專利名稱：用于光電轉換模塊的前驅體及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明的實施例一般地涉及沉積光電轉換模塊(例如薄膜太陽能電池)的層。具體地，它們涉及太陽能電池(例如，具有一個或多個p-i-n結或n-i-p結的太陽能電池)的層堆疊。具體地，它們涉及制造適用于薄膜太陽能電池的層堆疊的方法并涉及用于太陽能電池的前驅體。
背景技術：
晶體硅太陽能電池和薄膜太陽能電池是太陽能電池的兩種類型。晶體硅太陽能電池通常使用單晶襯底(即純硅的單晶襯底)或者多晶硅襯底(即，多結晶硅或多晶硅)。將額外的膜層沉積在硅襯底上以增強光的捕獲、形成電路，并且保護器件。薄膜太陽能電池使用沉積在適合的襯底上的材料的薄層以形成一個或多個P-i-n結。適合的襯底包括玻璃襯底、金屬襯底和聚合物襯底。為了擴大太陽能電池的經濟用途，必須提高效率。太陽能電池的穩(wěn)定效率表示入射輻射被轉換成可用電力的比例。為了使太陽能電池可用于更多的領域，太陽能電池的效率必須提高為超過目前的最好性能(對于Si基薄膜太陽能模塊約為10%)。隨著能源成本的上升，需要改善的薄膜太陽能電池以及在工廠環(huán)境中形成改善的薄膜太陽能電池的方法和設備。為了提高太陽能電池的效率，應該增加進入太陽能電池層堆疊并被轉變成電子-空穴對的光子的數量。用于改進太陽能電池的批量生產的其他方面是大規(guī)模工藝的使用、提高生產率并且提高工藝進行的可靠性。因此，期望改進工藝以提高在大規(guī)模方面的效率并且用于在工業(yè)制造期間的應用。

發(fā)明內容
根據如上所述，提供了如下所述的制造用于薄膜太陽能電池的層堆疊的方法以及如下所述的用于太陽能電池的前驅體。本發(fā)明的實施例提供了沉積用于光電轉換模塊(例如太陽能電池)的層堆疊的方法。根據一個實施例，提供了一種制造用于光電轉換模塊的層堆疊的方法。該方法包括以下步驟在透明的襯底上沉積TCO層，以及沉積第一導電類型層。沉積第一導電類型層的步驟包括通過化學氣相沉積工藝提供含SiOx的第一防反射層。該方法還包括沉積第一本征型層，以及沉積具有與第一導電類型層相反的導電類型的另一導電類型層。根據另一實施例，提供了一種用于光電轉換模塊的前驅體。該前驅體包括透明的襯底、沉積在襯底上的TCO層、第一導電類型層，其中第一導電類型層包括通過化學氣相沉積工藝而沉積的含SiOx的第一防反射層。該前驅體還包括第一本征型層以及具有與第一導電類型層相反的導電類型的另一導電類型層。


為了能夠詳細理解得到本發(fā)明的上述特征的方式，參考在附圖中圖示的本發(fā)明的實施例，可以進行上面簡要總結的本發(fā)明的更具體的描述。圖IA是根據本發(fā)明的一個實施例的用于薄膜太陽能電池的層堆疊的示意性側視圖；圖IB是根據本發(fā)明的一個實施例的雙結薄膜太陽能電池的示意性側視圖；圖2是根據本發(fā)明的一個實施例的另一薄膜太陽能電池的示意性側視圖；圖3是根據本發(fā)明的一個實施例的又一雙結薄膜太陽能電池的示意性側視圖；圖4是圖示了根據本文所述的實施例的制造太陽能電池前驅體的方法的流程圖；圖5A至圖5H圖示了根據本文所述的實施例的沉積在襯底上的層；圖6是圖示了根據本文所述的實施例的制造太陽能電池前驅體的方法的流程圖；圖7是圖示了根據本文所述的一個實施例的可以使用的群集工具的平面圖；圖8是根據本文所述的一個實施例的可以使用的沉積室的側剖視圖。為了方便理解，在可能的情況下，已使用相同的附圖標記來標明各附圖通用的相同或相似元件。可以設想，一個實施例的元件和特征可以在沒有另外的陳述的情況下有利地結合到其他實施例中。然而，應該注意，附圖僅圖示了本發(fā)明的示例性實施例并且因此不應作為本發(fā)明的范圍的限制，因為本發(fā)明還可以包含其他等同的實施例。
具體實施例方式現在將詳細地提及本發(fā)明的各個實施例，實施例的一個或多個示例在附圖中說明。各個示例以說明本發(fā)明的方式提供并且不意圖作為本發(fā)明的限制。例如，作為一個實施例的一部分說明或描述的特征能夠用在其他實施例上或與其他實施例結合而產生另一個實施例。希望本發(fā)明包括這樣的修改和變體。這里使用的術語“襯底”應該包含如晶圓、透明襯底或玻璃襯底(諸如玻璃板)的非柔性襯底，以及諸如薄片和箔等的柔性襯底。這里所描述的實施例涉及太陽能電池前驅體(precursor)及其制造方法，其中第一導電類型層包括含SiOx的防反射層。從而，對例如如下所述的并且就圖IB進行進一步詳細說明的太陽能電池進行參考。薄膜太陽能電池通常由多種類型的膜或層以多種不同的方式組合而形成。在這樣的器件中使用的大多數膜結合可以包括硅、鍺、碳、硼、磷、氮、氧、氫等的半導體元件。不同膜的特性包括結晶度、摻雜類型、摻雜濃度、膜折射率、膜消光系數、膜透明度、膜吸收和電導率。通常，這些膜的大多數能夠通過使用化學氣相沉積工藝來形成，其中化學氣相沉積工藝可以包括一定程度的離子化、等離子體形成和/或濺射工藝。術語“涂覆”和術語“沉積”在這里作為同義詞使用。術語“CVD設備”和術語“沉積設備”在這里作為同義詞使用并且應該包括，例如，使用CVD工藝以在襯底上沉積材料 (通常作為薄膜)的設備。根據不同的實施例，在太陽能電池中可以使用多個膜。在光伏過程期間的電荷生成一般由諸如含硅層等的主體半導體層提供。主體層有時也稱為本征層，以區(qū)別于存在于太陽能電池中的各種摻雜層。本征層可以具有任意期望的結晶度，其中結晶度將影響本征層的光吸收特性。例如，諸如非晶硅等的非晶本征層通常將與具有不同結晶度的本征層 (諸如微晶硅)相比吸收處于不同波長的光。為此，大多數太陽能電池將使用兩種類型的層以產生盡可能寬的吸收特性。在某些情況下，本征層可以用作在兩個不同類型層之間的緩沖層以提供兩個層之間的光學或電性質的平穩(wěn)過渡。硅和其他的半導體能夠形成為具有不同結晶度的固體。基本上沒有結晶的固體是非晶的，而具有的結晶可以忽略的硅也稱為非晶硅。完全結晶的硅稱為晶體硅、多晶硅或單晶硅。多晶硅是形成為由晶界分開的多個晶粒的晶體硅。單晶硅是硅的單晶。具有部分結晶的固體(即晶體含量在約5%和約95%之間)稱為納米晶或微晶，其通常指的是懸浮在非晶相中的晶粒的大小。具有較大晶粒的固體稱為微晶，而具有較小晶粒的那些是納米晶。 應該注意，一般情況下并且這里所使用的術語“晶體硅”，可以指具有晶相的任何形式的硅， 包括微晶硅和納米晶硅。不過，這里所描述的某些實施例，為了與其他形式的結晶體區(qū)分， 可以指特定形式的結晶體。圖IA示出了用于在諸如薄膜層電池、顯示器的TFT、光電二極管等的光電轉換模塊中使用的層堆疊。該層堆疊包括其上形成有薄膜的諸如透明襯底等的襯底102，其可以是玻璃襯底、聚合物襯底或其他適合的襯底。層堆疊(例如，用于太陽能電池的前驅體)還包括形成在襯底102上的第一透明導電氧化物(TCO)層104，以及形成在第一 TCO層104上的結，該結可以是p-i-n結或n-i-p結。根據這里所描述的實施例，該結包括第一導電類型層 105 (例如，ρ層)，本征層108以及具有與第一導電類型層相反的導電類型的第二導電類型層110 (例如，η層)。由此，圖IA所示的第一導電類型層105是摻雜的SiOx層，其在用于沉積結的CVD處理系統中沉積并且可以包括按重量至少50%的SiOx。此外，摻雜的SiOx層可以被調整為具有在2和4之間(例如，3)的折射率，使得SiOx層能夠用作防反射層。此外，根據某些實施例，還可以調節(jié)SiOx層的晶體含量(crystal fraction)，使SiOx層的結晶度可以在TCO層的結晶度和i層的結晶度之間。因此，將SiOx層作為第一導電類型層的一部分可以改善光學性質、改善層堆疊的生長并且改善層堆疊的電性質。如這里所描述的其他實施例所示，如圖IA所示的用于薄膜太陽能電池的前驅體還能夠包括背接觸層(在圖IA中未示出)。該金屬背接觸層可以包括但不限于從由Al、 Ag、Ti、Cr、Au、Cu、Pt及其合金或其組合構成的組中選取的材料。根據典型的實施方式，還能夠進行諸如激光劃片工藝等的劃片工藝來形成太陽能電池?？梢栽诮饘俦硨由显O置其他的膜、材料、襯底和/或封裝以完成太陽能電池器件。所形成的太陽能電池可以相互連接以形成模塊，模塊能夠再連接以形成陣列。圖IB是朝向光或太陽輻射101的多結太陽能電池100的實施例的示意圖。太陽能電池100包括其上形成有薄膜的、諸如玻璃襯底、聚合物襯底、金屬襯底或其他適合的襯底等的襯底102。太陽能電池100還包括形成在襯底102上的第一透明導電氧化(TCO)層 104，以及形成在第一 TCO層104上的第一 p-i-n結126。在一個配置中，波長選擇性反射器(WSR)層112形成在第一 p-i-n結1 上。第二 p-i_n結1 形成在第一 p-i_n結1 上，第二 TCO層122形成在第二 p-i-n結1 上，并且金屬背層IM形成在第二 TCO層122 上。在一個實施例中，WSR層112布置在第一 p-i-n結1 和第二 p-i-n結1 之間，并且配置成具有在所形成的太陽能電池100中增強光散射和電流生成的膜性質。此外，WSR層 112還具有良好的p-n隧道結以提高所形成的太陽能電池的光轉換效率，其中該p-n隧道結具有高電導率以及影響其透射性和反射性的可定制的帶隙。為了通過加強光的捕捉來增強光的吸收，襯底和/或形成在其上的一個或多個薄膜可以通過濕法刻蝕、等離子刻蝕、離子刻蝕和/或機械工藝可選擇地進行紋理化 (texture) 0例如，在圖IB所示的實施例中，第一 TCO層104進行了紋理化并且沉積在其上的后續(xù)的薄膜通常將遵循其下方的形狀。根據這里所描述的某些實施例，諸如緩沖層等的其他層沉積在襯底102和TCO層 104之間。由此，通常該其他層可以是含SiON層。設置該其他層是為了促進透明導電氧化 (TCO)層(例如含ZnO的TCO層)的晶核形成。因此，包括緩沖層的襯底具備改善ZnO的生長的條件。根據這里所描述的實施例，其他層包括諸如Al、Ti、&i等的金屬。因此，能夠改變TCO層的晶核形成以提供TCO層的改進的圖案以及期望的電性質和光學性質。根據某些實施例，能夠通過沉積或制備含金屬層，例如，摻雜有金屬的層，來進行調節(jié)。第一 TCO層104和第二 TCO層122每一者都可以包括氧化錫、氧化鋅、氧化銦錫、 錫酸鎘、其組合或者其他適合的材料。應該明白，TCO材料還可以包括其他的摻雜物和成分。 例如，氧化鋅還可以包括諸如鋁、鎵、硼之類的摻雜物和其他適合的摻雜物。氧化鋅優(yōu)選地包括小于等于5% (按原子量)的摻雜物，并且更優(yōu)選地包括小于等于2.5原子％的鋁。在某些情況下，可以通過玻璃制造商提供已經設置有第一 TCO層104的襯底102。第一 p-i-n結1 可以包括ρ型非晶硅層106，形成在ρ型非晶硅層106上的本征型非晶硅層108，以及形成在本征型非晶硅層108上的η型微晶硅層110。根據能夠與這里所描述的其他實施例組合的另一實施例，第一 p-i-n結1 可以包括形成在P型硅層106上的可選的p-i緩沖型本征非晶硅層(PIB)層116。在某些實施例中，可以形成為約50A和約500入之間的厚度。根據這里所描述的實施例，防反射層105沉積在ρ型層內或作為ρ型層的一部分， 即，p-i-n結或n-i-p結的第一導電類型的第一層。在某些實施例中，ρ型非晶硅層106可以形成為約60入和約300入之間的厚度。 在某些實施例中，本征型非晶硅層108可以形成為約1,500A和約3,500入之間的厚度。在某些實施例中，η型微晶半導體層110可以形成為約IOOA和約400入之間的厚度。布置在第一 p-i-n結1 和第二 p-i-n結1 之間的WSR層112通常配置成具有特定的期望膜性質。在這樣的配置中，WSR層112積極地充當具有期望折射率或折射率范圍的中間反射器，以反射從太陽能電池100的光入射側接收的光。WSR層112還用作增強在第一 P-i-n結126中的短波長至中間波長(例如，400nm至700nm)的光的吸收并且增大短路電流的結層，從而提高量和轉換效率。此外，WSR層112對于中間波長至長波長(例如，500nm至IlOOnm)的光具有較高的膜透射率，以便于光透射到形成在結128中的層。此外，通常期望WSR層112在吸收盡可能少的光的同時，將期望波長(例如，較短波長)的光反射回到在第一 P-i-n結126中的層并且使期望波長(例如，較長波長)的光透射到在第二 p-i-n結128中的層。在一個實施例中，WSR層112可以包括η型摻雜的硅合金層，諸如硅氧化物(SiOx、 SiO2)、碳化硅(SiC)、氮氧化硅(SiON)、氮化硅(SiN)、碳氮化硅(SiCN)、氧碳化硅(SiOC)、氧碳氮化硅(SiOCN)等。在示例性實施例中，WSR層112是η型SiON或SiC層。第二 p-i-n結1 可以包括ρ型微晶硅層114，以及在某些情況下包括形成在ρ型微晶硅層114上的可選的p-i緩沖型本征非晶硅(PIB)層116’。隨后，在ρ型微晶硅層114 上形成本征型微晶硅層118，并且在本征型微晶硅層118上形成η型非晶硅層120。在某些實施例中，P型微晶硅層114可以形成為約IOOA和約400Α之間的厚度。在某些實施例中，P-i緩沖型本征非晶硅(PIB)層116’可以形成為約50A和約500A之間的厚度。在某些實施例中，本征型微晶硅層118可以形成為約10,OOOA和約20,OOOA之間的厚度。 在某些實施例中，η型非晶硅層120可以形成為約IOOA和約500Α之間的厚度。金屬背層IM可以包括但不限于從由Al、Ag、Ti、Cr、Au、Cu、Pt、其合金或其組合構成的組中選取的材料。還可以進行諸如激光劃片工藝等的其他工藝來形成太陽能電池100。 可以在金屬背層IM上設置其他的膜、材料、襯底和/或封裝以完成太陽能電池器件。所形成的太陽能電池可以相互連接以形成模塊，模塊能夠再連接以形成陣列。太陽光輻射101主要由p-i-n結126、128的本征層108、118吸收并轉換成電子-空穴對。橫跨本征層108、118的、在ρ型層106、114和η型層110、120之間產生的電場，使電子朝向η型層110、120流動并且使空穴向ρ型層106、114流動從而產生電流。根據能夠與這里所描述的其他實施例組合的某些實施例，由于非晶硅和微晶硅吸收不同波長的太陽光輻射101，因此第一 p-i-n結1 包括本征型非晶硅層108并且第二 p-i-n結1 包括本征型微晶硅層118。因此，所形成的太陽能電池100由于捕獲了太陽光輻射光譜的較大部分因此效率更高。由于非晶硅具有比微晶硅大的帶隙，因此非晶硅本征層108和微晶硅本征層118以這樣的方式堆疊，其中太陽光輻射101首先到達本征型微晶硅層118并且透過WSR層112，然后到達本征型微晶硅層118。沒有被第一 p-i-n結1 吸收的太陽光輻射繼續(xù)透過WSR層112并且繼續(xù)進行到第二 p-i-n結128。電荷的收集通常由摻雜的半導體層來提供，諸如摻雜有ρ型摻雜物或η型摻雜物的硅層等。P型摻雜物通常是諸如硼或鋁等的III族元素。η型摻雜物通常是諸如磷、砷、 銻等的V族元素。在大部分實施例中，硼用作ρ型摻雜物并且磷用作η型摻雜物。這些摻雜物可以通過在反應混合物中包括含硼化合物或含磷化合物而添加到上述P型層和η型層 106、110、114、120。適合的硼化合物和磷化合物通常包括取代和未取代的硼和磷的低聚物。 一些適合的硼化合物包括三甲基硼(B (CH3)3或TMB)、乙硼烷(Β2Η6)、三氟化硼(BF3)和三乙基硼(B (C2H5) 3或TEB)。磷化氫是最常見的磷化合物。摻雜物通常利用諸如氫氣、氦氣、氬氣和其他適合的氣體之類的載氣來進行提供。如果氫氣用作載氣，則其添加到反應混合物中的總氫量中。因此，氫的比例將包括用作摻雜物的載氣的氫氣。過去已經證明，硅太陽能電池的TCO層(其可以是例如SnA或加0，并且通過濺射、LPCVD、噴涂或其他方式來沉積)與后續(xù)的層(通常利用PECVD來沉積)之間的折射率的差，引起在太陽能電池的TCO層與第一層的界面上的光子的反射。已經證明這樣的反射損耗通過引入例如TiO2層(能夠通過濺射來沉積)來減小。然而，這樣的層將需要使用另外的濺射工具，尤其是對于大面積的襯底，這將導致成本的增加。根據不同的實施例，提供了多種方法、系統和設備配置，以用于提供具有防反射層的用于太陽能電池的前驅體，其中防反射層作為第一導電類型層的一部分、與第一導電類型層相鄰或在第一導電類型層之內。圖2示出了太陽能電池的前驅體的一個實施例。在圖4中描述了根據這里所描述的實施例制造適合用在薄膜太陽能電池中的層堆疊的對應方法。 TCO層104沉積在襯底102上。這在圖2中示出。對應的方法步驟由圖4中的步驟402指示。在步驟404中，沉積了 p-i-n結126的第一導電類型層106。根據通常的實施例，第一導電類型層可以是P型層。根據能夠與這里所描述的其他實施例組合的不同的實施例，第一導電類型層、i 層以及具有與第一導電類型層相反的導電類型的第二導電類型層，分別形成P-i-n結或 n-i-p結。這里提供的示例通常指的是P-i-n結，其中第一導電類型層是P層并且第二導電類型層是η層。應該理解，第一導電類型層也可以是η層并且第二導電類型層可以是ρ層。 因此，可以形成P-i-n結或n-i-p結。通常，通過化學氣相沉積來沉積結126。在步驟406中，沉積了防反射層105。通過在CVD工具中即通過化學氣相沉積制造防反射層105，能夠減小由光子的反射造成的損耗并且能夠低成本地制造防反射層105。通常，防反射層能夠例如使電池中，即在p-i-n結 126中的電流顯著地增大約10%。在防反射層105的沉積之后，在步驟408中繼續(xù)第一導電類型層的沉積。圖2示出了層107，層107是第一導電類型層(例如，ρ型層)的一部分。 在步驟410中沉積p-i-n結126的剩余的層，使得如圖2所示設置i層108和η型層110。 圖2還示出了背接觸124。如上所述，防反射層沉積在第一導電類型層的另外兩個部分之間。根據能夠與這里所描述的其他實施例組合的又一實施例，作為第一導電類型層的一部分設置的防反射層，能夠作為具有第一導電類型的唯一層沉積、與第一導電類型的另外一個層或部分沉積、 或者與第一導電類型的另外的幾個層一起沉積。根據能夠與這里所描述的其他實施例組合的實施例，防反射層105是含SiOx層。 例如，防反射層可以包括能夠例如被摻雜的微晶或納米晶SiOx材料。通常，微晶硅氧化物材料可以是由硼或磷得到的P摻雜或η摻雜。根據能夠與這里所描述的其他實施例組合的典型實施例，防反射層的折射率能夠通過調節(jié)或改變SiOxM料的氧含量來調整。因此，能夠通過提供具有中間折射率的防反射層來減小損耗。圖2示出了其中防反射層105作為第一導電類型層106/107的一部分而沉積的實施例。例如，防反射層可以是P-i-n結126的ρ層的一部分。根據可選實施例，防反射層也可以設置在TCO層和第一導電類型層之間。在這種情況下，硅氧化物材料(例如，微晶SiOx 材料)的氧含量將調節(jié)為具有在TCO層的折射率和第一導電類型層的折射率之間的防反射層折射率。通常，對于防反射層在TCO層和第一導電類型層之間以及防反射層在第一導電類型層內這兩種情況，防反射層可以是第一導電類型層的一部分，例如，在P-i-n結126中的P層。根據可以與這里所描述的其他實施例組合的另一個實施例，含SiOx的防反射層能夠通過在CVD處理室的處理區(qū)中添加(X)2來沉積。由此，根據又一實施例，能夠提供具有折射率在4和2之間的防反射層的太陽能電池前驅體。通常，通過改變在中間層中的氧含量，能夠調節(jié)層的各種性質。因此，根據這里所描述的方法，可以改變處理氣體中的(X)2含量以優(yōu)化工藝，并且對于制造GEN 5模塊，處理氣體中的CO2含量通?？梢栽?0SCCm到300SCCm的范圍，其得到約35sCCm/m2 (襯底面積) 到約210sCCm/m2 (襯底面積)。通過如上所述增大在處理區(qū)中的(X)2的濃度，能夠使折射率從約3. 0減小到約2. 2，同時使帶隙從約2. 15eV增加到約2. 45eV,導電率從約1 X 10_3S/cm2 減小到約5X 10_9S/cm2，并且使結晶含量從約0. 16減小到0。圖3圖示了用于薄膜太陽能電池的層堆疊的另一個實施例，其能夠與這里所描述的其他實施例組合。阻擋層或緩沖層103沉積在襯底102上。根據這里所描述的某些實施例，諸如緩沖層103等這樣的其他層沉積在襯底102和TCO層104之間。由此，通常，添加的緩沖層可以是含SiON層。設置緩沖層是為了促進諸如含SiO的TCO層等的透明導電氧化(TCO)層的晶核形成。因此，包括例如緩沖層的襯底具備改善SiO的生長的條件。根據這里所描述的實施例，緩沖層包括諸如Al、Ti、Si等的金屬。由此，根據某些附加的或替換的修改方式，層103可以具有低于IOOnm的厚度，例如，20nm到IOOnm的厚度或50nm到90nm的厚度。根據能夠與這里所描述的其他實施例組合的另外的實施例，層103 可以具有在兩個相鄰層的折射率(例如，層103下方的襯底102的折射率和TCO層104的折射率)之間的折射率。例如，折射率可以從1. 6到1. 8。根據能夠與這里所描述的其他實施例組合的又一實施例，層103可以用作可能存在于襯底中的元素的擴散進行阻擋，例如對鈉(Na)擴散的阻擋。例如，該層可以是提供改善的長期穩(wěn)定性或提高的可靠性的擴散阻擋。例如，用作擴散阻擋的該層能夠使層堆疊通過諸如熱盤測試(hot-traytest)等的分層測試(delamination test)。因此，緩沖層能夠改善TCO層的晶核形成，以提供改善的紋理化以及TCO層的期望的電性質、化學性質和光學性質。如圖3所示，TCO層沉積在緩沖層103上。其后沉積第一 p_i_n結1 和第二 p-i-n 結128，即薄膜太陽能電池層堆疊的頂部電池和底部電池。例如，可以如參照圖IB所述來制造第二 p-i-n結128，并且還可以如參照圖1和圖2所述來制造背接觸層124。此外，還可以如參照圖1和圖2所述來設置本征型層108和第二導電類型層110。圖3示出了作為第一導電類型層106/107的一部分沉積的第一防反射層105和第二防反射層305。根據典型的實施例，兩個防反射層可以具行折射率梯度以減小反射損耗。 根據能夠與這里所描述的其他實施例組合的又一實施例，摻雜水平(例如，P摻雜水平)和 /或硅烷氣流量可以從層106到層305、再到層105并進而到層107而變化。根據又一另外的或替換實施例，(X)2氣流量、甲烷氣流量、在CVD期間的功率和/或氫氣氣流量也可以從一層到后面的層106、305、105和107而變化。由此，可以調節(jié)各層的結晶含量以提供在SiO/ P層界面和P層/i層界面處良好的電接觸。由此，P摻雜水平的減小或者硅烷氣流量的減小使得結晶含量提高，特別是使得aiO/p層界面處的結晶含量提高。此外，P摻雜水平的增大或者硅烷氣流量的增大通常提供了更加無定形的SiOx層從而提供了非晶硅i型層處的良好接觸。因此，根據不同的實施例，防反射層105和305可以沉積在第一導電類型層106和 107之內，例如，在第一導電類型區(qū)(其例如是ρ型區(qū))之內或作為第一導電類型區(qū)的一部分。或者，一個或多個防反射層可以沉積在TCO層104與p-i-n結126的第一導電類型層之間。通常，一個或多個防反射層可以沉積成為第一導電類型層的一部分，即，或者布置在第一導電類型層之內，或者設置為第一導電類型層區(qū)的外層。根據又一實施例，可以將超過四個層106、305、105和107設置為形成諸如第一 P-i-n結的ρ型區(qū)等的第一導電類型區(qū)。根據能夠與這里所描述的其他實施例組合的某些
10實施例，可以設置在CVD沉積(例如，PECVD沉積)期間的氧含量、ρ摻雜水平、硅烷氣流量、 甲烷氣流量和/或射頻功率的連續(xù)或階梯狀的變化，來沉積多種具有不同材料性質的第一導電類型層。這些層可以是含μ C-SiOx層、含μ C-SiC層、含Iic-SiOx層、含nc SiC層、含非晶SiOx層和含非晶SiC層。通常，這些層可以相繼地沉積為從TCO層處的高達90%的高結晶含量到在非晶硅(i)吸收層處的完全非晶體層結構。根據又一另外的或替換的實施例，這些層可以相繼地沉積為提供從約η = 2到約η = 1的折射率梯度。在堆疊層型光電轉換器件中，光電轉換單元(即頂部電池1 和底部電池128)串聯連接。光電轉換器件的短路電流密度受到頂部電池和底部電池的電流值的較小者的限制。因此，如果第一和第二 p-i-n結的電流值盡可能相等是有益的。當然，兩個電流應該盡可能高。通過設置在CVD處理中作為μ C-SiOx材料沉積的防反射層，可以提供使得頂部電池和/或底部電池中吸收的光子數量增加的層的低成本沉積。在頂部電池中的電流和底部電池中的電流相對于彼此的差異例如可以通過具有WSR層112(參見，例如圖1B)來設置。 由此，WSR層應該優(yōu)選地以最小的損耗來反射較短波長的光子并且透射較長波長的光子。此外，鑒于頂部電池和底部電池串聯連接的事實，中間層112應該具有良好的導電性。因此， 導電性、反射期望波長范圍的光子、以及透射其他波長范圍的光子的結合是理想的。在圖5A至圖5H以及圖6中圖示了太陽能電池前驅體(諸如用于薄膜太陽能電池的層堆疊)及其制造方法等的典型實施例。如圖5A所示，緩沖層103沉積在襯底102上。 其后，如圖6中的步驟602所指示的，在襯底上設置TCO層104，例如摻雜的ZnO層。圖5A 示出了為了增強光的捕捉而進行了紋理化的TCO層104。通常，摻雜的SiO層通過DC-濺射工藝而被沉積為具有約800-1000nm的厚度的TCO前接觸(front contact)。摻雜物可以但不限于鋁。最后，在稀釋酸中刻蝕層堆疊，以使ZnO表面通過濕法刻蝕而變粗糙。進行了紋理化的透明導電氧化物層可以具有例如400nm到700nm的層厚度，并可以通常具有400nm 到600nm的層厚度，其中紋理化表面的厚度利用X射線熒光分析(XRF)來測量。在于2010 年 8 月 11 日提交的、題為 “Thin film solar fabrication process, deposition method for TCO layer, and solar cell precursor layerstack，，、串i青號為12/邪4，469的專利申請，以及于2010年7月20日提交的、題為“Thin Film Solar Fabrication Process, Deposition method for TCO layer, and Solar cell precursor layer stack”、申請?zhí)枮?2/840，039的美國專利申請中描述了 TCO層、尤其是含ZnO的TCO 層的示例，這兩件專利申請以與本公開相容的程度通過引用結合于此。在步驟604中，在摻雜的并且進行了紋理化的ZnO層上沉積諸如μ c_Si (ρ)層等的第一導電類型層506。通常，yc-Si(p)層可以具有2nm到IOnm的層厚度。其后，如圖5C 所示，在步驟606中沉積防反射層505。根據這里所描述的實施例，防反射層是SiOx層，其通過諸如PECVD等的CVD工藝沉積。通常，如這里所描述的SiOx防反射層可以通過使至少包括硅烷、磷烷、氫和(X)2的氣體混合物在化學氣相沉積工藝的沉積區(qū)流動來進行沉積。根據又一實施例，硅還可以通過使乙硅烷、SiCl4或其他氯氟硅烷在沉積區(qū)中流動來提供。此外，還可以通過使隊0在沉積區(qū)中流動來提供氧。310)(層可以具有例如5nm到40nm的厚度。雖然在圖5C中沒有以全部細節(jié)示出，根據能夠與這里所描述的其他實施例組合的某些實施例，含SiOx的防反射層505可以包括幾個防反射層或防反射子層。根據典型的修改，這些層可以是μ c (ρ) -SiOx, μ c (ρ) SiC.nc (ρ)Si0x、nc(p)SiC、a(p)-Si0x和a(p)SiC。由此，通過例如在CVD工藝期間使CO2從yc層a 層增多，來使結晶含量連續(xù)地減小。因此，能夠通過在CVD處理室的處理區(qū)中添加(X)2來沉積一個或多個含SiOx層。通常，防反射層的堆疊可以具有約IOnm到50nm的厚度。通常，通過改變在防反射層中的氧含量，可以調節(jié)層的各種性質。因此，可以改變處理氣體中的(X)2含量以優(yōu)化工藝，并且對于制造GEN 5模塊，處理氣體中的(X)2含量通?？梢栽?0sccm到300sccm的范圍，其產生約35sccm/m2 (襯底面積)到約210sccm/m2 (襯底面積)。通過如上所述增大在處理區(qū)中的CO2的濃度，結晶含量從0.16減小到0。此外，可以通過改變在CVD沉積(例如，PECVD沉積)期間的氧含量、ρ-摻雜水平、硅烷氣流量、甲烷氣流量和/或射頻功率等參數中的一個，來增大諸如折射率等的參數。在步驟608中，設置了具有與層506相同導電類型的另一個導電類型層507 (參見例如圖5D)。例如，層507可以是a-Si(p)層，其作為防反射層505的一部分或作為另一個防反射層沉積在上述a(P)_SiOx層上。在步驟612中沉積η型層110(見圖5F)之前，在步驟610中，通過PECVD沉積用作頂部電池中的吸收層的i型層108(見圖5E)。由此，沉積了包括層 506、505、507、108 和 110 的第一 p_i_n 結。在步驟616中沉積背接觸124之前，在步驟614中沉積包括ρ層114、i層118和 η層120的第二 p-i-n結。關于第二 p-i-n結1 的進一步的細節(jié)已經參考圖IB在前文描述。根據可以與這里所描述的其他實施例組合的這里所描述的典型的實施例，單個防反射層、多個防反射層或多個防反射子層可以具有從由以下各項構成的組中選取的如下特性中的至少一者2.6到3.0的折射率或各自折射率的梯度，15nm到30nm的(組合)厚度， 30%到0%的結晶含量或各自結晶含量的梯度，摻雜水平或各自摻雜水平的梯度(尤其是利用硼的摻雜水平或各自利用硼的摻雜水平的梯度)，以及10_4S/cm到10_8S/cm的電導率。 根據用于制造層堆疊的典型實施例，可以設置從下組中選取的步驟中的至少一者對于例如Gen 5模塊設置的70sCCm到120sCCm的(X)2氣流量，設置0. 7到1. 3的CO2/硅烷氣流量比率，以及對于例如Gen 5模塊設置的用于CVD工藝的2000W到7000W的RF功率。上述實施例中的某些指的是單結或具有第一和第二 p-i-n結(例如，頂部電池和底部電池)以及防反射層的雙結。然而，這不理解為限制本發(fā)明。根據其修改，可以設置另外的第三、第四或第五p-i-n結，其中根據典型的修改，在另外的p-i-n結的一個或多個邊界之間可以設置對應的WSR層。根據這里所描述的實施例，用于太陽能電池的前驅體以工業(yè)相關的規(guī)模進行沉積。例如，這里所描述的某些實施例的層可以在大于等于lm2、大于等于4m2或大于等于5m2 的面積上沉積。其上沉積層的表面以及層本身需要具有在較大尺度上的預定均勻性。根據能夠與這里所描述的其他實施例組合的某西實施例，太陽能電池前驅體、用于太陽能電池的層堆疊以及用于制造層的方法和設備能夠用于大面積的薄膜。例如，能夠實現大于等于 1.43m2(Gen 5)的襯底面積，例如大于等于5. 7m2(Gen 8.5)的襯底面積。根據這里所描述的實施例，可以在用于制造太陽能電池層堆疊的化學氣相沉積工藝中沉積防反射層，尤其是諸如P型防反射層等的第一導電類型防反射層。由此，能夠以低成本的方式減少在TCO/太陽能電池-界面處的光子的反射，其中如這里的某些實施例所提及的、其能夠應用在大面積襯底上。此外，如上所述，含SiOx的材料的諸如帶隙、折射率、導電性和晶體含量等的層性質能夠在較大范圍內進行調節(jié)，以提供期望的電性質和光學性質或者電性質和光學性質的梯度。這里所描述的實施例已經展示了，在可見波長范圍內，將層堆疊的反射率從沒有反射層的情況下的約9%減小到具有根據這里所描述的實施例設置的反射層的情況下的約 7%。此外，通過引入Pc(P)-SiOx層可以提供ISC和UOC的增加。這種增加還可以通過絕對效率的約3 %的增益來保持，這是基于增加的頂部電池電流和底部電池電流。根據能夠與這里所描述的其他實施例組合的又一實施例，具有上述防反射性以及針對防反射目的進行調節(jié)的能力的摻雜SiOx層(P摻雜或η摻雜)，還可以用于其他應用， 尤其是諸如二極管或薄膜晶體管等的光電應用。圖7和圖8圖示了可用于形成太陽能電池的上面所討論的部分的處理系統800和處理室901。圖7是處理系統800的一個實施例的示意性俯視圖，其可以是一個或多個群集工具中的一個。處理系統800因此可以用于執(zhí)行形成太陽能電池器件的多個層或區(qū)域的一個或多個處理步驟。處理系統800 —般地將包括諸如等離子增強化學氣相沉積(PECVD)室 901(圖8)等的、能夠在襯底表面上沉積一個或多個期望的層的多個處理室881-887。處理系統800包括連接到加載鎖定室860和處理室881-887的傳送室870。加載鎖定室860允許襯底在系統外的周圍環(huán)境與傳送室870和處理室881-887內的真空環(huán)境之間傳送。加載鎖定室860包括保持一個或多個襯底的一個或多個可排空區(qū)域。該可排空區(qū)域在襯底輸入到處理系統800期間被抽空并且在襯底從處理系統800輸出期間開放。傳送室870具有布置在其中的至少一個真空自動機械872，其適用于在加載鎖定室860與處理室881-887之間傳送襯底。雖然在圖7中示出了 7個處理室，但是處理系統800可以具有任意適合數目的處理室。圖8是在其中可以沉積太陽能電池的一個或多個膜的諸如PECVD室901之類的處理室的一個實施例的示意性截面視圖?？蓮奈挥诩永Ｄ針I(yè)州圣克拉拉的應用材料公司獲取一個適合的等離子增強化學氣相沉積室?？梢栽O想，包括來自其他生產商的、諸如熱絲化學氣相沉積(HWCVD)、低壓化學氣相沉積(LPCVD)、物理氣相沉積(PVD)、蒸鍍或其他相似的設備等的其他沉積室，也可用來實現所述本發(fā)明。在一個實施例中，室901通常包括界定了處理容積906的壁902、底904、噴頭910以及襯底支撐部件930。處理容積過閥門908接入，使得諸如襯底102等的襯底傳送到PECVD室901中和傳送到PECVD室901外。襯底支撐部件930包括用于支撐襯底的襯底接收表面以及連接到升降系統936以使得襯底支撐部件930上升和下降的桿934。遮蔽框架(shadow frame)可以可選地放置在其上可能已經形成一個或多個層(例如，TCO層)的器件襯底的外周上。提升銷(lift pin)能夠可移動地布置成通過襯底支撐部件930以使襯底向襯底接收表面移動和從襯底接收表面移動離開。 襯底支撐部件930還可以包括加熱和/或冷卻元件以將襯底支撐部件930保持在期望的溫度。襯底支撐部件930還可以包括接地帶以在襯底支撐部件930的外周處提供射頻接地。 在于2000年2月15日向Law等人授權的美國專利6，024, 044和Park等人于2006年12 月20日提交的美國專利申請11/613,934中公開了接地帶的示例，這兩件專利申請以與本發(fā)明相容的程度通過引用結合于此。噴頭910通過懸臂914在其外周連接到墊板912。噴頭910還可以通過一個或多個中央支撐部件916連接到墊板，以幫助防止彎曲并/或控制噴頭910的直線度/曲率。氣源920連接到墊板912，以將氣體通過墊板912并且通過在噴頭910中的多個孔911提供到襯底接收表面。真空泵909連接到PECVD室901以將處理容積906控制在期望的壓力處。 射頻功率源922連接到墊板912并/或噴頭910以向噴頭910提供射頻功率，使得在噴頭和襯底支撐部件之間產生電場，從而可以由在淋噴頭910和襯底支撐部件930之間的氣體產生等離子體。可以使用各種射頻頻率，例如在約0. 3MHz和約200MHz之間的頻率。在一個實施例中，射頻功率源以13. 56MHz的頻率提供。在于2002年11月12日向White等人授權的美國專利6，477，980、于2006年11月17日公開的Choi等人的美國公開2005/0251990 以及于2006年3月23日公開的Keller等人的美國公開2006/0060138中公開了噴頭的示例，這些專利申請以與本公開相容的程度通過引用結合于此。也可以將諸如電感耦合遠程等離子體源等的遠程等離子體源擬4連接在氣源和墊板之間。在對多個襯底進行處理之間的間隙，還可以向遠程等離子體源擬4提供清潔氣體，使得遠程等離子體被產生并提供以對室部件進行清潔。清潔氣體還可以通過設置于噴頭的射頻電源922被另外激發(fā)。適合的清潔氣體包括但不限于NF3、F2*SF6。在于1998年 8月4日向Siang等人授權的美國專利5，788，778中公開了遠程等離子體源的示例，該專利以與本公開相容的程度通過引用結合于此?；氐綀D7，在系統800的一個實施例中，處理室881-887中的一個被配置為用于沉積太陽能電池器件的第一 p-i-n結1 或第二 p-i-n結128中的(一個或多個)ρ型硅層， 處理室881-887中的另一個被配置為用于沉積第一或第二 p-i-n結的本征硅層，并且處理室881-887中的又一個被配置為用于沉積第一或第二 p-i-n結的(一個或多個)η型硅層。 雖然三室處理配置可以具有一定的污染控制優(yōu)勢，但與兩室處理系統相比，通常具有較低的襯底生產率，并且當處理室中的一個或多個正在進行維修時通常不能維持期望的生產率。在能夠與這里所描述的其他實施例組合的一個實施例中，處理室881-887中的一個被配置為用于沉積第一 P-i-n結的(一個或多個)ρ型硅層，同時其余的處理室881-887 每個均被配置為用于沉積第一 P-i-n結的(一個或多個)本征型非晶硅層和(一個或多個)η型硅層兩者。在一個實施例中，第一 p-i-n結126的(一個或多個)本征型非晶硅層和(一個或多個)n型硅層可以在不進行鈍化處理的情況下在相同的室中沉積，其中鈍化處理用來在各沉積步驟間最大限度地減小沉積的層之間的交叉污染。雖然處理系統800及其部件的討論提及了其在形成第一 P-i-n結的各種元素中的使用，但該配置不意圖對這里所描述的本發(fā)明的范圍進行限制，這是因為在不偏離這里所描述的本發(fā)明的基本范圍的情況下，處理系統800可以適用于形成第一 p-i-n結、第二 p-i-n結、第一和第二 p-i-n結兩者、 中間層或其他組合。在與處理系統800相似配置的系統中進行襯底處理序列的一個示例中，襯底通過加載鎖定室860進入處理系統800。襯底然后由真空自動機械872傳送到處理室881中， 處理室881被配置為用于在襯底上沉積(一個或多個ρ型硅層。在處理室881中沉積了 ρ 型層之后，襯底然后由真空自動機械872傳送到處理室884中，處理室884被配置用于沉積 (一個或多個)本征型硅層和(一個或多個)n型硅層兩者。在處理室884中沉積了(一個或多個)本征型層和(一個或多個)n型層之后，襯底傳送到處理室885然后沉積中間層，之后沉積第二 P-i-n結，并且將襯底返回到加載鎖定室860，這之后襯底可以從系統中移出。假設P型層的厚度是150A并且沉積率是500A每分鐘，則沉積P型層的時間周期是0.3分鐘。對于沉積率是220人/min的2,700人厚的本征層，沉積本征層的時間周期約為12. 3分鐘。假設250人的η型層以500人每分鐘的沉積率沉積，則需要約0.5分鐘來沉積η型層。因此可以看出，如果一個室專用于P型層的沉積并且多個室專用于本征型和η 型層的沉積，可以通過增加能夠并行生產i-n層的處理室的數目來實現襯底的生產率的增加。即，一連串的襯底可以由傳送室870從諸如處理室881等適用于沉積ρ型層的處理室加載并調運，并且然后各個襯底可以被傳送到至少一個隨后的處理室(諸如處理室882到 884以及886到887)以形成i-n層。根據如上所述，已經描述了多個實施例。根據一個實施例，提供了一種制造用于諸如薄膜太陽能電池等的光電轉換模塊的層堆疊的方法。該方法包括以下步驟在透明的襯底上沉積TCO層以及沉積第一導電類型層，其中該沉積步驟包括通過化學氣相沉積提供含SiOxW第一防反射層。該方法還包括以下步驟沉積第一本征型層，以及沉積具有與第一導電類型層相反的導電類型的另一導電類型層。根據其典型修改，沉積第一導電類型層的步驟還可以包括提供第一導電類型的另一層。由此，第一防反射層可以設置在第一導電類型的另一層之內或者在TCO層與第一導電類型的另一層之間。根據能夠與這里所描述的其他實施例組合的又一實施例，含SiOx層和另一層可以是第一導電類型的，例如，該方法還可以包括以下步驟將第一導電類型的另一層摻雜為P摻雜層，并且將第一防反射層摻雜為P 摻雜層。根據替換的或另外的實施方式，該方法還可以包括以下步驟在第一導電類型層內或者在TCO層與第一導電類型層之間通過化學氣相沉積來沉積至少另一防反射層；第一防反射層可以沉積成具有在設置于第一防反射層的第一側方向上的TCO層的折射率與在第一防反射層的與第一側相對側的方向上的另一層的折射率之間的折射率；沉積第一防反射層的步驟可以包括使包括至少硅烷、含硼氣體、氫和CO2的氣體混合物在化學氣相沉積工藝中的沉積區(qū)中流動；并/或，沉積所述另一防反射層的步驟可以包括使包括至少硅烷、含硼氣體、氫和(X)2的氣體混合物在化學氣相沉積工藝中的沉積區(qū)中流動。根據另一個實施例，提供了用于光電轉換模塊的前驅體。該前驅體包括透明的襯底、沉積在襯底上的TCO層、第一導電類型層，其中第一導電類型層包括通過化學氣相沉積工藝而沉積的含SiOx的第一防反射層。該前驅體還包括第一本征型層和具有與第一導電類型層相反的導電類型的另一導電類型層。根據能夠與這里所描述的其他實施例組合的又一實施例，第一導電類型層可以是P摻雜層；第一導電類型層可以是P摻雜層；第一含SiOx 防反射層可以是摻雜層，例如是P摻雜層；并/或，第一防反射層可以具有在設置于第一防反射層的第一側方向上的TCO層的折射率與在第一防反射層的與第一側相對側的方向上的另一層的折射率之間的折射率。根據替換的或附加的實施例，該前驅體還可以包括至少另一防反射層，其在第一導電類型層內或者在TCO層與第一導電類型層之間通過化學氣相沉積而沉積。例如，另一防反射層是P摻雜層，作為進一步替換或附加的選項，其可以從由以下各項構成的組中選取含11(3^0)(層、含μc-sic層、含nc-siox層、含nc SiC層、含非晶SiOx層和含非晶SiC層。根據能夠與這里所描述的其他實施例組合的又一實施例，另一防反射層的晶體含量可以高于第一防反射層的晶體含量，并/或，另一防反射層的折射率可以高于第一防反射層的折射率。雖然以上內容針對本發(fā)明的實施例，但可以在不脫離本發(fā)明的基本范圍的情況下作出本發(fā)明的其他的和另外的實施例，并且本發(fā)明的范圍由跟隨的權利要求限定。
1權利要求
1.一種制造用于光電轉換模塊的層堆疊的方法，所述方法包括以下步驟在透明的襯底上沉積TCO層；沉積第一導電類型層，該沉積步驟包括通過化學氣相沉積工藝提供含SiOx的第一防反射層；沉積第一本征型層；以及沉積具有與所述第一導電類型層相反的導電類型的另一導電類型層；
2.根據權利要求1所述的方法，其中沉積所述第一導電類型層的步驟還包括提供所述第一導電類型的另一層，并且其中，所述第一防反射層被設置在所述第一導電類型的所述另一層內或者設置在所述TCO層與所述第一導電類型的所述另一層之間。
3.根據權利要求1所述的方法，還包括以下步驟將所述第一導電類型的所述另一層摻雜為P摻雜層，并且將所述第一防反射層摻雜為P摻雜層。
4.根據權利要求1所述的方法，還包括以下步驟在所述第一導電類型層內或者在所述TCO層與所述第一導電類型層之間通過化學氣相沉積工藝來沉積至少另一防反射層。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其中所述第一防反射層被沉積成具有的折射率處于設置于所述第一防反射層的第一側方向上的所述TCO層的折射率與在所述第一防反射層的與所述第一側相對側的方向上的另一層的折射率之間。
6.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其中沉積所述第一防反射層的步驟包括使至少包括硅烷、含硼氣體、氫和CO2的氣體混合物在化學氣相沉積工藝中的沉積區(qū)中流動。
7.根據權利要求5所述的方法，其中沉積所述第一防反射層的步驟包括使至少包括硅烷、含硼氣體、氫和(X)2的氣體混合物在化學氣相沉積工藝中的沉積區(qū)中流動。
8.根據權利要求3或4所述的方法，其中沉積所述另一防反射層的步驟包括使至少包括硅烷、含硼氣體、氫和(X)2的氣體混合物在化學氣相沉積工藝中的沉積區(qū)中流動。
9.一種用于光電轉換模塊的前驅體，所述前驅體包括透明的襯底；沉積在所述襯底上的TCO層；第一導電類型層，其中所述第一導電類型層包括通過化學氣相沉積工藝而沉積的含 SiOx的第一防反射層；第一本征型層；以及具有與所述第一導電類型層相反的導電類型的另一導電類型層。
10.根據權利要求9所述的前驅體，其中所述第一導電類型層是P摻雜層。
11.根據權利要求9所述的前驅體，其中所述第一防反射層具有的折射率處于設置于所述第一防反射層的第一側方向上的所述TCO層的折射率與在所述第一防反射層的與所述第一側相對側的方向上的另一層的折射率之間。
12.根據權利要求10所述的前驅體，其中所述第一防反射層具有的折射率處于設置于2所述第一防反射層的第一側方向上的所述TCO層的折射率與在所述第一防反射層的與所述第一側相對側的方向上的另一層的折射率之間。
13.根據權利要求9至12中任一項所述的前驅體，還包括至少另一防反射層，其在所述第一導電類型層內或者在所述TCO層與所述第一導電類型層之間通過化學氣相沉積工藝而沉積得到，并且其中所述第一防反射層設置在所述另一層防反射層和所述襯底之間。
14.根據權利要求13所述的前驅體，其中所述另一防反射層是ρ摻雜層。
15.根據權利要求13所述的前驅體，其中所述另一防反射層從由以下各項構成的組中選取含μ C-SiOx層、含μ c-SiC層、含Iic-SiOx層、含ncSiC層、含非晶SiOx層和含非晶 SiC 層。
16.根據權利要求13所述的前驅體，其中所述另一防反射層的晶體含量低于所述第一防反射層的晶體含量。
17.根據權利要求13所述的前驅體，其中所述另一防反射層的折射率高于所述第一防反射層的折射率。
18.根據權利要求16所述的前驅體，其中所述另一防反射層的折射率高于所述第一防反射層的折射率。
全文摘要
本發(fā)明描述了用于光電轉換模塊的前驅體及其制造方法。該方法包括在透明的襯底上沉積TCO層、沉積第一導電類型層，其中沉積第一導電類型層的步驟包括通過化學氣相沉積工藝提供含SiOX的第一防反射層。該方法還包括沉積第一本征型層以及沉積具有與第一導電類型層相反的導電類型的另一導電類型層。
文檔編號H01L31/0352GK102386275SQ20111026495
公開日2012年3月21日 申請日期2011年9月5日 優(yōu)先權日2010年9月3日
發(fā)明者斯特凡·克萊恩, 杜比亞斯·斯托利, 科拉德·施沃恩特茲 申請人:應用材料公司