專利名稱：低介電常數(shù)材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于可用于半導(dǎo)體或其它電子器件中的絕緣層的低介電常數(shù)材料。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體制造技術(shù)一般使用介電材料作為位于電路和電路元件(如集成電路)之間的絕緣層。但是在一個示例中，一般將介電材料用在半導(dǎo)體器件的多層互連結(jié)構(gòu)的互連層之間。通常將這種應(yīng)用的介電材料稱為層間介質(zhì)(ILD)。隨著半導(dǎo)體器件元件的尺寸降低， 分離相鄰的部件的需求變得更迫切和更困難。為了實(shí)現(xiàn)這些挑戰(zhàn)，工廠開始使用低介電常數(shù)材料取代二氧化硅的傳統(tǒng)使用來作為ILD層。然而，低介電常數(shù)(低_k)材料的形成通常具有其它缺點(diǎn)如機(jī)械強(qiáng)度差，爆板分層，蝕刻(如等離子體)工藝導(dǎo)致的損害等。

發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)中的問題，本發(fā)明提供了一種材料，包括低介電常數(shù)材料；以及添加劑，其中所述添加劑包括具有Si-X-Si橋的化合物，其中X為1和8之間的碳原子數(shù)。根據(jù)本發(fā)明所述的材料，其中所述材料具有大于約16%原子濃度的碳含量。根據(jù)本發(fā)明所述的材料，其中X為2。根據(jù)本發(fā)明所述的材料，其中所述低介電材料為多孔介質(zhì)。根據(jù)本發(fā)明所述的材料，其中所述化合物具有以下結(jié)構(gòu)式以及Rl到R6為烷氧基、烷基和氫的其中之一。
權(quán)利要求
1.一種材料，包括 低介電常數(shù)材料；以及添加劑，其中所述添加劑包括具有Si-X-Si橋的化合物，其中X為1和8之間的碳原子數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的材料，其中所述材料具有大于約16%原子濃度的碳含量。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的材料，其中X為2。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的材料，其中所述低介電材料為多孔介質(zhì)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的材料，其中所述化合物具有以下結(jié)構(gòu)式 以及Rl到R6為烷氧基、烷基和氫的其中之一。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的材料，其中Rl到R6的至少其中之一為甲基基團(tuán)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的材料，其中所述介電常數(shù)在約1.8至2. 6之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的材料，其中所述化合物包括至少一個末端Si-CH3基團(tuán)。
9.一種在基板上沉積層的方法包括沉積介電材料，其中所述介電材料包括低_k電介質(zhì)和添加劑，且其中所述介電材料具有小于約3的介電常數(shù)和大于約15%原子濃度的碳含量。
10.一種半導(dǎo)體器件包括 半導(dǎo)體基板；置于所述半導(dǎo)體基板上的柵極部件；以及覆蓋所述柵極部件的介電層，其中所述介電層包括具有如下所示結(jié)構(gòu)的化合物的添加劑 其中X為-(CH2)n-, η為1到8，且Rl到R6為烷氧基、烷基和氫其中之一。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種包括低介電常數(shù)材料和添加劑的介電材料。添加劑包括具有Si-X-Si橋的化合物，其中X為1和8之間的碳原子數(shù)。添加劑可包括末端Si-CH3基團(tuán)。包括添加劑的介電材料可用作半導(dǎo)體器件的層間介電(ILD)層?？墒褂肅VD或溶膠-凝膠工藝形成包括添加劑的介電材料。所述添加劑的一個示例為雙(三乙氧基硅基)乙烷。
文檔編號H01L21/768GK102437143SQ20111029460
公開日2012年5月2日 申請日期2011年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月29日
發(fā)明者包天一, 羅清郁, 陳海清, 黃心巖 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司