專利名稱：寬焊盤阻抗為50ω氮化鋁陶瓷基板100瓦負載片的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉一種氮化鋁陶瓷基板負載片，特別涉及一種寬焊盤阻抗為50 Ω氮化鋁陶瓷基板100瓦負載片。
背景技術：
氮化鋁陶瓷基板負載片主要用于在通信基站中吸收通信部件中反向輸入的功率， 如果不能承受要求的功率，負載就會燒壞，在氮化鋁陶瓷基板負載片的實際使用過程中，都需要有引線焊接到負載片的焊盤上，目前市場上大多采用小焊盤的設計工藝，因為焊盤放大后會直接影響到產(chǎn)品的回波損耗，使得回波損耗增大，但如果采用小焊盤則會多焊接的方便性及焊接的牢固性造成不利的影響。

發(fā)明內(nèi)容
針對上述現(xiàn)有技術的不足，本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種方便焊接且焊接牢固的100W氮化鋁陶瓷基板衰減片。為解決上述技術問題，本發(fā)明采用如下技術方案一種阻抗為50 Ω氮化鋁陶瓷基板100瓦負載片，其包括一 5. 7*8. 9*1. Omm的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導層，所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導線， 所述導線連接所述電阻形成負載電路，所述負載電路的接地端與所述背導層電連接，所述電阻上印刷有玻璃保護膜。所述負載電路上設有寬尺寸的焊盤。優(yōu)選的，所述導線及玻璃保護膜的上表面還印刷有一層藍色保護膜。優(yōu)選的，所述背導層及導線由導電銀漿印刷而成，所述電阻由電阻漿料印刷而成。上述技術方案具有如下有益效果該結構的寬焊盤阻抗為50 Ω氮化鋁陶瓷基板 100瓦負載片具有良好的VSWR性能，方便負載片與引線的焊接，由于焊接面積增大，焊接強度也必得到提高，可有效保證負載片與引線焊接的牢固性，提高承載片的承載力，減小回波損耗。上述說明僅是本發(fā)明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術手段， 并可依照說明書的內(nèi)容予以實施，以下以本發(fā)明的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。 本發(fā)明的具體實施方式
由以下實施例及其附圖詳細給出。


圖1為本發(fā)明實施例的結構示意圖。
具體實施例方式下面結合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細介紹。如圖1所示，該寬焊盤阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板100瓦負載片包括一 5. 7*8. 9*1. Omm的氮化鋁基板1，氮化鋁基板1的背面印刷有背導層，氮化鋁基板1的正面印刷有電阻3及導線2，導線2連接電阻3形成負載電路，負載電路的接地端與背導層通過銀漿電連接，從而使負載電路接地導通。背導層及導線2由導電銀漿印刷而成，電阻3由電阻漿料印刷而成。電阻3上印刷有玻璃保護膜4。導線2及玻璃保護膜4的上表面還印刷有一層藍色保護膜5。該結構在原有設計方案的基礎上，增大了焊盤的面積，通過線路的優(yōu)化設計，同時保證了良好的性能。該結構的寬焊盤阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板100瓦負載片具有良好的VSWR性能，可以使用與3G及3G以內(nèi)的通信網(wǎng)絡需求，在5. 7*8. 9*1. Omm的氮化鋁陶瓷基板上的功率達到100W，同時方便負載片與引線的焊接，由于焊接面積增大，焊接強度也必得到提高，可有效保證負載片與引線焊接的牢固性，提高承載片的承載力，減小回波損耗。據(jù)檢測該氮化鋁陶瓷基板負載片能承受的功率非常穩(wěn)定，能夠完全達到通信期間吸收所需要功率的要求，以上對本發(fā)明實施例所提供的一種阻抗為50 Ω氮化鋁陶瓷基板100瓦負載片進行了詳細介紹，對于本領域的一般技術人員，依據(jù)本發(fā)明實施例的思想，在具體實施方式
及應用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應理解為對本發(fā)明的限制，凡依本發(fā)明設計思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權利要求
1.一種寬焊盤阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板100瓦負載片，其特征在于其包括一 5. 7*8. 9*1. Omm的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導層，所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導線，所述導線連接所述電阻形成負載電路，所述負載電路的接地端與所述背導層電連接，所述電阻上印刷有玻璃保護膜。
2.根據(jù)權利要求1所述的寬焊盤阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板100瓦負載片，其特征在于所述導線及玻璃保護膜的上表面還印刷有一層藍色保護膜。
3.根據(jù)權利要求1所述的寬焊盤阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板100瓦負載片，其特征在于所述背導層及導線由導電銀漿印刷而成，所述電阻由電阻漿料印刷而成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種寬焊盤阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板100瓦負載片，其包括一5.7*8.9*1.0mm的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導層，所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導線，所述導線連接所述電阻形成負載電路，所述負載電路的接地端與所述背導層電連接，所述電阻上印刷有玻璃保護膜。該結構的寬焊盤阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板100瓦負載片具有良好的VSWR性能，在5.7*8.9*1.0mm的氮化鋁陶瓷基板上的功率達到100W，同時使其特性達到了3G，使該尺寸的氮化鋁陶瓷基板使用范圍更廣，也更加能夠與設備進行良好的匹配。
文檔編號H01P1/22GK102427152SQ20111025589
公開日2012年4月25日 申請日期2011年9月1日 優(yōu)先權日2011年9月1日
發(fā)明者郝敏 申請人:蘇州市新誠氏電子有限公司