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能夠提高正向特性測試精度的功率二極管器件結(jié)構的制作方法

文檔序號:7158728閱讀:201來源:國知局
專利名稱:能夠提高正向特性測試精度的功率二極管器件結(jié)構的制作方法
技術領域
本發(fā)明涉及一種半導體器件結(jié)構,具體涉及一種能夠提高正向特性測試精度的功率二極管器件結(jié)構。
背景技術
功率半導體器件是不斷發(fā)展的功率-電子系統(tǒng)的內(nèi)在驅(qū)動力,尤其是在節(jié)約能源、動態(tài)控制、噪音減少等方面。功率半導體主要應用于對能源與負載之間的能量進行控制,并且應當擁有精度高、速度快和功耗低的特點。功率半導體器件也逐漸向大電壓、大電流,甚至超大電壓(幾千、上萬伏)、超大電流(幾百、上千安培)領域逐漸發(fā)展,這就需要對大電壓、大電流的功率半導體器件進行精確測試評價。
但是,由于大電壓大電流、下器件的自發(fā)熱,會導致測試結(jié)果的不準確。而測試設備的測試能力跟不上器件的發(fā)展,也不能測試這種大功率器件。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種能夠提高正向特性測試精度的功率二極管器件結(jié)構,它可以提高功率二極管器件的正向特性測試精度。
為解決上述技術問題,本發(fā)明能夠提高正向特性測試精度的功率二極管器件結(jié)構的技術解決方案為
包括元胞、終端區(qū),終端區(qū)設置于元胞的外圍;所述器件的陰極由器件背面引出, 器件陰極的上方為襯底,襯底的上方有外延區(qū);器件陽極位于外延區(qū)的表面,器件陽極包括第一陽極、第二陽極兩部分,第二陽極位于第一陽極內(nèi),第二陽極與第一陽極在電性上相對獨立,各自有電極引出;第二陽極的面積小于第一陽極。
所述第二陽極的面積小于第一陽極至少一個數(shù)量級。
所述第二陽極位于第一陽極內(nèi)的任何位置。
所述第二陽極是獨立的一個或者是相互并聯(lián)的多個。
所述第二陽極是方形、矩形或者圓形。
本發(fā)明可以達到的技術效果是
本發(fā)明在第二陽極上施加一個很小的電流,所得到的電流密度等同于整個器件在施加額定電流下的電流密度,能夠?qū)崿F(xiàn)功率二極管器件正向特性的精確測試,從而降低了器件的自發(fā)熱效應出現(xiàn),并且降低了器件評價對于測試設備功率能力的需求。


下面結(jié)合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細的說明
圖1是本發(fā)明能夠提高正向特性測試精度的功率二極管器件結(jié)構的示意圖2是本發(fā)明的第二陽極與第一陽極的相對位置的第一實施例的示意圖3是本發(fā)明的第二陽極與第一陽極的相對位置的第二實施例的示意圖4是本發(fā)明的第二陽極與第一陽極的相對位置的第三實施例的示意圖。
圖中附圖標記說明
100為元胞,200為終端區(qū),
10為襯底,20為外延區(qū),
31為第一陽極,32為第二陽極。
具體實施方式
·
如圖1所示,本發(fā)明能夠提高正向特性測試精度的功率二極管器件結(jié)構,包括元胞100、終端區(qū)200,終端區(qū)200設置于元胞100的外圍;
器件陰極由器件背面引出,器件陰極的上方為襯底10,襯底10的上方有外延區(qū) 20,外延區(qū)20作為電壓承受區(qū);
器件陽極位于外延區(qū)20 (即電壓承受區(qū))的表面,器件陽極包括第一陽極31、第二陽極32兩部分,第二陽極32位于第一陽極31內(nèi),第二陽極32與第一陽極31在電性上相對獨立,各自有電極引出;
第二陽極32的面積小于第一陽極31,且第二陽極32的面積相比于第一陽極31足夠小,第二陽極32的面積可近似忽略。
如圖2至圖4所示,根據(jù)封裝或測試的需要,第二陽極32可以位于第一陽極31內(nèi)的任何位置。
第二陽極32可以是獨立的一個或者是相互并聯(lián)的多個;
第二陽極32可以是方形、矩形、圓形等任意規(guī)則或不規(guī)則圖形。
權利要求
1.一種能夠提高正向特性測試精度的功率二極管器件結(jié)構,包括元胞、終端區(qū),終端區(qū)設置于元胞的外圍;其特征在于所述器件的陰極由器件背面引出,器件陰極的上方為襯底,襯底的上方有外延區(qū);器件陽極位于外延區(qū)的表面,器件陽極包括第一陽極、第二陽極兩部分,第二陽極位于第一陽極內(nèi),第二陽極與第一陽極在電性上相對獨立,各自有電極引出;第二陽極的面積小于第一陽極。
2.根據(jù)權利要求1所述的能夠提高正向特性測試精度的功率二極管器件結(jié)構,其特征在于所述第二陽極的面積小于第一陽極至少一個數(shù)量級。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的能夠提高正向特性測試精度的功率二極管器件結(jié)構,其特征在于所述第二陽極位于第一陽極內(nèi)的任何位置。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的能夠提高正向特性測試精度的功率二極管器件結(jié)構,其特征在于所述第二陽極是獨立的一個或者是相互并聯(lián)的多個。
5.根據(jù)權利要求1所述的能夠提高正向特性測試精度的功率二極管器件結(jié)構,其特征在于所述第二陽極是方形、矩形或者圓形。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種能夠提高正向特性測試精度的功率二極管器件結(jié)構,包括元胞、終端區(qū),終端區(qū)設置于元胞的外圍;所述器件的陰極由器件背面引出,器件陰極的上方為襯底,襯底的上方有外延區(qū);器件陽極位于外延區(qū)的表面,器件陽極包括第一陽極、第二陽極兩部分,第二陽極位于第一陽極內(nèi),第二陽極與第一陽極在電性上相對獨立,各自有電極引出;第二陽極的面積小于第一陽極。本發(fā)明在第二陽極上施加一個很小的電流,所得到的電流密度等同于整個器件在施加額定電流下的電流密度,能夠?qū)崿F(xiàn)功率二極管器件正向特性的精確測試,從而降低了器件的自發(fā)熱效應出現(xiàn),并且降低了器件評價對于測試設備功率能力的需求。
文檔編號H01L29/417GK103000696SQ20111026504
公開日2013年3月27日 申請日期2011年9月8日 優(yōu)先權日2011年9月8日
發(fā)明者胡曉明 申請人:上海華虹Nec電子有限公司
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