專利名稱：等離子體蝕刻用的電極板和等離子體蝕刻處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體蝕刻用的電極板和等離子體蝕刻處理裝置。特別是涉及電極板的氣孔的配置。
背景技術(shù)：
在等離子體蝕刻處理裝置的上部電極中，在等離子體生成空間側(cè)設(shè)有電極板 (CEL)、在與等離子體生成空間相反的一側(cè)鄰接地設(shè)有冷卻板(cooling plate)。電極板是由硅Si形成的規(guī)定的厚度的圓板狀構(gòu)件，貫通有用于將氣體導(dǎo)入到等離子體生成空間中的多個(gè)氣孔。各氣孔為細(xì)孔，等間隔地設(shè)在同心圓狀的不同的多個(gè)圓周上。采用上述的結(jié)構(gòu)，電極板用作用于將蝕刻氣體導(dǎo)入到等離子體生成空間中的氣體簇射頭。用于形成電極板的硅Si在等離子體的作用下消耗。通常，電極板被使用數(shù)百小時(shí)左右時(shí)，氣孔的內(nèi)部被等離子體切削，氣孔朝向等離子體生成空間側(cè)擴(kuò)展成喇叭狀。氣孔擴(kuò)展時(shí)，蝕刻率在電極板的中心側(cè)和邊緣側(cè)產(chǎn)生偏差，工藝特性發(fā)生變化。另外，等離子體易于蔓延到氣孔的內(nèi)部。蔓延的等離子體中的離子、電子在氣孔內(nèi)與氣體的氣流反向流動(dòng)地前進(jìn)，使在電極板與冷卻板之間的間隙中滯留的氣體激發(fā)。由此，在電極板與冷卻板之間、 或者在處理容器的上部的頂面發(fā)生異常放電。由于異常放電或者使電極板、冷卻板損傷、或者、成為微粒源、對(duì)覆蓋電極板、冷卻板的表面的耐酸鋁覆膜造成損傷、污染腔室內(nèi)，因此， 優(yōu)選避免異常放電。例如，專利文獻(xiàn)1公開(kāi)了如下所述的技術(shù)對(duì)于氣孔的直徑由于上述等離子體的影響而擴(kuò)展的問(wèn)題，在電極板的與基板載置面相對(duì)的電極板面?zhèn)仍O(shè)置用于生成尖點(diǎn)磁場(chǎng) (point cusp magnetic field)的磁體，使電極板的氣孔與磁體的位置錯(cuò)開(kāi)，將氣孔配置在磁場(chǎng)為0的位置。采用上述結(jié)構(gòu)，氣孔被配置在等離子體密度較薄的部分，能夠避免氣孔被暴露于較濃的等離子體。由此，能夠在上部電極的背面防止異常放電。專利文獻(xiàn)1 日本特開(kāi)2003-31555號(hào)公報(bào)在專利文獻(xiàn)1中，如下所述那樣設(shè)計(jì)以用于生成尖點(diǎn)磁場(chǎng)(point cusp magnetic field)的N極和S極交替的方式配置有由兩個(gè)N極和兩個(gè)S極構(gòu)成的四個(gè)磁體，將氣孔設(shè)在產(chǎn)生在四個(gè)磁體的中間位置的0磁場(chǎng)部分。但是，會(huì)產(chǎn)生氣孔的位置不一定穩(wěn)定地是磁場(chǎng)為0的位置的情況。由此，在專利文獻(xiàn)1中，不能可靠地防止在上部電極背面發(fā)生的異常放電。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠防止在上部電極背面發(fā)生的異常放電的、等離子體蝕刻用的電極板和等離子體蝕刻處理裝置。為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的第1技術(shù)方案提供一種等離子體蝕刻用的電極板， 其是具有規(guī)定的厚度的圓板狀的等離子體蝕刻用的電極板，其特征在于，在同心圓狀的多個(gè)不同的圓周上形成將上述電極板的一個(gè)面鉛垂地貫通的多個(gè)氣孔，在沿著徑向?qū)⑸鲜鲭姌O板分割成兩個(gè)以上的區(qū)域中的各區(qū)域形成不同類型的氣孔，上述不同類型的氣孔包括彎曲類型的氣孔。采用上述結(jié)構(gòu)，在圓板狀的電極板中，在沿著徑向?qū)⒃撾姌O板分割成兩個(gè)以上的區(qū)域中的每個(gè)區(qū)域形成有不同類型的氣孔。上述不同類型的氣孔包括彎曲類型的氣孔。等離子體難以進(jìn)入彎曲類型的氣孔，因此，能夠防止在上部電極背面發(fā)生異常放電。例如，在等離子體蝕刻處理裝置中，在電極板的外周側(cè)由于氣體難以排氣而存在易于放電的傾向。 考慮到這一點(diǎn)，通過(guò)使外周側(cè)的氣孔為與內(nèi)周側(cè)的氣孔相比等離子體難以進(jìn)入的彎曲類型的氣孔，能夠防止異常放電。另外，通過(guò)在電極板上設(shè)置上述不同類型的氣孔，與在同一個(gè)電極板內(nèi)同樣地形成直形狀的標(biāo)準(zhǔn)的氣孔的以往的電極板相比，能夠按照安裝上述電極板的等離子體蝕刻處理裝置的形狀、大小、工藝條件使多種類型的氣孔的配置最優(yōu)化。形成在上述兩個(gè)以上的區(qū)域中的至少包括最外周的區(qū)域的氣孔也可以是彎曲類型的氣孔。上述彎曲類型的氣孔也可以包括將上述電極板的一個(gè)面鉛垂地貫通的直細(xì)孔、在上述電極板內(nèi)與該直細(xì)孔連通并且將上述電極板的另一個(gè)面非鉛垂地貫通的斜細(xì)孔。上述彎曲類型的氣孔也可以是由上述直細(xì)孔和上述斜細(xì)孔構(gòu)成的傾斜孔、以及由上述直細(xì)孔、上述斜細(xì)孔、捕獲(trap)用細(xì)孔構(gòu)成的Y字孔中的至少任一種，該捕獲用細(xì)孔用于形成在上述直細(xì)孔與上述斜細(xì)孔之間的連接部分分支的路徑。也可以按照第1配置規(guī)則將各類型的氣孔形成在各區(qū)域，該第1配置規(guī)則如下所述形成有上述Y字孔的區(qū)域位于比形成有上述傾斜孔的區(qū)域靠外周側(cè)的位置，形成有上述傾斜孔的區(qū)域位于比形成有標(biāo)準(zhǔn)孔的區(qū)域靠外周側(cè)的位置，該標(biāo)準(zhǔn)孔沿著上述電極板的厚度方向筆直地將上述電極板貫通。上述傾斜孔包括第1傾斜孔、第2傾斜孔，該第2傾斜孔的上述直細(xì)孔的長(zhǎng)度與上述斜細(xì)孔的長(zhǎng)度之比小于第1傾斜孔的上述直細(xì)孔的長(zhǎng)度與上述斜細(xì)孔的長(zhǎng)度之比，也可以按照第2配置規(guī)則將各類型的氣孔形成在各區(qū)域，該第2配置規(guī)則如下所述形成有上述第1傾斜孔的區(qū)域位于比形成有上述第2傾斜孔的區(qū)域靠?jī)?nèi)周側(cè)的位置。也可以沿著上述電極板的徑向分割成內(nèi)周側(cè)區(qū)域、外周側(cè)區(qū)域、內(nèi)周側(cè)區(qū)域與外周側(cè)區(qū)域之間的中間區(qū)域這三個(gè)區(qū)域，將上述Y字孔、上述第1傾斜孔、上述第2傾斜孔、上述標(biāo)準(zhǔn)孔中的適合于上述第1配置規(guī)則和上述第2配置規(guī)則的氣孔分別形成為上述內(nèi)周側(cè)的氣孔、上述外周側(cè)的氣孔、上述中間的氣孔。形成在上述三個(gè)區(qū)域中的各區(qū)域的內(nèi)部的多個(gè)氣孔的類型也可以相同。上述三個(gè)區(qū)域中的鄰接的任兩個(gè)區(qū)域內(nèi)的多個(gè)氣孔的類型也可以相同。上述Y字孔、上述第1傾斜孔、上述第2傾斜孔也可以與鄰接于上述電極板地設(shè)置的冷卻板的氣孔以曲折狀連通。另外，為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的第2技術(shù)方案提供一種等離子體蝕刻用的電極板，其是具有規(guī)定的厚度的圓板狀的等離子體蝕刻用的電極板，其特征在于，在同心圓狀的多個(gè)不同的圓周上形成將上述電極板的一個(gè)面鉛垂地貫通的多個(gè)氣孔，在沿著徑向?qū)⑸鲜鲭姌O板分割成兩個(gè)以上的區(qū)域中的各區(qū)域形成有相同類型的彎曲的氣孔。采用上述結(jié)構(gòu)，等離子體難以進(jìn)入到彎曲類型的氣孔中，因此，能夠防止在上部電極背面發(fā)生異常放 H1^ ο
另外，為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的第3技術(shù)方案提供一種等離子體蝕刻處理裝置，其包括處理容器；第1電極和第2電極，其在上述處理容器的內(nèi)部彼此相對(duì)、并且在兩者之間形成等離子體生成空間；氣體供給源，其用于將氣體供給到上述處理容器的內(nèi)部； 其特征在于，第1電極包括具有規(guī)定的厚度的圓板狀的電極板；在同心圓狀的多個(gè)不同的圓周上形成將上述電極板的一個(gè)面鉛垂地貫通的多個(gè)氣孔；在沿著徑向?qū)⑸鲜鲭姌O板分割成兩個(gè)以上的區(qū)域中的每個(gè)區(qū)域形成不同類型的氣孔，上述不同類型的氣孔包括彎曲類型的氣孔。采用上述結(jié)構(gòu)，等離子體也難以進(jìn)入到彎曲類型的氣孔中，因此，能夠防止在上部電極背面發(fā)生異常放電。另外，為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的第4技術(shù)方案提供一種等離子體蝕刻處理裝置，其包括處理容器；第1電極和第2電極，其在上述處理容器的內(nèi)部彼此相對(duì)、并且在兩者之間形成等離子體生成空間；氣體供給源，其用于將氣體供給到上述處理容器的內(nèi)部； 其特征在于，第1電極包括具有規(guī)定的厚度的圓板狀的電極板；在同心圓狀的多個(gè)不同的圓周上形成將上述電極板的一個(gè)面鉛垂地貫通的多個(gè)氣孔；在沿著徑向?qū)⑸鲜鲭姌O板分割成兩個(gè)以上的區(qū)域中的每個(gè)區(qū)域形成有相同類型的彎曲的氣孔。采用上述結(jié)構(gòu)，等離子體也難以進(jìn)入到彎曲類型的氣孔中，因此，能夠防止在上部電極背面發(fā)生異常放電。上述第1電極也可以是上部電極。如上面說(shuō)明那樣采用本發(fā)明，能夠防止在上部電極背面發(fā)生異常放電。


圖1是本發(fā)明的一實(shí)施方式的等離子體蝕刻處理裝置的整體結(jié)構(gòu)圖。圖2的(a) (C)是表示本實(shí)施方式的多種類型的氣孔的圖。圖3表示在本實(shí)施方式的電極板的板面中由實(shí)驗(yàn)形成的放電痕的觀察位置。圖4是表示觀察位置和放電痕的有無(wú)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的表。圖5的(a) (b)是表示本實(shí)施方式的多種類型的氣孔的消耗的程度的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的表。圖6是表示氣孔的類型和放電痕的有無(wú)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的表。圖7是表示氣孔的類型和放電痕的有無(wú)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的表。圖8是表示氣孔的類型和放電痕的有無(wú)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的表。圖9的(a) (d)是用于說(shuō)明氣孔的類型和放電現(xiàn)象之間的關(guān)系的圖。圖10是按氣孔的類型比較特征的表。圖11是表示多種類型的氣孔的配置例的表。
具體實(shí)施例方式下面，參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。另外，在本說(shuō)明書和附圖中，對(duì)于實(shí)質(zhì)上具有相同的功能結(jié)構(gòu)的構(gòu)成要素，通過(guò)標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記而省略重復(fù)說(shuō)明。(等離子體蝕刻處理裝置的整體結(jié)構(gòu))首先，參照?qǐng)D1說(shuō)明本發(fā)明的一實(shí)施方式的等離子體蝕刻處理裝置的概略結(jié)構(gòu)。 圖1是示意地表示本實(shí)施方式的電容耦合型(平行平板型)的蝕刻裝置的縱剖視圖。等離子體蝕刻處理裝置10包括處理容器100，該處理容器100用于在內(nèi)部對(duì)晶圓
6W實(shí)施蝕刻處理。處理容器100呈圓筒狀、被接地。處理容器100由例如將絕緣物噴鍍于鋁母材而成的構(gòu)件、將陶瓷覆蓋于硅或者鋁母材而成的構(gòu)件形成。處理容器100的內(nèi)部相對(duì)配置有上部電極105和下部電極110。由此，構(gòu)成一對(duì)平行平板電極、并在兩者之間形成等離子體生成空間U。在上部電極105中，在等離子體生成空間U側(cè)設(shè)置有電極板160、在與等離子體生成空間U相反的一側(cè)設(shè)置有冷卻板170。電極板160和冷卻板170都是具有規(guī)定的厚度的圓板狀的構(gòu)件且鄰接地配置。電極板160由硅、鋁等導(dǎo)電性物質(zhì)形成。在電極板160上形成有多個(gè)第1傾斜孔 106和多個(gè)Y字孔107。第1傾斜孔106和Y字孔107 —邊彎曲一邊沿著電極板160的厚度方向?qū)㈦姌O板160貫通。第1傾斜孔106和Y字孔107將電極板的等離子體生成空間U側(cè)的面鉛垂地貫通。 另一方面，第1傾斜孔106和Y字孔107將電極板的與等離子體生成空間U相反的一側(cè)的面非鉛垂地貫通。在后面詳細(xì)說(shuō)明氣孔的類型、配置、作用、效果。冷卻板170由導(dǎo)熱良好的鋁、硅等導(dǎo)電性物質(zhì)形成，用于對(duì)傳導(dǎo)到電極板160的等離子體的熱進(jìn)行冷卻。在本實(shí)施方式中，利用鋁的陽(yáng)極氧化處理(耐酸鋁覆膜)保護(hù)導(dǎo)電板160和冷卻板170的表面使其與等離子體隔離。也可以在電極板160和冷卻板170的表面噴鍍氧化鋁或者氧化釔(yttria)。在冷卻板170上形成有沿著厚度方向筆直地貫通的氣孔108，電極板160的第1傾斜孔106和Y字孔107等彎曲孔的上部開(kāi)口以曲折狀與氣孔108連通。采用上述結(jié)構(gòu)，蝕刻氣體從氣體供給源115被供給，通過(guò)冷卻板170的氣孔108，從電極板160的第1傾斜孔 106和Y字孔107被導(dǎo)入到等離子體生成空間U中。在下部電極110中設(shè)有用于載置晶圓W的載置臺(tái)120。載置臺(tái)120由鋁等金屬形成，經(jīng)由未圖示的絕緣體被支撐構(gòu)件123支撐。由此，下部電極110呈電懸浮的狀態(tài)。通過(guò)在載置臺(tái)120的外周附近設(shè)有具有細(xì)孔的擋板125而控制氣體的氣流。擋板125被接地。上部電極105經(jīng)由匹配器135與高頻電源140連接，將所希望的頻率的高頻電施加于上部電極105。下部電極110也經(jīng)由匹配器145與高頻電源150連接，將所希望的頻率的高頻電施加于下部電極110。從氣體供給源115供給的蝕刻氣體被從高頻電源140和高頻電源150輸出的高頻電的電場(chǎng)能量激發(fā)，由此，在等離子體生成空間U中生成等離子體。利用生成的等離子體對(duì)晶圓W實(shí)施蝕刻處理。另外，等離子體生成空間U是被處理容器100的內(nèi)壁、擋板125和載置臺(tái)120圍成的空間。在處理容器100的底面設(shè)有排氣口 155，利用與排氣口 155連接的未圖示的排氣裝置對(duì)處理容器100的內(nèi)部進(jìn)行排氣，由此，將處理容器內(nèi)維持成所希望的真空狀態(tài)。(氣孔的類型)在本實(shí)施方式中，作為能夠形成于電極板160的氣孔的類型，存在標(biāo)準(zhǔn)孔、Y字孔、 傾斜孔。Y字孔和傾斜孔是彎曲孔的一例。在傾斜孔中，不僅包括上述的第1傾斜孔，還包括第2傾斜孔等。標(biāo)準(zhǔn)孔是沿著電極板160的厚度方向筆直地貫通的通常的孔(直孔)。說(shuō)明彎曲孔的各種類型。如圖2的(a)所示，Y字孔107由直細(xì)孔107a、斜細(xì)孔 107b和捕獲用細(xì)孔107c構(gòu)成。直細(xì)孔107a將電極板160的等離子體生成空間U側(cè)(氣體出口側(cè))的面鉛垂地貫通。斜細(xì)孔107b在電極板160內(nèi)與直細(xì)孔107a連通、并且將電極板160的與等離子體生成空間U相反的一側(cè)(氣體入口側(cè))的面傾斜地(非鉛垂)貫通。 捕獲用細(xì)孔107c在直細(xì)孔107a與斜細(xì)孔107b的連接部分Ql分支，形成將直細(xì)孔107a延長(zhǎng)的路徑。從電極板160的下表面到捕獲用細(xì)孔107c的頂端的長(zhǎng)度與從捕獲用細(xì)孔107c 的頂端到電極板160的上表面的長(zhǎng)度之比為7 3。直細(xì)孔107a的從電極板160的下表面到連接部分Ql的高度方向的長(zhǎng)度與斜細(xì)孔107b的從連接部分Ql到電極板160的上表面的高度方向的長(zhǎng)度之比為5 5。在本實(shí)施方式中，電極板160的厚度為10mm。另外，直細(xì)孔107a是利用鉆頭在電極板160上開(kāi)孔而形成的，斜細(xì)孔107b是使用激光形成的。第1傾斜孔106由直細(xì)孔106a和斜細(xì)孔10 構(gòu)成。直細(xì)孔106a和斜細(xì)孔10 的結(jié)構(gòu)與直細(xì)孔107a和斜細(xì)孔107b的結(jié)構(gòu)相同。直細(xì)孔106a的從電極板160的下表面到連接部分Q2的長(zhǎng)度與斜細(xì)孔106b的從連接部分Q2到電極板160的上表面的高度方向的長(zhǎng)度之比為7 3。直細(xì)孔106a和斜細(xì)孔106b的制造方法與直細(xì)孔107a和斜細(xì)孔107b 的制造方法相同。第2傾斜孔109的結(jié)構(gòu)與第1傾斜孔106的結(jié)構(gòu)相同，只是直細(xì)孔109a的長(zhǎng)度與斜細(xì)孔109b的高度方向的長(zhǎng)度之比不同。在第2傾斜孔109中，直細(xì)孔109a的長(zhǎng)度和斜細(xì)孔109b的高度方向的長(zhǎng)度之比為5 5。第1傾斜孔106、第2傾斜孔109如上所述為傾斜孔的一例，直細(xì)孔109a的長(zhǎng)度與斜細(xì)孔109b的高度方向的長(zhǎng)度之比不限于上述的傾斜孔的比值，在能夠制造的前提下可以采用任何比率。另外，在圖1中，第1傾斜孔106和Y字孔107的斜細(xì)孔106b、107b朝向外周側(cè)傾斜，但不限于此，也可以朝向內(nèi)周側(cè)傾斜。但是，需要斜細(xì)孔的所有的傾斜朝向相同方向傾斜。在本實(shí)施方式中，斜細(xì)孔沿著切線方向傾斜。另外，氣孔的徑為Φ0.5πιπι。(氣孔的配置)接著，說(shuō)明氣孔的配置。通常，在等離子體蝕刻處理裝置10中，由于電極板160的板面的外周側(cè)接近處理容器100的內(nèi)壁而氣體難以排氣。由此，電極板160的板面的外周側(cè)比內(nèi)周側(cè)易于放電。如圖3所示，在電極板160上，在同心圓狀的多個(gè)Ql周)不同的圓周上(未圖示)等間隔地形成有標(biāo)準(zhǔn)孔。圖4表示在這樣設(shè)成同心圓狀的21周的圓周上同樣形成有標(biāo)準(zhǔn)孔時(shí)的、由于蝕刻處理而產(chǎn)生的放電痕的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。將此時(shí)的實(shí)驗(yàn)的條件表示在下面。處理容器100內(nèi)的壓力25mTorr從高頻電源140輸出的高頻電的功率3300W從高頻電源150輸出的高頻電的功率3800W高頻電(RF)的施加時(shí)間250h氣體種類和流量C5F8/Ar/O2= 30/750/50sccm研究了電極板160上部的板面的放電痕。圖4的觀察位置A、B、C、D表示通過(guò)圖 3的位置A、B、C、D的各中心線與各周的交點(diǎn)位置。目視在各周的觀察位置A、B、C、D處是否殘留有放電痕的結(jié)果，圖4的“〇”表示沒(méi)有放電痕或者有較弱的放電痕，“ X ”表示存在較強(qiáng)的放電痕。由此可知，在16周以后目視到較強(qiáng)的放電痕，特別是在自最外周起的兩周 (20周和21周)上，幾乎在整個(gè)周上產(chǎn)生了較強(qiáng)的放電痕。接著，說(shuō)明多種類型的氣孔在電極板160上被等間隔地形成在同心圓狀的多個(gè)不同的圓周上的情況。在本實(shí)施方式中，如圖3所示，在設(shè)成同心圓狀的21周的各圓周上設(shè)有多個(gè)未圖示的氣孔。在本實(shí)施方式中，沿著徑向?qū)㈦姌O板160分割成外周側(cè)區(qū)域和內(nèi)周側(cè)區(qū)域兩個(gè)區(qū)域，每個(gè)區(qū)域形成有不同類型的氣孔。各區(qū)域內(nèi)的氣孔全部以同一類型形成。 具體而言，在外周側(cè)區(qū)域所包括的最外周(21周)和比最外周靠?jī)?nèi)側(cè)的一周(20周)這兩個(gè)圓周上等間隔地形成有多個(gè)Y字孔107。另外，在內(nèi)周側(cè)區(qū)域所包括的19周的圓周中，在各圓周上等間隔地形成有多個(gè)第1傾斜孔106。這樣，在本實(shí)施方式中，將電極板160的板面分割成外周側(cè)區(qū)域和內(nèi)周側(cè)區(qū)域兩個(gè)區(qū)域，在各區(qū)域形成有不同類型的氣孔，但不限于此，也可以將電極板160的板面分割成三個(gè)以上的區(qū)域。另外，在本實(shí)施方式中，在外周側(cè)區(qū)域和內(nèi)周側(cè)區(qū)域中的任一個(gè)區(qū)域設(shè)有類型不同的彎曲孔，但氣孔的配置不限于此方式。但是，形成在兩個(gè)以上的區(qū)域中的至少包括最外周的區(qū)域的氣孔必須是彎曲孔。例如，在等離子體蝕刻處理裝置10中，在電極板160 的外周側(cè)由于氣體難以排氣而存在易于放電的傾向。考慮到這一點(diǎn)，使外周側(cè)的氣孔為與內(nèi)周側(cè)的氣孔相比等離子體難以進(jìn)入的彎曲類型的氣孔，由此，能夠有效地防止異常放電。 另外，在后面說(shuō)明多種類型的氣孔的配置的最優(yōu)化。考慮到該結(jié)果，在本實(shí)施方式的電極板160中，與比自最外周起兩周靠?jī)?nèi)周側(cè)的氣孔相比，將自最外周起兩周(20周和21周)的氣孔形成為等離子體難以進(jìn)入的類型的彎曲孔，由此，防止異常放電。這樣一來(lái)，在本實(shí)施方式的電極板160中，根據(jù)等離子體蝕刻處理裝置10的形狀、大小，改變?cè)谘刂鴱较驅(qū)㈦姌O板160分割而成的每個(gè)區(qū)域形成的氣孔的類型，由此，謀求氣孔的類型的配置的最優(yōu)化。(氣孔的類型與放電的關(guān)系)在說(shuō)明氣孔的配置的最優(yōu)化之前，說(shuō)明包括上述的彎曲孔的氣孔的類型與放電的關(guān)系。如圖5的(a)所示，將電極板160四分割，進(jìn)行了利用目視對(duì)板面的各位置⑴ (10)的放電痕的有無(wú)進(jìn)行確認(rèn)的實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)的條件與圖4的標(biāo)準(zhǔn)孔的放電實(shí)驗(yàn)相同，只是高頻電的施加時(shí)間為500h，施加了上述標(biāo)準(zhǔn)孔時(shí)的實(shí)驗(yàn)的2倍的時(shí)間。圖5的(b)表示實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。氣孔的類型為標(biāo)準(zhǔn)孔(Φ0. 5mm)時(shí)，在位置(1) (10)的10個(gè)位置都發(fā)現(xiàn)了放電痕。由此，氣孔的類型為標(biāo)準(zhǔn)孔時(shí)，放電率為100%。相對(duì)于此，在氣孔的類型為Y字孔107時(shí)，在位置(1) (10)中，只在位置(1) 一個(gè)位置發(fā)現(xiàn)了放電痕。由此，氣孔的類型為Y字孔107時(shí)，放電率為10%。氣孔的類型為第1傾斜孔 106(7 3)時(shí)，在位置(1) (10)中，在位置(1)和位置(8)這兩個(gè)位置發(fā)現(xiàn)了放電痕。 由此，氣孔的類型為第1傾斜孔106 (7 3)時(shí)，放電率為20%。根據(jù)上述可以證明，與標(biāo)準(zhǔn)孔相比，彎曲孔使放電更難以發(fā)生。改變高頻電的施加時(shí)間時(shí)也在彎曲孔與標(biāo)準(zhǔn)孔中發(fā)現(xiàn)了相同的放電傾向。圖6表示使高頻電的施加時(shí)間為150h時(shí)的彎曲孔的放電痕的目視結(jié)果，圖7表示使高頻電的施加時(shí)間為300h時(shí)的彎曲孔的放電痕的目視結(jié)果。相對(duì)于此，圖8是使高頻電的施加時(shí)間為 250h時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)孔的放電痕的目視結(jié)果。如圖6、圖7所示，彎曲孔為第1傾斜孔106和Y字孔107中的任一種時(shí)，在電極板160的板面的位置(1) (5)未發(fā)現(xiàn)放電痕。另一方面，如圖8所示，氣孔的類型為標(biāo)準(zhǔn)孔時(shí)，在電極板160的板面的位置(1) (5)發(fā)現(xiàn)了放電痕， 特別是在位置(1)和位置( 發(fā)現(xiàn)了較強(qiáng)的放電痕。電極板160配置在等離子體生成空間U的上部，由于被暴露在等離子體中，因此易于受到等離子體的影響。因此，在工藝中，用于形成電極板160的硅Si在等離子體的作用
9下被消耗。氣孔的類型為標(biāo)準(zhǔn)孔時(shí)(參照?qǐng)D9的(a))，通常，電極板160被使用數(shù)百小時(shí)左右時(shí)，氣孔的內(nèi)部被等離子體切削而朝向等離子體生成空間U側(cè)擴(kuò)展成喇叭狀(參照?qǐng)D 9的(b))。氣孔這樣擴(kuò)展時(shí)，與消耗前相比工藝特性發(fā)生變化，因此，產(chǎn)生更換成新的電極板160的需要。電極板160的氣孔擴(kuò)展而成為喇叭狀時(shí)，等離子體中的離子、電子蔓延到氣孔的內(nèi)部。如圖9的(b)所示，蔓延到內(nèi)部的離子、電子在氣孔內(nèi)與氣體的氣流反向流動(dòng)地前進(jìn)， 使在電極板160與冷卻板170之間的間隙中滯留的氣體激發(fā)。由此，在電極板160與冷卻板170之間產(chǎn)生異常放電。電子進(jìn)一步在冷卻板170的氣孔中與氣體的氣流反向流動(dòng)地前進(jìn)時(shí)，有時(shí)也在冷卻板170的上表面、處理容器100的頂面位置產(chǎn)生異常放電。異常放電或者使電極板160、冷卻板170損傷、或者成為微粒源、對(duì)覆蓋電極板160、冷卻板170的表面的耐酸鋁覆膜造成損傷、污染處理容器100內(nèi)，因此，優(yōu)選避免異常放電。因此，本實(shí)施方式的電極板160形成有第1傾斜孔106、Y字孔107的氣孔(參照?qǐng)D9的(c)和圖9的(d))。由此，氣孔在途中彎曲，因此，進(jìn)入到氣孔內(nèi)的等離子體中的帶電粒子與壁碰撞，易于消滅。由此，能夠抑制等離子體前進(jìn)到電極板160的上部。由此，能夠防止異常放電。特別是氣孔的類型為圖9的(d)所示的Y字孔107時(shí)，在彎曲部分形成捕獲用細(xì)孔107c，構(gòu)成為易于將帶電粒子捕獲到捕獲用細(xì)孔107c的空間中。因此，與氣孔的類型為圖9的(c)所示的第1傾斜孔106時(shí)相比，易于捕獲帶電粒子。由此，與氣孔為第1傾斜孔 106時(shí)相比，氣孔為Y字孔107時(shí)，能夠更有效地防止異常放電。根據(jù)上面說(shuō)明的放電的實(shí)驗(yàn)結(jié)果和彎曲孔的原理，在本實(shí)施方式的電極板160 中，在電極板160的板面內(nèi)的易于放電的區(qū)域配置彎曲孔。例如，在本實(shí)施方式的電極板 160中，將彎曲孔排列為最易于放電的區(qū)域的自最外周側(cè)起兩周的氣孔。但是，在本實(shí)施方式中，將Y字孔107用于自最外周側(cè)起兩周的區(qū)域的氣孔，但不限于此，也可以使用第1傾斜孔106、第2傾斜孔109來(lái)代替Y字孔107。另外，在本實(shí)施方式中，在自內(nèi)周側(cè)起19周的區(qū)域使用第1傾斜孔106，但也可以使用第2傾斜孔109、標(biāo)準(zhǔn)孔。(氣孔的由類型決定的特征)為了按照目的將上面說(shuō)明的各種各樣的結(jié)構(gòu)的彎曲孔最優(yōu)化地配置，了解圖10 所示的氣孔的由類型決定的特征是有益的。例如，在耐放電性能這一點(diǎn)上，標(biāo)準(zhǔn)孔最差，按照第1傾斜孔(7 3) 106、第2傾斜孔(5 5) 109、Y字孔107的順序變好。在第1傾斜孔(7 3) 106和第2傾斜孔(5 5) 109中，由于第2傾斜孔(5 5) 109 一方的傾斜部分較長(zhǎng)，因此，進(jìn)入到氣孔內(nèi)的等離子體的電子易于與壁碰撞并消滅。因此， 與第1傾斜孔(7 3) 106相比，第2傾斜孔(5 5) 109 一方更難以放電。在制造成本這一點(diǎn)上，Y字孔107最差，按照第2傾斜孔(5 5) 109、第1傾斜孔 (7 3) 106、標(biāo)準(zhǔn)孔的順序變好。原因在于，Y字孔107在結(jié)構(gòu)上最復(fù)雜，繼Y字孔107之后傾斜孔106、109的構(gòu)造較復(fù)雜，因此，機(jī)械加工耗費(fèi)勞力和時(shí)間。(氣孔的配置的最優(yōu)化)圖11表示根據(jù)上面說(shuō)明的氣孔的由類型決定的特征、按照目的將各種各樣的結(jié)構(gòu)的彎曲孔和標(biāo)準(zhǔn)孔最優(yōu)化的例子。圖11的配置例(1) ( 都是沿著電極板160的徑向?qū)㈦姌O板160的設(shè)成同心圓狀的21周分割成內(nèi)周側(cè)區(qū)域、外周側(cè)區(qū)域、內(nèi)周側(cè)區(qū)域與外周側(cè)區(qū)域之間的中間區(qū)域這三個(gè)區(qū)域時(shí)的最佳配置例。內(nèi)周側(cè)區(qū)域?yàn)?周 15周、外周側(cè)區(qū)域?yàn)?0周、21周、內(nèi)周側(cè)與外周側(cè)之間的中間區(qū)域?yàn)?6周 19周。內(nèi)周側(cè)區(qū)域在電極板160的板面的1周 21周中沿著徑向占據(jù)0% 75%的部分。中間區(qū)域在電極板160 的板面的1周 21周中沿著徑向占據(jù)75% 95%的部分。外周側(cè)區(qū)域在電極板160的板面的1周 21周中沿著徑向占據(jù)95% 100%的部分。(配置例(1)重視放電對(duì)策的配置例)例如，配置例(1)是特別重視放電對(duì)策的例子。在配置例(1)中，在內(nèi)周側(cè)區(qū)域形成第1傾斜孔(7 3) 106、在中間區(qū)域形成Y字孔107或者第2傾斜孔(5 5) 109、在外周側(cè)區(qū)域形成Y字孔107。在配置例(1)中，通過(guò)在所有的區(qū)域形成彎曲孔，能夠在電極板160的整個(gè)板面上防止異常放電。另外，通過(guò)在易于產(chǎn)生異常放電的中間區(qū)域和外周側(cè)區(qū)域形成Y字孔107 或者第2傾斜孔(5 幻109、在特別易于產(chǎn)生異常放電的外周側(cè)區(qū)域形成Y字孔107，能夠可靠地防止異常放電。另外，在易于受到等離子體的影響的內(nèi)周側(cè)區(qū)域，由于電極板160易于消耗，因此，形成比Y字孔107或者第2傾斜孔(5 5) 109耐消耗、壽命長(zhǎng)的第1傾斜孔 (7 3)106。由此，能夠延長(zhǎng)電極板160的壽命。(配置例(2)重視放電對(duì)策的配置例)配置例⑵也與配置例(1)同樣是重視放電對(duì)策的例子。在配置例O)中，在內(nèi)周側(cè)區(qū)域形成第1傾斜孔(7 3) 106、在中間區(qū)域形成第2傾斜孔(5 5) 109、在外周側(cè)區(qū)域形成Y字孔107或者第2傾斜孔(5 5) 109。在配置例(2)的情況下，也通過(guò)在所有的區(qū)域形成彎曲孔，能夠在電極板160的整個(gè)板面上抑制異常放電。另外，通過(guò)在易于產(chǎn)生異常放電的中間區(qū)域和外周側(cè)區(qū)域形成Y 字孔107或者第2傾斜孔(5 幻109，能夠防止異常放電。另外，在易于受到等離子體的影響的內(nèi)周側(cè)區(qū)域，由于電極板160易于消耗，因此，形成壽命較長(zhǎng)的第1傾斜孔(7 3)106o 由此，能夠延長(zhǎng)電極板160的壽命。與配置例(1)相比，雖然會(huì)在一定程度上不利于放電對(duì)策方面，但在成本方面有利。(配置例(3)追加考慮壽命、生產(chǎn)率的配置例)在配置例(3)中，在內(nèi)周側(cè)區(qū)域形成第1傾斜孔(7 3)106或者第2傾斜孔 (5 5) 109、在中間區(qū)域形成第1傾斜孔(7 3) 106或者第2傾斜孔(5 5) 109、在外周側(cè)區(qū)域形成第2傾斜孔(5 5)109o在配置例(3)的情況下，也通過(guò)在所有的區(qū)域形成彎曲孔，能夠在電極板160的整個(gè)板面上抑制異常放電。另外，通過(guò)在內(nèi)周側(cè)區(qū)域形成壽命較長(zhǎng)的第1傾斜孔(7 幻106，能夠延長(zhǎng)電極板160的壽命。另外，通過(guò)在所有的區(qū)域不形成 Y字孔107，與配置例(1) (2)的情況相比，能夠進(jìn)一步謀求成本的下降。(配置例追加考慮壽命、生產(chǎn)率的配置例)在配置例(4)中，在內(nèi)周側(cè)區(qū)域形成第1傾斜孔(7 3) 106或者標(biāo)準(zhǔn)孔、在中間區(qū)域和外周側(cè)區(qū)域形成第1傾斜孔(7 3)106。在配置例(4)的情況下，通過(guò)在中間區(qū)域和外周側(cè)區(qū)域形成彎曲孔，能夠在易于產(chǎn)生放電的部分抑制異常放電。通過(guò)在難以產(chǎn)生放電的內(nèi)周側(cè)區(qū)域形成標(biāo)準(zhǔn)孔，能夠提高生產(chǎn)率。(配置例(5)追加考慮壽命、生產(chǎn)率的配置例)在配置例(5)中，在內(nèi)周側(cè)區(qū)域形成標(biāo)準(zhǔn)孔、在中間區(qū)域形成第1傾斜孔側(cè)區(qū)域形成第1傾斜孔(7 3)106。在配置例(5)的情況下，也通過(guò)在外周側(cè)區(qū)域(和中間區(qū)域)形成彎曲孔，能夠在最易于引起放電的區(qū)域抑制異常放電。另外，通過(guò)在難以產(chǎn)生放電的內(nèi)周側(cè)區(qū)域形成標(biāo)準(zhǔn)孔，能夠提高生產(chǎn)率。這樣一來(lái)，能夠?qū)崿F(xiàn)在易于引起放電的部分重視異常放電的防止、在難以引起放電的部分重視消耗量、生產(chǎn)率、制造成本的配置，能夠?qū)χ\求了異常放電的防止和電極板 160的壽命、生產(chǎn)率、制造成本之間的平衡的等離子體蝕刻用的電極板160進(jìn)行制造。上面說(shuō)明的具體的配置例能夠如下所述那樣規(guī)則化。即、能夠決定第1配置規(guī)則， 該第1配置規(guī)則如下所述沿著上述電極板的徑向分割成兩個(gè)以上的區(qū)域，形成有Y字孔 107的區(qū)域位于比形成有傾斜孔106、109的區(qū)域靠外周側(cè)的位置，形成有傾斜孔106、109的區(qū)域位于比形成有標(biāo)準(zhǔn)孔的區(qū)域靠外周側(cè)的位置。于是，按照該第1配置規(guī)則，能夠?qū)⒏黝愋偷臍饪仔纬稍诟鲄^(qū)域。另外，也能夠進(jìn)行如下述那樣的規(guī)則化。即、能夠決定第2配置規(guī)則，該第2配置規(guī)則如下所述傾斜孔包括第1傾斜孔(7 3) 106、第2傾斜孔(5 5) 109，該第2傾斜孔 (5 5) 109的直細(xì)孔的長(zhǎng)度與斜細(xì)孔的長(zhǎng)度之比小于第1傾斜孔(7 3) 106的直細(xì)孔的長(zhǎng)度與斜細(xì)孔的長(zhǎng)度之比，形成有第1傾斜孔106的區(qū)域位于比形成有第2傾斜孔109的區(qū)域靠?jī)?nèi)周側(cè)的位置。于是，按照該第2配置規(guī)則，能夠?qū)⒏黝愋偷臍饪仔纬稍诟鲄^(qū)域。但是，傾斜孔不限于第1傾斜孔106和第2傾斜孔109，可以考慮將包括多種比率的直細(xì)孔和斜細(xì)孔的傾斜孔作為第1傾斜孔和第2傾斜孔。在此情況下，也將直細(xì)孔的長(zhǎng)度與斜細(xì)孔的長(zhǎng)度之比較大的傾斜孔設(shè)在比直細(xì)孔的長(zhǎng)度與斜細(xì)孔的長(zhǎng)度之比較小的傾斜孔靠?jī)?nèi)周側(cè)的位置。也可以沿著上述電極板的徑向分割成內(nèi)周側(cè)區(qū)域、外周側(cè)區(qū)域、內(nèi)周側(cè)與外周側(cè)之間的中間區(qū)域這三個(gè)區(qū)域，將Y字孔107、第1傾斜孔106、第2傾斜孔109、標(biāo)準(zhǔn)孔中的適合于上述第1配置規(guī)則和上述第2配置規(guī)則的氣孔分別形成為上述內(nèi)周側(cè)的氣孔、上述外周側(cè)的氣孔、上述中間的氣孔。這樣一來(lái)，通過(guò)按照目的將各種各樣的結(jié)構(gòu)的彎曲孔最優(yōu)化地配置，能夠防止在用作氣體簇射頭的電極板160的上部的異常放電。由此，防止微粒的發(fā)生、晶圓、處理容器 100內(nèi)的污染而能夠穩(wěn)定地實(shí)現(xiàn)良好的工藝，并且能夠延長(zhǎng)電極板160的壽命。但是，由于彎曲孔的機(jī)械加工比標(biāo)準(zhǔn)孔的機(jī)械加工復(fù)雜，因此，存在生產(chǎn)率的問(wèn)題。然而，對(duì)此也能夠通過(guò)縮減彎曲孔的個(gè)數(shù)而穩(wěn)定地生產(chǎn)電極板160。另外，采用本實(shí)施方式的電極板160，能夠防止反應(yīng)生成物的吸附和微粒的發(fā)生。但是，優(yōu)選兩個(gè)以上的區(qū)域中的每一個(gè)區(qū)域內(nèi)的氣孔的類型相同。另外，如果三個(gè)區(qū)域中的任兩個(gè)區(qū)域的氣孔的類型不同，則三個(gè)區(qū)域中的鄰接的任兩個(gè)區(qū)域內(nèi)的氣孔的類型也可以相同。也可以在分割成兩個(gè)以上的區(qū)域中的所有的區(qū)域形成相同類型的彎曲的氣孔。通過(guò)在所有的區(qū)域設(shè)置彎曲的氣孔，更能夠抑制放電的發(fā)生，并且，能夠謀求均勻的氣體的導(dǎo)入和制造成本的下降。等離子體蝕刻處理裝置10包括處理容器100 ；第1電極和第2電極，其在處理容器100的內(nèi)部彼此相對(duì)、并且在兩者之間形成等離子體生成空間U;氣體供給源115，其用于將氣體供給到處理容器100的內(nèi)部；其特征在于，第1電極包括具有規(guī)定的厚度的圓板狀的電極板160，在同心圓狀的多個(gè)不同的圓周上形成有將電極板160的一個(gè)面鉛垂地貫通的多個(gè)氣孔，在沿著徑向?qū)㈦姌O板160分割成兩個(gè)以上的區(qū)域中的每個(gè)區(qū)域形成有不同類型的氣孔，上面說(shuō)明的本實(shí)施方式的等離子體蝕刻用的電極板160能夠應(yīng)用于該等離子體蝕刻處理裝置10。此時(shí)，雖然等離子體蝕刻處理裝置10的第1電極也能夠應(yīng)用于下部電極110，但優(yōu)選應(yīng)用于上部電極105。上面，參照附圖詳細(xì)說(shuō)明了本發(fā)明的最佳的實(shí)施方式，但本發(fā)明不限于上述例子。 如果是具有本發(fā)明所屬的技術(shù)領(lǐng)域的常識(shí)的人員，則顯然能夠在權(quán)利要求書所述的技術(shù)構(gòu)思的范圍內(nèi)想到各種變更例或者修改例，對(duì)于上述各種變更例或者修改例，當(dāng)然也認(rèn)為其屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。例如，本發(fā)明的電極板優(yōu)選用于等離子體蝕刻，但不限于上述例子。例如，也能夠應(yīng)用于微波等離子體處理裝置、ICP(電感耦合等離子體dnductively Coupled Plasma)等離子體處理裝置等等離子體處理裝置。
權(quán)利要求
1.一種等離子體蝕刻用的電極板，其是具有規(guī)定的厚度的圓板狀的等離子體蝕刻用的電極板，其特征在于，在同心圓狀的多個(gè)不同的圓周上形成將上述電極板的一個(gè)面鉛垂地貫通的多個(gè)氣孔；在沿著徑向?qū)⑸鲜鲭姌O板分割成兩個(gè)以上的區(qū)域中的各區(qū)域形成不同類型的氣孔，上述不同類型的氣孔包括彎曲類型的氣孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體蝕刻用的電極板，其特征在于，形成在上述兩個(gè)以上的區(qū)域中的至少包括最外周的區(qū)域的氣孔是彎曲類型的氣孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體蝕刻用的電極板，其特征在于，上述彎曲類型的氣孔包括將上述電極板的一個(gè)面鉛垂地貫通的直細(xì)孔、在上述電極板內(nèi)與該直細(xì)孔連通、并且將上述電極板的另一個(gè)面非鉛垂地貫通的斜細(xì)孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體蝕刻用的電極板，其特征在于，上述彎曲類型的氣孔是由上述直細(xì)孔和上述斜細(xì)孔構(gòu)成的傾斜孔、以及由上述直細(xì)孔、上述斜細(xì)孔、捕獲用細(xì)孔構(gòu)成的Y字孔中的至少任一種，該捕獲用細(xì)孔用于形成在上述直細(xì)孔與上述斜細(xì)孔之間的連接部分分支的路徑。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體蝕刻用的電極板，其特征在于，按照第1配置規(guī)則將各類型的氣孔形成在各區(qū)域，該第1配置規(guī)則如下所述形成有上述Y字孔的區(qū)域位于比形成有上述傾斜孔的區(qū)域靠外周側(cè)的位置，形成有上述傾斜孔的區(qū)域位于比形成有標(biāo)準(zhǔn)孔的區(qū)域靠外周側(cè)的位置，該標(biāo)準(zhǔn)孔沿著上述電極板的厚度方向筆直地將上述電極板貫通。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體蝕刻用的電極板，其特征在于，上述傾斜孔包括第1傾斜孔、第2傾斜孔，該第2傾斜孔的上述直細(xì)孔的長(zhǎng)度與上述斜細(xì)孔的長(zhǎng)度之比小于第1傾斜孔的上述直細(xì)孔的長(zhǎng)度與上述斜細(xì)孔的長(zhǎng)度之比；按照第2配置規(guī)則將各類型的氣孔形成在各區(qū)域，該第2配置規(guī)則如下所述形成有上述第1傾斜孔的區(qū)域位于比形成有上述第2傾斜孔的區(qū)域靠?jī)?nèi)周側(cè)的位置。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子體蝕刻用的電極板，其特征在于，沿著上述電極板的徑向?qū)⑸鲜鲭姌O板分割成內(nèi)周側(cè)區(qū)域、外周側(cè)區(qū)域、內(nèi)周側(cè)區(qū)域與外周側(cè)區(qū)域之間的中間區(qū)域這三個(gè)區(qū)域，將上述Y字孔、上述第1傾斜孔、上述第2傾斜孔、 上述標(biāo)準(zhǔn)孔中的適合于上述第1配置規(guī)則和上述第2配置規(guī)則的氣孔分別形成為上述內(nèi)周側(cè)區(qū)域的氣孔、上述外周側(cè)區(qū)域的氣孔、上述中間區(qū)域的氣孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子體蝕刻用的電極板，其特征在于， 形成在上述三個(gè)區(qū)域中的各區(qū)域的內(nèi)部的多個(gè)氣孔的類型相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體蝕刻用的電極板，其特征在于， 上述三個(gè)區(qū)域中的鄰接的任兩個(gè)區(qū)域內(nèi)的多個(gè)氣孔的類型相同。
10.根據(jù)權(quán)利要求6 9中的任一項(xiàng)所述的等離子體蝕刻用的電極板，其特征在于， 上述Y字孔、上述第1傾斜孔、上述第2傾斜孔與鄰接于上述電極板地設(shè)置的冷卻板的氣孔以曲折狀連通。
11.一種等離子體蝕刻用的電極板，其是具有規(guī)定的厚度的圓板狀的等離子體蝕刻用的電極板，其特征在于，在同心圓狀的多個(gè)不同的圓周上形成將上述電極板的一個(gè)面鉛垂地貫通的多個(gè)氣孔；在沿著徑向?qū)⑸鲜鲭姌O板分割成兩個(gè)以上的區(qū)域中的各區(qū)域形成有相同類型的彎曲的氣孔。
12.—種等離子體蝕刻處理裝置，其包括處理容器；第1電極和第2電極，其在上述處理容器的內(nèi)部彼此相對(duì)、并且在兩者之間形成等離子體生成空間；氣體供給源，其用于將氣體供給到上述處理容器的內(nèi)部，其特征在于，第1電極包括具有規(guī)定的厚度的圓板狀的電極板；在同心圓狀的多個(gè)不同的圓周上形成將上述電極板的一個(gè)面鉛垂地貫通的多個(gè)氣孔；在沿著徑向?qū)⑸鲜鲭姌O板分割成兩個(gè)以上的區(qū)域中的每個(gè)區(qū)域形成不同類型的氣孔， 上述不同類型的氣孔包括彎曲類型的氣孔。
13.一種等離子體蝕刻處理裝置，其包括處理容器；第1電極和第2電極，其在上述處理容器的內(nèi)部彼此相對(duì)、并且在兩者之間形成等離子體生成空間；氣體供給源，其用于將氣體供給到上述處理容器的內(nèi)部，其特征在于，第1電極包括具有規(guī)定的厚度的圓板狀的電極板；在同心圓狀的多個(gè)不同的圓周上形成將上述電極板的一個(gè)面鉛垂地貫通的多個(gè)氣孔；在沿著徑向?qū)⑸鲜鲭姌O板分割成兩個(gè)以上的區(qū)域中的每個(gè)區(qū)域形成有相同類型的彎曲的氣孔。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或者13所述的等離子體蝕刻處理裝置，其特征在于， 上述第1電極是上部電極。
全文摘要
本發(fā)明提供一種等離子體蝕刻用的電極板和等離子體蝕刻處理裝置。該等離子體蝕刻用的電極板能夠?qū)⒇炌姌O板的多種類型的氣孔的配置最優(yōu)化。等離子體蝕刻用的電極板(160)呈具有規(guī)定的厚度的圓板狀，在同心圓狀的多個(gè)不同的圓周上形成有將電極板(160)的一個(gè)面鉛垂地貫通的多個(gè)氣孔，在沿著徑向?qū)㈦姌O板(160)分割成兩個(gè)以上的區(qū)域中的各區(qū)域形成有不同類型的氣孔。
文檔編號(hào)H01L21/3065GK102420089SQ20111029618
公開(kāi)日2012年4月18日 申請(qǐng)日期2011年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月27日
發(fā)明者佐藤直行, 長(zhǎng)久保啟一, 長(zhǎng)山將之 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社