專利名稱：半導(dǎo)體裝置及制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及PN 二極管設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用來縮短SOI PN結(jié)二極管反向恢復(fù)時(shí)間的半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
現(xiàn)代電子技術(shù)中廣泛使用PN結(jié)作為整流、開關(guān)及其他用途的器件，半導(dǎo)體微波器件及光電器件的基本結(jié)構(gòu)也是PN結(jié)，同時(shí)，PN結(jié)也是雙極型晶體管、可控硅整流器和場效應(yīng)晶體管的基本組成部分，所以PN結(jié)在現(xiàn)在電子技術(shù)中起著十分重要的作用。理想的PN 結(jié)二極管，即圖1或圖2中的器件，它的重要的性質(zhì)是它的整流效應(yīng)，即正向?qū)ǚ聪蚪刂埂?圖3中是現(xiàn)有技術(shù)PN結(jié)二極管反向特性曲線。當(dāng)t小于0時(shí)候，PN結(jié)二極管處于正向?qū)顟B(tài)，當(dāng)t=0的時(shí)刻，PN結(jié)二極管兩端電壓為反向，從圖上可得知，PN結(jié)二極管的電流由原來恒定的正向If逐漸減少至0，然后電流變?yōu)榉聪螂娏鳎瑥?開始反向增加至一個(gè)反向電流的峰值Ir，接著反向電流逐步降低直至趨于恒定，且此時(shí)反向電流值很小，器件表現(xiàn)為截止。從器件角度解釋，PN結(jié)二極管正向偏置時(shí)候，電子從N區(qū)注入到P區(qū)，空穴從P區(qū)注入到N區(qū)。少數(shù)載流子一旦注入，便吸引多數(shù)載流子導(dǎo)致PN結(jié)內(nèi)的電荷積累，即等量的過剩電子電荷和過剩空穴電荷的存儲(chǔ)。當(dāng)結(jié)上外加偏壓突然反向時(shí)，這些存儲(chǔ)電荷不能立即去除，即需要經(jīng)過一定時(shí)間PN結(jié)才能達(dá)到反偏狀態(tài)，這個(gè)時(shí)間為反向恢復(fù)時(shí)間，即圖3中的 trrD在SOI襯底上制備PN結(jié)二極管，通常情況下在SOI襯底上制備單一的二極管以供器件的工作需求，但實(shí)際上單一工作的二極管存在許多缺點(diǎn)，包括器件反向恢復(fù)時(shí)間長，產(chǎn)生的功耗大，易產(chǎn)生邏輯電路中的信號(hào)紊亂等，為了解決上述缺點(diǎn)，現(xiàn)有技術(shù)提出了一些解決方法，如在二極管內(nèi)摻入其他可以引入復(fù)合中心的雜質(zhì)元素，如金，可以縮短器件的反向恢復(fù)時(shí)間，且效果確實(shí)明顯，但是引入這些雜質(zhì)的成本較高，工藝復(fù)雜；又如將二極管接受輻照，也可以縮短器件的反向恢復(fù)時(shí)間，但工藝過于復(fù)雜，且成本較高。本發(fā)明是在綜合對(duì)比分析以上方法的基礎(chǔ)上，提出一種半導(dǎo)體裝置，將原來單一使用的SOI PN結(jié)二極管換成兩個(gè)或者兩個(gè)以上SOI PN結(jié)二極管串聯(lián)工作的半導(dǎo)體裝置。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是，為了縮短SOI PN 二極管的反向恢復(fù)時(shí)間，同時(shí)避免采用現(xiàn)有技術(shù)所帶來的缺點(diǎn)，提供一種半導(dǎo)體裝置用以縮短SOI PN結(jié)二極管反向恢復(fù)時(shí)間。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置，用于縮短SOI PN結(jié)二極管反向恢復(fù)時(shí)間，包括
一 SOI材料襯底，包括一硅襯底，一埋氧層和一頂層硅層；
多個(gè)PN結(jié)二極管結(jié)構(gòu)，上述多個(gè)PN結(jié)二極管結(jié)構(gòu)位于頂層硅層內(nèi)，上述多個(gè)PN結(jié)二極管結(jié)構(gòu)采用串聯(lián)連接。
上述PN結(jié)二極管采用P型摻雜區(qū)和N型摻雜區(qū)背靠背相連形成。上述PN結(jié)二極管采用單阱工藝制作，即在N型摻雜區(qū)內(nèi)制作P阱或在P型摻雜區(qū)內(nèi)制作N阱。上述SOI材料襯底為全耗盡型SOI襯底或部分耗盡型SOI襯底。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明還提供一種上述半導(dǎo)體裝置的制備方法，步驟包括
a)提供一SOI材料襯底；
b)在SOI材料襯底的頂層硅層內(nèi)形成一具有第一導(dǎo)電類型的第一摻雜區(qū)；
c)在第一摻雜區(qū)內(nèi)形成一具有第二導(dǎo)電類型的第二摻雜區(qū)；
d)在SOI材料襯底的頂層硅層內(nèi)形成一具有第一導(dǎo)電類型的第三摻雜區(qū)；
e)在第三摻雜區(qū)內(nèi)形成一具有第二導(dǎo)電類型的第四摻雜區(qū)；
f)采用導(dǎo)線將第一摻雜區(qū)與第四摻雜區(qū)之間或第二摻雜區(qū)與第三摻雜區(qū)之間相連接。上述第一摻雜區(qū)和第三摻雜區(qū)之間采用STI隔離。上述第一導(dǎo)電類型為N型，上述第二導(dǎo)電類型為P型；或上述第一導(dǎo)電類型為P 型，上述第二導(dǎo)電類型為N型。上述SOI材料襯底為全耗盡型SOI襯底或部分耗盡型SOI襯底。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明還提供一種上述半導(dǎo)體裝置的制備方法，步驟包括
a)提供一SOI材料襯底；
b)在SOI材料襯底的頂層硅層內(nèi)形成一具有第一導(dǎo)電類型的第一摻雜區(qū)；
c)在SOI材料襯底的頂層硅層內(nèi)形成一緊鄰第一摻雜區(qū)的具有第二導(dǎo)電類型的第二摻雜區(qū)；
d)在SOI材料襯底的頂層硅層內(nèi)形成一緊鄰第二摻雜區(qū)，且遠(yuǎn)離第一摻雜區(qū)的具有第一導(dǎo)電類型的第三摻雜區(qū)；
e)在SOI材料襯底的頂層硅層內(nèi)形成一緊鄰第三摻雜區(qū)，且遠(yuǎn)離第二摻雜區(qū)的具有第二導(dǎo)電類型的第四摻雜區(qū)；
f)采用導(dǎo)線將第二摻雜區(qū)與上述第三摻雜區(qū)之間或第一摻雜區(qū)與第四摻雜區(qū)之間相連接。上述第一摻雜區(qū)、第二摻雜區(qū)、第三摻雜區(qū)和第四摻雜區(qū)位于同一水平高度。上述第一導(dǎo)電類型為N型，上述第二導(dǎo)電類型為P型；或上述第一導(dǎo)電類型為P 型，上述第二導(dǎo)電類型為N型。上述SOI材料襯底類型為全耗盡型SOI襯底或部分耗盡型SOI襯底。尤其當(dāng)SOI材料襯底采用全耗盡型SOI襯底時(shí)，該半導(dǎo)體裝置的寄生電容效應(yīng)減少，從而降低器件功耗。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于是將原來單一使用的SOI PN結(jié)二極管換成兩個(gè)或者兩個(gè)以上串聯(lián)工作的SOI PN結(jié)二極管。通過串聯(lián)，巧妙的增加復(fù)合中心，從而增加了復(fù)合效率，縮短了反向恢復(fù)時(shí)間，又避免了漏電增加及正向電壓的增加。同時(shí)經(jīng)過計(jì)算以及實(shí)驗(yàn)的測量分析，結(jié)果表明本發(fā)明具有縮短SOI PN結(jié)二極管反向恢復(fù)時(shí)間的效果。因此本發(fā)明克服了上述單一二極管工作的缺點(diǎn)，并且制備方法簡單，工藝與現(xiàn)有工藝兼容，減少電容，該方法的
5成本相對(duì)低，具備很強(qiáng)的可實(shí)施性，將反向恢復(fù)時(shí)間盡可能地減小。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)中單個(gè)PN結(jié)二極管電路特性符號(hào)示意圖； 圖2是現(xiàn)有技術(shù)單個(gè)PN結(jié)二極管簡化模型示意圖3是現(xiàn)有技術(shù)PN結(jié)二極管反向特性曲線圖4是本發(fā)明提供的SOI PN結(jié)二極管串聯(lián)電路特性符號(hào)示意圖5A-8B是本發(fā)明提供的SOI PN結(jié)二極管串聯(lián)結(jié)構(gòu)八個(gè)實(shí)施例結(jié)構(gòu)剖面圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明提供的半導(dǎo)體裝置的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)說明。圖4所示為本發(fā)明提供的SOI PN結(jié)二極管串聯(lián)電路特性符號(hào)示意圖。通過串聯(lián)， 巧妙的增加復(fù)合中心，從而增加了復(fù)合效率，縮短了反向恢復(fù)時(shí)間。圖5A所示為本發(fā)明提供的第一實(shí)施例結(jié)構(gòu)剖面圖，本實(shí)施例采用全耗盡型SOI PN結(jié)單阱串聯(lián)結(jié)構(gòu)，包括硅襯底100，埋氧層101，以及具有第一導(dǎo)電類型的頂層硅層104。 在上述SOI PN結(jié)串聯(lián)結(jié)構(gòu)的兩端，均作了 STI結(jié)構(gòu)105隔離。其中，每個(gè)PN結(jié)二極管是通過在一具有第一導(dǎo)電類型的頂層硅層104中形成一具有第二導(dǎo)電類型的摻雜阱區(qū)103而實(shí)現(xiàn)的，該摻雜阱區(qū)103的橫向尺寸以及縱向尺寸均小于上述頂層硅層104。各個(gè)PN結(jié)二極管之間均采用STI結(jié)構(gòu)105隔離。利用導(dǎo)線將每個(gè)PN 二極管串聯(lián)形成PN 二極管串聯(lián)鏈。 作為可選的技術(shù)方案，導(dǎo)線從一 PN結(jié)二極管的頂層硅層104引出，連到緊鄰的一 PN結(jié)二極管的摻雜區(qū)103，如此反復(fù)連接，形成PN結(jié)二極管串聯(lián)鏈，而且每個(gè)PN結(jié)二極管的頂層硅層104或摻雜區(qū)103的導(dǎo)線只能引出一次。上述第一導(dǎo)電類型為P型或N型，上述第二導(dǎo)電類型為N型或P型。圖5B所示為本發(fā)明提供的第二實(shí)施例結(jié)構(gòu)剖面圖，本實(shí)施例采用全耗盡型SOI PN結(jié)單阱串聯(lián)結(jié)構(gòu)，包括硅襯底100，埋氧層101，以及具有第一導(dǎo)電類型的頂層硅層104。 在上述SOI PN結(jié)串聯(lián)結(jié)構(gòu)的兩端，均作了 STI結(jié)構(gòu)105隔離。其中，每個(gè)PN結(jié)二極管是通過在一具有第一導(dǎo)電類型的頂層硅層104中形成一具有第二導(dǎo)電類型的摻雜區(qū)103而實(shí)現(xiàn)的，該摻雜阱區(qū)103的橫向尺寸以及縱向尺寸均小于上述頂層硅層104。各個(gè)PN結(jié)二極管之間沒有采用STI結(jié)構(gòu)105隔離。利用導(dǎo)線將每個(gè)PN 二極管串聯(lián)形成PN 二極管串聯(lián)鏈。 作為可選的技術(shù)方案，導(dǎo)線從一 PN結(jié)二極管的頂層硅層104引出，連到緊鄰的一 PN結(jié)二極管的摻雜區(qū)103，如此反復(fù)連接，形成PN結(jié)二極管串聯(lián)鏈，而且每個(gè)PN結(jié)二極管的頂層硅層104或摻雜區(qū)103的導(dǎo)線只能引出一次。上述第一導(dǎo)電類型為P型或N型，上述第二導(dǎo)電類型為N型或P型。圖6A所示為本發(fā)明提供的第三實(shí)施例結(jié)構(gòu)剖面圖，本實(shí)施例采用全耗盡型SOI PN結(jié)背靠背串聯(lián)結(jié)構(gòu)，包括硅襯底100，埋氧層101，以及具有第一導(dǎo)電類型的頂層硅層 104。在上述SOI PN結(jié)串聯(lián)結(jié)構(gòu)的兩端，均作了 STI結(jié)構(gòu)105隔離。其中，每個(gè)PN結(jié)二極管是通過在一具有第一導(dǎo)電類型的頂層硅層104和一具有第二導(dǎo)電類型的摻雜區(qū)103形成背靠背接觸的結(jié)構(gòu)而實(shí)現(xiàn)的。各個(gè)PN結(jié)二極管之間均采用STI結(jié)構(gòu)105隔離。利用導(dǎo)線將每個(gè)PN 二極管串聯(lián)形成PN 二極管串聯(lián)鏈。作為可選的技術(shù)方案，導(dǎo)線從一 PN結(jié)二極管的頂層硅層104引出，連到緊鄰的一 PN結(jié)二極管的摻雜區(qū)103，如此反復(fù)連接，形成PN結(jié)二極管串聯(lián)鏈，而且每個(gè)PN結(jié)二極管的頂層硅層104或摻雜區(qū)103的導(dǎo)線只能引出一次。上述第一導(dǎo)電類型為P型或N型，上述第二導(dǎo)電類型為N型或P型。圖6B所示為本發(fā)明提供的第四實(shí)施例結(jié)構(gòu)剖面圖，本實(shí)施例采用全耗盡型SOI PN結(jié)背靠背串聯(lián)結(jié)構(gòu)，包括硅襯底100，埋氧層101，以及具有第一導(dǎo)電類型的頂層硅層 104。在上述SOI PN結(jié)串聯(lián)結(jié)構(gòu)的兩端，均作了 STI結(jié)構(gòu)105隔離。其中，每個(gè)PN結(jié)二極管是通過在一具有第一導(dǎo)電類型的頂層硅層104和一具有第二導(dǎo)電類型的摻雜區(qū)103形成背靠背接觸的結(jié)構(gòu)而實(shí)現(xiàn)的。各個(gè)PN結(jié)二極管之間沒有采用STI結(jié)構(gòu)105隔離。利用導(dǎo)線將每個(gè)PN 二極管串聯(lián)形成PN 二極管串聯(lián)鏈。作為可選的技術(shù)方案，導(dǎo)線從一 PN結(jié)二極管的頂層硅層104引出，連到緊鄰的一 PN結(jié)二極管的摻雜區(qū)103，如此反復(fù)連接，形成PN結(jié)二極管串聯(lián)鏈，而且每個(gè)PN結(jié)二極管的頂層硅層104或摻雜區(qū)103的導(dǎo)線只能引出一次。 上述第一導(dǎo)電類型為P型或N型，上述第二導(dǎo)電類型為N型或P型。圖7A所示為本發(fā)明提供的第五實(shí)施例結(jié)構(gòu)剖面圖，本實(shí)施例采用部分耗盡型SOI PN結(jié)單阱串聯(lián)結(jié)構(gòu)，包括硅襯底100，埋氧層101，體區(qū)層102，以及具有第一導(dǎo)電類型的頂層硅層104。在上述SOI PN結(jié)串聯(lián)結(jié)構(gòu)的兩端，均作了 STI結(jié)構(gòu)105隔離。其中，每個(gè)PN 結(jié)二極管是通過在一具有第一導(dǎo)電類型的頂層硅層104中形成一具有第二導(dǎo)電類型的摻雜阱區(qū)103而實(shí)現(xiàn)的，該摻雜阱區(qū)103的橫向尺寸以及縱向尺寸均小于上述頂層硅層104。 各個(gè)PN結(jié)二極管之間均采用STI結(jié)構(gòu)105隔離。利用導(dǎo)線將每個(gè)PN 二極管串聯(lián)形成PN 二極管串聯(lián)鏈。作為可選的技術(shù)方案，導(dǎo)線從一 PN結(jié)二極管的頂層硅層104引出，連到緊鄰的一 PN結(jié)二極管的摻雜區(qū)103，如此反復(fù)連接，形成PN結(jié)二極管串聯(lián)鏈，而且每個(gè)PN結(jié)二極管的頂層硅層104或摻雜區(qū)103的導(dǎo)線只能引出一次。上述第一導(dǎo)電類型為P型或N 型，上述第二導(dǎo)電類型為N型或P型。圖7B所示為本發(fā)明提供的第六實(shí)施例結(jié)構(gòu)剖面圖，本實(shí)施例采用部分耗盡型SOI PN結(jié)單阱串聯(lián)結(jié)構(gòu)，包括硅襯底100，埋氧層101，體區(qū)層102，以及具有第一導(dǎo)電類型的頂層硅層104。在上述SOI PN結(jié)串聯(lián)結(jié)構(gòu)的兩端，均作了 STI結(jié)構(gòu)105隔離。其中，每個(gè)PN 結(jié)二極管是通過在一具有第一導(dǎo)電類型的頂層硅層104中形成一具有第二導(dǎo)電類型的摻雜區(qū)103而實(shí)現(xiàn)的，該摻雜阱區(qū)103的橫向尺寸以及縱向尺寸均小于上述頂層硅層104。各個(gè)PN結(jié)二極管之間沒有采用STI結(jié)構(gòu)105隔離。利用導(dǎo)線將每個(gè)PN 二極管串聯(lián)形成PN 二極管串聯(lián)鏈。作為可選的技術(shù)方案，導(dǎo)線從一 PN結(jié)二極管的頂層硅層104引出，連到緊鄰的一 PN結(jié)二極管的摻雜區(qū)103，如此反復(fù)連接，形成PN結(jié)二極管串聯(lián)鏈，而且每個(gè)PN結(jié)二極管的頂層硅層104或摻雜區(qū)103的導(dǎo)線只能引出一次。上述第一導(dǎo)電類型為P型或N 型，上述第二導(dǎo)電類型為N型或P型。圖8A所示為本發(fā)明提供的第七實(shí)施例結(jié)構(gòu)剖面圖，本實(shí)施例采用部分耗盡型SOI PN結(jié)背靠背串聯(lián)結(jié)構(gòu)，包括硅襯底100，埋氧層101，體區(qū)層102，以及具有第一導(dǎo)電類型的頂層硅層104。在上述SOI PN結(jié)串聯(lián)結(jié)構(gòu)的兩端，均作了 STI結(jié)構(gòu)105隔離。其中，每個(gè) PN結(jié)二極管是通過在一具有第一導(dǎo)電類型的頂層硅層104和一具有第二導(dǎo)電類型的摻雜區(qū)103形成背靠背接觸的結(jié)構(gòu)而實(shí)現(xiàn)的。各個(gè)PN結(jié)二極管之間均采用STI結(jié)構(gòu)105隔離。 利用導(dǎo)線將每個(gè)PN 二極管串聯(lián)形成PN 二極管串聯(lián)鏈。作為可選的技術(shù)方案，導(dǎo)線從一 PN 結(jié)二極管的頂層硅層104引出，連到緊鄰的一 PN結(jié)二極管的摻雜區(qū)103，如此反復(fù)連接，形成PN結(jié)二極管串聯(lián)鏈，而且每個(gè)PN結(jié)二極管的頂層硅層104或摻雜區(qū)103的導(dǎo)線只能引出一次。上述第一導(dǎo)電類型為P型或N型，上述第二導(dǎo)電類型為N型或P型。圖8B所示為本發(fā)明提供的第八實(shí)施例結(jié)構(gòu)剖面圖，本實(shí)施例采用部分耗盡型SOI PN結(jié)背靠背串聯(lián)結(jié)構(gòu)，包括硅襯底100，埋氧層101，體區(qū)層102，以及具有第一導(dǎo)電類型的頂層硅層104。在上述SOI PN結(jié)串聯(lián)結(jié)構(gòu)的兩端，均作了 STI結(jié)構(gòu)105隔離。其中，每個(gè) PN結(jié)二極管是通過在一具有第一導(dǎo)電類型的頂層硅層104和一具有第二導(dǎo)電類型的摻雜區(qū)103形成背靠背接觸的結(jié)構(gòu)而實(shí)現(xiàn)的。各個(gè)PN結(jié)二極管之間沒有采用STI結(jié)構(gòu)105隔離。利用導(dǎo)線將每個(gè)PN 二極管串聯(lián)形成PN 二極管串聯(lián)鏈。作為可選的技術(shù)方案，導(dǎo)線從一 PN結(jié)二極管的頂層硅層104引出，連到緊鄰的一 PN結(jié)二極管的摻雜區(qū)103，如此反復(fù)連接，形成PN結(jié)二極管串聯(lián)鏈，而且每個(gè)PN結(jié)二極管的頂層硅層104或摻雜區(qū)103的導(dǎo)線只能引出一次。上述第一導(dǎo)電類型為P型或N型，上述第二導(dǎo)電類型為N型或P型。以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，用于縮短SOI PN結(jié)二極管反向恢復(fù)時(shí)間，其特征在于，包括一 SOI材料襯底，包括一硅襯底，一埋氧層和一頂層硅層；多個(gè)PN結(jié)二極管結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)PN結(jié)二極管結(jié)構(gòu)位于頂層硅層內(nèi)，所述多個(gè)PN結(jié)二極管結(jié)構(gòu)采用串聯(lián)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述PN結(jié)二極管采用P型摻雜區(qū)和N型摻雜區(qū)背靠背相連形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述PN結(jié)二極管采用單阱工藝制作，即在N型摻雜區(qū)內(nèi)制作P阱或在P型摻雜區(qū)內(nèi)制作N阱。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述SOI材料襯底為全耗盡型SOI 襯底或部分耗盡型SOI襯底。
5.一種如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體裝置的制備方法，其特征在于，步驟包括 a)提供一 SOI材料襯底；b)在SOI材料襯底的頂層硅層內(nèi)形成一具有第一導(dǎo)電類型的第一摻雜區(qū)；c)在第一摻雜區(qū)內(nèi)形成一具有第二導(dǎo)電類型的第二摻雜區(qū)；d)在SOI材料襯底的頂層硅層內(nèi)形成一具有第一導(dǎo)電類型的第三摻雜區(qū)；e)在第三摻雜區(qū)內(nèi)形成一具有第二導(dǎo)電類型的第四摻雜區(qū)；f)采用導(dǎo)線將第一摻雜區(qū)與第四摻雜區(qū)之間或第二摻雜區(qū)與第三摻雜區(qū)之間相連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述半導(dǎo)體裝置的制備方法，其特征在于，所述第一摻雜區(qū)和第三摻雜區(qū)之間采用STI隔離。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述半導(dǎo)體裝置的制備方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型為N 型，所述第二導(dǎo)電類型為P型；或所述第一導(dǎo)電類型為P型，所述第二導(dǎo)電類型為N型。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述半導(dǎo)體裝置的制備方法，其特征在于，所述SOI材料襯底為全耗盡型SOI襯底或部分耗盡型SOI襯底。
9.一種如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體裝置的制備方法，其特征在于，步驟包括a)提供一SOI材料襯底；b)在SOI材料襯底的頂層硅層內(nèi)形成一具有第一導(dǎo)電類型的第一摻雜區(qū)；c)在SOI材料襯底的頂層硅層內(nèi)形成一緊鄰第一摻雜區(qū)的具有第二導(dǎo)電類型的第二摻雜區(qū)；d)在SOI材料襯底的頂層硅層內(nèi)形成一緊鄰第二摻雜區(qū)，且遠(yuǎn)離第一摻雜區(qū)的具有第一導(dǎo)電類型的第三摻雜區(qū)；e)在SOI材料襯底的頂層硅層內(nèi)形成一緊鄰第三摻雜區(qū)，且遠(yuǎn)離第二摻雜區(qū)的具有第二導(dǎo)電類型的第四摻雜區(qū)；f)采用導(dǎo)線將第二摻雜區(qū)與所述第三摻雜區(qū)之間或第一摻雜區(qū)與第四摻雜區(qū)之間相連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置的制備方法，其特征在于，所述第一摻雜區(qū)、第二摻雜區(qū)、第三摻雜區(qū)和第四摻雜區(qū)位于同一水平高度。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述半導(dǎo)體裝置的制備方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型為N 型，所述第二導(dǎo)電類型為P型；或所述第一導(dǎo)電類型為P型，所述第二導(dǎo)電類型為N型。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述半導(dǎo)體裝置的制備方法，其特征在于，所述SOI材料襯底類型為全耗盡型SOI襯底或部分耗盡型SOI襯底。
全文摘要
用于縮短SOIPN結(jié)二極管反向恢復(fù)時(shí)間的半導(dǎo)體裝置，屬于PN二極管技術(shù)領(lǐng)域。該發(fā)明提供SOIPN結(jié)二極管串聯(lián)鏈，其中二極管的制備方式有背靠背與單阱兩種。通過SOIPN結(jié)二極管串聯(lián)結(jié)構(gòu)的應(yīng)用，可以有效的縮短其反向恢復(fù)時(shí)間。
文檔編號(hào)H01L27/12GK102403321SQ201110293178
公開日2012年4月4日 申請(qǐng)日期2011年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月30日
發(fā)明者葉斐, 張峰, 林成魯, 王學(xué)良, 王曦, 趙常盛 申請(qǐng)人:上海新傲科技股份有限公司, 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所