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處理裝置和其維修方法

文檔序號:7161238閱讀:171來源:國知局
專利名稱:處理裝置和其維修方法
技術領域
本發(fā)明涉及例如液晶顯示裝置(LCD)基板為代表的FPD(平板顯示器)用基板等實施規(guī)定的處理的處理裝置和其維修方法。
背景技術
歷來,F(xiàn)PD (平板顯示器)、例如在IXD的制造工序中,具備多個在減壓氣氛下,對玻璃基板實施蝕刻、灰化、成膜等的規(guī)定的處理的基板處理裝置,使用所謂的多腔室型的真空處理系統(tǒng)。這樣的真空處理系統(tǒng),具有設置有具備搬送基板的搬送臂的基板搬送機構的搬送室;在其周圍設置的多個基板處理裝置,通過搬送室內的搬送臂,被處理基板被搬入各基板處理裝置的處理腔室內,同時完成處理的基板從各基板處理裝置的處理腔室被搬出。這樣的真空處理系統(tǒng)中,各真空處理裝置的處理腔室,具有能夠開閉的蓋體能夠進行內部的維修。作為蓋體的開閉機構,歷來使用以設置在蓋體的一邊的鉸鏈為中心通過氣缸機構旋轉的裝置,但是存在下述問題點結構上,該旋轉角度限制在70°左右,蓋體內的重物難以安裝和取出。作為克服上述問題點的技術,專利文獻1提案有如下蓋體開閉機構具備使蓋體滑動的滑動機構,和使蓋體以水平軸為中心旋轉的旋轉機構,使蓋體在水平方向滑動到離開主體的位置,之后使蓋體旋轉。由此,蓋體能夠容易的旋轉180°,并且在腔室上方不存在蓋體,容易進行腔室內部和蓋體內部的維修。專利文獻專利文獻1日本特開2001-185534

發(fā)明內容
但是,上述專利文獻1的技術,為了使得蓋體滑動到離開腔室的位置并在此旋轉, 除了腔室的空間之外,還需要總是確保對批量生產不起作用的蓋體旋轉所需要的空間,與省空間化的期望相違背。特別是,LCD用的玻璃基板近來的要求日趨大型化,與此同時處理裝置大型化,這樣的空間就變得極大。本發(fā)明鑒于上述事實提出,其課題在于提供一種能夠抑制蓋體開閉動作所需的空間的處理裝置和其維修方法。為了解決上述課題,本發(fā)明的第一觀點,提供一種處理裝置,在處理腔室內對被處理體實施規(guī)定的處理,其特征在于,所述處理腔室具備腔室主體;設置在該腔室主體上的能夠開閉的蓋體;和開閉該蓋體的開閉裝置,所述開閉裝置具有能夠使所述蓋體上升至不與所述腔室主體接觸并在垂直方向能夠旋轉的非接觸旋轉位置的升降機構;使所述蓋體在垂直方向旋轉的旋轉機構;和使所述蓋體滑動至在垂直狀態(tài)下不與所述腔室主體重合的位置的滑動機構。在上述處理裝置中,所述開閉裝置能夠構成為,分別設置于蓋體的相對的一對側壁。此外,能夠構成為還具有對所述開閉裝置進行的蓋體的開閉動作進行控制的控制部。這種情況下,所述開閉裝置,所述升降機構、所述旋轉機構、所述滑動機構能夠獨立動作,所述控制部對這些進行獨立的動作控制。所述控制部,控制所述升降機構,使所述蓋體上升至不與所述腔室主體接觸并在垂直方向能夠旋轉的非接觸旋轉位置,控制所述旋轉機構,使所述蓋體上升至非接觸旋轉位置時使所述蓋體旋轉1/2周,能夠進行所述蓋體的維修。這種情況下,所述控制部能夠構成為按照使得通過所述升降機構使所述蓋體上升的動作、和通過所述旋轉機構使所述蓋體旋轉的動作的一部分同時進行的方式進行控制。此外,所述控制部能夠構成為按照使所述蓋體上升至不與所述腔室主體接觸并在垂直方向能夠旋轉的非接觸旋轉位置的方式控制所述升降機構,當使所述蓋體上升至非接觸旋轉位置時,按照所述蓋體呈垂直的方式控制所述旋轉機構,當使所述蓋體旋轉為垂直時,按照所述蓋體滑動至在垂直狀態(tài)不與所述腔室主體重疊的位置的方式控制所述滑動機構,能夠進行所述腔室主體的維修。這種情況下,所述控制部能夠構成為在通過所述升降機構使所述蓋體上升的動作、通過所述旋轉機構使所述蓋體旋轉的動作、和通過所述滑動機構使所述蓋體滑動的動作中,按照使至少兩個動作的一部分同時進行的方式進行控制。本發(fā)明的第二觀點,提供一種維修方法,是在具有腔室主體、和設置在該腔室主體上的能夠開閉的蓋體的處理腔室內對被處理體實施規(guī)定的處理的處理裝置的維修方法,其特征在于,使所述蓋體上升至不與所述腔室主體接觸并在垂直方向能夠旋轉的非接觸旋轉位置,當所述蓋體被上升至非接觸旋轉位置時,使所述蓋體在旋轉1/2周的狀態(tài)下對所述蓋體的內部進行維修,使所述蓋體上升至不與所述腔室主體接觸并在垂直方向能夠旋轉的非接觸旋轉位置,當所述蓋體上升至非接觸旋轉位置時,使所述蓋體在垂直方向旋轉,當所述蓋體被旋轉為呈垂直時,使所述蓋體滑動至在垂直狀態(tài)不與所述腔室主體重疊的位置, 在該狀態(tài),對所述腔室主體內進行維修。在上述維修方法中,對所述蓋體的內部進行維修時,使所述蓋體上升至不與所述腔室主體接觸并在垂直方向能夠旋轉的非接觸旋轉位置,之后,也可以使所述蓋體旋轉1/2 周,或者使所述蓋體上升的動作、和使所述蓋體旋轉的動作的一部分同時進行。此外,在對所述腔室主體進行維修時,可以使所述蓋體上升至不與所述腔室主體接觸并在垂直方向能夠旋轉的非接觸旋轉位置,接著,使所述蓋體呈垂直的方式使所述蓋體在垂直方向旋轉,之后,使所述蓋體滑動至在垂直狀態(tài)不與所述腔室主體重合的位置,或者也可以使所述蓋體上升的動作、使所述蓋體旋轉的動作、和使所述蓋體滑動的動作的至少兩個動作的一部分同時進行。本發(fā)明的第三觀點,提供一種存儲介質,其特征在于,是在計算機上運行的存儲控制處理裝置用的程序的存儲介質,所述程序,在執(zhí)行時,由計算機控制所述處理裝置,進行所述維修方法。根據(jù)本發(fā)明,開閉裝置包括能夠使所述蓋體上升至不與所述腔室主體接觸并在垂直方向能夠旋轉的非接觸旋轉位置的升降機構;使所述蓋體在垂直方向旋轉的旋轉機構;和使所述蓋體滑動直至在垂直狀態(tài)下不與所述腔室主體重疊的位置的滑動機構。因此,在蓋體的維修時,使存在于腔室主體上的蓋體以該狀態(tài)上升,僅使其在上升位置旋轉,因此在處理腔室的外側不需要空間,在進行腔室主體的維修時,在使蓋體呈垂直旋轉的狀態(tài)下使蓋體滑動至不與腔室主體重疊的位置,因此,僅僅是從腔室主體伸出蓋體高度的寬度,能夠縮小裝置的占地空間。


圖1為表示真空處理系統(tǒng)的概觀的立體圖。圖2為表示圖1的真空處理系統(tǒng)的水平截面圖。圖3為表示本發(fā)明一實施方式的蝕刻處理裝置的截面圖。圖4為表示本發(fā)明一實施方式的蝕刻處理裝置的主要部分的立體圖。圖5為表示本發(fā)明一實施方式的蝕刻處理裝置的側面圖。圖6為表示本發(fā)明一實施方式的蝕刻處理裝置中使得蓋體上升的狀態(tài)的側面圖。圖7為表示本發(fā)明一實施方式的蝕刻處理裝置中使得蓋體上升后成垂直狀態(tài)使之滑動的狀態(tài)的側面圖。圖8為表示說明本發(fā)明一實施方式的蝕刻處理裝置中打開蓋體的動作用的模式圖。符號說明1真空處理系統(tǒng)10蝕刻處理裝置60處理腔室61腔室主體62 蓋體63開閉裝置72 基座74噴淋頭77處理氣體供給系統(tǒng)80高頻電源101 滑板102滑板電動機103a、10 升降軸104可動體106旋轉電動機107升降電動機108聯(lián)軸器109小齒輪110 齒條111旋轉支承部120 導軌140滑動機構
150升降機構160旋轉機構170 罩200控制部201上位控制器203存儲部210下位控制器S 基板
具體實施例方式以下,參照附圖,對本發(fā)明的實施方式進行說明。在此,例如,對FPD用的玻璃基板上形成薄膜晶體管時的金屬膜、ITO膜、氧化膜等的蝕刻處理中使用的多腔室型的真空處理系統(tǒng)中使用本發(fā)明的處理裝置的情況進行說明。 作為FPD,示例液晶顯示器、電致發(fā)光(Electro Luminescence :EL)顯示器、等離子體顯示面板(PDP)等。圖1為表示該真空處理系統(tǒng)的概觀立體圖,圖2為表示其內部的水平截面圖。該真空處理系統(tǒng)1,在其中央部連設搬送室20和負載鎖定室30。在搬送室20的周圍配設3 個蝕刻處理裝置10。此外,在搬送室20與負載鎖定室30之間、搬送室20與各蝕刻處理裝置10之間,以及連通負載鎖定室30和外側的大氣氛圍的開口部上,分別插入氣密性密封這些之間、能夠開閉的構成的門閥22。在負載鎖定室30的外側設置2個匣盒收發(fā)片機(cassette indexer) 41,其上載置分別收容基板S的匣盒40。在這些匣盒40的一個收容未處理基板,在另一個收容完成處理的基板。這些匣盒40通過升降機構42能夠升降。上述2個匣盒40之間,在支承臺44上設置基板搬送機構43,該基板搬送機構43 具備上下2層設置的臂45、46,以及能將這些臂一體進出退避和旋轉地支承的基臺47。在臂45、46上形成有支承基板S使其不偏移的4個突起48。蝕刻處理裝置10,如后所述具有處理腔室,其內部空間能夠保持規(guī)定的減壓氣氛, 在處理腔室內進行蝕刻處理。之后敘述蝕刻處理裝置的詳細說明。搬送室20也與蝕刻處理裝置10同樣,能夠保持為規(guī)定的減壓氣氛,如圖2所示, 其中配設有搬送機構50。通過該搬送機構50,在負載鎖定室30和3個蝕刻處理裝置10之間搬送基板。搬送機構50包括設置在基臺51的一端的,以能夠旋轉的方式設置在基臺51的第一臂52 ;以能夠旋轉的方式設置在第一臂52的前端部的第二臂53 ;和以能夠旋轉的方式設置在第二臂53的,支承基板的叉狀的基板支承板M,通過內置于基臺51的驅動機構驅動第一臂52、第二臂53和基板支承板54,能夠搬送基板S。此外,基臺51能夠上下動并且能夠旋轉。負載鎖定室30,能夠使各蝕刻處理裝置10和搬送室20切換成同樣的減壓氣氛和大氣氣氛,其中設置有支承基板S用的架(rack)31。通過架31能夠一次支承2個基板S。 此外,設置有基板S的定位用的定位器(未圖示)。
該真空處理系統(tǒng)1具有控制各構成部的控制部200。該控制部200包括具備微處理器(計算機)的上位控制器201 ;用戶端口 202和存儲部203。上位控制器201直接或者通過下位控制器控制真空處理系統(tǒng)1的各構成部。用戶端口 202與上位控制器201連接, 由用于操作人員管理真空處理系統(tǒng)1的各構成部的進行命令輸入操作等的鍵盤;和可視化顯示真空處理系統(tǒng)1的各構成部的工作狀況的顯示器等形成。存儲部203也與上位控制器 201連接,存儲有通過上位控制器201的控制實現(xiàn)在真空處理系統(tǒng)1執(zhí)行的各種處理用的控制程序;和對應于處理條件在真空處理系統(tǒng)1的各構成部執(zhí)行規(guī)定的處理用的控制程序、 即處理方法、各種數(shù)據(jù)庫等。處理方法存儲在存儲部203中的存儲介質(未圖示)中。存儲介質可以是硬盤等固定設置的介質,也可以是CDR0M、DVD、閃存等的可移動介質。此外,也可以采用從其他裝置,例如通過專用電線適宜傳送方法。根據(jù)需要,根據(jù)來自用戶端口 202 的指示等從存儲部203讀出規(guī)定的處理方法,在上位控制器201執(zhí)行,由此,在上位控制器 201的控制下,在真空處理系統(tǒng)1進行規(guī)定的處理。接著,參照圖3 圖5,對蝕刻處理裝置10詳細說明。圖3為蝕刻處理裝置10的截面圖,圖4為其主要部分的立體圖,圖5為側面圖。蝕刻處理裝置10在其中具備對基板S實施蝕刻處理用的處理腔室60。處理腔室 60,為搭載在架臺130的狀態(tài)(參照圖4),包括腔室主體61 ;和可自由裝拆地設置在該腔室主體61上的蓋體62。此外,蝕刻處理裝置10具有將該蓋體62相對于腔室61進行裝拆來開閉的一對開閉裝置63。此外,在處理時,為了在關閉蓋體62時,使得處理腔室60內成為氣密空間,能夠抽真空,在腔室主體61和蓋體62之間安裝有密封部件95。對于開閉裝置 63的詳細在后面說明。在處理腔室60的內部空間的下方,通過絕緣部件71設置有基座72,在基座72上載置有基板S。腔室主體61的底壁連接有排氣管81,在該排氣管81連接有排氣裝置82。排氣裝置82具備渦輪分子泵等的真空泵,由此,對處理腔室60的內部空間抽真空,能夠形成規(guī)定的減壓氣氛。在基座72的上方,設置有與該基座72平行相對的作為上部電極起作用的噴淋頭 74。該噴淋頭74螺合在配置于其周圍的絕緣部件75,絕緣部件75通過在蓋體62的內部突出的支承部6 支承并螺合。在噴淋頭74通過配管76連接有向噴淋頭74供給蝕刻處理用的處理氣體的處理氣體供給系統(tǒng)77,從設置在噴淋頭74下面的多個氣體噴出孔7 向基板S噴出處理氣體。另一方面,在噴淋頭74的上表面中央連接有供電棒78,在供電棒78的上端連接有匹配器79,進一步,在匹配器79連接有高頻電源80。因此,通過排氣裝置82,對處理腔室60的內部空間抽真空,并且從噴淋頭74導入處理氣體,調整到規(guī)定壓力的狀態(tài),從高頻電源80通過匹配器79和供電棒78向噴淋頭74 施加高頻電力,由此,在基板S的上方的空間形成處理氣體的等離子體,由此,對基板S進行蝕刻處理。蝕刻處理裝置10,具有基于來自控制部200的上位控制器201的指令,控制蝕刻處理裝置10的各構成部用的下位控制器210。下位控制器210,在蝕刻處理裝置10進行高頻電源80的供電控制和處理氣體供給系統(tǒng)77、排氣裝置82的控制,進一步進行通過開閉裝置63的蓋體62的開閉動作的控制。特別是,蓋體62的開閉動作,基于存儲在存儲部203的蓋體開閉方法,被控制為進行如后述的動作。接著,對開閉裝置63進行說明?!獙﹂_閉裝置63均具有相同的結構,因此只對一方進行說明。開閉裝置63,作為主要結構,具有使蓋體62滑動的滑動機構140 ;使蓋體62升降的升降機構150 ;使蓋體62在垂直方向旋轉(在垂直面內旋轉)的旋轉機構160 ;和收容這些機構的罩170?;瑒訖C構140設置有在處理腔室60的側部與基板S的搬入搬出方向平行設置的導軌120 ;與導軌120卡合并且在水平方向能夠滑動而設置的滑板101 ;使得滑板101移動的驅動源的滑板電動機102 ;設置在滑板電動機102的旋轉軸的前端的小齒輪(pinion gear) 109 ;與導軌120平行的直線狀安裝的齒條110 (參照圖5)。伴隨著滑板電動機102的旋轉,能夠通過齒條和小齒輪(rack and pinion)傳動機構,滑板101沿著導軌120滑動。 此外,導軌120由支承部件121支承。升降機構150構成為包括刻設有螺紋的2根升降軸103a、103b ;與該升降軸 103a、10 卡合并且被升降自由地支承的可動體104 ;和作為驅動源的升降電動機107。2 根升降軸103a、10 通過聯(lián)軸器108連結,升降電動機107的旋轉分配傳達給2根升降軸 103a、103b,各升降軸103a、103b同時旋轉。旋轉機構160,具有安裝在蓋體62的中央的旋轉支承部111,和使得旋轉支承部 111旋轉的旋轉電動機106。上述升降機構150的可動體104,通過旋轉支承部111和蓋體62連結,通過升降軸 103a、103b的旋轉,可動體104升降移動,與可動體104連動,蓋體62升降。為了當可動體 104升降移動時旋轉支承部111也能夠移動,在罩170的內側壁170a形成有槽115。各開閉裝置63中,旋轉機構160的旋轉電動機106固定于可動體104,旋轉支承部 111成為蓋體62的旋轉軸。即,兩側的開閉裝置63的旋轉支承部111以使蓋體62的相對向的側壁的中央部能夠旋轉的方式對其進行支承,位于水平方向的同一線上,通過兩側的旋轉電動機106,兩側的旋轉支承部111作為旋轉軸,使蓋體62在垂直方向旋轉。如圖6所示,升降機構150的升降軸103a、103b的長度為使蓋體62能夠上升至在腔室主體61的上方不與腔室主體61接觸并在垂直方向能夠旋轉的非接觸旋轉位置的長度?;瑒訖C構140的滑板101,通過升降機構150的升降軸103a、10 和可動體104、 以及旋轉機構160的旋轉支承部111與蓋體62連結,與滑板101連動,使得蓋體62在水平方向移動。如圖7所示,滑板101使得蓋體62上升到非接觸旋轉位置,旋轉1/4周,使其呈垂直狀態(tài),在該狀態(tài),能夠移動到不與腔室主體61重疊的位置。如此,通過開閉裝置63的滑動機構140進行的蓋體62的滑動動作、通過升降機構 150進行的蓋體62的升降動作、通過旋轉機構160進行的蓋體62的旋轉動作相互獨立進行。接著,對以上結構的真空處理系統(tǒng)1的處理動作進行說明。首先,進退驅動基板搬送機構43的2個臂45、46,從收容未處理基板的一個匣盒40 (圖1左側的匣盒)一次將2 枚基板S搬入負載鎖定室30。
在負載鎖定室30內,通過齒條31保持基板S,臂45、46退避后,負載鎖定室30的大氣側的門閥22關閉。之后,對負載鎖定室30內排氣,將內部減壓到規(guī)定的真空度。抽真空結束后,通過定位器進行基板S的定位。進行基板S的定位后,搬送室20和負載鎖定室30之間的門閥22打開,通過搬送機構50將基板S搬入搬送室20內。接著,搬入搬送室20內的基板S接受在搬送機構50的基板支承板討上,搬入規(guī)定的蝕刻處理裝置10。之后,基板支承板M從蝕刻處理裝置10 退避,關閉門閥22。此時,蝕刻處理裝置10的處理腔室60內,腔室主體61與蓋體62通過密封部件95密封,能夠抽真空。在蝕刻處理裝置10中,如圖3所示,在基板S載置在基座72上的狀態(tài)下,處理腔室60的內部空間減壓到規(guī)定的壓力后,通過噴淋頭74向基板S噴出從處理氣體供給系統(tǒng) 77供給的蝕刻處理用的處理氣體,并且從高頻電源80通過匹配器79和供電棒78向噴淋頭 74供給高頻電力,在基板S上的空間形成處理氣體的等離子體,對基板S進行蝕刻處理。該蝕刻處理結束后,打開門閥22,通過搬送機構50的基板支承板M接受完成處理的基板S,搬送到負載鎖定室30。搬送到負載鎖定室30的基板S,通過搬送單元43的臂 45、46,進入完成處理的基板用的匣盒40(圖1的右側的匣盒)。由此,一枚基板的一連串的處理動作完成,該處理動作,僅進行對應于未處理基板用的匣盒40上搭載的基板的數(shù)目的次數(shù),結束1個匣盒的處理。反復進行規(guī)定次數(shù)這樣的處理時,必須進行蝕刻處理裝置10的維修。這種情況下,通過上述開閉裝置63,如下打開處理腔室60的蓋體62,進行腔室主體61內和蓋體62 內的維修。參照圖8說明此時打開蓋體的動作。首先,進行蓋體62的維修時,如圖8(a)所示,從處理時(通常時)的狀態(tài),將存在于腔室主體61上的蓋體62按原樣通過開閉裝置63的升降機構150,上升至不與腔室主體 61接觸并在垂直方向能夠旋轉的非接觸旋轉位置(STEPl-I)。這種狀態(tài)下,通過開閉裝置 63的旋轉機構160,蓋體62旋轉1/2周(STEPl-幻。由此,能夠進行蓋體62內部的維修。 例如,能夠通過起重裝置容易進行存在于蓋體62內的噴淋頭74等的重量物的取出。接著,在腔室主體61的維修時,如圖8 (b)所示,與蓋體62的維修時同樣,從處理時(通常時)的狀態(tài),將存在于腔室主體61上的蓋體62按原樣通過開閉裝置63的升降機構150,上升至不與腔室主體61接觸并在垂直方向能夠旋轉的非接觸旋轉位置 (STEP2-1)。這種狀態(tài)下,通過開閉裝置63的旋轉機構160,使蓋體62旋轉1/4周,呈垂直狀態(tài)(STEP2-2)。接著,通過開閉裝置63的滑動機構140,使蓋體62滑動到離開腔室主體 61的位置(STEP2-;3)。由此,成為在腔室主體61上方不存在蓋體62的狀態(tài),能夠進行腔室主體61的內部的維修。此外,此時,如圖示,蓋體62的內部向著外側的情況下,也能夠進行蓋體62的內部的簡單維修。維修之后,按照如上述圖8 (a)、(b)所示的順序的相反順序,能夠將蓋體安裝在腔室主體61上。此外,在上述STEP1-2的狀態(tài),進行蓋體62的維修之后,在進行腔室主體61的維修的情況下,從STEP1-2的狀態(tài)通過旋轉機構160使得蓋體62旋轉,成為STEP2-2的狀態(tài), 其后,通過滑動機構140,使得蓋體62滑動,成為STEP2-3的狀態(tài)。相反,在上述STEP2-3的狀態(tài),進行腔室主體61的維修之后,進行蓋體62的維修的情況下,從STEP2-3的狀態(tài),通過滑動機構140,使得蓋體滑動,成為STEP2-2的狀態(tài),從該狀態(tài)使蓋體62旋轉,成為STEP1-2 的狀態(tài)。開閉裝置63,能夠獨立進行滑動機構140、升降機構150、旋轉機構160的各個的動作,通過上位控制器200和下位控制器210,能夠控制使得這些裝置和機構獨立動作。因此,蓋體62的維修時,如上所述,可以按照通過升降機構150使得蓋體62上升的動作進行之后,進行通過旋轉機構160使得蓋體62旋轉的動作的方式進行控制,也可以按照使這些動作的一部分同時進行的方式進行動作控制。此外,腔室主體61的維修時,如上所述,可以在通過升降機構150使得蓋體62的動作進行之后,進行控制使得通過旋轉機構160蓋體62 旋轉、之后通過滑動機構140蓋體62滑動,也可以進行動作控制使得上述3個動作的至少2 個動作的一部分同時進行。通過這些不同的機構的動作的一部分同時進行,能夠縮短移動時間。如上所述,在蓋體62的維修時,存在于腔室主體61上的蓋體62按原樣上升,在上升位置旋轉,因此,如上述專利文獻1所述的蓋體62離開腔室主體61的狀態(tài)下滑動然后反轉的情況下在處理腔室60的外側不需要空間。此外,進行腔室主體61的維修時,腔室主體 61上存在的蓋體62按原樣上升之后,為使蓋體62垂直而使其旋轉(旋轉1/4),在該狀態(tài), 蓋體62滑動到不與腔室主體61重合的位置,因此,處理腔室60的外側必要的空間為蓋體 62的高度的寬度,與上述專利文獻1所述的反轉的狀態(tài)的蓋體存在于離開腔室主體的位置的情況下相比,能夠縮小占有空間。如此,能夠抑制蓋體的開閉動作所需的空間,能夠減小裝置的占有空間,因此能夠提高裝置的配置場所的配置的自由度。此外,能夠在完全的反轉狀態(tài)下進行蓋體62的維修,因此,能夠容易進行噴淋頭 74等的重量物的取出。腔室主體61的維修在上方不存在蓋體62的狀態(tài)下進行,因此維修性良好。此外,本發(fā)明不限于上述實施方式,能夠進行各種變形。例如,開閉裝置63的滑動機構、升降機構、旋轉機構不限于上述實施方式,當然也能夠使用具有同樣的功能的其他的公知的機械部件。此外,上述實施方式中,表示了本發(fā)明在作為真空處理的蝕刻裝置中使用的情況,但本發(fā)明的本質在于腔室的蓋體的開閉,不限于處理裝置進行的處理本身。此外, 示例了作為被處理體使用FPD用基板的例子,但是不限于此,也可以是半導體晶片、太陽電池平板基板等、其他的被處理體。
權利要求
1.一種處理裝置,其在處理腔室內對被處理體實施規(guī)定處理,該處理裝置的特征在于所述處理腔室包括腔室主體;按照能夠開閉的方式設置在該腔室主體上的蓋體;和將該蓋體開閉的開閉裝置,所述開閉裝置包括升降機構,其能夠使所述蓋體上升至不與所述腔室主體接觸并在垂直方向能夠旋轉的非接觸旋轉位置;使所述蓋體在垂直方向旋轉的旋轉機構;和滑動機構,其使所述蓋體滑動至在垂直狀態(tài)不與所述腔室主體重合的位置。
2.如權利要求1所述的處理裝置,其特征在于所述開閉裝置,分別設置于蓋體的相對向的一對側壁。
3.如權利要求1或2所述的處理裝置,其特征在于還具有對基于所述開閉裝置的蓋體的開閉動作進行控制的控制部。
4.如權利要求3所述的處理裝置,其特征在于所述開閉裝置的所述升降機構、所述旋轉機構、所述滑動機構能夠獨立動作,所述控制部對所述升降機構、所述旋轉機構、所述滑動機構進行獨立的動作控制。
5.如權利要求4所述的處理裝置,其特征在于所述控制部,按照使所述蓋體上升至不與所述腔室主體接觸并在垂直方向能夠旋轉的非接觸旋轉位置的方式對所述升降機構進行控制,按照所述蓋體上升至非接觸旋轉位置時使所述蓋體旋轉1/2周的方式來對所述旋轉機構進行控制,以使所述蓋體的維修成為可能。
6.如權利要求5所述的處理裝置,其特征在于所述控制部,按照使得通過所述升降機構來使所述蓋體上升的動作、和通過所述旋轉機構來使所述蓋體旋轉的動作的一部分同時進行的方式進行控制。
7.如權利要求4所述的處理裝置,其特征在于所述控制部,按照使所述蓋體上升至不與所述腔室主體接觸并在垂直方向能夠旋轉的非接觸旋轉位置的方式對所述升降機構進行控制;按照所述蓋體上升至非接觸旋轉位置時使所述蓋體呈垂直狀態(tài)的方式對所述旋轉機構進行控制;按照使所述蓋體呈垂直狀態(tài)而將其旋轉時,所述蓋體滑動至在垂直狀態(tài)不與所述腔室主體重疊的位置的方式對所述滑動機構進行控制,以使所述腔室主體的維修成為可能。
8.如權利要求7所述的處理裝置,其特征在于所述控制部,按照使得通過所述升降機構來使所述蓋體上升的動作、通過所述旋轉機構來使所述蓋體旋轉的動作、和通過所述滑動機構來使所述蓋體滑動的動作的至少兩個動作的一部分同時進行的方式進行控制。
9.一種維修方法,其是在具有腔室主體、和按照能夠開閉的方式設置在該腔室主體上的蓋體的處理腔室內對被處理體實施規(guī)定的處理的處理裝置的維修方法,該維修方法的特征在于按照使所述蓋體上升至不與所述腔室主體接觸并在垂直方向能夠旋轉的非接觸旋轉位置,當所述蓋體上升至非接觸旋轉位置時,使所述蓋體呈旋轉1/2周的狀態(tài)的方式對所述蓋體的內部進行維修,按照使所述蓋體上升至不與所述腔室主體接觸并在垂直方向能夠旋轉的非接觸旋轉位置,當所述蓋體上升至非接觸旋轉位置時,使所述蓋體在垂直方向旋轉來使所述蓋體呈垂直狀態(tài),為使所述蓋體垂直而旋轉所述蓋體時,使所述蓋體滑動至在垂直狀態(tài)不與所述腔室主體重疊的位置的方式,對所述腔室主體內進行維修。
10.如權利要求9所述的維修方法,其特征在于對所述蓋體的內部進行維修時,在所述蓋體上升至不與所述腔室主體接觸并在垂直方向能夠旋轉的非接觸旋轉位置后,使所述蓋體旋轉1/2周。
11.如權利要求9所述的維修方法,其特征在于對所述蓋體的內部進行維修時,使所述蓋體上升的動作、和使所述蓋體旋轉的動作的一部分同時進行。
12.如權利要求11所述的維修方法,其特征在于在對所述腔室主體進行維修時,使所述蓋體上升至不與所述腔室主體接觸并在垂直方向能夠旋轉的非接觸旋轉位置,接著,為使所述蓋體呈垂直狀態(tài)而使所述蓋體在垂直方向旋轉,之后,使所述蓋體滑動至在垂直狀態(tài)不與所述腔室主體重合的位置。
13.如權利要求11所述的維修方法,其特征在于對所述腔室主體進行維修時,使所述蓋體上升的動作、使所述蓋體旋轉的動作、和使所述蓋體滑動的動作的至少兩個動作的一部分同時進行。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠抑制蓋體的開閉動作必要的空間的處理裝置和其維修方法。為在處理腔室(60)內對被處理體實施規(guī)定的處理的處理裝置,具備處理腔室(60);腔室主體(61);在該腔室主體(61)上能夠開閉的設置的蓋體(62);開閉該蓋體(62)的開閉裝置(63),開閉裝置(63)具備能夠使蓋體(62)上升至不與腔室主體(61)接觸并在垂直方向能夠旋轉的非接觸旋轉位置的升降機構(150);使蓋體(62)在垂直方向旋轉的旋轉機構(160);蓋體(62)在垂直狀態(tài)下,使蓋體(62)滑動至不與腔室主體(61)重疊的位置的滑動機構(140)。
文檔編號H01L21/67GK102420156SQ201110301620
公開日2012年4月18日 申請日期2011年9月28日 優(yōu)先權日2010年9月28日
發(fā)明者本間徹, 板谷武彥 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社
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