專利名稱：高功率氮化鋁陶瓷基板150瓦負載片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉一種氮化鋁陶瓷基板負載片，特別涉及一種高功率氮化鋁陶瓷基板150 瓦負載片。
背景技術(shù)：
氮化鋁陶瓷基板負載片主要用于在通信基站中吸收通信部件中反向輸入的功率， 如果不能承受要求的功率，負載就會燒壞，可能導(dǎo)致整個設(shè)備燒壞。目前國內(nèi)的氮化鋁陶瓷基板負載片都是應(yīng)用在民用通信領(lǐng)域，民用通信頻率要求為3G以及3G以內(nèi)。對于負載片來說，能夠達到應(yīng)用的要求，一是需要能夠滿足功率的要求，一是產(chǎn)品的特性也就是VSWR(駐波比)要越小越好，目前市場基礎(chǔ)需要滿足1.25 1以內(nèi).隨著頻段的增高，產(chǎn)品的VSWR 也就會越高。如果VSWR越小，與設(shè)備進行匹配就越容易，所以達到規(guī)定的功率的同時，更小的VSWR是市場的趨勢和需求。同時因為設(shè)計的多樣性要求，同一種功率的的產(chǎn)品需要有多種規(guī)格，這樣才能滿足客戶的各種設(shè)計要求。

發(fā)明內(nèi)容
針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種能夠承受150W 的功率，駐波需要能滿足目前3G應(yīng)用要求，同時在2G頻段以內(nèi)達到1.10 1以內(nèi)。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案一種高功率氮化鋁陶瓷基板150瓦負載片，其包括一 9. 55*6. 35*1. Omm的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導(dǎo)線，所述導(dǎo)線連接所述電阻形成負載電路，所述負載電路的接地端與所述背導(dǎo)層電連接，所述電阻上印刷有玻璃保護膜。優(yōu)選的，所述導(dǎo)線及玻璃保護膜的上表面還印刷有一層黑色保護膜。優(yōu)選的，所述背導(dǎo)層及導(dǎo)線由導(dǎo)電銀漿印刷而成，所述電阻由電阻漿料印刷而成。上述技術(shù)方案具有如下有益效果該結(jié)構(gòu)的高功率氮化鋁陶瓷基板150瓦負載片具有良好的VSWR性能，在9. 55*6. 35*1. Omm的氮化鋁陶瓷基板上的功率達到150W，同時使其特性駐波能滿足目前3G應(yīng)用要求，同時在2G頻段以內(nèi)達到1.10 1以內(nèi)，使該尺寸的氮化鋁陶瓷基板使用范圍更廣，也更加能夠與設(shè)備進行良好的匹配。采用豎向設(shè)計，在結(jié)構(gòu)上與橫向設(shè)計形成互補，滿足了客戶不同的設(shè)計方案要求。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段， 并可依照說明書的內(nèi)容予以實施，以下以本發(fā)明的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。 本發(fā)明的具體實施方式
由以下實施例及其附圖詳細給出。


圖1為本發(fā)明實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細介紹。如圖1所示，該高功率氮化鋁陶瓷基板150瓦負載片包括一 9. 55*6. 35*1. Omm的氮化鋁基板1，氮化鋁基板1的背面印刷有背導(dǎo)層，氮化鋁基板1的正面印刷有電阻3及導(dǎo)線2，導(dǎo)線2連接電阻3形成負載電路，負載電路的接地端與背導(dǎo)層通過銀漿電連接，從而使負載電路接地導(dǎo)通。背導(dǎo)層及導(dǎo)線2由導(dǎo)電銀漿印刷而成，電阻3由電阻漿料印刷而成。 電阻3上印刷有玻璃保護膜4。導(dǎo)線2及玻璃保護膜4的上表面還印刷有一層黑色保護膜 5。該該結(jié)構(gòu)的高功率氮化鋁陶瓷基板150瓦負載片具有良好的VSWR性能，在 9. 55*6. 35*1. Omm的氮化鋁陶瓷基板上的功率達到150W，同時使其特性駐波能滿足目前3G 應(yīng)用要求，同時在2G頻段以內(nèi)達到1.10 1以內(nèi)，使該尺寸的氮化鋁陶瓷基板使用范圍更廣，也更加能夠與設(shè)備進行良好的匹配。據(jù)檢測該氮化鋁陶瓷基板負載片能承受的功率非常穩(wěn)定，能夠完全達到通信期間吸收所需要功率的要求，采用豎向設(shè)計，在結(jié)構(gòu)上與橫向設(shè)計形成互補，滿足了客戶不同的設(shè)計方案要求。以上對本發(fā)明實施例所提供的一種高功率氮化鋁陶瓷基板150瓦負載片進行了詳細介紹，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實施例的思想，在具體實施方式
及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制，凡依本發(fā)明設(shè)計思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種高功率氮化鋁陶瓷基板150瓦負載片，其特征在于其包括一 9. 55*6. 35*1. Omm 的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導(dǎo)線，所述導(dǎo)線連接所述電阻形成負載電路，所述負載電路的接地端與所述背導(dǎo)層電連接，所述電阻上印刷有玻璃保護膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高功率氮化鋁陶瓷基板150瓦負載片，其特征在于所述導(dǎo)線及玻璃保護膜的上表面還印刷有一層黑色保護膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高功率氮化鋁陶瓷基板150瓦負載片，其特征在于所述背導(dǎo)層及導(dǎo)線由導(dǎo)電銀漿印刷而成，所述電阻由電阻漿料印刷而成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種高功率氮化鋁陶瓷基板150瓦負載片，其包括一9.55*6.35*1.0mm的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導(dǎo)線，所述導(dǎo)線連接所述電阻形成負載電路，所述負載電路的接地端與所述背導(dǎo)層電連接，所述電阻上印刷有玻璃保護膜。該結(jié)構(gòu)的高功率氮化鋁陶瓷基板150瓦負載片具有良好的VSWR性能，在9.55*6.35*1.0mm的氮化鋁陶瓷基板上的功率達到150W，同時使其特性達到了3G，使該尺寸的氮化鋁陶瓷基板使用范圍更廣，也更加能夠與設(shè)備進行良好的匹配。
文檔編號H01P1/22GK102361128SQ20111026489
公開日2012年2月22日 申請日期2011年9月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月8日
發(fā)明者郝敏 申請人:蘇州市新誠氏電子有限公司