殘留的光致抗蝕劑；順序地形成柵極、層間絕緣膜、源極和漏極以及像素限定層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，柵極由從氧化銦錫、鑰和鋁組成的組中選擇的一種或多種制成。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，柵極是ITO-Mo-Al-Mo的四層結(jié)構(gòu)。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，源極和漏極由Mo和Al中的一種或多種制成。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，源極和漏極是Mo-Al-Mo的三層結(jié)構(gòu)。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，設(shè)置在晶體管區(qū)域上方的圖案化的硅層包括未摻雜部分和摻雜部分，其中，摻雜部分被轉(zhuǎn)變?yōu)殡姌O。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，當沿著基底的厚度方向觀看時，未摻雜部分比設(shè)置在晶體管區(qū)域上方的柵極寬。
19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，所述方法還包括在形成柵極之前在整個基底上方形成另外的柵極絕緣膜。
20.一種制造底部發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括在包括像素區(qū)域、晶體管區(qū)域和電容器區(qū)域的基底上方形成硅層和柵極絕緣膜；在基底上方形成半色調(diào)光致抗蝕劑；將硅層和柵極絕緣膜圖案化；通過使半色調(diào)光致抗蝕劑經(jīng)歷灰化工藝以在晶體管區(qū)域上方保留一部分半色調(diào)光致抗蝕劑，來形成殘留的光致抗蝕劑；通過在基底的整個區(qū)域上方施加雜質(zhì)來用雜質(zhì)摻雜硅層的至少一部分；去除殘留的光致抗蝕劑；在像素區(qū)域、晶體管區(qū)域和電容器區(qū)域中的每個區(qū)域上形成包括透明電極材料-金屬-透明電極材料的三層的陽極電極。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，所述三層陽極電極包括ITO-銀-IT0。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，所述方法還包括在形成三層的陽極電極之前在整個基底上方形成另外的柵極絕緣膜。
23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，所述方法還包括在所述三層的陽極電極上方形成柵極。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述柵極是ITO-M0-Al-M0的四層結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種制造底部發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括在具有晶體管區(qū)域和電容器區(qū)域的基底上形成硅層和柵極絕緣膜；在基底上形成半色調(diào)光致抗蝕劑；將硅層和柵極絕緣膜圖案化；通過使半色調(diào)光致抗蝕劑經(jīng)歷灰化工藝以在晶體管區(qū)域上方留下一部分半色調(diào)光致抗蝕劑，來形成殘留的光致抗蝕劑；通過在基底的整個區(qū)域上方施加雜質(zhì)來用雜質(zhì)摻雜硅層的至少一部分。
文檔編號H01L51/56GK102593144SQ20111024390
公開日2012年7月18日 申請日期2011年8月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月11日
發(fā)明者文相皓, 樸鐘賢, 樸鮮, 李律圭, 柳春其 申請人:三星移動顯示器株式會社