專(zhuān)利名稱(chēng)：一種發(fā)光二極管及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體照明器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種發(fā)光二極管及其制造方法。
技術(shù)背景
半導(dǎo)體發(fā)光二極管(LED)作為光源以其功耗低、壽命長(zhǎng)、可靠性高等特點(diǎn)，在日常生活中的許多領(lǐng)域得到了普遍的認(rèn)可，在電子產(chǎn)品中得到廣泛的應(yīng)用，例如顯示器背光燈。 近年來(lái)，以GaN基發(fā)光為代表的發(fā)光二極管在基礎(chǔ)研究和商業(yè)應(yīng)用上取得了很大進(jìn)步。目前大多數(shù)LED照明的發(fā)光效率越來(lái)越高，均是在犧牲光源顯色指數(shù)的前提下獲得的。高光效低顯色指數(shù)的照明光源不僅制約LED照明的普及，同時(shí)對(duì)人體的視覺(jué)健康都會(huì)產(chǎn)生不利的影響。因此，如何提供一種高光效、高顯色指數(shù)的LED迫在眉睫。
白光LED即將成為照明市場(chǎng)的主力軍，市場(chǎng)潛力巨大。目前白光LED的實(shí)現(xiàn)方法主要有三種一、藍(lán)光LED芯片+黃色熒光粉復(fù)合白光；二、RGB三種LED組合形成小型模組復(fù)合發(fā)出白光；三、紫外LED芯片+三基色熒光粉激發(fā)出白光。
當(dāng)前主流的白光LED是通過(guò)第一種方法藍(lán)光激發(fā)黃色熒光粉來(lái)實(shí)現(xiàn)的，此種方法可以獲得較高效率、低顯指的LED，若是提高顯色指數(shù)則光效大幅下降。同時(shí)，此種熒光粉涂敷在封裝行業(yè)內(nèi)無(wú)法精確控制其含量，進(jìn)而影響LED發(fā)光的一致性并伴有色斑不均等現(xiàn) 象
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為解決現(xiàn)有技術(shù)LED制造中高效率和高顯色指數(shù)不能并存的問(wèn)題，從而提供了一種高效率和高顯色指數(shù)的發(fā)光二極管及其制造方法。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案一種發(fā)光二極管，包括導(dǎo)電襯底；位于導(dǎo)電襯底上的導(dǎo)電層；位于導(dǎo)電層上的N型摻雜的GaN層；位于N型摻雜的GaN層上的發(fā)光層，所述發(fā)光層包括三個(gè)量子阱發(fā)光單元；位于發(fā)光層上的P型摻雜的GaN層；位于P型摻雜的GaN層上的透明導(dǎo)電層；位于透明導(dǎo)電層上的金屬接觸電極；所述三個(gè)量子阱發(fā)光單元分別可發(fā)出紫外光、綠光和藍(lán)光；在發(fā)紫外光的量子阱發(fā)光單元上部的透明導(dǎo)電層上設(shè)置有紅色熒光粉。
本發(fā)明還提供了一種發(fā)光二極管的制造方法，包括以下步驟步驟一提供N型摻雜的GaN層，在所述N型摻雜的GaN層正面上制作發(fā)光層，所述發(fā)光層包括三個(gè)量子阱發(fā)光單元，所述三個(gè)量子阱發(fā)光單元可分別發(fā)出紫外光、綠光和藍(lán)光；步驟二 在所述發(fā)光層上沉積P型摻雜的GaN層，然后在P型摻雜的GaN層上沉積透明導(dǎo)電層；步驟三在上述N型摻雜的GaN層反面沉積共晶金屬；提供一導(dǎo)電襯底，在導(dǎo)電襯底上沉積共晶金屬，將上述兩共晶金屬進(jìn)行共晶處理形成導(dǎo)電層；步驟四在發(fā)紫外光的量子阱發(fā)光單元上部的透明導(dǎo)電層上進(jìn)行刻蝕，在該刻蝕區(qū)域上涂覆紅色熒光粉；步驟五在上述透明導(dǎo)電層的部分區(qū)域上沉積金屬形成接觸電極。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下有益效果本發(fā)明提供的一種發(fā)光二極管及其制造方法，發(fā)光層位于N型摻雜的GaN層上，屬于同質(zhì)外延，并且利用紫外光激發(fā)紅色熒光粉發(fā)出紅光，然后與綠光和藍(lán)光復(fù)合成白光，從而得到高效率、高顯色指數(shù)的發(fā)光二極管。


圖I是本發(fā)明實(shí)施例發(fā)光二極管制造方法的步驟流程圖。
圖2是本發(fā)明實(shí)施例發(fā)光二極管制作三區(qū)域量子阱發(fā)光單元示意圖。
圖3是本發(fā)明實(shí)施例發(fā)光二極管在相鄰的多量子阱發(fā)光單元的接觸部制作增反膜示意圖。
圖4是本發(fā)明實(shí)施例發(fā)光二極管制作透明導(dǎo)電層示意圖。
圖5是本發(fā)明實(shí)施例發(fā)光二極管形成導(dǎo)電層示意圖。
圖6是本發(fā)明實(shí)施例發(fā)光二極管在紫外光上部的透明導(dǎo)電層涂覆紅色熒光粉示意圖。
圖7是本發(fā)明實(shí)施例發(fā)光二極管制作接觸電極示意圖。
具體實(shí)施方式
為了使本發(fā)明所解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
—種發(fā)光二極管，可以參考圖7所不,包括導(dǎo)電襯底19,位于導(dǎo)電襯底19上的導(dǎo)電層18 ;位于導(dǎo)電層18上的N型摻雜的GaN層12 ;位于N型摻雜的GaN層12上的發(fā)光層， 所述發(fā)光層包括三個(gè)量子阱發(fā)光單元13 ;位于發(fā)光層上的P型摻雜的GaN層16 ;位于P型摻雜的GaN層16上的透明導(dǎo)電層17;位于透明導(dǎo)電層17上的金屬接觸電極21 ;其中，所述三個(gè)量子阱發(fā)光單元13可分別發(fā)出紫外光、綠光和藍(lán)光；在發(fā)紫外光的量子阱發(fā)光單元上部的透明導(dǎo)電層17上設(shè)置有紅色熒光粉20，所述紫外光激發(fā)紅色熒光粉20生成紅光，所述紅光、綠光和藍(lán)光混合后成為白光。本發(fā)明實(shí)施例發(fā)光層位于N型摻雜的GaN層上,屬于同質(zhì)外延，并且利用紫外光激發(fā)紅色熒光粉發(fā)出紅光，然后與綠光和藍(lán)光復(fù)合成白光，從而得到高效率、高顯色指數(shù)的發(fā)光二極管。
本實(shí)施例中的量子阱發(fā)光單元13均為GaN層和含In離子的GaN層形成的周期性層疊結(jié)構(gòu)，優(yōu)選5-15個(gè)周期的層疊；其中GaN層的厚度為6-15nm，含In離子的GaN層的厚度為2-5nm。量子阱發(fā)光單元13共有三個(gè)，該三個(gè)單元中由于含In離子的GaN層中In含量的不同，分別發(fā)出紫外光、綠光和藍(lán)光。為了防止紫外光、綠光和藍(lán)光在發(fā)光層中混合，在相鄰的量子阱發(fā)光單元之間設(shè)置有增反膜15，所述增反膜為金屬或非金屬的氧化物。為了增強(qiáng)發(fā)光二極管的導(dǎo)電性能，導(dǎo)電襯底的材料優(yōu)選為金屬，也可以是導(dǎo)電的非金屬材料，例如Cu、S1、SiC、GaN等導(dǎo)電的金屬或非金屬,及金屬化合物等。
本發(fā)明還提供了一種發(fā)光二極管的制造方法，圖1是本發(fā)明實(shí)施例發(fā)光二極管制造方法的步驟流程圖，該制造方法包括以下步驟步驟一提供N型摻雜的GaN層，在所述 N型摻雜的GaN層正面上制作發(fā)光層，所述發(fā)光層包括三個(gè)量子阱發(fā)光單元，所述三個(gè)量子阱發(fā)光單元可分別發(fā)出紫外光、綠光和藍(lán)光；步驟二 在所述發(fā)光層上沉積P型摻雜的GaN 層，然后在P型摻雜的GaN層上沉積透明導(dǎo)電層；步驟三在上述N型摻雜的GaN層反面沉積共晶金屬；提供一導(dǎo)電襯底，在導(dǎo)電襯底上沉積共晶金屬，將上述兩共晶金屬進(jìn)行共晶處理形成導(dǎo)電層；步驟四在發(fā)紫外光的量子阱發(fā)光單元上部的透明導(dǎo)電層上進(jìn)行刻蝕，在該刻蝕區(qū)域上涂覆紅色熒光粉；步驟五在上述透明導(dǎo)電層的部分區(qū)域上沉積金屬形成接觸電極。
本實(shí)施例在所述步驟二之前還包括在相鄰的量子阱發(fā)光單元的接觸部進(jìn)行刻蝕，然后在刻蝕的區(qū)域沉積增反膜；以下以增加了該步驟的制作方法為例說(shuō)明。圖2至圖7 為發(fā)光二極管的制造方法各步驟的示意圖，以下結(jié)合圖2至圖7詳述發(fā)光二極管的制造方法。
步驟一提供N型摻雜的GaN層12，在所述N型摻雜的GaN層12正面上制作發(fā)光層，所述發(fā)光層包括三個(gè)量子阱發(fā)光單元13，所述三個(gè)量子阱發(fā)光單元可分別發(fā)出紫外光、 綠光和藍(lán)光。結(jié)合圖2，是本發(fā)明實(shí)施例發(fā)光二極管制作發(fā)光層的示意圖，為了方便提供N 型摻雜的GaN層12，首先提供一臨時(shí)襯底10，該臨時(shí)襯底10優(yōu)選為藍(lán)寶石(A1203)、ZnO, GaN等導(dǎo)電或非導(dǎo)電的金屬化合物；在臨時(shí)襯底10上依次次沉積緩沖層11、N型摻雜的GaN 層12，臨時(shí)襯底10的材料優(yōu)選為藍(lán)寶石。緩沖層11的材料優(yōu)選為GaN。沉積緩沖層11和 N 型慘雜的 GaN 層 12 的方法可以米用 MOCVD(Metal_organic Chemical Vapor Deposition ，金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀)方法。然后在N型摻雜的GaN層12正面上制作發(fā)光層，發(fā)光層包括三個(gè)量子阱發(fā)光單元13。制作發(fā)光層有兩種方法一制作三個(gè)多量子阱發(fā)光單元13的步驟包括步驟A :在N型摻雜的GaN層12 正面依次生長(zhǎng)第一 GaN層、第二 GaN層；步驟B :在第二 GaN層上分三個(gè)區(qū)域采用步進(jìn)式離子注入不同濃度的In離子，重復(fù)上述步驟A和步驟B，形成三區(qū)域量子阱發(fā)光單元，本實(shí)施例中的第一 GaN層的厚度為6-15nm，第二 GaN層的厚度為2_5nm，其中第二 GaN層是含有In 離子的；由于在三個(gè)區(qū)域中預(yù)先設(shè)定好了 In離子的濃度，可以根據(jù)In離子濃度的不同使得多量子阱發(fā)光單元可在電致發(fā)光下分別發(fā)射紫外光、綠光和藍(lán)光。
方法二 制作三個(gè)量子阱發(fā)光單元的步驟包括步驟C :在N型摻雜的GaN層12 正面利用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀的方法沉積多量子阱，步驟D :在上述多量子阱上沉積保護(hù)膜，利用掩膜板，保留第一區(qū)域的多量子阱；步驟E :利用上述步驟得到第二區(qū)域和第三區(qū)域的多量子阱，這樣形成三個(gè)量子阱發(fā)光單元，所述三個(gè)量子阱發(fā)光單元分別可發(fā)出紫外光、綠光和藍(lán)光。沉積多量子阱的方法可以采用MOCVD方法，然后利用PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法)在多量子阱表面沉積Si02或SiN的保護(hù)膜，首先將第一區(qū)域通過(guò)指定掩膜板進(jìn)行涂敷光刻膠，使第一區(qū)域有保護(hù)膜保護(hù)，然后通過(guò)化學(xué)蝕刻的方法將其他區(qū)域保護(hù)膜和多量子阱處理干凈。 接下來(lái)，在剩余區(qū)域表面沉積Si02或SiN的保護(hù)膜，沉積保護(hù)膜的方法同上。然后將第二區(qū)域通過(guò)指定掩膜板進(jìn)行涂敷光刻膠，使第二區(qū)域有保護(hù)膜保護(hù)，然后通過(guò)化學(xué)蝕刻的方法將第三區(qū)域保護(hù)膜和多量子阱處理干凈。最后用相同的方法得到第三區(qū)域的多量子阱。 在沉積多量子阱時(shí)設(shè)定好In離子的濃度，可以根據(jù)不同In離子的濃度使得多量子阱發(fā)光單元可在電致發(fā)光下分別發(fā)射紫外光、綠光和藍(lán)光。
步驟二之前的步驟在相鄰的多量子阱發(fā)光單元13的接觸部進(jìn)行刻蝕，然后在刻蝕的區(qū)域沉積增反膜；如圖3所示，是本發(fā)明實(shí)施例發(fā)光二極管在相鄰的量子阱發(fā)光單元的接觸部制作增反膜示意圖。通過(guò)掩膜板設(shè)計(jì)，相鄰的量子阱發(fā)光單元13的接觸部進(jìn)行干法或濕法刻蝕，并通過(guò)PVD (Physical Vapor Deposition,物理氣相沉積)或CVD (CVD,Chemical Vapor Deposition,化學(xué)氣相沉積)沉積的增反膜15,該增反膜15優(yōu)選為三區(qū)域量子阱發(fā)光單元中間區(qū)域發(fā)光顏色的增反膜，這樣可以有效阻擋中間區(qū)域的光射向兩邊的發(fā)光區(qū)域。
步驟二 在所述發(fā)光層上沉積P型摻雜的GaN層，然后在P型摻雜的GaN層上沉積透明導(dǎo)電層；如圖4所示，是本發(fā)明實(shí)施例發(fā)光二極管制作透明導(dǎo)電層示意圖。為了提高P 型摻雜的GaN層的質(zhì)量,在沉積P型摻雜的GaN層16之前,在發(fā)光層上生長(zhǎng)一層GaN層14 ； 該步驟三中的沉積P型摻雜的GaN層16采用MOCVD方法；沉積透明導(dǎo)電層17優(yōu)選為PVD 方法，該透明導(dǎo)電層的材料優(yōu)選為氧化銦錫(ΙΤ0)。
步驟三在上述N型摻雜的GaN層反面沉積共晶金屬；提供一導(dǎo)電襯底，在導(dǎo)電襯底上沉積共晶金屬，將上述兩共晶金屬進(jìn)行共晶處理形成導(dǎo)電層；參考圖5，由于步驟一中采用了臨時(shí)襯底10，該步驟中可將驟二得到的制品倒置，臨時(shí)襯底10朝上，通過(guò)激光剝離、 等離子刻蝕或化學(xué)機(jī)械拋光等方法將臨時(shí)襯底10和緩沖層11剝離，然后在N型摻雜的 GaN層12反面沉積共晶金屬,預(yù)先提供一導(dǎo)電襯底19,該導(dǎo)電襯底19優(yōu)選為導(dǎo)電的金屬材料，可以?xún)?yōu)先散熱，其次為導(dǎo)電的非金屬材料。在該導(dǎo)電襯底表面上采用PVD等技術(shù)沉積共晶金屬，然后將沉積了共晶金屬的襯導(dǎo)電底19放置在沉積了共晶金屬的N型摻雜的GaN層 12上，將兩個(gè)共晶金屬進(jìn)行共晶，可以利用設(shè)備施加一定壓力，并高溫加熱，致使N型摻雜的GaN層表面和導(dǎo)電襯底表面的共晶金屬互相擴(kuò)散，達(dá)到共晶的目的，最終形成導(dǎo)電層18。
步驟四在所述紫外光上部的透明導(dǎo)電層上進(jìn)行刻蝕，在該刻蝕區(qū)域上涂覆紅色熒光粉；參考圖6，通過(guò)蝕刻等方法，在紫外光上部的透明導(dǎo)電層17上刻蝕出一定區(qū)域，然后通過(guò)旋轉(zhuǎn)勻膠的熒光粉涂敷工藝進(jìn)行紅色熒光粉20涂敷。具體過(guò)程為，將預(yù)涂敷的熒光粉添加到的環(huán)氧樹(shù)脂或硅膠中，將芯片將要涂覆熒光粉的一面向上，并吸附在勻膠機(jī)真空托盤(pán)上，用試管在芯片上滴加適量紅色熒光粉溶液，通過(guò)設(shè)置勻膠機(jī)運(yùn)行程序，主要控制馬達(dá)的加速度、勻膠機(jī)轉(zhuǎn)盤(pán)轉(zhuǎn)速、勻膠時(shí)間，利用離心力的作用使熒光粉膜層不斷變薄并達(dá)到預(yù)定厚度，最終完成均勻涂敷，并將涂敷好的熒光粉在 高溫下進(jìn)行固化。
步驟五在上述透明導(dǎo)電層的部分區(qū)域上沉積金屬形成接觸電極；參考圖7 ;通過(guò) PVD或CVD方法，在上述透明導(dǎo)電層17的部分區(qū)域上沉積金屬形成接觸電極21，所沉積的金屬優(yōu)選為幾種金屬兀素的合金，最表層優(yōu)選Au、Al、Cu等。
在本實(shí)施例中，通過(guò)紫外光照射紅色熒光粉可以發(fā)出紅光，該紅光結(jié)合綠光和藍(lán)光可以復(fù)合成為白光；也可以通過(guò)調(diào)節(jié)量子阱發(fā)光單元中In的濃度進(jìn)而調(diào)節(jié)出不同顏色的光，從而通過(guò)各種顏色的光復(fù)合后，可以調(diào)整出預(yù)想的發(fā)光顏色。有些實(shí)施例中也可以調(diào)整量子阱發(fā)光單元中紫外光、藍(lán)光和綠光的發(fā)光面積，發(fā)光區(qū)域越大，發(fā)光強(qiáng)度越強(qiáng)，或者通過(guò)增加或者減小外加電流和電壓，進(jìn)一步控制發(fā)光區(qū)域內(nèi)部載流子的復(fù)合效率，因此在保證波長(zhǎng)前提不變的情況下，通過(guò)改善每種顏色的發(fā)光強(qiáng)度比例也可改善發(fā)光的顏色。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管，其特征在于，包括導(dǎo)電襯底；位于導(dǎo)電襯底上的導(dǎo)電層；位于導(dǎo)電層上的N型摻雜的GaN層；位于N型摻雜的GaN層上的發(fā)光層，所述發(fā)光層包括三個(gè)量子阱發(fā)光單元；位于發(fā)光層上的P型摻雜的GaN層；位于P型摻雜的GaN層上的透明導(dǎo)電層；位于透明導(dǎo)電層上的金屬接觸電極；所述三個(gè)量子阱發(fā)光單元分別可發(fā)出紫外光、綠光和藍(lán)光；在發(fā)紫外光的量子阱發(fā)光單元上部的透明導(dǎo)電層上設(shè)置有紅色熒光粉。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述發(fā)光層為GaN層和含In離子的GaN層形成的周期性層疊結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述GaN層的厚度為6-15nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述含In離子的GaN層的厚度為 2_5nm0
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，相鄰的量子阱發(fā)光單元之間設(shè)置有增反膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管,其特征在于,所述導(dǎo)電襯底的材料為金屬或者導(dǎo)電的非金屬。
7.一種發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，包括以下步驟步驟一提供N型摻雜的GaN層，在所述N型摻雜的GaN層正面上制作發(fā)光層，所述發(fā)光層包括三個(gè)量子阱發(fā)光單元，所述三個(gè)量子阱發(fā)光單元分別可發(fā)出紫外光、綠光和藍(lán)光； 步驟二 在所述發(fā)光層上沉積P型摻雜的GaN層，然后在P型摻雜的GaN層上沉積透明導(dǎo)電層；步驟三在上述N型摻雜的GaN層反面沉積共晶金屬；提供一導(dǎo)電襯底，在導(dǎo)電襯底上沉積共晶金屬，將上述兩共晶金屬進(jìn)行共晶處理形成導(dǎo)電層；步驟四在發(fā)紫外光的量子阱發(fā)光單元上部的透明導(dǎo)電層上進(jìn)行刻蝕，在該刻蝕區(qū)域上涂覆紅色熒光粉；步驟五在上述透明導(dǎo)電層的部分區(qū)域上沉積金屬形成接觸電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，所述制作發(fā)光層的步驟包括步驟A :在N型摻雜的GaN層正面依次生長(zhǎng)第一 GaN層、第二 GaN層，步驟B :在第二 GaN層上分三個(gè)區(qū)域注入不同濃度的In離子，重復(fù)上述步驟A和步驟B，形成三個(gè)量子阱發(fā)光單元，所述三個(gè)量子阱發(fā)光單元分別可發(fā)出紫外光、綠光和藍(lán)光。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，所述第一GaN層的厚度為 6_15nm0
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，所述第二GaN層的厚度為2_5nm。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，在所述步驟二之前還包括步驟在相鄰的量子阱發(fā)光單元的接觸部進(jìn)行刻蝕，然后在刻蝕的區(qū)域沉積增反膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，所述三個(gè)量子阱發(fā)光單元依次排列，所述增反膜為對(duì)應(yīng)中間位置的量子阱發(fā)光單元發(fā)光顏色的增反膜。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，所述制作發(fā)光層的步驟包括步驟C :在N型摻雜的GaN層正面利用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀的方法沉積多量子阱，步驟D :在上述多量子阱上沉積保護(hù)膜，利用掩膜板，保留第一區(qū)域的多量子阱；步驟E :利用上述步驟得到第二區(qū)域和第三區(qū)域的多量子阱，這樣形成三個(gè)量子阱發(fā)光單元， 所述三個(gè)量子阱發(fā)光單元分別可發(fā)出紫外光、綠光和藍(lán)光。
全文摘要
一種發(fā)光二極管，包括導(dǎo)電襯底；位于導(dǎo)電襯底上的導(dǎo)電層；位于導(dǎo)電層上的N型摻雜的GaN層；位于N型摻雜的GaN層上的發(fā)光層，所述發(fā)光層包括三個(gè)量子阱發(fā)光單元；位于發(fā)光層上的P型摻雜的GaN層；位于P型摻雜的GaN層上的透明導(dǎo)電層；位于透明導(dǎo)電層上的金屬接觸電極；三個(gè)量子阱發(fā)光單元可分別發(fā)出紫外光、綠光和藍(lán)光；在發(fā)紫外光的量子阱發(fā)光單元上部的透明導(dǎo)電層上設(shè)置有紅色熒光粉。還提供了一種發(fā)光二極管的制造方法，發(fā)光層位于N型摻雜的GaN層上，利用紫外光激發(fā)紅色熒光粉發(fā)出紅光，然后與綠光和藍(lán)光復(fù)合成白光，從而得到高效率、高顯色指數(shù)的發(fā)光二極管。
文檔編號(hào)H01L33/10GK103022288SQ201110288569
公開(kāi)日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2011年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月27日
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