專利名稱：倒裝式led的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及LED技術(shù)領(lǐng)域，具體的說，是涉及一種倒裝式LED，本發(fā)明的倒裝式LED 發(fā)光效率高，正面中心部分的發(fā)光強度極高。
背景技術(shù)：
正裝芯片技術(shù)是傳統(tǒng)的微電子封裝技術(shù)，其技術(shù)成熟，應用范圍最為廣泛，目前市場上絕大多數(shù)LED均為正裝式LED，LED裸芯片正裝在一個帶有反射杯的支架上，其P型外延層、N型外延層分別通過金屬線焊接在陽極和陰極的引線上，這種正裝LED可反射側(cè)面的光使其從正面射出，但是正面發(fā)出的光會被金屬焊線遮蔽，且散熱性差，同時，正裝LED較難實現(xiàn)多芯片集成。因此，近年來出現(xiàn)了較為先進的倒裝芯片技術(shù)，這是一種理想的芯片粘接技術(shù)，現(xiàn)有技術(shù)中的倒裝式LED基本上均為平面結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)的倒裝式LED存在這這樣的缺點，即倒裝的LED的PN結(jié)在正面、側(cè)面、底面上均會發(fā)光，但是由于側(cè)面及底面發(fā)出的光被散射出去，因而沒有被充分利用，造成LED的發(fā)光效率較低，似的正面出光的強度降低?；谏鲜霈F(xiàn)有技術(shù)的缺陷，出現(xiàn)了新型的倒裝芯片技術(shù)，即將平面結(jié)構(gòu)改為帶凹槽的結(jié)構(gòu)，凹槽的界面設計為梯形結(jié)構(gòu)，這樣，LED的PN結(jié)在側(cè)面、底面上的光均能得到有效的反射。但是，這樣的結(jié)構(gòu)雖然大大提高了 LED得發(fā)光效率，正面發(fā)光強度也得到了提高，由于梯形的凹槽結(jié)構(gòu)，使得側(cè)面光被反射后，從正面散射出去，因此，在很多場合均不能 兩足需要。因此，為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，適應現(xiàn)實的需要，有必要設計一種新型的發(fā)光效率高、正面中心部分的發(fā)光強度較之現(xiàn)有技術(shù)有較大提升的倒裝式LED，。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，適應現(xiàn)實的需要，提供一種倒裝式LED， 本發(fā)明的倒裝式LED發(fā)光效率高，正面中心部分的發(fā)光強度極高。為了實現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為一種倒裝式LED，包括由襯底、N型外延層、P型外延層組成的LED裸芯片，還包括硅襯底，所述N型外延層、P型外延層分別通過兩個金屬焊腳倒裝焊接在兩個分離的電極金屬層上，所述電極金屬層的外表面為反光面，所述硅襯底的上表面中部向下凹陷，所述電極金屬層覆蓋于所述硅襯底凹陷部的底面和四周，所述電極金屬層與硅襯底之間設有將電極金屬層與硅襯底隔離的隔離層，所述硅襯底凹陷部的底部為水平面，凹陷部的四周為球面， 所述LED裸芯片襯底的最高點低于所述硅襯底凹陷部的最高點。所述電極金屬層外部覆蓋有保護層。所述兩個分離的電極金屬層之間設有防短路隔離層。所述硅襯底的凹陷部中設有填充樹脂。本發(fā)明的有益效果在于
1.凹陷部的四周采用球面結(jié)構(gòu)，使得LED的PN結(jié)在正面、側(cè)面、底面上發(fā)出的光都被集中到正面的中心，側(cè)面、底面上發(fā)出的光得到了有效的利用，并且正面中心部分的發(fā)光強度極高；2.工藝簡單、結(jié)構(gòu)簡單，容易實現(xiàn)多芯片集成。


圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明進一步說明實施例參見圖1。一種倒裝式LED，包括由襯底11、N型外延層12、P型外延層13組成的LED裸芯片， 還包括硅襯底2，所述N型外延層12、P型外延層13分別通過兩個金屬焊腳31、32倒裝焊接在兩個分離的電極金屬層41、42上，所述電極金屬層41、42的外表面為反光面，所述硅襯底2的上表面中部向下凹陷，所述電極金屬層41、42覆蓋于所述硅襯底2凹陷部的底面和四周，所述電極金屬層41、42與硅襯底2之間設有將電極金屬層41、42與硅襯底2隔離的隔離層51、52，所述硅襯底2凹陷部的底部為水平面，凹陷部的四周為球面，所述LED裸芯片襯底11的最高點低于所述硅襯底2凹陷部的最高點。隔離層51、52用于隔離兩個電極金屬層與硅襯底，防止兩個電極金屬層之間漏電或者短路，同時可起到靜電保護作用。電極金屬層41、42作為電極使用，同時作為側(cè)面和底面的反光面使用。所述電極金屬層41、42外部覆蓋有保護層7，同樣是為了防止兩個電極金屬層之間漏電或者短路。所述兩個分離的電極金屬層41、42之間設有防短路隔離層6，目的及作用同上，在于防止電極金屬層41、42之間出現(xiàn)漏電或者短路。所述硅襯底2的凹陷部中設有填充樹脂。本發(fā)明使得LED的PN結(jié)在正面、側(cè)面、底面上發(fā)出的光都被集中到正面的中心，側(cè)面、底面上發(fā)出的光得到了有效的利用，并且正面中心部分的發(fā)光強度極高；工藝簡單、結(jié)構(gòu)簡單，容易實現(xiàn)多芯片集成。
權(quán)利要求
1.一種倒裝式LED，包括由襯底(11)、N型外延層(12)、p型外延層(13)組成的LED 裸芯片，還包括硅襯底O)，所述N型外延層(1幻1型外延層(1 分別通過兩個金屬焊腳 (31,32)倒裝焊接在兩個分離的電極金屬層01、42)上，所述電極金屬層01、42)的外表面為反光面，所述硅襯底(2)的上表面中部向下凹陷，所述電極金屬層(41、42)覆蓋于所述硅襯底O)凹陷部的底面和四周，所述電極金屬層Gl、42)與硅襯底( 之間設有將電極金屬層(41、42)與硅襯底O)隔離的隔離層(51、52)，其特征在于所述硅襯底O)凹陷部的底部為水平面，凹陷部的四周為球面，所述LED裸芯片襯底(11)的最高點低于所述硅襯底 (2)凹陷部的最高點。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝式LED，其特征在于所述電極金屬層(41、42)外部覆蓋有保護層(7)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝式LED，其特征在于所述兩個分離的電極金屬層01、 42)之間設有防短路隔離層(6)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝式LED，其特征在于所述硅襯底( 的凹陷部中設有填充樹脂。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種倒裝式LED，包括由襯底、N型外延層、P型外延層組成的LED裸芯片，還包括硅襯底，所述N型外延層、P型外延層分別通過兩個金屬焊腳倒裝焊接在兩個分離的電極金屬層上，所述電極金屬層的外表面為反光面，所述硅襯底的上表面中部向下凹陷，所述電極金屬層覆蓋于所述硅襯底凹陷部的底面和四周，所述電極金屬層與硅襯底之間設有將電極金屬層與硅襯底隔離的隔離層，所述硅襯底凹陷部的底部為水平面，凹陷部的四周為球面，所述LED裸芯片襯底的最高點低于所述硅襯底凹陷部的最高點。本發(fā)明使得LED的發(fā)出光的利用率高，并且正面中心部分的發(fā)光強度極高。
文檔編號H01L33/60GK102376862SQ20111029055
公開日2012年3月14日 申請日期2011年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月29日
發(fā)明者顧燕萍 申請人:蘇州承源光電科技有限公司