專利名稱：一種具有白光光子晶體的發(fā)光二極管的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光學(xué)晶體技術(shù)，更具體地，涉及一種具有白光光子晶體的發(fā)光二極管的制備方法。
背景技術(shù)：
光子晶體即光子禁帶材料，從材料結(jié)構(gòu)上看，光子晶體是在光學(xué)尺度上具有周期性介電結(jié)構(gòu)的人工設(shè)計(jì)和制造的晶體。光子晶體的結(jié)構(gòu)正如半導(dǎo)體材料在晶格結(jié)點(diǎn)周期性的出現(xiàn)離子一樣，光子晶體是在高折射率材料的某些位置周期性的出現(xiàn)低折射率(如人工造成的空氣空穴)的材料。高低折射率的材料交替排列形成周期性結(jié)構(gòu)，就可以產(chǎn)生光子晶體帶隙。而周期排列的低折射率位點(diǎn)的之間的距離大小相同，導(dǎo)致了一定距離大小的光子晶體只對(duì)一定頻率的光波產(chǎn)生能帶效應(yīng)。如果只在一個(gè)方向上存在周期性結(jié)構(gòu)，那么光子帶隙只能出現(xiàn)在這個(gè)方向。如果在三個(gè)方向上都存在周期結(jié)構(gòu)，那么可以出現(xiàn)全方位的光子帶隙，特定頻率的光進(jìn)入光子晶體后將在各個(gè)方向都禁止傳播。因?yàn)楣獗唤钩霈F(xiàn)在光子晶體帶隙中，所以可以預(yù)見到能夠自由控制光的行為。例如，如果考慮引入一種光輻射層，該層產(chǎn)生的光和光子晶體中的光子帶隙頻率相同，那么由于光的頻率和帶隙一致則禁止光出現(xiàn)在該帶隙中這個(gè)原則就可以避免光輻射的產(chǎn)生。這就使可以控制以前不可避免的自發(fā)輻射。而如果通過引入缺陷破壞光子晶體的周期結(jié)構(gòu)特性，那么在光子帶隙中將形成相應(yīng)的缺陷能級(jí)。將僅僅有特定頻率的光可在這個(gè)缺陷能級(jí)中出現(xiàn)，這就可以用來制造單模發(fā)光二極管和零域值激光發(fā)射器。而如果產(chǎn)生了缺陷條紋，即沿著一定的路線引入缺陷，那么就可以形成一條光的通路， 類似于電流在導(dǎo)線中傳播一樣，只有沿著"光子導(dǎo)線"(即缺陷條紋)傳播的光子得以順利傳播，其它任何試圖脫離導(dǎo)線的光子都將被完全禁止。光子晶體的制備通常包括自頂向下方法，例如常規(guī)半導(dǎo)體工藝中的光刻法和離子束刻蝕法，或者有規(guī)律地布置具有均勻尺寸的納米粒子的自底向上方法。常規(guī)半導(dǎo)體工藝中的光刻法和離子束刻蝕法雖然可以制備復(fù)雜規(guī)則結(jié)構(gòu)，但是具有非常高的制備費(fèi)用和需要很長(zhǎng)的制備周期；通過納米例子的自組裝制備光子晶體的方法雖然無需額外費(fèi)用和設(shè)備，但是不能在短時(shí)間內(nèi)制備大尺寸的光子晶體，而且良率較低。另外，通過重力的沉積法利用將長(zhǎng)時(shí)間分散高分子二氧化硅膠體的溶液靜置時(shí)粒子通過重力沉積到底部，然后自組裝。但是這種方法具有處理時(shí)間長(zhǎng)并且光子晶體缺陷率高的缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
為克服現(xiàn)有缺陷，本發(fā)明提出一種具有白光光子晶體的發(fā)光二極管的制備方法。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提出了一種具有白光光子晶體的發(fā)光二極管的制備方法，包括步驟1，通過電子束直寫配合納米機(jī)電方式制作納米級(jí)微結(jié)構(gòu)金屬屏蔽層；步驟 2，以高溫透明膠水配置黃、紅、綠、藍(lán)熒光粉，將金屬屏蔽層在塑料基材處印刷各色熒光膠，經(jīng)烘烤后形成各色納米微結(jié)構(gòu)；步驟3，將聚丙烯塑料薄膜披覆在光子晶體上，形成保護(hù)膜，實(shí)現(xiàn)白光光子晶體貼布；步驟4，將未切割的LED晶圓置于三軸干膜光阻貼附機(jī)上，去除塑料基材與保護(hù)膜，經(jīng)過烘烤和脈沖激光退火，將光子晶體貼附于LED芯片上。


圖1為具有納米微透鏡陣列的白光光子晶體的部分制備流程示意圖；圖2為雙軸延伸和熱處理示意圖；圖3為印刷熒光膠和烘烤示意圖；圖4為脈沖激光處理和貼附保護(hù)膜示意圖；圖5為光子晶體去膜、烘烤示意圖。如圖所示，為了能明確實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，在圖中標(biāo)注了特定的結(jié)構(gòu)和器件，但這僅為示意需要，并非意圖將本發(fā)明限定在該特定結(jié)構(gòu)、器件和環(huán)境中，根據(jù)具體需要，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以將這些器件和環(huán)境進(jìn)行調(diào)整或者修改，所進(jìn)行的調(diào)整或者修改仍然包括在后附的權(quán)利要求的范圍中。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提供的一種具有白光光子晶體的發(fā)光二極管的制備方法進(jìn)行詳細(xì)描述。其中，在以下的描述中，將描述本發(fā)明的多個(gè)不同的方面，然而，對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，可以僅僅利用本發(fā)明的一些或者全部結(jié)構(gòu)或者流程來實(shí)施本發(fā)明。為了解釋的明確性而言，闡述了特定的數(shù)目、配置和順序，但是很明顯，在沒有這些特定細(xì)節(jié)的情況下也可以實(shí)施本發(fā)明。在其他情況下，為了不混淆本發(fā)明，對(duì)于一些眾所周知的特征將不再進(jìn)行詳細(xì)闡述?？偟膩碚f，本發(fā)明以電子束直寫(Electron beam direct writing)配合納米機(jī)電(NEMS)方式來制作納米級(jí)微結(jié)構(gòu)金屬屏蔽層，以適當(dāng)?shù)母邷赝该髂z水(Glue)配置黃 (Yellow)^! (Red)、綠(Green)、藍(lán)(Blue)熒光粉，將金屬屏蔽層在塑料基材(如PET ； PMMA ；COC ；Transparent PI)處印刷各色熒光膠，經(jīng)烘烤后形成各色納米微結(jié)構(gòu)。之后進(jìn)行脈沖激光快速退火制程，再以聚丙烯塑料薄膜披覆于光子晶體之上，作為保護(hù)膜，完成白光光子晶體貼布制程。之后將未切割的LED晶圓置于三軸干膜光阻貼附機(jī)之上，去除塑料基材與保護(hù)膜，經(jīng)過烘烤及脈沖激光退火，從而將光子晶體貼附于LED芯片上。在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，提供該結(jié)構(gòu)的制備方法，包括步驟1，使用電子束直寫方式制作光刻掩膜板，光刻掩膜板涂布負(fù)型光刻膠并置于深紫外光曝光系統(tǒng)中進(jìn)行深紫外光曝光制程，之后進(jìn)行顯影制程，通過反應(yīng)性離子蝕刻對(duì)光刻掩膜板進(jìn)行蝕刻，以鎳鐵合金電鍍液進(jìn)行電鑄，然后進(jìn)行剝膜制程，進(jìn)行翻模，制作納米級(jí)微透鏡的金屬屏蔽層； 步驟2，將塑料基材置于卷帶機(jī)上，通過真空輸送帶加熱配合雙軸延伸來消除塑料基材的原始內(nèi)應(yīng)力；步驟3，通過耐高溫透明膠水來配置黃、紅、綠、藍(lán)熒光膠，并涂布到圖樣不同的金屬屏蔽層上，通過自動(dòng)印刷機(jī)印刷至塑料基材上；步驟4，通過烘烤和快速退火，制得二維光子晶體。進(jìn)一步，該方法還包括步驟5，將塑料基材上制得的納米微結(jié)構(gòu)光子晶體貼布卷材置于卷帶機(jī)上，貼附聚丙烯保護(hù)膜，完成納米微結(jié)構(gòu)光子晶體貼布的制作；步驟6，將光子晶體貼布置于三軸干膜光刻膠貼附機(jī)上，去除聚丙烯保護(hù)膜和塑料基材，并實(shí)現(xiàn)LED晶圓與納米微結(jié)構(gòu)光子晶體的假性黏合；步驟7，通過烘烤和快速退火，完全固化的各色高溫透明熒光膠與LED晶圓表面高度黏合。具體地，對(duì)本發(fā)明的另一實(shí)施例的方法進(jìn)行詳細(xì)描述。其中，步驟1，使用電子束直寫方式制作光刻掩膜板，光刻掩膜板涂布負(fù)型光刻膠并置于深紫外光曝光系統(tǒng)中進(jìn)行深紫外光曝光制程，之后進(jìn)行顯影制程，通過反應(yīng)性離子蝕刻對(duì)光刻掩膜板進(jìn)行蝕刻，以鎳鐵合金電鍍液進(jìn)行電鑄，然后進(jìn)行剝膜制程，再以翻模方式制作金屬屏蔽層。其中，如圖IA所示，使用電子束直寫(Electron Beam direct writing)方式在石英(Quartz)材料的光刻掩膜板(Photo mask)的鉻金屬層(Chromium layer)上進(jìn)行圖樣O^ttern)制作，鉻金屬層厚度為10-30納米。如圖IB和IC所示，將光刻掩膜板(Photo mask)置于深紫外光曝光系統(tǒng)(De印 Ultraviolet Exposure System) Φ ^Xi B^^f ^ ^7 ! (Negative photo resist) (SU-8 ；厚度為0. 6-2. 0微米，使用真空旋轉(zhuǎn)涂布方式其轉(zhuǎn)速為5000-10000rpm，前烤溫度為 70-120°C，時(shí)間為20-50分鐘)的光學(xué)級(jí)不銹鋼板(即涂布負(fù)型光刻膠的光刻掩膜板)進(jìn)行深紫外光曝光制程(曝光能量為500-1000KJ，曝光時(shí)間為0. 1-0. 8ms)；如圖ID和IE所示，之后進(jìn)行顯影制程(氫氧化鈉濃度3-8%，顯影時(shí)間10_30 秒，溫度25-50°C )，再進(jìn)行反應(yīng)性離子蝕刻對(duì)光學(xué)級(jí)不銹鋼板進(jìn)行蝕刻(時(shí)間10-50 秒)；如圖IF所示，之后以鎳鐵合金電鍍液(鎳鐵比例為7-9 ；3-1)進(jìn)行電鑄制程(溫度為45-70°C )，如圖IG所示，進(jìn)行剝膜制程(氫氧化鈉濃度5-10%，顯影時(shí)間50-80秒， 溫度50-80°C )，如圖IH所示，再以翻模方式制作金屬屏蔽(Metal mask) 0進(jìn)一步，步驟2中，將塑料基材置于卷帶機(jī)上，通過真空輸送帶加熱配合雙軸延伸來消除塑料基材的原始內(nèi)應(yīng)力。其中，如圖2所示，將塑料基材置于卷帶機(jī)上，卷帶機(jī)輸送速度為1-20厘米/秒，輸送帶全線真空，其真空度為(0. 001-0. 000001托爾)。將塑料基材完全吸附于抗靜電輸送帶上，而輸送帶分五至八個(gè)區(qū)域加熱配合雙軸延伸來消除塑料基材的原始內(nèi)應(yīng)力。各區(qū)域溫度與時(shí)間參數(shù)如下；第一區(qū)(溫度為50-100°C;時(shí)間為5-20分鐘)；第二區(qū)(溫度為100°C;時(shí)間為5-20分鐘)；第三區(qū)(溫度為100-150°C;時(shí)間為10-20 分鐘)；第四區(qū)(溫度為150°C ；時(shí)間為10-20分鐘)；第五區(qū)(溫度為150-200°C ；時(shí)間為 10-120秒)；第六區(qū)(溫度為200°C ；時(shí)間為10-20分鐘)；第七區(qū)(溫度為200-150°C ；時(shí)間為10-30分鐘)；第八區(qū)(溫度為150-50°C ；時(shí)間為10-50分鐘)，將消除原始內(nèi)應(yīng)力的塑料基材置于另一卷帶機(jī)上，卷帶機(jī)輸送速度為1-20厘米/秒，而輸送帶全線真空，其真空度為(0. 001-0. 000001托爾)將塑料基材完全吸附于抗靜電輸送帶上。進(jìn)一步，步驟3中，通過耐高溫透明膠水來配置黃、紅、綠、藍(lán)熒光膠，并涂布到圖樣不同的金屬屏蔽層上，通過自動(dòng)印刷機(jī)印刷至塑料基材上。其中，以適當(dāng)?shù)哪透邷赝该髂z水來配置黃、紅、綠、藍(lán)熒光膠水，高溫透明膠水為經(jīng)過改質(zhì)的聚丙酰酸甲酯(Poly methyl methacrylate)與聚酰亞胺(Polyimide)的接枝型共聚物(Graft copolymer) 0與黃色熒光粉配比為(1 0. 004-0. 020wt % )，與紅色熒光粉的配比為 (1 0.001-0. 015wt% )，與綠色熒光粉的配比為(1 0. 002-0. 018wt% )，與藍(lán)色熒光粉的配比為(1 0. 003-0. 017wt% )0如圖3A所示，將黃紅綠藍(lán)四色耐高溫透明熒光膠， 分別倒入排列圖樣不同的金屬屏蔽上，并通過高精度的自動(dòng)印刷機(jī)(制作倒轉(zhuǎn)芯片凸塊用的印刷機(jī))印刷至塑料基材上。而印刷機(jī)的制程參數(shù)如下刮刀下壓壓力為(每平方厘米 0. Ol-IOOg)，真空度為(0. 001-0. 000001托爾)，刮刀進(jìn)刀的速度為(0. 01-1厘米/秒)，刮刀回刀的速度為(0.01-1厘米/秒)。進(jìn)一步，步驟4中，通過烘烤和快速退火，制得二維光子晶體。其中，如圖:3B所示， 之后進(jìn)行烘烤，具體參數(shù)如下；第一段升溫(由室溫升溫至50-120°C ；升溫速率；5-30°C / 分鐘)，第二段恒溫(保持50-120°C，持續(xù)5-20分鐘)，第三段升溫(由50-12(TC升溫至 200-250 0C ；升溫速率5-30 0C /分鐘)，第四段恒溫(保持200-250 °C，持續(xù)5-20分鐘)，第五段降溫(由200-250°C降溫至150-200°C ；降溫速率5_30°C /分鐘)，第六段恒溫(保持150-200°C，持續(xù)5-20分鐘)，第七段降溫(由150-200°C降溫至100-150°C ；降溫速率 5-30°C /分鐘)，第八段恒溫(保持100-150°C，持續(xù)5-20分鐘)，第九段降溫(由100-150°C 降溫至50-100°C ；降溫速率5-30°C /分鐘)，第十段恒溫(保持50-100°C，持續(xù)5_20分鐘)，之后自然冷卻至室溫，透過材料特性與溫度控制可得到納米微結(jié)構(gòu)光子晶體相關(guān)排列方式，其中，圖樣形狀為長(zhǎng)方體(長(zhǎng)10-100納米；寬5-50納米；高2. 5-25納米)，圖樣間距為10-100納米；圖像形狀為正方體(長(zhǎng)10-100納米；寬=10-100納米；高=10-100納米)，圖樣間距為10-100納米；圖像形狀為雙圓環(huán)體(內(nèi)徑10-100納米；外徑10-100納米；高10-100納米)，圖樣間距為10-100納米。如圖4A所示，為消除各色納米微結(jié)構(gòu)的內(nèi)應(yīng)力，以脈沖式激光進(jìn)行快速退火，以消除納米微結(jié)構(gòu)的內(nèi)應(yīng)力，以避免日后內(nèi)應(yīng)力釋放造成微結(jié)構(gòu)微開裂(Micro-crack)影響白光光子晶體的光學(xué)性質(zhì)。處理時(shí)間為1-100毫秒(每顆芯片)，以上步驟可制作二維光子晶體(Two dimension photonic crystal)，此時(shí)各色高溫透明熒光膠為具黏性的半干狀態(tài)。進(jìn)一步，步驟5中，將塑料基材上制得的納米微結(jié)構(gòu)光子晶體貼布卷材置于卷帶機(jī)上，貼附聚丙烯保護(hù)膜，完成納米微結(jié)構(gòu)光子晶體貼布的制作。其中，如圖4B所示，將塑料基材上制得的納米微結(jié)構(gòu)光子晶體貼布卷材置于一卷帶機(jī)上，卷帶機(jī)輸送速度為1-20 厘米/秒，輸送帶全線真空，其真空度為(0.001-0. 000001托爾)。將塑料基材完全吸附于抗靜電輸送帶上，而各區(qū)域不加溫，同時(shí)貼附聚丙烯保護(hù)膜，完成納米微結(jié)構(gòu)光子晶體貼布的制作。進(jìn)一步，步驟6中，將光子晶體貼布置于三軸干膜光刻膠貼附機(jī)上，去除聚丙烯保護(hù)膜和塑料基材，并實(shí)現(xiàn)LED晶圓與納米微結(jié)構(gòu)光子晶體的假性黏合。其中，如圖5A所示， 之后將光子晶體貼布置于三軸干膜光刻膠貼附機(jī)之上，該機(jī)臺(tái)的三個(gè)滾輪其作用分別如下；上面得第一滾輪為去除聚丙烯保護(hù)膜(順時(shí)鐘旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速為lOO-lOOOrpm)；下面的第二滾輪為去除塑料基材(逆時(shí)鐘旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速為lOO-lOOOrpm)；中間的第三滾輪為L(zhǎng)ED晶圓輸送前進(jìn)滾輪(逆時(shí)鐘旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速為lOO-lOOOrpm)，而光子晶體貼布卷材置于第三滾輪之上。 經(jīng)此制程后，LED晶圓與納米微結(jié)構(gòu)光子晶體完成假性黏合。進(jìn)一步，步驟7中，通過烘烤和快速退火，完全固化的各色高溫透明熒光膠與LED 晶圓表面高度黏合。如圖5B所示，之后進(jìn)行烘烤，第一段升溫(由室溫升溫至50-150°C ； 升溫速率5-30°C /分鐘)，第二段恒溫(保持50-150°C，持續(xù)5_20分鐘)，第三段升溫(由50-150°C升溫至250-300°C ；升溫速率5_30°C /分鐘)，第四段恒溫(保持250-300°C，持續(xù) 5-20分鐘)，第五段降溫(由250-300°C降溫至150_200°C ；降溫速率5_30°C /分鐘)，第六段恒溫(保持150-200°C，持續(xù)5-20分鐘)，第七段降溫(由150-200°C降溫至100-150°C； 降溫速率5-300C /分鐘)，第八段恒溫(保持100-150°C，持續(xù)5-20分鐘)，第九段降溫(由 100-150°C降溫至50-100°C ；降溫速率5_30°C /分鐘)，第十段恒溫(保持50_100°C，持續(xù) 5-20分鐘)，之后自然冷卻至室溫.如圖5C所示，為消除各色納米微結(jié)構(gòu)的內(nèi)應(yīng)力，以脈沖式激光進(jìn)行快速退火，以消除納米微結(jié)構(gòu)的內(nèi)應(yīng)力，以避免日后內(nèi)應(yīng)力釋放造成微結(jié)構(gòu)微開裂(Micro-crack)影響白光光子晶體的光學(xué)性質(zhì)。處理時(shí)間為1-100毫秒(每顆芯片)，此時(shí)各色高溫透明熒光膠為完全固化的狀態(tài)，與LED晶圓表面具有高度黏合性。完成以上步驟可實(shí)現(xiàn)二維光子晶體(Two dimension photonic crystal)貼布于 LED晶圓上。最后應(yīng)說明的是，以上實(shí)施例僅用以描述本發(fā)明的技術(shù)方案而不是對(duì)本技術(shù)方法進(jìn)行限制，本發(fā)明在應(yīng)用上可以延伸為其他的修改、變化、應(yīng)用和實(shí)施例，并且因此認(rèn)為所有這樣的修改、變化、應(yīng)用、實(shí)施例都在本發(fā)明的精神和教導(dǎo)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種具有白光光子晶體的發(fā)光二極管的制備方法，包括步驟1，通過電子束直寫配合納米機(jī)電方式制作納米級(jí)微結(jié)構(gòu)金屬屏蔽層；步驟2，以高溫透明膠水配置黃、紅、綠、藍(lán)熒光粉，將金屬屏蔽層在塑料基材處印刷各色熒光膠，經(jīng)烘烤后形成各色納米微結(jié)構(gòu)；步驟3，將聚丙烯塑料薄膜披覆在光子晶體上，形成保護(hù)膜，實(shí)現(xiàn)白光光子晶體貼布；步驟4，將未切割的LED晶圓置于三軸干膜光阻貼附機(jī)上，去除塑料基材與保護(hù)膜，經(jīng)過烘烤和脈沖激光退火，將光子晶體貼附于LED芯片上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，步驟1包括使用電子束直寫方式制作光刻掩膜板，光刻掩膜板涂布負(fù)型光刻膠并置于深紫外光曝光系統(tǒng)中進(jìn)行深紫外光曝光制程，之后進(jìn)行顯影制程，通過反應(yīng)性離子蝕刻對(duì)光刻掩膜板進(jìn)行蝕刻，以鎳鐵合金電鍍液進(jìn)行電鑄， 然后進(jìn)行剝膜制程，進(jìn)行翻模，制作納米級(jí)微透鏡的金屬屏蔽層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，步驟2包括步驟21，將塑料基材置于卷帶機(jī)上，通過真空輸送帶加熱配合雙軸延伸來消除塑料基材的原始內(nèi)應(yīng)力；步驟22，通過耐高溫透明膠水來配置黃、紅、綠、藍(lán)熒光膠，并涂布到圖樣不同的金屬屏蔽層上，通過自動(dòng)印刷機(jī)印刷至塑料基材上；步驟23，通過烘烤和快速退火，制得二維光子晶體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，步驟4包括將光子晶體貼布置于三軸干膜光刻膠貼附機(jī)上，去除聚丙烯保護(hù)膜和塑料基材，并實(shí)現(xiàn)LED晶圓與納米微結(jié)構(gòu)光子晶體的假性黏合；通過烘烤和快速退火，完全固化的各色高溫透明熒光膠與LED晶圓表面高度黏合。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，步驟1中，使用電子束直寫方式在石英材料的光刻掩膜板的鉻金屬層上進(jìn)行圖樣制作，鉻金屬層厚度為10-30納米。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，步驟1中，將光刻掩膜板置于深紫外光曝光系統(tǒng)中并對(duì)已涂布負(fù)型光刻膠的光刻掩膜板進(jìn)行深紫外光曝光制程，其中，曝光能量為 500-1000KJ，曝光時(shí)間為0. 1-0. 8ms ；其中，負(fù)型光刻膠為SU-8 ；厚度為0. 6-2. 0微米，使用真空旋轉(zhuǎn)涂布方式，其轉(zhuǎn)速為5000-10000rpm，前烤溫度為70_120°C，時(shí)間為20-50分鐘。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，步驟1中，以鎳鐵合金電鍍液進(jìn)行電鑄制程，溫度為45-70°C，鎳鐵比例為7-9 3-1(重量比)；剝膜制程中氫氧化鈉濃度5-10%，顯影時(shí)間50-80 秒，溫度:50-80 0C ο
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，步驟21中，將塑料基材置于卷帶機(jī)上，卷帶機(jī)輸送速度為1-20厘米/秒，輸送帶全線真空，真空度為，0. 001-0. 000001托爾，，輸送帶分五至八個(gè)區(qū)域加熱配合雙軸延伸來消除塑料基材的原始內(nèi)應(yīng)力。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，步驟22中，高溫透明膠水為經(jīng)過改質(zhì)的聚丙酰酸甲酯與聚酰亞胺的接枝型共聚物，與黃色熒光粉配比為1 0. 004-0. 020wt%，與紅色熒光粉的配比為1 0.001-0. 015wt%，與綠色熒光粉的配比為1 0. 002-0. 018wt%，與藍(lán)色熒光粉的配比為1 0. 003-0. 017wt%o
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，步驟22中，將黃紅綠藍(lán)四色耐高溫透明熒光膠， 倒入排列圖樣不同的金屬屏蔽上，通過自動(dòng)印刷機(jī)印刷至塑料基材上。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，將塑料基材上的納米微結(jié)構(gòu)光子晶體貼布卷材置于卷帶機(jī)上，卷帶機(jī)輸送速度為1-20厘米/秒，輸送帶全線真空，真空度為 0. 001-0. 000001托爾，不加溫狀態(tài)下貼附聚丙烯保護(hù)膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，步驟4中，將光子晶體貼布置于三軸干膜光刻膠貼附機(jī)之上，上面的頁(yè)時(shí)鐘旋轉(zhuǎn)的第一滾輪去除聚丙烯保護(hù)膜，下面的逆時(shí)鐘旋轉(zhuǎn)的第二滾輪為去除塑料基材，中間的逆時(shí)鐘旋轉(zhuǎn)的第三滾輪為L(zhǎng)ED晶圓輸送前進(jìn)滾輪，光子晶體貼布卷材置于第三滾輪之上。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具有白光光子晶體的發(fā)光二極管的制備方法，包括通過電子束直寫配合納米機(jī)電方式制作納米級(jí)微結(jié)構(gòu)金屬屏蔽層；以高溫透明膠水配置黃、紅、綠、藍(lán)熒光粉，將金屬屏蔽層在塑料基材處印刷各色熒光膠，經(jīng)烘烤后形成各色納米微結(jié)構(gòu)；將聚丙烯塑料薄膜披覆在光子晶體上，形成保護(hù)膜，實(shí)現(xiàn)白光光子晶體貼布；將未切割的LED晶圓置于三軸干膜光阻貼附機(jī)上，去除塑料基材與保護(hù)膜，經(jīng)過烘烤和脈沖激光退火，將光子晶體貼附于LED芯片上。
文檔編號(hào)H01L33/50GK102339914SQ201110301360
公開日2012年2月1日 申請(qǐng)日期2011年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月28日
發(fā)明者王培賢, 蘇晉平 申請(qǐng)人:廣東昭信燈具有限公司