專利名稱：芯片封裝件積層的系統(tǒng)和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
大體上，本發(fā)明的實施例涉及集成電路芯片封裝件，更具體地涉及芯片封裝件積層(build-up)。使用在該芯片封裝件的積層工藝期間保護裸芯(die)免受污染的技術(shù)制造芯片封裝件。
背景技術(shù)：
集成電路(IC)芯片封裝件典型地制造成包括貼附到層壓再分布層的一個或多個裸芯。該層壓再分布層由介電層壓材料構(gòu)成，例如卡普頓(Kapton )等，并且通過粘合劑層粘附到裸芯。裸芯通過金屬互連電連接到輸入/輸出系統(tǒng)，該金屬互連被路由通過粘貼到基底再分布層的多個另外層壓再分布層。標準芯片封裝件制造或積層工藝典型地從提供基底層壓再分布層和在其一個表面上施加粘合劑開始。通過將裸芯的正面或有源面施加到該粘合劑層上，使得在裸芯的有源面和跨裸芯的整個面的粘合劑層之間形成接合，一個或多個裸芯然后相對于基底層壓再分布層固定。然后形成金屬互連，并且金屬互連被路由通過基底層壓再分布層，以及通過在芯片封裝件積層期間隨后增加的任何另外層壓再分布層。然而，采用該方式將裸芯沉積到基底層壓再分布層具有關(guān)于生產(chǎn)工藝和所生產(chǎn)的所得芯片封裝件的結(jié)構(gòu)和功能的固有限制。即，在一些應用中，保護裸芯的有源面在芯片封裝件的積層工藝期間免受可能的污染是可取的。例如，對于在例如超級拍攝裝置(ultra camera)或相似感測裝置等成像裝置中的芯片封裝件的應用，期望保護成像器區(qū)(即裸芯) 在積層工藝期間免受污染。因為在這樣的應用中當芯片封裝件的積層完成時，成像器區(qū)/ 裸芯將處于暴露狀態(tài)，它對于要在積層工藝期間在裸芯的有源面和跨裸芯的整個面的粘合劑層之間形成的接合是不可取的。這樣的積層將要求隨后將粘合劑從成像區(qū)移除，并且可能向成像區(qū)引入污染，由此不利地影響超級拍攝裝置/感測裝置的性能。因此，需要有用于芯片封裝件制造的方法，其保護裸芯在積層工藝期間免受污染。 進一步需要有容易納入組裝工藝的與激光鉆孔兼容的可升級的且提供低成本組裝的制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例通過提供芯片制造的方法克服了前面提到的缺點，在該方法中芯片封裝件使用可移除的遮蔽元件制造，該遮蔽元件放置在裸芯上方并且通過氣穴與其隔離。該遮蔽元件保護裸芯在積層工藝期間免受污染，并且可以隨后從該處移除以暴露裸芯的清潔的正面。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，芯片封裝件包括其中形成有開口的基底再分布層(該開口在該基底再分布層的中心區(qū)域形成)，施加于該基底再分布層的一側(cè)的粘合劑層(該粘合劑層具有在其中形成的沒有粘合劑材料的窗口)，以及具有通過該粘合劑層粘附到該基底再分布層的正面的裸芯，其中該裸芯與在該粘合劑層中形成的該窗口對準，使得僅該裸芯的正面的周邊與該粘合劑層接觸。該芯片封裝件還包括在基底再分布層中形成的多個通孔以及多個金屬互連，以將基底再分布層電連接到裸芯；以及遮蔽元件，其安置在基底再分布層和粘合劑層之間，并且一般與在基底再分布層中形成的開口和粘合劑層的窗口對準，使得僅該遮蔽元件的周邊貼附到粘合劑層，其中該遮蔽元件通過氣隙與裸芯隔離。該遮蔽元件配置成可選擇性地從粘合劑層移除，以便暴露裸芯的正面。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，形成芯片封裝件的方法包括提供初始聚合物層壓層， 將金屬遮蔽元件沉積在該初始聚合物層壓層的一個表面上以便覆蓋其的一部分，以及將粘合劑層施加到該初始聚合物層壓層并且在該金屬遮蔽元件的上方，該粘合劑層的其中一部分從該粘合劑層移除以在該粘合劑層中形成窗口，該窗口大致上對應于該金屬遮蔽元件的表面區(qū)域并且與其對準。該方法還包括通過該粘合劑層將裸芯粘貼到該初始聚合物層壓層，其中該裸芯安置在窗口上方，使得該裸芯的周邊與該粘合劑層接觸，并且在該裸芯的中心部分和該遮蔽元件之間形成氣穴。該方法進一步包括圖案化該初始聚合物層壓層以包括多個通孔和多個金屬互連，以便將該初始聚合物層壓層電連接到該裸芯，限定對應于該粘合劑層中的窗口的該初始聚合物層壓層的一部分，并且從該粘合劑層移除該初始聚合物層壓層的該部分以及該金屬遮蔽元件，以便暴露該裸芯的正面。根據(jù)本發(fā)明的再另一個方面，用于制造芯片模塊的方法包括提供基底再分布層， 將遮蔽元件沉積在該基底再分布層的一個表面上以便覆蓋其的一部分，將粘合劑層施加到該基底再分布層和在該遮蔽元件的上方，燒蝕處在鄰近該遮蔽元件的區(qū)域中的粘合劑層的一部分以便暴露出至少大部分該遮蔽元件，并且將裸芯的正面施加到粘合劑層使得該裸芯與該遮蔽元件對準，其中該裸芯的周邊與該粘合劑層接觸，并且該裸芯的中心部分與該遮蔽元件通過在其間形成的氣隙隔離。該方法還包括在形成多個通孔和多個金屬互連來將該基底再分布層電連接到該裸芯的該基底再分布層的隨后圖案化期間，保持遮蔽元件在適當?shù)奈恢?；燒蝕鄰近該遮蔽元件的該基底再分布層的一部分；以及移除該遮蔽元件和該基底再分布層的該部分以便暴露該裸芯的正面。從下列連同附圖提供的本發(fā)明的優(yōu)選實施例的詳細說明，將更容易地理解這些以及其他優(yōu)勢和特征。


附示目前設想用于實施本發(fā)明的實施例。在附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施例的多個嵌入式芯片封裝件的頂視圖。圖2-11是根據(jù)本發(fā)明的實施例在制造/積層工藝的各種階段期間嵌入式芯片封裝件的截面?zhèn)纫晥D和頂視圖。
具體實施例方式本發(fā)明的實施例提供形成芯片封裝件的方法。該芯片封裝件在該芯片封裝件的積層和層壓再分布層的圖案化期間使用遮蔽元件或保護層來保護裸芯表面而制造。參照圖1，示出多個制造的芯片封裝件10或芯片模塊。每個芯片封裝件10包括與多個再分布層14(即層壓層)連接的裸芯12。每個裸芯12由單晶硅錠或多晶硅錠形成，并
4且制備成使得在它的表面上形成集成電路(IC)布圖。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，裸芯12配置成在成像裝置中使用，例如超級拍攝裝置、蜂窩電話拍攝裝置或相似感測裝置。從而，裸芯12構(gòu)造為“拍攝裝置裸芯”，其形成用于圖像感測的成像區(qū)。關(guān)于芯片封裝件10的再分布層14，多個再分布層14中的每個都采用可以相對于該裸芯12放置的預先形成的層壓薄片或膜的形式。該再分布層14可以由卡普頓(Kapton )、Ultem 、聚四氟乙烯(ptfe) 或例如液晶聚合物(LCP)或聚酰亞胺材料等另一個聚合物膜形成。如在圖ι中示出的，每個芯片封裝件10都通過在鄰近芯片封裝件10之間的區(qū)域中切穿再分布層14來形成。如在圖2-9中示出的，根據(jù)本發(fā)明的實施例闡述用于制造多個芯片封裝件10(即芯片積層)的技術(shù)中的步驟，其中示出在積層工藝的各種階段的芯片封裝件10的側(cè)向截面圖和頂視圖。參照圖2，提供初始或基底再分布層16的完整框架，并且安裝在框架18上以允許在其上進行另外的制造步驟。如上文闡述的，該初始再分布層16采用撓性聚合物層壓層的形式，例如卡普頓(Kapton )、Ultem 、聚四氟乙烯(ptfe)或另一個聚合物/聚酰亞胺膜，并且具有允許從其生產(chǎn)多個芯片封裝件 ο的大小。在圖3-9中示出初始再分布層16的整個框架以及添加到其的另外的層和部件的一部分，使得圖示單個芯片封裝件10的積層。如在圖3中示出的，提供初始再分布層16。 根據(jù)積層工藝，如在圖4A和4B中示出的，金屬層18然后沉積在初始再分布層16的一側(cè)， 其中該金屬層18由將提供與將隨后施加的粘合劑適當接合的材料(例如，Ti/Cu/Ti、鉻等等)形成。該金屬層18可濺射在初始再分布層16上或采用任何其他適當?shù)姆绞教砑樱珉婂兊?。圖案化該金屬層18，使得形成保護性遮蔽元件20，其具有根據(jù)一個實施例大致上匹配隨后添加到芯片封裝件10的裸芯12(圖1)的面積的面積，如將在下文詳細說明的。 備選地，認識到保護性遮蔽元件20可以形成為具有比裸芯12(圖1)的面積小得多的面積。 如進一步在圖4A和4B中示出的，進一步圖案化金屬層18來形成通氣孔基底21，其從遮蔽元件20延伸向外延伸經(jīng)過要添加的裸芯12 (圖1)的區(qū)域。根據(jù)一個實施例，金屬層18可進一步圖案化以便在初始再分布層16上形成多個基底金屬互連22?，F(xiàn)在參照圖5，在芯片封裝件10的積層技術(shù)的下一個步驟中，粘合劑層M施加到初始再分布層16和金屬層18上。該粘合劑層M可通過可燒蝕的環(huán)氧樹脂的旋涂施加而施加到初始再分布層16，或可備選地采用施加到初始再分布層16上的粘合劑膜的形式。然后該粘合劑層M部分地固化或烘烤。當部分地固化時，燒蝕粘合劑層M (例如通過紫外(UV) 激光)以便形成如在圖6A和6B中示出的窗口。特別地，激光燒蝕施加到遮蔽元件20上的粘合劑層M，以便形成暴露該遮蔽元件20的窗口 26。另外，激光燒蝕施加到通氣孔基底21 上方的粘合劑層24，以便形成通向裸芯區(qū)域外部(即，從窗口沈向外延伸)的小的通氣孔 28。認識到在激光燒蝕粘合劑層M以形成窗口沈和通氣孔28期間，遮蔽元件20和通氣孔基底21充當“背面阻擋”，其阻止激光從其中通過而到達初始再分布層16。在芯片封裝件10的積層的制造技術(shù)的備選實施例中，認識到預先切割的層壓膜可以施加到初始再分布層16。即，不是通過旋涂施加連續(xù)的粘合劑層M并且隨后激光燒蝕粘合劑層M來形成窗口 26 (如在圖5和6A/6B中示出的)，而是可以向初始再分布層16 施加具有預先在其中形成的窗口的粘合劑膜，使得不需要激光燒蝕粘合劑層。當完成激光燒蝕粘合劑層M時，圍繞燒蝕區(qū)域(即窗口 26)的粘合劑層M的一部分30暴露于UV光。該UV光曝光部分地固化該部分30，使得防止粘合劑層M侵占到燒蝕的窗口沈中?，F(xiàn)在參照圖7A和7B，芯片封裝件10的積層繼續(xù)進行，其中通過粘合劑層M將裸芯12(即，IC)對準并且放置到初始再分布層16上。該裸芯12位于窗口沈上方的中心位置，并且壓到粘合劑層M上，這時粘合劑層M完全固化以便將裸芯12固定到初始再分布層16，例如通過真空層壓和壓力烘烤固化工藝等。如在圖7A和7B中示出的，裸芯12的大小適合它向外延伸經(jīng)過遮蔽元件20。有益的是，繞裸芯12的外圍形成裸芯焊盤32從而安置在由遮蔽元件20覆蓋的裸芯12的區(qū)域的外部，其允許隨后與裸芯焊盤32的電連接。另外，由于裸芯12向外延伸經(jīng)過遮蔽元件20，從而該裸芯12擱在粘合劑層M上，并且在裸芯 12和遮蔽元件20之間形成氣穴36。該氣隙36與遮蔽元件20 —起起作用來保持裸芯12 的頂面清潔不受污染。如在圖5中在上文闡述的，通氣孔口觀被燒蝕而進入粘合劑層M 中，其中該通氣孔口觀從氣穴36向外延伸到在被裸芯12覆蓋的外部的芯片封裝件10的區(qū)域。由于該通氣孔口 28在氣隙36和在被裸芯12覆蓋的區(qū)域外部的周邊環(huán)境之間提供了流體連通，氣隙36中的氣壓從而可以受控制，例如否則可能在與芯片封裝件10的積層工藝關(guān)聯(lián)的溫度循環(huán)期間在氣穴36中增加的壓力等?，F(xiàn)在參照圖8，當將裸芯12固定到初始再分布層16時，圖案化初始再分布層16， 以形成多個通孔38，其鉆穿形成再分布層16的聚合物材料。根據(jù)示范性實施例，通孔38通過激光燒蝕或激光鉆孔工藝形成，并且在對應于基底金屬互連22和裸芯焊盤32的位置形成，以便暴露基底金屬互連22和裸芯焊盤32。備選地，還認識到通孔38可通過其他方法形成，包括等離子蝕刻，光限定，或機械鉆孔工藝。如在圖8中進一步示出的，圖案化初始再分布層16包括將金屬層/材料(例如籽金屬和/或銅)施加到再分布層16，例如通過濺射或電鍍工藝以及沉積的金屬層/材料的隨后的圖案化/蝕刻來形成金屬互連40。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，圖案化并且蝕刻金屬層/材料使得形成金屬互連40，其從初始再分布層16的頂面延伸并且向下通過通孔38。金屬互連40從而形成與基底金屬互連22和裸芯焊盤32的電連接。現(xiàn)在參照圖9，在制造技術(shù)的下一步驟中，在與施加裸芯12相反的芯片封裝件10 的側(cè)上，一個或多個另外的再分布層42層壓到初始再分布層16上。該另外的再分布層42 通過一系列層壓和圖案化步驟而施加到初始再分布層16。在初始再分布層16和另外的再分布層42之間施加粘合劑層44。在該另外的再分布層42中形成多個通孔38，并且形成/ 圖案化金屬互連40以向下延伸通過通孔38并且通過該另外的再分布層42，以便電連接每個另外的再分布層42。雖然僅示出一個另外的再分布層42施加到初始再分布層16以形成芯片封裝件10，但認識到基于期望的配置，可以施加更多再分布層。如在圖9中示出的，在積層工藝的另外的步驟中，焊接掩模46可以施加到最外面的另外再分布層42，并且隨后圖案化以便向其提供保護。還設想例如無源器件(未示出)等另外的部件也可以添加到芯片封裝件10，其中進行無源貼附同時保護性遮蔽20在適當位置，使得裸芯12在這樣的無源貼附期間受到保護。在芯片制造技術(shù)的下一個步驟中，并且如在圖10中示出的，初始再分布層16、另外再分布層42以及粘合劑層44沿路徑48被激光燒蝕，該路徑48對應于保護性遮蔽20的周邊，以便限定或隔開初始再分布層16、另外再分布層42以及粘合劑層44的一部分50。 進行激光燒蝕通過初始再分布層16、另外再分布層42以及粘合劑層44向下到達保護性遮蔽20，在此激光被保護性遮蔽20阻擋。當完成燒蝕后，被進行激光燒蝕的安置在保護性遮蔽20的上方的初始再分布層16、另外再分布層42以及粘合劑層44的部分50與保護性遮蔽20 —起從芯片封裝件10移除。即，保護性遮蔽20粘住初始再分布層16，并且容易從粘合劑層M剝離，使得它可以在單個移除步驟中與部分50 —起從芯片封裝件10移除。根據(jù)本發(fā)明的實施例，部分50和保護性遮蔽20可以通過例如真空吸取(vacuum pickup)或水洗(water scrubbing)等若干技術(shù)中的一個移除。如在圖11中示出的，在完成的芯片封裝件10中移除部分50和保護性遮蔽20來暴露裸芯12的正面52 ( S卩，裸芯前部)。有益地，并且基于保護性遮蔽20在裸芯前部52的上方的存在(通過氣穴36與其分隔)，在積層工藝持續(xù)期間，裸芯前部52應該是清潔無污染的。有益地，根據(jù)圖2-9中圖示的技術(shù)，芯片封裝件10的構(gòu)造提供芯片封裝件積層，其保護裸芯12在積層工藝期間免受污染。另外，該積層技術(shù)提供具有減小厚度的芯片封裝件 10的制造，受限的僅是裸芯12和再分布層16、42的最小厚度要求。這樣的減小厚度的芯片封裝件10可配置用于在成像裝置中使用，例如超級拍攝裝置、蜂窩電話拍攝裝置或相似的感測裝置，其中積層工藝允許拍攝裝置透鏡(未示出)直接安裝到芯片封裝件10。然而，還認識到該減小厚度的芯片封裝件10可以配置成在其他裝置類型中使用，例如微波裝置，或?qū)纳衔年U述的制造技術(shù)中獲益的其他裝置等。盡管本發(fā)明僅連同有限數(shù)量的實施例詳細描述，應當容易理解本發(fā)明不限于這樣公開的實施例。相反，本發(fā)明可以修改以包含此前未描述的許多變化、改動、替代或等同設置，但其與本發(fā)明的精神和范圍相當。另外，盡管描述了本發(fā)明的各種實施例，要理解本發(fā)明的方面可僅包括描述的實施例中的一些。因此，本發(fā)明不視為由前面的描述限制，而僅由附上的權(quán)利要求的范圍限制。因此，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，芯片封裝件包括其中形成有開口的基底再分布層(該開口在該基底再分布層的中心區(qū)域形成)，施加于該基底再分布層的一側(cè)的粘合劑層(該粘合劑層具有在其中形成的沒有粘合劑材料的窗口)，以及具有通過該粘合劑層粘附到該基底再分布層的正面的裸芯，其中該裸芯與在該粘合劑層中形成的該窗口對準，使得僅該裸芯的正面的周邊與該粘合劑層接觸。該芯片封裝件還包括在基底再分布層中形成的多個通孔以及多個金屬互連，以將基底再分布層電連接到裸芯；以及遮蔽元件，其安置在基底再分布層和粘合劑層之間，并且一般與在基底再分布層中形成的開口和粘合劑層的窗口對準，使得僅該遮蔽元件的周邊貼附到粘合劑層，其中該遮蔽元件通過氣隙與裸芯隔離。 該遮蔽元件配置成選擇性地能從粘合劑層移除，以便暴露裸芯的正面。根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，形成芯片封裝件的方法包括提供初始聚合物層壓層，將金屬遮蔽元件沉積在該初始聚合物層壓層的一個表面上以便覆蓋其的一部分，以及將粘合劑層施加到該初始聚合物層壓層并且在該金屬遮蔽元件的上方，該粘合劑層具有從其移除的一部分以在該粘合劑層中形成窗口，該窗口大致上對應于該金屬遮蔽元件的表面區(qū)域并且與其對準。該方法還包括通過該粘合劑層將裸芯粘貼到該初始聚合物層壓層，其中該裸芯安置在窗口上方，使得該裸芯的周邊與該粘合劑層接觸，并且在該裸芯的中心部分和該遮蔽元件之間形成氣穴。該方法進一步包括圖案化該初始聚合物層壓層以包括多個通孔和多個金屬互連，以便將該初始聚合物層壓層電連接到該裸芯，限定對應于該粘合劑
7層中的窗口的該初始聚合物層壓層的一部分，并且從該粘合劑層移除該初始聚合物層壓層的該部分以及該金屬遮蔽元件，以便暴露該裸芯的正面。 根據(jù)本發(fā)明的再另一個實施例，用于制造芯片模塊的方法包括提供基底再分布層，將遮蔽元件沉積在該基底再分布層的一個表面以便覆蓋其的一部分，將粘合劑層施加到該基底再分布層和在該遮蔽元件的上方，燒蝕處在鄰近該遮蔽元件的區(qū)域中的粘合劑層的一部分以便暴露出至少大部分該遮蔽元件，并且將裸芯的正面施加到粘合劑層使得該裸芯與該遮蔽元件對準，其中該裸芯的周邊與該粘合劑層接觸，并且該裸芯的中心部分與該遮蔽元件通過在其間形成的氣隙隔離。該方法還包括在形成多個通孔和多個金屬互連來將該基底再分布層電連接到該裸芯的該基底再分布層的隨后圖案化期間，保持遮蔽元件在適當?shù)奈恢茫粺g鄰近該遮蔽元件的該基底再分布層的一部分；以及移除該遮蔽元件和該基底再分布層的該部分以便暴露該裸芯的正面。
權(quán)利要求
1.一種芯片封裝件(10)，包括其中形成有開口的基底再分布層(16)，所述開口在所述基底再分布層(16)的中心區(qū)域形成；施加于所述基底再分布層(16)的一側(cè)的粘合劑層(M)，所述粘合劑層04)具有在其中形成的沒有粘合劑材料的窗口 06)；具有通過所述粘合劑層04)粘附到所述基底再分布層(16)的正面(5 的裸芯(12)， 其中所述裸芯(1 與在所述粘合劑層04)中形成的所述窗口 06)對準，使得僅所述裸芯 (12)的正面(52)的周邊與所述粘合劑層04)接觸；在所述基底再分布層(16)中形成的多個通孔(38)以及多個金屬互連(40)，以將所述基底再分布層(16)電連接到所述裸芯(12)；以及遮蔽元件(20)，其安置在所述基底再分布層(16)和所述粘合劑層04)之間，并且大致與在所述基底再分布層(16)中形成的所述開口和所述粘合劑層04)的所述窗口 06)對準，使得僅所述遮蔽元件OO)的周邊貼附到所述粘合劑層(M)，所述遮蔽元件OO)通過氣隙(36)與所述裸芯(12)隔離；其中所述遮蔽元件OO)配置成選擇性地能從所述粘合劑層04)移除，以便暴露所述裸芯(12)的正面(52)。
2.如權(quán)利要求1所述的芯片封裝件(10)，進一步包括在所述粘合劑層04)中形成的通氣孔口(觀)，所述通氣孔口 08)從所述氣隙(36)向外延伸經(jīng)過所述裸芯(1 的所述周邊。
3.如權(quán)利要求2所述的芯片封裝件(10)，其中所述通氣孔口08)配置成使所述氣隙 (36)與周邊環(huán)境流體連通。
4.如權(quán)利要求2所述的芯片封裝件(10)，進一步包括安置在所述通氣孔口08)下方的金屬通氣孔基底以便形成所述通氣孔口(觀)。
5.如權(quán)利要求1所述的芯片封裝件(10)，進一步包括至少一個另外的再分布層(42)，其在與所述裸芯(12)相反的側(cè)上粘貼到所述基底再分布層(16)；以及多個通孔(38)和多個金屬互連(40)，其在所述另外的再分布層0 的每個中形成。
6.如權(quán)利要求5所述的芯片封裝件(10)，進一步包括安置在最頂部的另外的再分布層 (42)上的焊接掩模(46)。
7.如權(quán)利要求1所述的芯片封裝件(10)，其中所述遮蔽元件OO)包括圖案化的金屬遮蔽。
8.如權(quán)利要求1所述的芯片封裝件(10)，其中所述裸芯(12)包括配置成形成圖像感測區(qū)域的拍攝裝置裸芯。
9.如權(quán)利要求1所述的芯片封裝件(10)，其中所述遮蔽元件OO)具有小于所述裸芯 (12)的面積的面積。
10.如權(quán)利要求9所述的芯片封裝件(10)，其中所述裸芯(12)進一步包括繞其的周邊形成的多個裸芯焊盤(32)，所述多個裸芯焊盤(32)安置在由遮蔽元件OO)覆蓋的裸芯 (12)的區(qū)域外部。
全文摘要
本發(fā)明涉及芯片封裝件積層的系統(tǒng)和方法。公開了一種制造芯片封裝件的系統(tǒng)和方法。該芯片封裝件包括具有在其中形成的開口的基底再分布層(16)；粘合劑層(24)，其具有在其中形成的沒有粘合劑材料的窗口(26)；以及裸芯(12)，其通過該粘合劑層(24)粘附到該基底再分布層(16)，該裸芯(12)與該窗口(26)對準使得只有該裸芯(12)的周邊與該粘合劑層(24)接觸。遮蔽元件(20)安置在該基底再分布層(16)和該粘合劑層(24)之間，其一般與形成在該基底再分布層(16)中的開口和該粘合劑層(24)的該窗口(26)對準，使得只有該遮蔽元件(20)的周邊貼附到該粘合劑層(24)。該遮蔽元件(20)通過氣隙(36)與該裸芯(12)隔離，并且配置成選擇性地能從該粘合劑層(24)移除，以便暴露裸芯(12)的正面(52)。
文檔編號H01L23/488GK102347301SQ20111026493
公開日2012年2月8日 申請日期2011年7月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月26日
發(fā)明者K·M·迪羅歇, L·A·普林西普, P·A·麥康內(nèi)利, S·史密斯 申請人:通用電氣公司