專(zhuān)利名稱(chēng)：發(fā)光二極管的光電參數(shù)分組測(cè)試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件測(cè)試，具體涉及一種發(fā)光二極管的光電參數(shù)分組測(cè)試方法。
背景技術(shù)：
隨著氮化鎵基化合物的藍(lán)綠光以及白光用LED在顯示及照明領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，客觀上對(duì)LED的需求數(shù)量呈現(xiàn)幾何級(jí)數(shù)增加，這樣對(duì)LED的生產(chǎn)效率提出更高要求?，F(xiàn)有LED 晶圓的光電測(cè)試缺點(diǎn)是，需要測(cè)試每一顆芯片完整的光學(xué)性能和電學(xué)性能，測(cè)試每顆芯片時(shí)需要通電多次。目前，測(cè)量光學(xué)參數(shù)需要通電4次左右，測(cè)量電學(xué)參數(shù)也需要通電4次左右，每次測(cè)試需要消耗的時(shí)間與測(cè)試通電的次數(shù)成正比，機(jī)臺(tái)的產(chǎn)能較低。在LED芯片生產(chǎn)中，測(cè)試成本占芯片加工成本的15%以上，因此，提高測(cè)試效率，可以顯著提高機(jī)臺(tái)產(chǎn)能，降低芯片生產(chǎn)成本。通過(guò)金屬有機(jī)化學(xué)氣相技術(shù)(MOCVD)外延制備的LED晶圓，其單個(gè)晶圓上LED芯片光電性能是一種漸變的過(guò)程，且隨著LED光電性能不斷提高，芯片的尺寸越來(lái)越小，相鄰芯片之間的光電參數(shù)變化也越來(lái)越小，相鄰芯片光電性能參數(shù)的變化可以忽略不記。因此， 可以開(kāi)發(fā)一種簡(jiǎn)約的測(cè)試方法，替換原來(lái)需要測(cè)試每個(gè)芯片所有光電參數(shù)的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是，在較小影響測(cè)試效果的情況下，提供一種全新的簡(jiǎn)化測(cè)試方法，來(lái)取代原來(lái)測(cè)試每顆芯片所有光電參數(shù)的技術(shù)。本發(fā)明的技術(shù)方案為一種發(fā)光二極管的光電參數(shù)分組測(cè)試方法，包括光學(xué)性能測(cè)試和電學(xué)性能測(cè)試，單顆芯片的部分光電參數(shù)來(lái)自于與其相鄰的LED芯片的參數(shù)。其中測(cè)試光學(xué)性能包括IV (亮度)，Wd(主值波長(zhǎng))，Wp (峰值波長(zhǎng))，HW(半波寬),CIE-x (CIE色度χ坐標(biāo))，CIE-y(CIE色度y坐標(biāo))等參數(shù)。測(cè)試的電學(xué)性能包括Vfim (開(kāi)啟電壓)，Vf (工作電壓)，U反向漏電流)，VJ反向擊穿電壓)等參數(shù)。本芯片的光電參數(shù)可以引用與其相鄰或相近的一個(gè)芯片的光電參數(shù)，也可以引用與其相鄰或者相近的多個(gè)芯片的光電參數(shù)。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于按照本發(fā)明的LED芯片測(cè)試方法，不需要完整的測(cè)試每一顆 LED芯片的光電參數(shù)，簡(jiǎn)化LED的芯片的測(cè)試。并且每一顆芯片的光電參數(shù)在其周?chē)酒墓怆妳?shù)中都有體現(xiàn)。其中，芯片尺寸的減小和外延性能的變化梯度的減小對(duì)測(cè)試效果更為有利。需要特別指出的是，本文中所指的芯片測(cè)試方法，除了可以用于測(cè)試發(fā)光二極管 (LED)之外，還可以用于其它用途的半導(dǎo)體器件，例如存儲(chǔ)芯片的測(cè)試。


圖1為相鄰芯片光電參數(shù)分組測(cè)試示意圖2三顆芯片光電參數(shù)分組測(cè)試示意圖。圖中A為外延片所制備的晶圓，1、2、3、4為單個(gè)晶圓中的相鄰芯片，B為外延片所制備的晶圓，5、6、7為單個(gè)晶圓中的相鄰芯片。具體的實(shí)施方式在進(jìn)一步介紹本發(fā)明之前，應(yīng)當(dāng)理解，由于可以對(duì)特定的實(shí)施例進(jìn)行改造，因此， 本發(fā)明并不限于下述的特定實(shí)施例。還應(yīng)當(dāng)理解，由于本發(fā)明的范圍只由所附權(quán)利要求限定，因此所采用的實(shí)施例只是介紹性的，而不是限制性的。除非另有說(shuō)明，否則這里所用的所有技術(shù)和科學(xué)用語(yǔ)與本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所普遍理解的意義相同。按照本發(fā)明的LED芯片測(cè)試，可以是分別測(cè)試相鄰或者相近芯片的光學(xué)性能參數(shù)和電學(xué)性能參數(shù)，其中，兩顆被測(cè)試芯片之間可以是相鄰或者相近的芯片。下面將參考附圖來(lái)介紹本發(fā)明，在這些附圖中，類(lèi)似的部件由類(lèi)似的標(biāo)號(hào)表示。圖一和圖二分別為運(yùn)用本發(fā)明對(duì)應(yīng)的測(cè)試方法示意圖。可以看出，利用光電參數(shù)分組的測(cè)試方法，每一顆芯片的測(cè)試結(jié)果上和組內(nèi)其他被測(cè)試的芯片的性能都是相關(guān)的， 這樣就能夠保證每顆芯片的性能在測(cè)試結(jié)果中能夠呈現(xiàn)。測(cè)試過(guò)程如下單個(gè)晶圓上的芯片按照一定的規(guī)律被分為芯片組，在圖1實(shí)施實(shí)例中，測(cè)試方法如下單個(gè)晶圓上的芯片被兩兩分組，測(cè)試芯片1和芯片3的所有光學(xué)性能參數(shù)，測(cè)試芯片2和芯片4的所有電學(xué)性能參數(shù)。將芯片1測(cè)試所得的光學(xué)性能參數(shù)和芯片3的電學(xué)性能參數(shù)結(jié)合到一起，組成一組完整的光電性能參數(shù)，將其賦予給芯片1和芯片 3。將芯片2測(cè)試所得的光學(xué)性能參數(shù)和芯片4的電學(xué)性能參數(shù)結(jié)合到一起，組成一組完整的光電性能參數(shù)，將其賦予給芯片2和芯片4。如此類(lèi)推，直到測(cè)試完此晶圓上所有芯片的光電參數(shù)。在圖2實(shí)施例中，測(cè)試方法如下單個(gè)晶圓上的芯片每三個(gè)分一組，在一組芯片中，測(cè)試芯片5的所有光學(xué)性能，測(cè)試芯片6的部分電學(xué)性能，測(cè)試芯片7中另外一部分電學(xué)性能，結(jié)合三顆芯片所有被測(cè)試出來(lái)的光電性能參數(shù)，得到一組完整的光電性能參數(shù)，賦予芯片5，芯片6，芯片7。如此類(lèi)推，直到測(cè)試完此晶圓上所有芯片的光電參數(shù)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管的光電參數(shù)分組測(cè)試方法，包括光學(xué)性能測(cè)試和電學(xué)性能測(cè)試，其特征在于一個(gè)芯片的完整光電參數(shù)組中，一部分光電參數(shù)是使用本芯片的光電參數(shù)，另一部分光電參數(shù)是使用在晶圓位置上與本芯片相鄰芯片或相近芯片的光電參數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)1所述的發(fā)光二極管的光電參數(shù)分組測(cè)試方法，其特征在于本芯片的光電參數(shù)可以引用與其相鄰或相近的一個(gè)芯片的光電參數(shù)，也可以引用與其相鄰或者相近的多個(gè)芯片的光電參數(shù)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管的光電參數(shù)分組測(cè)試方法，其特征在于一個(gè)芯片的完整光電參數(shù)組中，一部分光電參數(shù)是使用本芯片的光電參數(shù)，另外一部分光電參數(shù)是使用在晶圓位置上與本芯片相鄰或相近芯片的光電參數(shù)。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于按照本發(fā)明的LED芯片測(cè)試方法，不需要完整的測(cè)試每一顆LED芯片的光電參數(shù)，簡(jiǎn)化LED的芯片測(cè)試。并且每一顆芯片的光電參數(shù)在其周?chē)酒墓怆妳?shù)中都有體現(xiàn)。
文檔編號(hào)H01L33/00GK102280395SQ201110258720
公開(kāi)日2011年12月14日 申請(qǐng)日期2011年9月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月2日
發(fā)明者宋超, 張建寶 申請(qǐng)人:華燦光電股份有限公司