專利名稱：Bga半導(dǎo)體封裝及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及BGA半導(dǎo)體封裝的構(gòu)造及其制造方法。
背景技術(shù)：
伴隨電子設(shè)備的小型輕量化以及高功能化的需要，要求高密度地安裝搭載在電子設(shè)備上的半導(dǎo)體部件，近年來，要求更加小型且薄型、能夠高集成化的半導(dǎo)體封裝。以如上所述的趨勢為背景，與鷗翼式、無引線、BGA、晶片級封裝等各種應(yīng)用對應(yīng)地公開有各種形式的半導(dǎo)體封裝。進而，在當(dāng)今要求商品低價格化的環(huán)境下，要求這些半導(dǎo)體封裝除了具有小型、高集成化的功能以外，還能夠更加廉價地提供。如圖7所示，屬于與本發(fā)明有關(guān)的BGA(Ball Grid Array 球形觸點陳列)類型的半導(dǎo)體封裝具有半導(dǎo)體元件1;粘接劑，用于向設(shè)置在基板2的下墊板(die pad) 23 上搭載半導(dǎo)體元件1 ；接合線6，用于連接設(shè)置在基板2上的多個布線20 ；以及密封樹脂 11，其密封半導(dǎo)體元件1、粘接劑、接合線6以及多個布線20，在另一個基板2的表面上具有如下構(gòu)造在外部連接部21上作為外部端子形成有焊錫球22?；?使用以BT樹脂 (bismaleimide樹脂)為代表的耐熱基板，在一個面上形成有搭載半導(dǎo)體元件1的下墊板 23和多個布線20，在另一個面上形成有外部連接部21，通過覆蓋設(shè)置在基板2上的導(dǎo)電層的通孔4而連接各個面。在外部連接部21上，以格子狀或交錯狀排列搭載有使半導(dǎo)體密封體和安裝基板電連接、物理連接的焊錫球22。(例如，參照專利文獻1)專利文獻1日本特開平7-193162號公報專利文獻2美國專利第5M1133號如上所述，在以往的BGA半導(dǎo)體封裝中，由于使用金屬引線框的半導(dǎo)體封裝不同， 并使用采用了耐熱樹脂基材的雙面基板或多層布線基板，因此基板制造步驟復(fù)雜。例如，在制作基板時，需要制作用于形成搭載半導(dǎo)體元件的搭載面?zhèn)鹊牟季€和另一側(cè)的外部連接端子的電路形成用掩模。除此之外，在制造基板時，需要形成用于抗蝕劑涂覆、曝光/顯像、抗蝕劑構(gòu)圖、使布線與外部連接端子之間導(dǎo)通的貫通孔，以及電鍍形成、抗蝕劑剝離處理、基板的貼合。因此，存在每片基板單價比金屬引線框還高，總的封裝成本變高的問題。另外，在以往的BGA半導(dǎo)體封裝中，將焊錫球搭載形成在基板上，作為用于連接安裝基板之間的外部連接端子。其形成方法采用在基板的外部連接區(qū)域上涂布微量的焊膏或融合劑，將焊錫球粘接連接的方式。在上述方式中，當(dāng)焊錫球或融合劑的涂布量產(chǎn)生偏差時，焊錫球與外部連接區(qū)域之間的接觸面積產(chǎn)生偏差，在接觸面積小的情況下，存在如下問題焊錫球的連接強度降低，由于外部的振動或撞擊而產(chǎn)生焊錫球的位置偏移、形成不良、 脫落等的不良。另外，如上所述，以往的BGA半導(dǎo)體封裝存在如下問題由于在外部連接端子上搭載形成焊錫球，因此，半導(dǎo)體封裝的整體厚度會變厚焊錫球的高度量，阻礙薄型化
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是為了解決上述三個問題而提出的，第一，由于采用不使用在以往的BGA 半導(dǎo)體封裝中使用的雙面或多層基板的簡單基板，因此能夠生產(chǎn)便宜的封裝。第二，本發(fā)明的BGA半導(dǎo)體封裝采用將外部連接用端子的一部分埋入到密封體內(nèi)的構(gòu)造，因此密封體和外部連接用端子被牢固地連接，能夠提高外部連接端子的連接強度。第三，通過采用將外部連接用端子的一部分埋入到封裝的密封體內(nèi)的構(gòu)造，能夠使封裝薄型化外部連接用端子埋入到封裝的密封體內(nèi)的量。如上所述，本發(fā)明提供一種用于解決以往的BGA半導(dǎo)體封裝具有的上述問題的半導(dǎo)體封裝及其制造方法。用于解決上述問題的手段如下所述。本發(fā)明的BGA半導(dǎo)體封裝，該BGA半導(dǎo)體封裝具有半導(dǎo)體元件；基板，其搭載所述半導(dǎo)體元件；粘接劑，其粘接所述半導(dǎo)體元件和所述基板；導(dǎo)電性的微球，其嵌入到設(shè)置于所述基板上的通孔中；接合線，其電連接所述半導(dǎo)體元件和所述微球；以及密封體，其通過密封樹脂，僅在所述基板的所述半導(dǎo)體元件的搭載面?zhèn)?，密封所述半?dǎo)體元件、所述粘接劑、所述微球的一部分以及所述接合線，其特征在于，所述微球的底面的至少一部分具有露出部，該露出部從所述密封體的底面穿過設(shè)置在所述基板上的通孔，作為外部連接用端子露出。其特征在于，所述基板由樹脂、玻璃環(huán)氧樹脂、陶瓷或者玻璃組成的絕緣體構(gòu)成， 在所述基板上形成有圓柱狀的通孔。其特征在于，設(shè)置在所述基板上的通孔的直徑比所述微球的直徑小，所述基板的厚度比所述微球的直徑小。其特征在于，插入有所述微球的設(shè)置在所述基板上的通孔，通過外圍配置或者陣列(區(qū)域)配置形成在所述密封體的底面。其特征在于，設(shè)置在所述基板上的通孔的端面被進行倒角加工或錐面加工。其特征在于，所述微球的材質(zhì)由焊錫、金、銀、銅、鋁、鈀或鎳的單一金屬材料構(gòu)成， 或者由焊錫、金、銀、銅、鋁、鈀或鎳中的幾種金屬的多層金屬材料構(gòu)成。其特征在于，所述微球的中心部(芯)由具有彈力的樹脂材料構(gòu)成，所述微球是利用焊錫、金、銀、銅、鋁、鈀或鎳等的單一金屬材料覆蓋所述具有彈力的樹脂材料的外周部而成的復(fù)合微球，或者是利用焊錫、金、銀、銅、鋁、鈀或鎳等中的幾種金屬的多層金屬材料覆蓋所述具有彈力的樹脂材料的外周部而成的復(fù)合微球。其特征在于，所述微球的上表面高度比固定在所述下墊板上的所述半導(dǎo)體元件的
上表面尚。其特征在于，所述微球的上表面高度比固定在所述下墊板上的所述半導(dǎo)體元件的上表面低。其特征在于，所述接合線由金線、銅線、鋁線等的金屬線構(gòu)成。其特征在于，所述微球的直徑為5 μ m 500 μ m。本發(fā)明的BGA半導(dǎo)體封裝的制造方法，其特征在于，該BGA半導(dǎo)體封裝的制造方法具有如下步驟在所述基板上形成多個通孔；在形成有所述多個通孔的所述基板上搭載微球；在除了所述通孔以外的設(shè)置于所述微球搭載側(cè)的區(qū)域中的所述下墊板部上，接合半導(dǎo)體元件；通過所述接合線電連接所述半導(dǎo)體元件和所述微球；通過密封樹脂，密封所述半導(dǎo)體元件、所述下墊板、所述接合線以及所述微球的一部分；以及將所述密封體單片化成各個BGA半導(dǎo)體封裝。其特征在于，設(shè)置在所述基板上的所述通孔是通過鉆孔加工、激光加工、圖案蝕刻加工、或者使用模具的沖壓加工而形成的。其特征在于，在將所述微球搭載在所述基板的通孔的步驟中，所述微球是通過裝配法、吸引法或者基板振動法來搭載的。其特征在于，在使用所述接合線電連接所述半導(dǎo)體元件和所述微球的步驟中，在通過吸引固定、按壓固定、基于粘接材料的固定、金屬的溶融連接、超聲波連接、或者超聲波熱壓連接將所述微球固定在所述基板的通孔中的狀態(tài)下，使用弓I線接合法來電連接。其特征在于，在僅對所述引線接合之后的構(gòu)造體的基板上表面?zhèn)冗M行樹脂密封的步驟中，使用壓注模法或者灌注法。其特征在于，在將所述樹脂密封之后的樹脂密封體單片化的步驟中，使用切割法。通過如上所述的手段，可以不使用在以往的BGA半導(dǎo)體封裝中使用的雙面基板或多層基板，因此，基板制造步驟得到簡化，每片基板的單價得到降低，能夠生產(chǎn)便宜的封裝。進而，在本發(fā)明的BGA半導(dǎo)體封裝中，其特征在于，在密封體內(nèi)埋入外部連接用球的一部分，封裝的密封體保持外部連接用微球的主要體積部分，因此，密封體與外部連接用微球的連接變得牢固。進而，通過在密封體內(nèi)埋入外部連接用球的一部分，厚度變薄埋入量，能夠?qū)崿F(xiàn)封裝整體的薄型化。


圖1是說明本發(fā)明的第1實施例的BGA半導(dǎo)體封裝的構(gòu)造的圖。圖2是說明本發(fā)明的第1實施例的BGA半導(dǎo)體封裝的制造方法的圖。圖3是接著圖2說明本發(fā)明的第1實施例的BGA半導(dǎo)體封裝的制造方法的圖。圖4是接著圖3說明本發(fā)明的第1實施例的BGA半導(dǎo)體封裝的制造方法的圖。圖5是接著圖4說明本發(fā)明的第1實施例的BGA半導(dǎo)體封裝的制造方法的圖。圖6是本發(fā)明的第1實施例的BGA半導(dǎo)體封裝的剖面構(gòu)造圖。圖7是說明以往的BGA半導(dǎo)體封裝的剖面圖。符號說明1 半導(dǎo)體元件2 基板3 錐面4 通孔5 微球6 接合線7:吸引夾具8:吸引孔9 帶10 密封模具
6
11密封樹脂
12粘接劑
20布線
21外部連接部
22輝錫球
23下墊板
24壓板
具體實施例方式以下，對本實施例的BGA半導(dǎo)體封裝進行說明。圖1是表示本發(fā)明的實施例的BGA半導(dǎo)體封裝的一例的圖，(A)是表示從密封樹脂側(cè)透視密封體的概略結(jié)構(gòu)的立體圖，⑶是側(cè)視圖，(C)是俯視圖。(D)是從外部端子側(cè)透視密封體的立體圖。如圖1所示，本實施例所示的BGA半導(dǎo)體封裝是具有6個外部連接用端子的6引腳型的半導(dǎo)體封裝。如圖KA) ⑶所示，該BGA半導(dǎo)體封裝具有半導(dǎo)體元件1 ；基板2， 其搭載半導(dǎo)體元件1 ；粘接劑(未圖示)，用于將半導(dǎo)體元件1粘接在基板2上；導(dǎo)電性的微球5，其嵌入在設(shè)置于基板2上的通孔4中；接合線6，其電連接半導(dǎo)體元件1和微球5 ；以及密封體，其通過密封樹脂11，僅在基板2的半導(dǎo)體元件1側(cè)，密封半導(dǎo)體元件1、粘接劑3、 微球5的一部分以及接合線6。如圖I(B)所示，微球5的底面的至少一部分具有露出部，該露出部從密封體的底面穿過設(shè)置在基板2上的通孔4，作為外部連接用端子露出。如圖1(A)、圖I(B)所示，在本實施例的BGA半導(dǎo)體封裝中，微球5同時具有與密封體內(nèi)的半導(dǎo)體元件1之間的內(nèi)部連接用布線的作用、和作為在與安裝基板之間的連接中使用的外部連接用端子的作用。接著，使用具體尺寸的例子，說明本實施例所示的BGA半導(dǎo)體封裝。例如，使用絕緣性的粘接材料將厚度為150 μ m的半導(dǎo)體元件固定在下墊板區(qū)域上，該下墊板區(qū)域設(shè)置在形成于厚度為0. 2mm的玻璃基板2上的6個外部連接用端子的中心位置。在此，將外部連接用端子的搭載間距設(shè)為0. 5mm，將通孔直徑設(shè)為0. 22mm，將微球5的直徑設(shè)為0. 25mm。 在此，設(shè)電連接半導(dǎo)體元件1和微球5的接合線6為直徑20 μ m的金線。在本實施例中使用的微球5是在塑料粒子表面實施鍍鎳接著實施鍍金而成的球 (參考積水化學(xué)^ ” π 〃一> (注冊商標))。在本實施例中，半導(dǎo)體元件1的上表面部的高度比微球5的上表面部高，進行抬下(打6下(/)的接線。但是，也可以是根據(jù)所要求的半導(dǎo)體器件內(nèi)的尺寸、接合線的環(huán)高的制約條件，作為半導(dǎo)體元件1的上表面部的高度比微球5的上表面部低的構(gòu)造，采用從半導(dǎo)體元件1向微球5抬上(打6上(/)的接線形式。 在抬上的接線形式時，能夠通過調(diào)整微球5的直徑的長度與設(shè)置在基板2上的通孔4的直徑的長度之間相互的尺寸關(guān)系來應(yīng)對，即，能夠通過使微球5的直徑>>通孔4的直徑來應(yīng)對。另外，也可以不改變微球5的直徑與設(shè)置在基板2上的微球4的直徑的相互的尺寸，而使半導(dǎo)體元件1的厚度變薄來應(yīng)對。當(dāng)與微球5連接的第二接合的連接點為微球5的上表面部的頂點時，接合的按壓力穩(wěn)定，能夠進一步確保連接可靠性。接著，使用按照每個步驟示出的圖，說明本發(fā)明的實施例的BGA半導(dǎo)體封裝的制造方法。圖2(A)和圖5(D)是俯視圖，圖2(B) 圖5(C)以及圖6是X1-X1剖面圖。圖2㈧、 (B)分別是基板2的俯視圖、剖視圖。在基板2上形成有通孔4。例如，在本實施例的情況下，在縱70mm、橫200mm、厚度0. 2mm的玻璃環(huán)氧樹脂基板上，使用鉆孔加工，以0. 5mm間距形成多個0.22mm的圓柱形的通孔。通孔被配置成排列在半導(dǎo)體元件的兩側(cè)。為了容易地將微球5搭載到通孔4，在通孔4的上表面部形成錐面3?；?可以使用陶瓷、玻璃。加工方法也可以是激光加工、圖案蝕刻加工、或者使用了模具的沖壓加工。接著，如圖2(C)所示，在形成于基板2上的通孔4內(nèi)，通過植球法搭載微球2。在此，也可以使用使基板2振動而將微球5搭載在通孔4內(nèi)的振動法。在本實施例中使用的微球5由球的中心部(芯)具有彈力的樹脂材料構(gòu)成，利用從焊錫、金、銀、銅、鋁、鈀等中選擇出的單一金屬或由這些金屬構(gòu)成的多層金屬覆蓋樹脂材料的外周部。例如，使用在樹脂材料的粒子表面上實施鍍鎳接著實施鍍金而成的微球5 (參考積水化學(xué)S々α 〃一> (注冊商標))。在此，使用直徑0.25mm的微球5。另外，也可以采用微球5的芯不使用樹脂材料而由焊錫、金、銀、銅、鋁、鈀等的單一金屬構(gòu)成的微球5或由將幾種金屬形成多層的多層金屬構(gòu)成的微球5。雖然微球的直徑為0. 25mm，但是可以根據(jù)封裝的大小、引腳的數(shù)量等， 在5 μ m至Ij 500 μ m之間進行選擇。接著，說明三種將各個微球5固定到設(shè)置于基板2上的通孔4中的方法。首先，如圖3 (A)所示，在將微球5搭載在基板2上之后，利用壓板M按壓微球5 的上表面，利用微球5的彈性變形或塑性變形固定在通孔4內(nèi)。另外，如圖3 (B)所示，也可以在將微球5搭載在基板2上之后，在基板2的下表面?zhèn)劝惭b吸引微球5的吸引夾具(jig)7，從吸引孔8吸引吸引夾具7內(nèi)的空氣，使吸引夾具7 內(nèi)保持負壓，將微球5固定在通孔4上。在使用了吸引夾具7的制造方法中，在接下來的芯片焊接步驟、引線接合步驟以及樹脂密封步驟結(jié)束之前，在將吸引夾具7安裝在基板2上的狀態(tài)下流動。另外，如圖3 (C)所示，也可以在將微球5搭載在基板2上之前，預(yù)先在基板2的下表面?zhèn)日辰覷V帶9，通過帶的粘接材料將微球5固定在通孔4中。接著，如圖4所示，使用絕緣性的粘接材料12，將半導(dǎo)體元件1固定在固定有微球 5的基板2上。 接著，如圖5 (A)所示，將半導(dǎo)體元件1和微球5電連接。通過使用了金線、銅線或鋁線的引線接合法來進行連接。在此，使用20 μ m的金線，通過超聲波熱壓法來電連接半導(dǎo)體元件1和微球5。接著，如圖5(B)所示，在密封模具10內(nèi)，設(shè)置完成了引線接合的基板2，通過密封樹脂11僅密封基板2的上表面?zhèn)?。在此，通過壓注模法(transfer mold)進行。在密封樹脂時，也可以使用灌注(potting)法。圖5(C)是表示樹脂密封之后的密封體的圖。另外， 代替密封樹脂，也可以對陶瓷、玻璃材料的中空主體進行配對加工。接著，根據(jù)需要進行樹脂的硫化處理，通過切割法將圖5(D)所示的樹脂密封體的俯視圖的Y2-Y2部，單一元件化成各個BGA半導(dǎo)體封裝。在單片化之后或者密封體的狀態(tài)下實施半導(dǎo)體元件1的電特性檢查。通過以上的制造方法，完成本發(fā)明的BGA半導(dǎo)體封裝。 圖6是已完成的BGA半導(dǎo)體封裝的剖面構(gòu)造圖。另外，在本實施例中，構(gòu)成外部連接端子的微球僅配置在半導(dǎo)體元件的兩側(cè)，但是顯然也能夠圍繞半導(dǎo)體元件而配置在4條邊上，這當(dāng)然也落入到本發(fā)明的范圍中。
權(quán)利要求
1.一種BGA半導(dǎo)體封裝，其特征在于，該BGA半導(dǎo)體封裝具有半導(dǎo)體元件；基板，其搭載所述半導(dǎo)體元件；粘接劑，其將所述半導(dǎo)體元件粘接在所述基板上；導(dǎo)電性的微球，其一部分嵌入到設(shè)置于所述基板上的通孔中；接合線，其電連接所述半導(dǎo)體元件和所述微球；以及密封體，其通過密封樹脂，僅在所述基板的所述半導(dǎo)體元件搭載面?zhèn)?，密封所述半?dǎo)體元件、所述粘接劑、所述微球中沒有嵌入到所述通孔中的部分以及所述接合線，所述微球的底面的至少一部分具有露出部，該露出部穿過設(shè)置在成為所述密封體的底面的所述基板上的通孔，作為外部連接用端子露出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的BGA半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述基板由樹脂、玻璃環(huán)氧樹脂、陶瓷或者玻璃中的任意一種絕緣體構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的BGA半導(dǎo)體封裝，其特征在于，設(shè)置在所述基板上的通孔的形狀為圓形。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的BGA半導(dǎo)體封裝，其特征在于，設(shè)置在所述基板上的通孔的直徑比所述微球的直徑小。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的BGA半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述基板的厚度比所述微球的直徑小。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的BGA半導(dǎo)體封裝，其特征在于，插入有所述微球的設(shè)置在所述基板上的通孔配置在所述半導(dǎo)體元件的兩側(cè)、或者配置在圍繞所述半導(dǎo)體元件的4條邊上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的BGA半導(dǎo)體封裝，其特征在于，設(shè)置在所述基板上的通孔的端面被進行倒角加工或錐面加工。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的BGA半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述微球的材質(zhì)由從焊錫、金、銀、銅、鋁或鈀中選擇出的單一金屬材料構(gòu)成，或者由使用從焊錫、金、銀、銅、鋁以及鈀中選擇出的多種金屬的多層金屬材料構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的BGA半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述微球的中心部由具有彈力的樹脂材料構(gòu)成，所述微球是利用從焊錫、金、銀、銅、鋁或鈀中選擇出的單一金屬材料覆蓋所述具有彈力的樹脂材料的外周部而成的復(fù)合微球，或者是利用使用從焊錫、金、銀、 銅、鋁以及鈀中選擇出的多種金屬的多層金屬材料覆蓋所述具有彈力的樹脂材料的外周部而成的復(fù)合微球。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的BGA半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述微球的上表面高度比固定在所述基板上的所述半導(dǎo)體元件的上表面高。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的BGA半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述微球的上表面高度比固定在所述基板的所述半導(dǎo)體元件的上表面低。
12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的BGA半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述接合線由金線、銅線、鋁線中的任意一種金屬線構(gòu)成。
13.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的BGA半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述微球的直徑為5μ m 至Ij 500 μ Hio
14.一種BGA半導(dǎo)體封裝的制造方法，其特征在于，該BGA半導(dǎo)體封裝的制造方法具有如下步驟在基板上形成多個通孔；在形成有所述多個通孔的所述基板上搭載微球；在除了所述通孔以外的設(shè)置于所述微球搭載側(cè)的區(qū)域中的所述基板上，接合半導(dǎo)體元件；通過接合線電連接所述半導(dǎo)體元件和所述微球；通過密封樹脂，一體地分別密封所述半導(dǎo)體元件、所述基板、所述接合線以及所述微球的一部分，形成密封體；以及將所述密封體單片化成各個BGA半導(dǎo)體封裝。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的BGA半導(dǎo)體封裝的制造方法，其特征在于，在所述基板上形成多個通孔的步驟，是通過鉆孔加工、激光加工、圖案蝕刻加工、或者使用模具的沖壓加工中的任意一個加工來進行的。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的BGA半導(dǎo)體封裝的制造方法，其特征在于，在將微球搭載在形成有所述多個通孔的所述基板上的步驟中，所述微球是通過裝配法、吸引法或者基板振動法中的任意一個方法來搭載的。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的BGA半導(dǎo)體封裝的制造方法，其特征在于，所述BGA半導(dǎo)體封裝的制造方法還具有如下步驟將所述微球固定在形成于所述基板上的所述多個通孔中，所述微球是通過按壓、吸引或者粘接材料中的任意一個來固定的。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的BGA半導(dǎo)體封裝的制造方法，其特征在于，在將所述微球固定在形成于所述基板上的所述多個通孔中的所述步驟中，利用所述粘接材料固定所述微球，是在將所述微球搭載在所述基板之前，使用預(yù)先粘接在所述基板的下表面?zhèn)鹊腢V帶的粘接劑進行固定的。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的BGA半導(dǎo)體封裝的制造方法，其特征在于，在通過密封樹脂，一體地分別密封所述半導(dǎo)體元件、所述基板、所述接合線以及所述微球的一部分，形成密封體的步驟中，在通過按壓、吸引或者粘接材料中的任意一個將所述微球固定在所述基板的通孔中的狀態(tài)下，通過壓注模法或者灌注法進行樹脂密封。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的BGA半導(dǎo)體封裝的制造方法，其特征在于，在將所述密封體單片化成各個BGA半導(dǎo)體封裝的步驟中，使用切割法。
全文摘要
本發(fā)明提供一種BGA半導(dǎo)體封裝及其制造方法，能夠通過使用簡單基板，提供便宜的半導(dǎo)體部件，并且通過在密封體內(nèi)埋入外部連接用微球，從而薄型且外部端子連接性優(yōu)良。BGA半導(dǎo)體封裝具有基板，其搭載半導(dǎo)體元件；粘接劑，其粘接半導(dǎo)體元件和基板；導(dǎo)電性的微球，其嵌入到設(shè)置于基板上的通孔中；接合線，其電連接半導(dǎo)體元件和微球；以及密封體，其通過密封樹脂，在基板的半導(dǎo)體元件面?zhèn)?，密封半?dǎo)體元件、粘接劑、微球的一部分以及接合線，微球的底面的至少一部分具有露出部，該露出部從密封體的底面穿過設(shè)置在基板上的通孔，作為外部連接用端子露出。
文檔編號H01L21/60GK102412225SQ20111028122
公開日2012年4月11日 申請日期2011年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月22日
發(fā)明者木村紀幸 申請人:精工電子有限公司