專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
在一個(gè)封裝中組裝有多個(gè)存儲(chǔ)元件和控制元件的半導(dǎo)體裝置廣泛普及，可實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的大容量化和便利性的提高。另一方面，這些半導(dǎo)體裝置的用途也在擴(kuò)大，也被搭載于便攜終端那樣的小型設(shè)備，從而期望封裝尺寸的小型化。若在作為封裝的基部的基板上平面地布置存儲(chǔ)元件、控制元件以及各種無源部件，則封裝尺寸必然會(huì)變大。因此，進(jìn)行了立體地配置這些半導(dǎo)體元件以及部件的研究。例如，能夠在芯片尺寸大的存儲(chǔ)元件上裝載控制元件。然而，半導(dǎo)體元件的立體的配置，會(huì)產(chǎn)生各種問題。例如，將配置于存儲(chǔ)元件上的控制元件與設(shè)置于基板的外部端子之間電連接的金屬引線會(huì)變長，有時(shí)不能傳送高頻信號(hào)。另外，也有時(shí)需要用于將控制元件連接于外部端子的其他中繼元件，制造成本會(huì)變高。 因此，尋求可以使高頻特性提高的小型且低成本的半導(dǎo)體裝置。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施方式提供小型的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置具備基板；控制元件，其配置于前述基板上。并且，具備樹脂，其覆蓋前述控制元件；以及存儲(chǔ)元件，其配置于前述控制元件上， 與前述樹脂相接并由前述控制元件進(jìn)行控制；其中，從上面觀察，前述控制元件配置于前述存儲(chǔ)元件的正下方區(qū)域內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，能夠提供小型的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。


圖1是表示第1實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的剖面的示意圖。圖2是表示第1實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造過程的示意剖面圖。圖3是表示接續(xù)于圖2的半導(dǎo)體裝置的制造過程的示意剖面圖。圖4是表示接續(xù)于圖3的半導(dǎo)體裝置的制造過程的示意剖面圖。圖5是表示接續(xù)于圖4的半導(dǎo)體裝置的制造過程的示意剖面圖。圖6是表示第1實(shí)施方式的變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置的剖面的示意圖。圖7是表示第1實(shí)施方式的其他變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置的剖面的示意圖。圖8是表示第2實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的剖面的示意圖。圖9是表示第2實(shí)施方式的變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置的剖面的示意圖。
圖10是表示第2實(shí)施方式的其他變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置的剖面的示意圖。圖11是表示第2實(shí)施方式的變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造過程的示意剖面圖。圖12是表示第3實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的剖面的示意圖。圖13是表示第4實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的剖面的示意圖。
具體實(shí)施例方式以下，關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施方式參照附圖進(jìn)行說明。另外，在以下的實(shí)施方式中，對(duì)附圖中的同一部分標(biāo)注相同編號(hào)并適宜省略其詳細(xì)說明，關(guān)于不同的部分進(jìn)行適宜說明。(第1實(shí)施方式)圖1是表示第1實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置100的剖面的示意圖。這里例示的半導(dǎo)體裝置100，是收置于所謂BGA(Ball Grid Array 球柵陣列)型的半導(dǎo)體封裝中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。半導(dǎo)體裝置100具備存儲(chǔ)元件50A 50C、控制元件20和無源部件30。存儲(chǔ)元件50A 50C，例如是NAND型閃存?？刂圃?0是存儲(chǔ)器控制器，對(duì)存儲(chǔ)元件50A 50C的工作進(jìn)行控制。無源部件30，是電阻以及電容等電路部件。在此，從上面觀察的面積，是存儲(chǔ)元件50A 50C最大。如圖1所示，半導(dǎo)體裝置100具備基板10、配置于基板10上的控制元件20和配置于基板10上的無源部件30?？刂圃?0經(jīng)由在背面設(shè)置的粘接層21安裝于基板10的表面10a。并且，控制元件20的電極焊盤23與在基板10的表面IOa設(shè)置的連接端子17之間，通過金屬引線22 電連接。無源部件30焊接固定于基板10的表面10a，同時(shí)連接于在基板10的表面IOa設(shè)置的布線(未圖示)。進(jìn)而，控制元件20和無源部件30，被絕緣性樹脂40覆蓋。并且，存儲(chǔ)元件50A與絕緣性樹脂40相接而配置于控制元件20以及無源部件30之上。存儲(chǔ)元件50A 50C，如圖1所示，以露出電極焊盤51的方式階梯狀地錯(cuò)開位置而裝載。并且，在一端設(shè)置的電極焊盤51A 51C與在基板10的表面IOa設(shè)置的連接端子18 之間通過金屬引線52連接。在此，從上觀察，在存儲(chǔ)元件50A 50C的正下方區(qū)域內(nèi)，配置控制元件20及無源部件30。即，能夠使半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置小型化。連接端子17以及18，經(jīng)由在基板10的內(nèi)部形成的布線層(未圖示)，電連接于在基板10的背面IOb設(shè)置的焊料球15。并且，焊料球15連接于外部電路，將存儲(chǔ)元件50A 50C以及控制元件20與外部電路之間電連接。在此，通過將無源部件30配置于基板10上， 能夠縮短無源部件30與被輸入外部信號(hào)的焊料球15之間的距離。結(jié)果，能夠有效地除去噪音。在連接端子17與連接端子18之間，通過在基板10的表面IOa設(shè)置的布線(未圖示)電連接，控制元件20對(duì)存儲(chǔ)元件50A 50C進(jìn)行控制。進(jìn)而，存儲(chǔ)元件50A 50C以及控制元件20、無源部件30被密封樹脂60覆蓋，相
對(duì)于外界密封。
接下來，參照?qǐng)D2 圖5說明半導(dǎo)體裝置100的制造過程。如圖2(a)所示，在基板10的表面IOa安裝無源部件30。具體地，在表面IOa的配置無源部件30的預(yù)定位置印刷焊料膏。然后，將無源部件30載置于焊料膏上，通過回流方式進(jìn)行焊接。對(duì)基板10，例如能夠使用包含多層布線的環(huán)氧玻璃基板。接下來，如圖2(b)所示，在基板10的表面IOa安裝控制元件20。在控制元件20 的背面，例如設(shè)置有包含環(huán)氧樹脂等熱固化性樹脂的粘接層21，能夠?qū)⒖刂圃?0壓接于表面10a。進(jìn)而，通過對(duì)基板10進(jìn)行加熱使粘接層21固化，固定控制元件20。然后，如圖2(c)所示，將控制元件20的電極焊盤23與連接端子17之間通過金屬引線22連接。這樣，通過對(duì)連接端子17與電極焊盤23之間的連接使用金屬引線22，能夠任意地選擇控制元件20的種類。例如，在不使用金屬引線的所謂倒裝芯片類型的控制元件中，需要使電極焊盤的間隔與連接端子17的間隔一致。因此，對(duì)于基板，要使用與控制元件對(duì)應(yīng)的專用的基板或適合于一定規(guī)格的基板。另外，在所謂倒裝芯片類型的控制元件中，需要使電極焊盤的間距與形成于基板 10的內(nèi)部的布線層的間距匹配。因此，不能夠配置電極焊盤間距短的控制元件。特別地，控制存儲(chǔ)元件的控制元件20，使用電極焊盤23的間距比基板10的布線層的間距短的控制元件。通過如本實(shí)施方式那樣對(duì)連接端子17與電極焊盤23之間的連接使用金屬引線22，能夠配置電極焊盤23的間距比基板10的布線層的間距短的控制元件20。接著，如圖3 (a)所示，在基板10的表面IOa安裝存儲(chǔ)元件50A。在存儲(chǔ)元件50A 的背面，設(shè)置有樹脂層40a。樹脂層40a，例如包含熱固化性的環(huán)氧樹脂，彈性模數(shù)小而柔軟，能夠設(shè)置為所謂B階段的狀態(tài)(半固化狀態(tài))。因此，如圖3 (b)所示，存儲(chǔ)元件50A，通過將控制元件20及無源部件30包入于樹脂層40a，而安裝于基板10。此時(shí)，由于樹脂層40a為柔軟性，所以能夠抑制將控制元件20 的電極焊盤23與連接端子17連結(jié)的金屬引線22的變形。接下來，對(duì)基板10進(jìn)行加熱，形成使覆蓋控制元件20以及無源部件30的樹脂層 40a固化而成的絕緣性樹脂40。結(jié)果，存儲(chǔ)元件50A，以與絕緣性樹脂40相接的狀態(tài)固定粘接于控制元件20以及無源部件30之上。并且，在存儲(chǔ)元件50A上，可以裝載存儲(chǔ)元件50B 及 50C。樹脂層40a，例如能夠通過在設(shè)置有存儲(chǔ)元件50A的半導(dǎo)體晶片的背面粘貼 DAF(Die Attach Film:晶片貼膜)而形成。另外，也可以通過在半導(dǎo)體晶片的背面涂敷含有熱固化性樹脂的粘接劑并使之干燥而形成。能夠?qū)渲瑢?0a的固化前粘度例如設(shè)定為1 IOOOOPa · s，將固化后的彈性模數(shù)例如設(shè)定為1 1 OOOMPa。接著，如圖4(a)所示，依次安裝存儲(chǔ)元件50B以及50C。在存儲(chǔ)元件50B以及50C 的背面，設(shè)置有粘接層43，能夠分別粘貼于存儲(chǔ)元件50A的表面以及存儲(chǔ)元件50B的表面。然后，如圖4(b)所示，存儲(chǔ)元件50A 50C，以使各自設(shè)置于一端的電極焊盤 51A 51C露出的方式階梯狀地裝載。接下來，通過對(duì)基板10進(jìn)行加熱而使粘接層43固化，使階梯狀地裝載的存儲(chǔ)元件50A 50C固定粘接。并且，通過金屬引線52將電極焊盤51A 51C與連接端子18之間連接。接下來，如圖5所示，在基板10上形成密封樹脂60，將存儲(chǔ)元件50A 50C及控制元件20、無源部件30樹脂封裝。然后，能夠在基板10的背面?zhèn)雀皆O(shè)焊料球15而完成半導(dǎo)體裝置100。在上述的半導(dǎo)體裝置100中，在存儲(chǔ)元件50A的下方立體地配置控制元件20以及無源部件30。由此，可以實(shí)現(xiàn)依賴于存儲(chǔ)元件尺寸的最小封裝尺寸。另一方面，可以縮短將控制元件20的電極焊盤23與在基板10的表面IOa設(shè)置的連接端子17之間連結(jié)的金屬引線22，也能夠抑制高頻特性的劣化。進(jìn)而，由于能夠使用在存儲(chǔ)元件50A的背面設(shè)置的樹脂層40a形成覆蓋控制元件 20以及無源部件30的絕緣性樹脂40，所以能夠簡化半導(dǎo)體裝置100的組裝。圖6是表示第1實(shí)施方式的變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置110的剖面的示意圖。在半導(dǎo)體裝置Iio中，在用金屬引線32將無源部件30的電極33與設(shè)置于基板10的布線19 之間連接這一點(diǎn)，與圖1所示的半導(dǎo)體裝置100不同。對(duì)無源部件30的電極33，例如為了提高與金屬引線的緊密附著，優(yōu)選實(shí)施鍍金。這樣，通過將無源部件30的電連接手段變?yōu)榻饘僖€32，能夠省去成為高溫的回流工序。進(jìn)而，由于能夠用與控制元件20相同的組裝工序?qū)嵤┮€接合，所以能夠簡化制
造工序。圖7是表示第1實(shí)施方式的其他變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置120的剖面的示意圖。在半導(dǎo)體裝置120中，在覆蓋控制元件20以及無源部件30的絕緣性樹脂45上安裝存儲(chǔ)元件50A這一點(diǎn)，與圖1所示的半導(dǎo)體裝置100不同。存儲(chǔ)元件50A，以與裝載于其上級(jí)的存儲(chǔ)元件50B以及50C相同的方式，具有在背面設(shè)置的粘接層43，能夠粘貼于絕緣性樹脂 45上。S卩，在本變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置120中，使覆蓋控制元件20以及無源部件30 的絕緣性樹脂45預(yù)先成形，在其上安裝存儲(chǔ)元件50A。存儲(chǔ)元件50A經(jīng)由在背面設(shè)置的粘接層43與絕緣性樹脂45相接。在半導(dǎo)體裝置120中，不需要在存儲(chǔ)元件50A的背面設(shè)置厚的樹脂層40a (參照?qǐng)D 3(a)),能夠?qū)崿F(xiàn)制造工序的簡化。(第2實(shí)施方式)圖8是表示第2實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置200的剖面的示意圖。如圖8所示，在半導(dǎo)體裝置200中，在基板70的內(nèi)部配置無源部件30這一點(diǎn)，與圖1所示的半導(dǎo)體裝置100不同。基板70，具有在第1基部71與第2基部75之間交替地層疊有絕緣層72和布線層 73的多層結(jié)構(gòu)。例如，第1基部71和第2基部75，是玻璃環(huán)氧基板。對(duì)于絕緣層72，能夠使用在環(huán)氧樹脂中添加碳素纖維等而復(fù)合成形的絕緣膜。另外，在第1基部71與第2基部75之間配置有多個(gè)布線層73。對(duì)于該布線層73 能夠使用銅箔。位于上下位置的布線層73之間通過凸塊74電連接，從而將在第2基部的表面7 設(shè)置的布線(未圖示)與在第1基部的背面71b附設(shè)的焊料球15之間電連接。該布線層73以及凸塊74，例如通過熱壓接一體化。另外，作為使用布線層73和凸塊74的替代，也可以在基板70形成貫通第1基部71與第2基部75之間的通孔，在該通孔中形成導(dǎo)電體，將在第2基部的表面7 設(shè)置的布線與在第1基部的背面71b附設(shè)的焊料球15之間電連接。第2基部的表面7 的布線，連接于連接端子17以及18，從而將控制元件20以及存儲(chǔ)元件50A C與焊料球15電連接。另一方面，無源部件30內(nèi)置于第1基部71與第2基部75之間。并且，經(jīng)由在第 1基部71的表面設(shè)置的布線79和布線層73，連接于在第2基部75的表面設(shè)置的布線。并且，在第1基部71與第2基部75之間，以覆蓋布線層73、凸塊74以及無源部件30的方式配置絕緣層72并通過熱壓接一體化。例如，如圖8所示，無源部件30接合于第1基部上，電連接于布線79。如圖8所示，在第2基部75上，安裝有控制元件20?？刂圃?0的電極焊盤23 經(jīng)由金屬引線22電連接于在第2基部7 上配置的連接端子17?？刂圃?0被絕緣性樹脂40覆蓋，存儲(chǔ)元件50A與絕緣性樹脂40相接地配置。并且，在存儲(chǔ)元件50A上，裝載有存儲(chǔ)元件50B及50C。在本實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置200中，存儲(chǔ)元件50A也配置于控制元件20以及無源部件30之上，能夠?qū)崿F(xiàn)封裝尺寸的小型化。并且，控制元件20的電極焊盤23與作為在第2基部的表面7 設(shè)置的布線的一部分的連接端子17之間用短的金屬引線22連接， 能夠抑制高頻特性的劣化。另外，通過將控制元件20的電極焊盤23電連接于位于基板77 的最上層的第2基部75a，能夠縮短存儲(chǔ)元件50A與控制元件20的布線距離。結(jié)果，能夠高速地進(jìn)行半導(dǎo)體裝置200的工作。進(jìn)而，由于無源部件30內(nèi)置于基板70，所以可以簡化半導(dǎo)體裝置200的組裝工序， 能夠降低制造成本。另外，通過將無源部件30配置于第1基部71上，能夠縮短無源部件30 與被輸入外部信號(hào)的焊料球15的距離。結(jié)果，能夠有效地除去噪音。另外，也可以使圖8所示的控制元件20內(nèi)置于基板70，可以進(jìn)而簡化組裝工序。但是，使作為有源元件的控制元件20內(nèi)置于基板70，有時(shí)會(huì)成為使半導(dǎo)體裝置 200的成品率降低、使制造成本變高的主要原因。例如，若控制元件20在基板70的制造過程中出現(xiàn)故障，則該狀況不良直至在安裝了存儲(chǔ)元件50A 50C之后進(jìn)行的產(chǎn)品檢驗(yàn)為止都無法確認(rèn)出。因此，有可能使得存儲(chǔ)元件50A 50C及其安裝成本變得無用。進(jìn)而，在基板70的制造過程中，若在布線的形成時(shí)使用電場(chǎng)鍍法，則有可能使電流流動(dòng)于控制元件20而產(chǎn)生故障。因此，需要代替電場(chǎng)鍍法而使用化學(xué)鍍法，但是化學(xué)鍍法成本高，也會(huì)產(chǎn)生基板70的制造成本變高的問題。相對(duì)于此，在本實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置200中，將無源部件30內(nèi)置于基板 70內(nèi)，控制元件20安裝于基板70上。因此，基板70的布線可以使用電場(chǎng)鍍法形成。并且， 無源部件30在基板70的制造過程中幾乎不會(huì)產(chǎn)生故障，也沒有使成品率降低的可能性。圖9是表示第2實(shí)施方式的變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置210的剖面的示意圖。在半導(dǎo)體裝置210中，以與圖8所示的半導(dǎo)體裝置200相同的方式，將無源部件30配置于基板75的內(nèi)部。另一方面，在設(shè)置于基板77的凹部80的底面81配置有控制元件20這一點(diǎn)與半導(dǎo)體裝置200不同。如圖9所示，控制元件20通過填埋凹部80的絕緣性樹脂40覆蓋。另外，控制元
8件20的電極焊盤23通過金屬引線22連接于第2基部78的連接端子17。并且，存儲(chǔ)元件 50A被配置于內(nèi)置于基板77的無源部件30以及控制元件20之上，與絕緣性樹脂40相接而安裝。絕緣性樹脂40，如圖3 (a)所示，能夠通過在存儲(chǔ)元件50A的背面設(shè)置樹脂層40a而形成。如圖9所示，凹部80從設(shè)置于第2基部78的開口起向第1基部71的方向形成。 并且，能夠?qū)疾?0的深度比控制元件20的厚度設(shè)置得深。另外，連接端子17被設(shè)置于第2基部78的與絕緣層72相反側(cè)的表面的凹部80的開口周圍。第2實(shí)施方式的變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置210，具有與第2實(shí)施方式同樣的效果。即，通過將控制元件20的電極焊盤23電連接于位于基板77的最上層的第2基部75a， 能夠縮短存儲(chǔ)元件50A與控制元件20的布線距離。其結(jié)果，能夠高速地進(jìn)行半導(dǎo)體裝置 200的工作。進(jìn)而，在半導(dǎo)體裝置210中，由于將控制元件20配置于基板77的凹部，所以與圖8所示的半導(dǎo)體裝置200相比能夠使封裝的厚度變薄。圖10是表示第2實(shí)施方式的其他變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置220的剖面的示意圖。半導(dǎo)體裝置220，在將無源部件30內(nèi)置于基板77并將控制元件20配置于在基板77設(shè)置的凹部80這一點(diǎn)，與圖9所示的半導(dǎo)體裝置210相同。另一方面，在半導(dǎo)體裝置220中，凹部80的內(nèi)部由絕緣性樹脂45填埋，控制元件 20被絕緣性樹脂45覆蓋。并且，存儲(chǔ)元件50A與絕緣性樹脂45相接而安裝這一點(diǎn)，與半導(dǎo)體裝置210不同。存儲(chǔ)元件50A具有在背面設(shè)置的粘接層47，經(jīng)由粘接層47粘貼于絕緣性樹脂45上。圖11是表示半導(dǎo)體裝置220的制造過程的一部分的示意剖面圖。首先，準(zhǔn)備內(nèi)置有無源部件30的基板75。此后，形成使第1基部71的上表面露出的凹部80。如圖11(a)所示，在設(shè)置于基板75的凹部80的底面81(第1基部71的上表面) 安裝控制元件20。在控制元件20的背面，例如設(shè)置有包含熱固化性樹脂的粘接層21，能夠壓接于凹部80的底面81。并且，通過對(duì)基板75加熱而使粘接層21固化，能夠使控制元件 20固定粘接于凹部80的底面81。接著，使用金屬引線22將控制元件20的電極焊盤23與在基板77的表面77a設(shè)置的連接端子17連接。另外，在第2實(shí)施方式的變形例中，此后能夠經(jīng)過圖3至圖5的工序進(jìn)行制造。此后，在凹部80的內(nèi)部填充絕緣性樹脂45。對(duì)于絕緣性樹脂45，例如能夠使用熱固化性的環(huán)氧樹脂。環(huán)氧樹脂，能夠使用擴(kuò)散于Y-丁內(nèi)酯等溶劑中而得到的粘度低的環(huán)氧樹脂。由此，能夠抑制金屬引線22的變形以及虛接(void)等的產(chǎn)生，能夠均勻地填充凹部80的內(nèi)部。接著，對(duì)基板77進(jìn)行加熱而使溶劑蒸發(fā)，進(jìn)而使環(huán)氧樹脂固化。其次，如圖11(b)所示，在控制元件20及無源部件30之上，安裝存儲(chǔ)元件50A。在存儲(chǔ)元件50A的背面，例如設(shè)置有B階段的粘接層47，能夠使之緊密附著而粘貼于絕緣性樹脂45的表面。粘接層47，例如能夠通過涂敷熱固化性樹脂而形成。另外，也可以粘貼DAF。進(jìn)而，如圖10所示，能夠裝載存儲(chǔ)元件50B以及50C。在存儲(chǔ)元件50B以及50C的背面設(shè)置的粘接層43與設(shè)置于存儲(chǔ)元件50A的粘接層47可以相同，也可以使粘接層47比粘接層43厚。第2實(shí)施方式的變形例的其他例子所涉及的半導(dǎo)體裝置220具有與第2實(shí)施方式同樣的效果。進(jìn)而，如前所述，使覆蓋控制元件20的絕緣性樹脂45的填充時(shí)的粘度低而抑制控制元件20的金屬引線22的變形，能夠抑制凹部80的內(nèi)部的虛接的產(chǎn)生。并且，填埋凹部80的絕緣性樹脂45與粘貼存儲(chǔ)元件50A的粘接層47單獨(dú)設(shè)置。 因此，不需要如圖9所示的半導(dǎo)體裝置210那樣使用在存儲(chǔ)元件50A的背面設(shè)置的樹脂層填埋凹部80，能夠設(shè)定為薄的粘接層47。由此，由于能夠使用與裝載于上級(jí)的存儲(chǔ)元件50B 以及50C相同的粘接層，所以能夠簡化存儲(chǔ)元件50A的制造過程。(第3實(shí)施方式)圖12是表示第3實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置300的剖面的示意圖。半導(dǎo)體裝置300，在沒有形成無源部件30這一點(diǎn)與第1實(shí)施方式不同。在這樣的實(shí)施方式中，也可得到與第1實(shí)施方式同樣的效果。(第4實(shí)施方式)圖13是表示第4實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置400的剖面的示意圖。半導(dǎo)體裝置300，在沒有形成無源部件30這一點(diǎn)與第2實(shí)施方式不同。在這樣的實(shí)施方式中，也可得到與第2實(shí)施方式同樣的效果。以上，關(guān)于第1至第4實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行了說明，但是實(shí)施方式并不限定于此。例如，在半導(dǎo)體裝置中搭載的存儲(chǔ)元件的數(shù)量并不限定于3個(gè)，而既可以裝載 3個(gè)以上的存儲(chǔ)元件，也可以裝載3個(gè)以下。雖然說明了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，但是這些實(shí)施方式僅是作為例子而呈現(xiàn)的， 而并不是要限定發(fā)明的范圍。這些新的實(shí)施方式也可以以其他各種方式實(shí)施，在不脫離發(fā)明的主旨的范圍，可以進(jìn)行各種省略、置換和變形。這些實(shí)施方式和/或其變形包含于發(fā)明的范圍和/或主旨，并且包含于權(quán)利要求所記載的發(fā)明及其均等的范圍。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備 基板；控制元件，其配置于前述基板上； 樹脂，其覆蓋前述控制元件；以及存儲(chǔ)元件，其配置于前述控制元件上，與前述樹脂相接，并由前述控制元件進(jìn)行控制； 其中，從上面觀察，前述控制元件配置于前述存儲(chǔ)元件的正下方區(qū)域內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還具有無源部件，其配置于前述基板上或前述基板的內(nèi)部； 前述無源部件配置于前述存儲(chǔ)元件的正下方區(qū)域內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 具備由前述控制元件進(jìn)行控制的多個(gè)存儲(chǔ)元件； 前述多個(gè)存儲(chǔ)元件，階梯狀地錯(cuò)開各自的位置而裝載；與配置有前述控制元件的前述基板的表面平行地俯視，前述控制元件和前述無源部件配置于前述多個(gè)存儲(chǔ)元件的正下方區(qū)域內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 前述無源部件配置于前述基板上；前述樹脂覆蓋前述控制元件以及前述無源部件。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，前述基板具有第1基部、第2基部和設(shè)置于第1基部與第2基部之間的絕緣層； 前述控制元件和前述存儲(chǔ)元件配置于與前述絕緣層相反側(cè)的前述第2基部上； 前述無源部件配置于前述第1基部與前述第2基部之間，并被前述絕緣層覆蓋。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，前述控制元件與設(shè)置于前述基板的端子之間經(jīng)由金屬引線連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，前述無源部件與設(shè)置于前述基板的布線之間經(jīng)由金屬引線連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，前述控制元件與前述存儲(chǔ)元件經(jīng)由設(shè)置于前述基板的布線連接， 前述控制元件對(duì)前述存儲(chǔ)元件進(jìn)行控制。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 前述控制元件配置于在前述基板設(shè)置的凹部的底面。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 前述凹部比前述控制元件的厚度深。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 前述無源部件配置于前述基板的內(nèi)部。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，前述基板具有第1基部、第2基部和設(shè)置于第1基部與第2基部之間的絕緣層； 前述凹部從設(shè)置于前述第2基部的開口起向前述第1基部的方向設(shè)置； 前述無源部件配置于前述第1基部與前述第2基部之間，并被前述絕緣層覆蓋。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，前述控制元件經(jīng)由金屬引線連接于在前述第2基部的與前述絕緣層相反側(cè)的表面設(shè)置的端子。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，前述無源部件接合于前述第1基部上，與在前述第2基部的與前述絕緣層相反側(cè)的表面設(shè)置的端子電連接。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 前述樹脂包含熱固化性的成分。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備焊料球，其設(shè)置于前述基板的與配置有前述控制元件的表面相反的背面； 前述控制元件以及前述無源部件與前述焊料球電連接。
17.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括準(zhǔn)備基板，所述基板具有配置于基板上的控制元件和配置于前述基板上或前述基板的內(nèi)部的無源部件；準(zhǔn)備存儲(chǔ)元件，所述存儲(chǔ)元件具備在背面設(shè)置的樹脂層；以及經(jīng)由覆蓋前述控制元件的前述樹脂層將前述存儲(chǔ)元件粘貼于前述基板。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 前述樹脂層是半固化狀態(tài)的熱固化性樹脂。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 前述樹脂層是晶片貼膜。
20.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括準(zhǔn)備基板，所述基板具有配置于基板上的控制元件和配置于前述基板上或前述基板的內(nèi)部的無源部件；準(zhǔn)備存儲(chǔ)元件，所述存儲(chǔ)元件具備在背面設(shè)置的粘接層； 用樹脂覆蓋前述控制元件；以及經(jīng)由前述粘接層將前述存儲(chǔ)元件粘貼于前述樹脂上。
全文摘要
本發(fā)明提供半導(dǎo)體裝置及其制造方法。實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置具備基板；控制元件，其配置于前述基板上。并且，具備樹脂，其覆蓋前述控制元件；以及存儲(chǔ)元件，其配置于前述控制元件上，與前述樹脂相接并由前述控制元件進(jìn)行控制；其中，從上面觀察，前述控制元件配置于前述存儲(chǔ)元件的正下方區(qū)域內(nèi)。
文檔編號(hào)H01L21/56GK102569268SQ20111027617
公開日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2011年9月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月17日
發(fā)明者唐金祐次, 安藤善康 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝