專利名稱：一種磁光雙功能同軸納米電纜及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域，具體說涉及一種磁光雙功能同軸納米電纜及其制備方法。
背景技術(shù)：
一維納米結(jié)構(gòu)材料的制備及性質(zhì)研究是目前材料科學(xué)研究領(lǐng)域的前沿?zé)狳c之一。 納米電纜(Nanocables)由于其獨特的性能、豐富的科學(xué)內(nèi)涵、廣闊的應(yīng)用前景以及在未來納米結(jié)構(gòu)器件中占有的重要戰(zhàn)略地位，近年來引起了人們的高度重視。同軸納米電纜的研究起步于90年代中期，2000年以后發(fā)展比較迅猛，到目前為止，人們采用不同的合成方法，不同種類的物質(zhì)已成功制備出了上百種同軸納米電纜，如Fe/C、Zn/ZnO、C/C、SiC/C、 SiGaN/SiOxNy以及三層結(jié)構(gòu)的Fe-C-BN和a-Si3N4-Si-SiO2等。根據(jù)納米電纜芯層和鞘層材質(zhì)不同，可分為以下幾類半導(dǎo)體-絕緣體、半導(dǎo)體-半導(dǎo)體、絕緣體-絕緣體、高分子-金屬、高分子-半導(dǎo)體、高分子-高分子、金屬-金屬、半導(dǎo)體-金屬等。在過去的十多年中，人們在原有制備準一維納米材料的基礎(chǔ)上開發(fā)出許多制備同軸納米電纜的方法，如水熱法、 溶膠-凝膠法、基于納米線法、氣相生長法、模板法等。繼續(xù)探索新的合成技術(shù)，不斷發(fā)展和完善同軸納米電纜的制備科學(xué)，獲得高質(zhì)量的同軸納米電纜，仍是目前同軸納米電纜研究的主要方向。磁性-熒光雙功能復(fù)合材料為疾病診斷和治療提供了一種新的平臺，由于它們的雙功能性質(zhì)使疾病的“發(fā)現(xiàn)-檢測-治療”為一體。這種復(fù)合材料的使用將進一步改進診斷的效率和減少副作用，引起了研究者的高度關(guān)注。目前，磁性-熒光雙功能復(fù)合納米材料的研究，主要集中在納米粒子上。例如，Hongxia Peng, et al采用直接沉淀法制備了 Fe3O4OYVO4 = Eu3+核殼結(jié)構(gòu)磁光納米粒子[Journal of Alloys and Compounds, 2011, 509, 6930];劉桂霞等采用水熱法制備了 Fe3O4OGd2O3 = Eu3+核殼結(jié)構(gòu)磁光復(fù)合納米粒子[化學(xué)學(xué)報，2011，69 (9)，1081] ；A Son，et al采用火焰噴霧分解法制備了 Fe3O4OGd2O3: Eu3+核殼結(jié)構(gòu)磁光納米粒子[Anal. Biochem.，2007，370，186]。目前未見磁光雙功能同軸納米電纜的報道。四氧化三鐵Fe3O4是一種重要而廣泛應(yīng)用的磁性材料。人們已經(jīng)采用多種方法，如沉淀法、溶膠-凝膠法、微乳液法、水熱與溶劑熱法、熱分解法、靜電紡絲法等方法成功地制備出了 Fe3O4納米粒子、納米棒、納米線、納米膜、雜化結(jié)構(gòu)、核殼結(jié)構(gòu)納米顆粒等納米材料, 技術(shù)比較成熟。稀土金屬銪配合物Eu(BA)3phen, Eu3+為銪離子，BA為苯甲酸根，phen為鄰菲啰啉，因銪離子獨特的電子構(gòu)型而成為具有獨特性能的發(fā)光材料，如發(fā)光強度高、穩(wěn)定性好、熒光量子產(chǎn)率高、單色性好等優(yōu)點，是一種廣泛應(yīng)用的熒光材料。目前未見通過Fe3O4 納米晶和Eu(BA)3Phen配合物分別與高分子聚乙烯吡咯烷酮PVP復(fù)合，構(gòu)建(Fe304+PVP)@ [Eu(BA)3phen+PVP]磁光雙功能同軸納米電纜的報道，@前面的物質(zhì)為芯層，@后面的物質(zhì)為殼層，即以Fe3O4納米晶+PVP為芯層，以Eu(BA) 3phen配合物+PVP為殼層構(gòu)成同軸納米電纜。此種具有磁光雙功能同軸納米電纜具有特殊的結(jié)構(gòu)，將在未來納米結(jié)構(gòu)器件和醫(yī)療診斷治療中具有重要的應(yīng)用。專利號為1975504的美國專利公開了一項有關(guān)靜電紡絲方法(electrospinning) 的技術(shù)方案，該方法是制備連續(xù)的、具有宏觀長度的微納米纖維的一種有效方法，由 Formhals于1934年首先提出。這一方法主要用來制備高分子納米纖維,其特征是使帶電的高分子溶液或熔體在靜電場中受靜電力的牽引而由噴嘴噴出，投向?qū)γ娴慕邮掌粒瑥亩鴮崿F(xiàn)拉絲，然后，在常溫下溶劑蒸發(fā)，或者熔體冷卻到常溫而固化，得到微納米纖維。近10年來，在無機纖維制備技術(shù)領(lǐng)域出現(xiàn)了采用靜電紡絲方法制備無機化合物如氧化物納米纖維的技術(shù)方案，所述的氧化物包括 TiO2、ZrO2、Y2O3、Y2O3: RE3+(RE3+ = Eu3\Tb3\Er3\Yb3+/Er3+)、 NiO、Co3O4> Mn2O3> Mn3O4> CuO> Si02、A1203、V2O5> ZnO> Nb2O5> MoO3> CeO2> LaMO3 (Μ = Fe、Cr、Mn、 Co、Ni、Al)、Y3Al5O12, La2Zr2O7等金屬氧化物和金屬復(fù)合氧化物。董相廷等使用單個噴絲頭、采用靜電紡絲技術(shù)制備了 PAN/Eu (BA)3Phen復(fù)合發(fā)光納米纖維[化工新型材料，2008， 36(9),49-52];王策等使用單個噴絲頭、采用靜電紡絲法制備了聚乙烯吡咯烷酮/四氧化三鐵復(fù)合納米纖維[高等學(xué)校化學(xué)學(xué)報，2006，27 (10) ,2002-2004] ；Qingbiao Yang, et al 使用單個噴絲頭、采用靜電紡絲技術(shù)制備了 Fe2O3 nanoparticles/Eu(DBM)3(Bath)復(fù)合雙功能磁光納米纖維[Journal of Colloid and Interface Science, 2010, 350, 396-401]。 將靜電紡絲技術(shù)進行改進，采用同軸噴絲頭，將紡絲溶液分別注入到內(nèi)管和外管中，當(dāng)加高直流電壓時，內(nèi)外管中的溶液同時被電場力拉出來，固化后形成同軸納米電纜，該技術(shù)即是同軸靜電紡絲技術(shù)。王策等用該技術(shù)制備了二氧化硅@聚合物同軸納米纖維[高等學(xué)校化學(xué)學(xué)報，2005，26 (5) =985-987];董相廷等利用該技術(shù)制備了 TiO2OSiO2亞微米同軸電纜[化學(xué)學(xué)報，2007，65 (23) :2675-2679]、ZnOiSiO2同軸納米電纜[無機化學(xué)學(xué)報，2010， 26(1)，29-34]、Al203/Si02 同軸超微電纜[硅酸鹽學(xué)報，2009，37 (10)，1712-1717] ；Han, et al 采用該技術(shù)制備了 PC (Shell)/PU (Core)復(fù)合納米纖維[Polymer composites, 2006,10 381-386]。目前，未見利用同軸靜電紡絲技術(shù)制備(Fe304+PVP)@[Eu(BA)3phen+PVP]磁光雙功能同軸納米電纜的相關(guān)報道。利用靜電紡絲技術(shù)制備納米材料時，原料的種類、高分子模板劑的分子量、紡絲液的組成、紡絲過程參數(shù)對最終產(chǎn)品的形貌和尺寸都有重要影響。本發(fā)明采用同軸靜電紡絲技術(shù)，以Fe3O4納米晶、聚乙烯吡咯烷酮PVP、N, N- 二甲基甲酰胺DMF和去離子水的混合液為芯層紡絲液，以Eu(BA)3Phen配合物、PVP、DMF和氯仿CHCl3的混合液為殼層紡絲液，控制殼層和芯層紡絲液的粘度至關(guān)重要，在最佳的工藝條件下，獲得結(jié)構(gòu)新穎的(Fe304+PVP)@ [Eu(BA)3phen+PVP]磁光雙功能同軸納米電纜。

發(fā)明內(nèi)容
在背景技術(shù)中使用了單個噴絲頭、采用靜電紡絲技術(shù)制備了金屬氧化物和金屬復(fù)合氧化物納米纖維、聚乙烯吡咯烷酮/四氧化三鐵復(fù)合納米纖維、PAN/Eu (BA)3Phen復(fù)合發(fā)光納米纖維和Fe2O3 nanoparticles/Eu (DBM) 3 (Bath)復(fù)合雙功能磁光納米纖維。
背景技術(shù)：
中的使用同軸靜電紡絲技術(shù)制備了無機物@無機物、無機物@高分子及高分子@高分子納米電纜，所使用的原料、模板劑、溶劑和最終的目標產(chǎn)物都與本發(fā)明的方法不同。本發(fā)明使用同軸靜電紡絲技術(shù)制備了結(jié)構(gòu)新穎的(Fe304+PVP) @[Eu (BA) 3phen+PVP]磁光雙功能同軸納米電纜，以Fe3O4納米晶+PVP為芯層，以Eu(BA)3Phen配合物+PVP為殼層構(gòu)成了同軸納米電纜，電纜直徑為264-331nm，芯層直徑為112_151nm，殼層厚度為76_90nm，長度大于 500 μ m。本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的，首先采用沉淀法制備出Fe3O4納米晶和Eu(BA)3Phen配合物，再制備出用于同軸靜電紡絲技術(shù)的具有一定粘度的殼層和芯層紡絲液，控制殼層和芯層紡絲液的粘度至關(guān)重要。應(yīng)用同軸靜電紡絲技術(shù)進行靜電紡絲，在最佳的工藝條件下，獲得結(jié)構(gòu)新穎的(Fe304+PVP)@[Eu(BA)3phen+PVP]磁光雙功能同軸納米電纜。其步驟為(I)沉淀法制備Fe3O4納米晶將5. 4060g FeCl3 · 6Η20，2· 7800g FeSO4 · 7Η20，4· 04g NH4NO3 和 I. 9g 分子量為 20000的聚乙二醇溶于IOOmL去離子水中，加熱至50°C并通入氬氣30min，然后緩慢滴加氨水至溶液的PH值為11，繼續(xù)通氬氣20min得到黑色懸濁液，將此懸濁液磁分離后，用無水乙醇和去離子水依次洗滌三次，將產(chǎn)物置于60°C的真空干燥箱中干燥12h，得到直徑為 8-1Onm的Fe3O4納米晶； (2)沉淀法制備Eu (BA) 3phen配合物將O. 1760g氧化銪Eu2O3溶于濃硝酸中，加熱蒸干得到Eu(NO3)3晶體，加入無水乙醇配制成Eu(NO3)3的乙醇溶液，在適量無水乙醇中加入O. 3664g苯甲酸和O. 1982g鄰菲啰啉配制成混合配體溶液,加熱溶液至50-60°C，同時將Eu (NO3) 3乙醇溶液逐滴加到配體溶液中，再滴加濃NH3 -H2O調(diào)節(jié)pH值為6 6. 5之間，得到白色沉淀，用去離子水和無水乙醇依次洗滌三次，將產(chǎn)物置于60°C的真空干燥箱中干燥12h，得到Eu(BA)3Phen配合物；(3)配制紡絲液稱取Fe3O4納米晶I. 3g，加入到8. 7g N，N_ 二甲基甲酰胺DMF和O. 3g去離子水混合溶液中并超聲分散20min，然后在攪拌的同時緩慢加入13g分子量為90000的聚乙烯吡咯烷酮PVP，繼續(xù)攪拌5h，即得到芯層紡絲液，稱取O. 225g Eu (BA) 3phen粉末，加入到9. 5g DMF和O. 5g CHCl3氯仿的混合溶液中，在攪拌的同時緩慢加入I. 5g PVP，繼續(xù)攪拌5h，即得到殼層紡絲液；(4)制備(Fe304+PVP)@[Eu(BA)3phen+PVP]磁光雙功能同軸納米電纜采用同軸靜電紡絲技術(shù)，參數(shù)為同軸噴絲頭的構(gòu)成采用內(nèi)噴針為截平后的10# 不銹鋼注射針，外徑=1.0mm,內(nèi)徑=O. 7mm,外噴針為12#不銹鋼針頭,外徑=I. 4mm,內(nèi)徑 =1.2mm。將兩個噴針套好后固定，將配制好的殼層紡絲液置于同軸紡絲裝置的外管中，內(nèi)管中加入芯層紡絲液，調(diào)節(jié)內(nèi)外噴絲頭的間隙以保證外液順利地流出。采用豎噴方式，針頭與水平面垂直，調(diào)節(jié)直流電壓為15kV，噴絲頭到接收屏鐵絲網(wǎng)的固化距離為14cm，室內(nèi)溫度20 25°C，相對濕度為55% 65%，隨著溶劑的揮發(fā)，在接收屏鐵絲網(wǎng)上即可得到 (Fe304+PVP)i[Eu(BA)3phen+PVP]磁光雙功能同軸納米電纜。上述過程中所制備的結(jié)構(gòu)新穎的(Fe304+PVP)@[Eu(BA)3phen+PVP]磁光雙功能同軸納米電纜，以Fe3O4納米晶+PVP為芯層，以Eu (BA) 3phen配合物+PVP為殼層，構(gòu)成了同軸納米電纜，電纜直徑為264-331nm，芯層直徑為112_151nm，殼層厚度為76_90nm，長度大于 500 μ m，實現(xiàn)了發(fā)明目的。


圖I是Fe3O4納米晶的TEM照片；
圖2是Fe3O4納米品的XRD譜圖3是(Fe3O4+PVP)@[Eu(BA)3phen+PVP]磁光雙功能同軸納米電纜的TEM照片，該圖兼做摘
要附圖4是(Fe3O4+PVP)@[Eu(BA)3phen+PVP]磁光雙功能同軸納米電纜的磁滯回線圖5是(Fe3O4+PVP)@[Eu(BA)3phen+PVP]磁光雙功能同軸納米電纜的激發(fā)光譜圖6是(Fe3O4+PVP)@[Eu(BA)3phen+PVP]磁光雙功能同軸納米電纜的發(fā)射光譜圖7是(Fe304+PVP)@[Eu(BA)3phen+PVP]磁光雙功能同軸納米電纜的發(fā)射光譜圖。
具體實施例方式本發(fā)明所選用的氧化銪Eu2O3的純度為99. 99%，聚乙烯吡咯烷酮PVP，分子量 90000, N, N-二甲基甲酰胺DMF，氯仿，六水合三氯化鐵，七水合硫酸亞鐵，硝酸銨，聚乙二醇，硝酸，苯甲酸HBA，鄰菲啰啉phen，無水乙醇，ΝΗ3·Η20均為市售分析純產(chǎn)品；去離子水實驗室自制；所用的玻璃儀器和設(shè)備是實驗室中常用的儀器和設(shè)備。實施例將5. 4060g FeCl3 ·6Η20，2· 7800g FeSO4 ·7Η20，4· 04g NH4NO3和 I. 9g分子量為20000的聚乙二醇溶于IOOmL去離子水中，加熱至50°C并通入氬氣30min，然后緩慢滴加氨水至溶液的PH值為11，繼續(xù)通氬氣20min得到黑色懸濁液，將此懸濁液磁分離后，用無水乙醇和去離子水依次洗滌三次，將產(chǎn)物置于60°C的真空干燥箱中干燥12h，得到四氧化三鐵Fe3O4納米晶，所制備的Fe3O4納米晶的直徑為8_10nm，見圖I所示，所制備的Fe3O4納米晶具有良好的結(jié)晶性，其衍射峰的d值和相對強度與Fe3O4的PDF標準卡片(74-0748)所列的 d值和相對強度一致,屬于立方晶系,見圖2所不；將0. 1760g氧化銪Eu2O3溶于濃硝酸中，加熱蒸干得到Eu (NO3) 3晶體，加入無水乙醇配制成Eu (NO3) 3的乙醇溶液，在適量無水乙醇中加入O. 3664g苯甲酸和O. 1982g鄰菲啰啉配制成混合配體溶液，加熱溶液至50_60°C，同時將 Eu(NO3)3乙醇溶液逐滴加到配體溶液中，再滴加濃NH3 · H2O調(diào)節(jié)pH值為6 6. 5之間，得到白色沉淀，用去離子水和無水乙醇依次洗滌三次，將產(chǎn)物置于60°C的真空干燥箱中干燥 12h，得到Eu (BA)3Phen配合物；稱取Fe3O4納米晶I. 3g，加入到8. 7g N，N-二甲基甲酰胺DMF 和O. 3g去離子水混合溶液中并超聲分散20min，然后在攪拌的同時緩慢加入I. 3g分子量為 90000的聚乙烯吡咯烷酮PVP，繼續(xù)攪拌5h，即得到芯層紡絲液，稱取O. 225g Eu(BA)3Phen 粉末，加入到9. 5g DMF和O. 5g CHCl3氯仿的混合溶液中，在攪拌的同時緩慢加入I. 5g PVP, 繼續(xù)攪拌5h，即得到殼層紡絲液；采用同軸靜電紡絲技術(shù)，參數(shù)為同軸噴絲頭的構(gòu)成采用內(nèi)噴針為截平后的10#不銹鋼注射針，外徑=I. Omm,內(nèi)徑=O. 7mm,外噴針為12#不銹鋼針頭，外徑=I. 4mm,內(nèi)徑=I. 2_。將兩個噴針套好后固定，將配制好的殼層紡絲液置于同軸紡絲裝置的外管中，內(nèi)管中加入芯層紡絲液，調(diào)節(jié)內(nèi)外噴絲頭的間隙以保證外液順利地流出。采用豎噴方式，針頭與水平面垂直，調(diào)節(jié)直流電壓為15kV，噴絲頭到接收屏鐵絲網(wǎng)的固化距離為14cm，室內(nèi)溫度20 25°C，相對濕度為55% 65%，隨著溶劑的揮發(fā)，在接收屏鐵絲網(wǎng)上即可得到(Fe304+PVP)@[Eu(BA)3phen+PVP]磁光雙功能同軸納米電纜。所制備的 (Fe304+PVP) @[Eu (BA) 3phen+PVP]磁光雙功能同軸納米電纜的直徑為264_331nm，芯層直徑為112-151nm，殼層厚度為76_90nm，長度大于500 μ m，見圖3所示；所制備的(Fe304+PVP) i [Eu(BA)3phen+PVP]磁光雙功能同軸納米電纜具有明顯的Fe3O4的衍射峰，見圖4所示；所制備的(Fe304+PVP)@[Eu(BA)3phen+PVP]磁光雙功能同軸納米電纜具有較強的磁性，見圖5所示；當(dāng)監(jiān)測波長為617nm時，(Fe304+PVP)i[Eu(BA)3phen+PVP]磁光雙功能同軸納米電纜的激發(fā)光譜最強峰位于275nm處，見圖6所示，在275nm的紫外光激發(fā)下，(Fe304+PVP) @ [Eu (BA) 3phen+PVP]磁光雙功能同軸納米電纜發(fā)射出主峰位于617nm的明亮紅光，它對應(yīng)于 Eu3+離子的5Dtl — 7F2躍遷，屬于Eu3+的強迫電偶極躍遷，見圖7所示。當(dāng)然，本發(fā)明還可有其他多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明做出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種磁光雙功能同軸納米電纜，其特征在于，電纜直徑為264-331nm，芯層直徑為 112-151nm，殼層厚度為76_90nm，長度大于500 μ m。
2.一種如權(quán)利要求I所述的磁光雙功能同軸納米電纜的制備方法，其特征在于，使用同軸靜電紡絲技術(shù)，聚乙烯吡咯烷酮PVP為高分子模板劑，制備產(chǎn)物為(Fe304+PVP)@ [Eu(BA)3phen+PVP]磁光雙功能同軸納米電纜，其步驟為(1)沉淀法制備Fe3O4納米晶將 5. 4060g FeCl3 · 6Η20，2· 7800g FeSO4 · 7Η20，4· 04g NH4NO3 和 I. 9g 分子量為 20000 的聚乙二醇溶于IOOmL去離子水中，加熱至50°C并通入氬氣30min，然后緩慢滴加氨水至溶液的PH值為11，繼續(xù)通氬氣20min得到黑色懸濁液，將此懸濁液磁分離后，用無水乙醇和去離子水依次洗滌三次，將產(chǎn)物置于60°C的真空干燥箱中干燥12h，得到直徑為S-IOnm的 Fe3O4納米晶；(2)沉淀法制備Eu(BA) 3phen配合物將O. 1760g氧化銪Eu2O3溶于濃硝酸中，加熱蒸干得到Eu(NO3)3晶體，加入無水乙醇配制成Eu(NO3)3的乙醇溶液，在適量無水乙醇中加入O. 3664g苯甲酸和O. 1982g鄰菲啰啉配制成混合配體溶液,加熱溶液至50-60°C，同時將Eu(NO3)3乙醇溶液逐滴加到配體溶液中， 再滴加濃NH3 · H2O調(diào)節(jié)pH值為6 6. 5之間，得到白色沉淀，用去離子水和無水乙醇依次洗滌三次，將產(chǎn)物置于60°C的真空干燥箱中干燥12h，得到Eu(BA)3Phen配合物；(3)配制紡絲液稱取Fe3O4納米晶I. 3g，加入到8. 7gN, N- 二甲基甲酰胺DMF和O. 3g去離子水混合溶液中并超聲分散20min，然后在攪拌的同時緩慢加入1.3g聚乙烯吡咯烷酮PVP，繼續(xù)攪拌 5h，即得到芯層紡絲液，稱取O. 225g Eu(BA)3Phen粉末，加入到9. 5g DMF和O. 5g CHCl3氯仿的混合溶液中，在攪拌的同時緩慢加入I. 5g PVP，繼續(xù)攪拌5h，即得到殼層紡絲液，所述的PVP的分子量Mr = 90000 ；(4)制備(Fe304+PVP)@[Eu(BA)3phen+PVP]磁光雙功能同軸納米電纜采用同軸靜電紡絲技術(shù)，參數(shù)為同軸噴絲頭的構(gòu)成采用內(nèi)噴針為截平后的10#不銹鋼注射針，外徑=I. Omm,內(nèi)徑=O. 7mm,外噴針為12#不銹鋼針頭，外徑=I. 4mm,內(nèi)徑 =I. 2mm，將兩個噴針套好后固定，將配制好的殼層紡絲液置于同軸紡絲裝置的外管中，內(nèi)管中加入芯層紡絲液，調(diào)節(jié)內(nèi)外噴絲頭的間隙以保證外液順利地流出，采用豎噴方式，針頭與水平面垂直，調(diào)節(jié)直流電壓為15kV，噴絲頭到接收屏鐵絲網(wǎng)的固化距離為14cm，室內(nèi)溫度20 25°C，相對濕度為55% 65%，隨著溶劑的揮發(fā)，在接收屏鐵絲網(wǎng)上即可得到 (Fe304+PVP)i[Eu(BA)3phen+PVP]磁光雙功能同軸納米電纜。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種磁光雙功能同軸納米電纜及其制備方法，屬于納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明包括四個步驟(1)沉淀法制備Fe3O4納米晶；(2)沉淀法制備Eu(BA)3phen配合物；(3)配制紡絲液，以Fe3O4納米晶、聚乙烯吡咯烷酮PVP、N，N-二甲基甲酰胺DMF和去離子水的混合液為芯層紡絲液，以Eu(BA)3phen配合物、PVP、DMF和氯仿CHCl3的混合液為殼層紡絲液；(4)制備(Fe3O4+PVP)@[Eu(BA)3phen+PVP]磁光雙功能同軸納米電纜，采用同軸靜電紡絲技術(shù)，參數(shù)為電壓15kV；固化距離14cm；室溫20～25℃，相對濕度為55％～65％，電纜直徑為264-331nm，芯層直徑為112-151nm，殼層厚度為76-90nm，長度大于500μm。這種具有磁光雙功能、結(jié)構(gòu)新穎的同軸納米電纜，將在未來納米結(jié)構(gòu)器件和醫(yī)療診斷治療中具有重要的應(yīng)用。本發(fā)明的方法簡單易行，可以批量生產(chǎn)，具有廣闊的應(yīng)用前景。
文檔編號H01B7/00GK102592716SQ20111028414
公開日2012年7月18日 申請日期2011年9月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月23日
發(fā)明者于文生, 劉桂霞, 王進賢, 董相廷, 馬千里 申請人:長春理工大學(xué)