專利名稱：集成電路器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明通常涉及集成電路(IC)器件，更具體地，涉及牽涉IC器件的通信。
背景技術(shù)：
典型地，集成電路(IC)器件包含嵌入在封裝中的IC晶片。IC器件可與印刷電路板(PCB)連接從而使能IC器件與連接在PCB板上的其他器件之間進(jìn)行通信。例如，在陣列式封裝中，IC晶片通常與基底連接，所述基底與一批連接元件(例如，一批焊球)連接。然后，該批連接元件與PCB物理連接。IC晶片可以各種方式與基底連接。例如，在晶片向下(die-down)倒裝芯片封裝中，焊球可用于連接IC晶片表面的接觸焊盤與位于基底上的接觸焊盤。在另一實例中，線焊可用于連接IC晶片表面的接合焊盤與位于基底上的接合指(bond finger)。但是，連接IC晶片與基底的傳統(tǒng)方式可能是昂貴的。例如，用于制造線焊的材料 (例如，金)可能是昂貴的，因此增加了整個器件的成本。另外，連接IC晶片與基底的傳統(tǒng)方式還可能受制造缺陷的影響。例如，在制造過程中，線焊和/或焊接凸點可能破裂或受損壞，降低了 IC器件的生產(chǎn)量。另外，連接不同IC器件的傳統(tǒng)方式還可能具有缺點。例如，當(dāng)使用PCB將IC器件連接在一起時，在制造或現(xiàn)場應(yīng)用過程中，用于連接IC器件和PCB的元件可能破裂或受損壞。于是，所需要的是提供高性價比、以及IC晶片與基底之間和不同IC晶片之間可靠互連的IC器件。

發(fā)明內(nèi)容
這里描述的實施例中，提供集成電路(IC)器件以及組裝IC器件的方法。在一個實施例中，IC器件包含基底、與所述基底連接的IC晶片、與所述IC晶片連接的天線以及與所述IC晶片連接的第一無線使能功能塊。所述第一無線使能功能塊用于與所述基底連接的第二無線使能功能塊通信。所述天線用于與另一器件連接的另一天線通信。在另一實施例中，制造IC器件的方法包含提供IC晶片、在所述IC晶片上形成天線、在所述IC晶片上形成第一無線使能功能塊、并且連接所述IC晶片與基底。所述天線用于與另一器件連接的另一天線通信。所述第一無線使能功能塊用于與所述基底連接的第二無線使能功能塊通信。在另一實施例中，IC器件包含IC晶片和與所述IC晶片連接的天線。所述天線用于與另一器件連接的另一天線通信。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，構(gòu)造一種集成電路(IC)器件包括基底；與所述基底連接的IC晶片；與所述IC晶片連接的天線，其中所述天線用于與連接于另一器件的另一天線通
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與所述IC晶片連接的第一無線使能功能塊(wirelessly enabled functional block)，其中所述第一無線使能功能塊用于與連接于所述基底的第二無線使能功能塊通優(yōu)選地，所述天線包括偶極天線(dipole antenna)和貼片天線(patch antenna) 中的至少一個。優(yōu)選地，所述IC器件還包括包含所述天線的天線層(antenna plane)。優(yōu)選地，所述天線層包括電容器、電感器、線圈和不平衡轉(zhuǎn)換器中的至少一個。優(yōu)選地，所述天線層包括與所述IC晶片連接的金屬帶。優(yōu)選地，所述天線層包括與所述基底連接的可蝕刻金屬層。優(yōu)選地，所述天線從所述IC晶片向所述基底散布熱量。優(yōu)選地，所述天線與所述基底連接。優(yōu)選地，所述天線包括縫隙天線(slot antenna)和貼片天線中的至少一個。優(yōu)選地，所述IC器件還包括與所述IC晶片和所述基底連接的散熱器。優(yōu)選地，所述散熱器包括波導(dǎo)管。優(yōu)選地，所述第一無線使能電路塊通過通道(via)與所述天線連接。優(yōu)選地，所述IC器件還包括具有絕緣層和可蝕刻金屬層的第二基底，其中所述可蝕刻金屬層包含所述天線。優(yōu)選地，所述第一無線使能電路塊包括收發(fā)器。根據(jù)其他方面，提供一種制造集成電路(IC)器件的方法，包括提供IC晶片；在所述IC晶片上形成天線，其中所述天線用于與連接于另一器件的另一天線通在所述IC晶片上形成第一無線使能功能塊；以及連接所述IC晶片與基底，其中所述第一無線使能功能塊用于與連接于所述基底的第二無線使能功能塊通信。優(yōu)選地，形成所述天線包括形成偶極天線或形成貼片天線。優(yōu)選地，形成所述天線包括形成包含所述天線的天線層。優(yōu)選地，所述方法還包括將所述天線連接于所述基底。優(yōu)選地，所述方法還包括將散熱器連接于所述IC晶片。根據(jù)一個方面，提供集成電路(IC)器件，包括IC晶片；以及與所述IC晶片連接的天線，其中所述天線用于與連接于另一器件的另一天線通 鑒于本發(fā)明的以下詳細(xì)描述，這些以及其他優(yōu)點和特征將顯得非常明顯。注意的是，發(fā)明內(nèi)容和摘要部分可能描述發(fā)明人所預(yù)期的一個或多個、而不是本發(fā)明的全部示例性實施例。


這里所包含的并形成部分說明書的附圖闡述了本發(fā)明、并且與描述一起進(jìn)一步用于解釋本發(fā)明的原理以及使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠制造和使用本發(fā)明。圖1是傳統(tǒng)的晶片向下球柵陣列(BGA)封裝的截面圖；圖2和3是根據(jù)本發(fā)明實施例的晶片向下IC器件的截面圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明實施例的無線使能功能塊的示意圖；圖5和6是根據(jù)本發(fā)明實施例的天線層的俯視圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明實施例的IC封裝的截面圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明實施例的天線的俯視圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明實施例的IC封裝的截面圖；圖10是根據(jù)本發(fā)明實施例的天線的俯視圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明實施例的IC封裝的截面圖；圖12是根據(jù)本發(fā)明實施例的波導(dǎo)管結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖13是根據(jù)本發(fā)明實施例的組裝IC器件的示例性步驟的流程圖?，F(xiàn)在將參照附圖描述本發(fā)明。附圖中，相同標(biāo)號表示相同或功能相似的元件。另外，標(biāo)號的最左位表明該標(biāo)號首次出現(xiàn)其中的圖號。
具體實施例方式說明書中提到的“一個實施例”、“實施例”、“示例性實施例”等表明所描述的實施例可包含特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性，但是每個實施例可能未必包含該特定特征、結(jié)構(gòu)或特性。此外，上述短語未必指的是相同實施例。進(jìn)一步地，當(dāng)與實施例相關(guān)地描述特定特征、 結(jié)構(gòu)或特性時，認(rèn)為的是不論是否精確描述，使與其他實施例相關(guān)的上述特征、結(jié)構(gòu)或特性生效是在本領(lǐng)域技術(shù)人員的知識范圍內(nèi)。另外，應(yīng)該理解的是，這里使用的空間描述(例如，“在...上”、“在...下”、“左邊”、“右邊”、“上”、“下”、“頂部”、“底部”等)僅僅用于說明，并且這里描述的結(jié)構(gòu)的實際實現(xiàn)可以是在任一方位或以任一方式空間設(shè)置。傳統(tǒng)封裝圖1是傳統(tǒng)的晶片向下球柵陣列(BGA)封裝100的截面圖。BGA封裝100包含通過焊接凸點(solder bumps) 130、與基底120的頂面125連接的晶片110。BGA封裝110是晶片向下封裝，在所述封裝中晶片110的活性表面(active surface) 115面對基底120。另一方面，在晶片向上封裝中，晶片的活性表面背對基底?；钚员砻?15通常包含電源、接地布線軌跡和輸入/輸出接觸焊盤。多個焊接凸點130可以從倒裝芯片晶片110的活性表面115的一邊分布到另一邊，從而分別將倒裝芯片晶片110與基底120連接。如圖1中所示，焊接掩膜190包圍焊接凸點130所在的區(qū)域。在圖1的實施例中，通道(vias) 140將基底120頂面125的焊接凸點130、跡線和 /或通道焊盤(via pad) 150連接至基底120底面的焊球180。如圖1中所示，基底120可以包含凸點焊盤(bump pad) 160和球焊盤(ball pad) 170。凸點焊盤160與基底120頂面 125的焊接凸點130連接。球焊盤170與基底120底面的焊球180連接。焊球180可以將倒裝芯片BGA封裝100與任一適合的、具有導(dǎo)電連接的表面(例如PCB)電連接。示例性實施例
這里描述的實施例中，提供包含與IC晶片連接的天線的IC封裝。天線可用于與其他IC器件通信。天線還可與IC晶片上的第一無線使能功能塊連接。第一無線使能功能塊可用于與基底上的第二無線使能功能塊通信。這些封裝的優(yōu)點包含改進(jìn)制造過程、增加互連形成中的靈活性、提高生產(chǎn)量以及減少的制造損失。圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例的IC封裝200的截面圖。IC封裝200包含基底202、 粘合劑203、IC晶片204、天線層206、通道208a和208b (統(tǒng)稱為“208” )、第一無線使能功能塊210a-d(統(tǒng)稱為“210”)、第二無線使能功能模塊212a-d(統(tǒng)稱為“212”)、焊接凸點 214a-c (共同地“214”)以及接觸焊盤216a-c (統(tǒng)稱為“216”)。粘合劑203將IC晶片204連接在基底202上。在實施例中，粘合劑203是非導(dǎo)電環(huán)氧樹脂。在一實施例中，基底202與參照圖1描述的基底120相似。基底202可用于促進(jìn) IC封裝200與印刷電路板(PCB)連接。例如，基底202可包含基底202底面上的接觸焊盤， 所述接觸焊盤可通過一批元件(例如，焊球、插腳或類似物的陣列)將IC封裝200與PCB 連接。在替代性實施例中，基底202可具有用于與PCB的一組無線使能功能塊無線通信的另一組無線使能功能塊。無線使能功能塊的運行將在后面進(jìn)行描述。天線層206與IC晶片204的頂面連接。如以下將進(jìn)一步描述的，天線層206可包含各種組件，所述組件包含用于與其他器件通信的天線。在實施例中，可從IC晶片204頂面的可蝕刻金屬層形成天線層206。在另一實施例中，天線層206可以是與IC晶片204的頂面連接的金屬帶。替代性地，天線層206還可以是與IC晶片的頂面連接的剛性印刷線路板(PWB)。在另一實施例中，天線層206可包含多個金屬層，例如兩層或四層金屬層。第一無線使能功能塊210與IC晶片204的底面連接，第二無線使能功能塊212與基底202的頂面連接。在實施例中，每個第一無線使能功能塊210用于與第二無線使能功能塊212其中之一通信。例如，可使用頻分、時分和/或碼分方法、從而每個第二無線使能功能塊212僅僅接受來自它各自配對的第一無線使能功能塊210的通信，反之亦然。以下將更詳細(xì)描述第一和第二無線使能功能塊210和212的結(jié)構(gòu)。IC晶片204還通過接觸焊盤216和焊接凸點214與基底202連接。在實施例中， 第一和第二無線使能功能塊210和212可用于代替成對的接觸焊盤216和焊接凸點214、從而改進(jìn)封裝200的性能。但是，可能使用接觸焊盤216和焊接凸點214通信某些信號。例如，接觸焊盤216和焊接凸點214可用于向IC晶片204傳送接地和/或電源電壓。通道208與天線層206連接。通道208可以是通過硅晶片(例如，晶片204)形成的完全的硅通道。如圖2中所示，通道208b連接無線使能功能塊210d與天線層206。在實施例中，通道208b連接第一無線使能功能塊210d與天線層206。額外地或替代性地，通道208b可連接第一無線使能功能塊210d與包含在天線層206中的其他組件。通道208a 連接天線層206與IC晶片204中的電路塊。與通道208a連接的電路塊可控制天線層206 中包含的天線的運行。例如，通道208a可將天線連接至IC晶片204中包含的放大器(例如，功率放大器或低噪聲放大器)，所述放大器用于產(chǎn)生將由天線發(fā)射的信號和/或放大天線所接收的信號。圖3是根據(jù)本發(fā)明實施例的IC封裝300的截面圖。IC封裝300與IC封裝200基本相似，除了用第二基底302代替天線層206。第二基底302包含絕緣體304和可蝕刻金屬層306。絕緣體304可以是本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的各種絕緣或非導(dǎo)電材料的其中一種， 例如FR-4?？梢晕g刻可蝕刻金屬層306從而形成組件，例如天線層206中包含的那些。例如，可以蝕刻可蝕刻金屬層306從而形成天線和/或無源器件。在實施例中，通過使天線在絕緣材料(例如絕緣層304)的頂部形成、代替在IC晶片(例如IC晶片204)的頂部形成 (如圖2中所示)，增強天線的輻射效率。在另一實施例中，第二基底302可包含多個金屬層。例如，第二基底302可包含兩個或四個金屬層(包含可蝕刻金屬層306)。圖4是根據(jù)本發(fā)明實施例的無線使能功能塊400的示意圖。無線使能功能塊400 包含天線402和用于饋給(feed)天線402的通道40 和404b (統(tǒng)稱為“404”)。在實施例中，至少一個通道404是穿透硅通道(through silicon via)。能夠以與無線使能功能塊 400基本相似的方式實現(xiàn)第一和第二無線使能功能塊210和212的一個或多個。如圖4中所示，天線402是偶極天線?？梢允褂闷渌线m的天線配置。在實施例中，天線402可由金屬跡線或?qū)有纬伞＠?，可使用IC晶片204的底面或基底202的頂面的跡線形成偶極天線402。天線402可用于在某一頻率范圍內(nèi)(例如，通過調(diào)節(jié)天線302的尺寸)運行。在其他實施例中，天線402可以是其他類型的天線。例如，天線402可以是具有方形或矩形形狀的貼片天線。通道404可采用或接收來自天線的單端信號(single-ended signal)或差分信號 (differential signal.)、用于驅(qū)動天線。例如，通道40 可與信號層連接、而通道404b 可與提供單端信號的電路塊或其他元件連接。替代性地，每個通道404可與提供差分信號的分量的電路塊或其他元件連接。如圖4中所示，無線使能功能塊400選擇性地包含收發(fā)器406。在該實施例中，由收發(fā)器406饋給天線402。收發(fā)器406可使用晶片或基底的通道與信號層連接。在一實施例中，收發(fā)器406還與電路塊或部分PCB(例如，通過基底)連接。收發(fā)器406可用于發(fā)射接收自電路塊或PCB的信號、和/或向電路塊或PCB傳送接收的信號。在其他實施例中，收發(fā)器406可具有額外的功能。例如，收發(fā)器306可能能夠執(zhí)行信號處理任務(wù)，例如調(diào)制和解調(diào)。圖5和6是分別根據(jù)本發(fā)明實施例的天線層500和600的俯視圖。天線層500包含偶極天線502、不平衡轉(zhuǎn)換器(Balun) 506、線圈(Coil) 508、電容器510、電感器512和信號層514。在實施例中，可以從IC晶片或絕緣層的頂面上的信號跡線形成天線層500的一個或多個元件。偶極天線502包含一對金屬條，每個所述金屬條由各自的通道50 和504b饋給。 在實施例中，通道50 和504b可與參照圖2描述的通道208基本相似。如圖5中所示，偶極天線502靠近天線層500的邊緣。將偶極天線502置于靠近邊緣處，因為IC晶片和/或絕緣層將吸收較少的輻射，可以導(dǎo)致增加的輻射效率。不平衡轉(zhuǎn)換器506、電容器510和電感器512中的一個或多個可在導(dǎo)電層或IC晶片表面的頂面形成為金屬跡線。天線層500還包含信號層514。信號層514可用于連接電源、接地或其他信號。在其他實施例中，在天線層500中可實現(xiàn)額外的無源組件。與參照圖 2描述的通道208相似的通道可用于將IC晶片中的電路塊或無線使能功能塊連接至不平衡轉(zhuǎn)換器506、線圈508、電容器510、電感器512和信號層514中一個或多個。圖6是天線層600的俯視圖，其與天線層500相似。天線層600包含貼片天線602、
7信號層606和608、不平衡轉(zhuǎn)換器506、電容器510、電感器512和線圈508?？墒褂猛ǖ?04 饋給貼片天線602。通道604可與IC晶片的電路塊連接、或可與無線使能功能塊連接。信號層606和608可與相同或不同電位連接。例如，信號層606可與電源層連接、信號層608 可與接地層連接。如圖5和6中所示，信號層514、606和608是方形或矩形。在其他實施例中，信號層514、606和608可以是其他形狀(例如，梯形的、L型等)。在實施例中，圖2中顯示的天線層206可具有天線層500、天線層600或其結(jié)合的某些或全部特征。另外，盡管已經(jīng)參照實施例描述圖5和6，在所述實施例中它們是天線層的俯視圖。在另一實施例中，圖5或圖6的至少一個可以是可蝕刻金屬層的俯視圖。例如， 圖3中顯示的可蝕刻金屬層306可具有天線層500、天線層600或其結(jié)合的特征。圖7是根據(jù)本發(fā)明實施例的IC封裝700的截面圖。IC封裝700包含許多與IC 封裝200相同的組件。例如，IC封裝700包含基底202、IC晶片204、第一無線使能功能塊 210、第二無線使能功能塊212、焊接凸點214和接觸焊盤216。IC封裝700額外包含天線 702和饋給(feed) 708。圖8是根據(jù)本發(fā)明實施例的天線702的俯視圖。天線702包含輻射縫(radiating slot) 704。圖8顯示天線702的特征的示例性尺寸。在圖8的實施例中，輻射縫704可以是大約2mm長。在實施例中，上述輻射縫704可以是在大約60GHz頻率的電磁輻射的有效輻射體。在替代性實施例中，輻射縫704可具有不同尺寸并仍然用作在大約60GHz頻率的電磁輻射的輻射體。例如，縫704可以是3mm長并仍然用于在大約60GHz頻率的電磁輻射。通常地，隨著輻射縫704的尺寸偏離共振尺寸， 輻射縫704將執(zhí)行得更差。輻射縫704由饋給708饋給。如圖7中所示，饋給708包含通道712和接觸盤710。 通道712可與IC晶片204的電路塊(例如，低噪聲放大器或功率放大器)連接。圖8中的虛線框80 和802b顯示與饋給708相似的饋給的示例性位置。因此，可以使用位于輻射縫704的相對兩側(cè)的饋給來饋給輻射縫704。在實施例中，一對饋給708可用于向輻射縫 704傳送差分信號、或接收在輻射縫704接收的差分信號。在實施例中，天線702還具有散熱器的功能。例如，天線702可用于從IC晶片204 向基底202散布熱量。如圖7中所示，天線702通過粘合劑706與基底202連接。在實施例中，粘合劑706是導(dǎo)熱的、從而天線702可將熱量從IC晶片204傳導(dǎo)至基底202。圖9是根據(jù)本發(fā)明實施例的IC封裝900的截面圖。IC封裝900與IC封裝700基本相似，除了采用天線902代替天線702。圖10是具有示例性尺寸的天線902的俯視圖。與包含通過其部分的縫的天線702不同，在天線902中，縫904完全延伸通過天線 902。因此，縫904將天線902劃分為第一部分906和第二部分908。在實施例中，第二部分908與饋給708連接。因此，第二部分908可以是相對于第一部分906驅(qū)動輻射的縫隙天線。如圖10中所示，天線902可以是大約4mmX4mm。在上述實施例中，第二部分908 可以是在大約10-20GHZ頻率范圍的電磁輻射的有效輻射體。圖10中的虛線框1002是饋給708的示例性位置的指示。如圖10中所示，天線902還可包含可選擇的連接元件1004。在實施例中，可選擇的連接元件1004電連接第一部分906與第二部分908。圖11是根據(jù)本發(fā)明實施例的IC封裝1100的截面圖。IC封裝1100與IC封裝700基本相似，除了采用波導(dǎo)管結(jié)構(gòu)1102代替702。圖12是波導(dǎo)管結(jié)構(gòu)1102的俯視圖。如圖11中所示，IC封裝1100包含一對饋給708a和708b。與IC封裝700和900 中饋給708用于饋給另一輻射結(jié)構(gòu)不同，在IC封裝1100的實施例中，饋給708a和708b它們自身是輻射體。波導(dǎo)管110 和1104b分別用于引導(dǎo)輻射體708a和708b產(chǎn)生的輻射?？蛇x擇性地采用非導(dǎo)電材料1106a和1108a填充波導(dǎo)管1104a。相似地，可選擇性地采用非導(dǎo)電材料1106b和1108b填充波導(dǎo)管1104b。非導(dǎo)電材料1106a、1106b、1108a和 1108b可用于增強波導(dǎo)管1104a和1104b的引導(dǎo)性能。例如，非導(dǎo)電材料1106a和1106b可以是相對地高非導(dǎo)電材料(例如，分別與非導(dǎo)電材料1108a和1108b比較)。在上述實施例中，波導(dǎo)管110 和1104b可分別充當(dāng)饋給708a和708b產(chǎn)生的輻射的光纖波導(dǎo)管。如圖12中所示，波導(dǎo)管結(jié)構(gòu)1102可具有額外的波導(dǎo)管120 和1204b。波導(dǎo)管 1104a、1104b、1204a 和 1204b 可以是圓形。例如，波導(dǎo)管 1104a、1104b、1204a 和 1204b 可具有Imm的直徑。在上述實施例中，波導(dǎo)管ll(Ma、1104b、12(Ma和1204b可以是具有大約 200GHz頻率的電磁輻射的有效波導(dǎo)管?？煞謩e采用非導(dǎo)電材料1206a和1208a以及非導(dǎo)電材料1206b和1208b填充波導(dǎo)管1204a和1204b。在實施例中，非導(dǎo)電材料1206a、1206b、1208a和1208b可分別與非導(dǎo)電材料 1106a、1106b、1108a 和 1108b 基本相似。圖13是根據(jù)本發(fā)明實施例的提供組裝IC器件的示例性步驟的流程圖1300。基于以下說明，其他結(jié)構(gòu)和操作實施例對相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)人員而言將是顯而易見的。圖13中顯示的步驟未必以顯示的順序發(fā)生。以下詳細(xì)描述圖1300的步驟。在步驟1302，提供IC晶片。例如，提供圖2中所示的IC晶片204。在步驟1304，在IC晶片上提供天線。例如，在IC晶片204上分別提供在圖2和3 中所示的天線層206和可蝕刻金屬層306。在另一實例中，還提供在圖7和9中所示的具有散熱器功能的天線702和902。在另一實施例中，在圖11中，饋給708a和708b用作產(chǎn)生輻射的輻射體，使用波導(dǎo)管結(jié)構(gòu)1102引導(dǎo)所述輻射。在圖7、9和11的實施例中，天線或波導(dǎo)管連接于基底。在實施例中，在組裝過程之前，可以形成天線，然后在組裝過程中將天線與IC晶片(以及在一些實施例中與基底)連接。例如，在組裝過程之前，可以形成圖7、9和11中的天線或波導(dǎo)管結(jié)構(gòu)，然后在組裝過程中將天線或波導(dǎo)管結(jié)構(gòu)與IC晶片和基底連接。在步驟1306，在IC晶片上形成第一無線使能功能塊。例如，在圖2中在IC晶片 204上可形成第一無線使能功能塊210。在步驟1308，將IC晶片與基底連接。例如，在圖2中，IC晶片204通過粘合劑203 與基底202連接。結(jié)論雖然以上描述了本發(fā)明的各種實施例，應(yīng)當(dāng)理解，其目的僅在于舉例說明，而沒有限制性。本領(lǐng)域的技術(shù)人員知悉，在不離開本發(fā)明的精神和范圍情況下，在形式上和細(xì)節(jié)上還可做各種的改變。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍不當(dāng)僅局限于以上描述的任一實施例，而應(yīng)該依照權(quán)利要求及其等同來限定。相關(guān)申請的交叉引用本申請要求申請日為2010年10月7日、申請?zhí)朜o. 61/390，810的美國臨時專利申請的優(yōu)先權(quán)，該專利申請在這里全文引用，以供參考。
權(quán)利要求
1.一種集成電路(IC)器件，其特征在于，包括基底；與所述基底連接的IC晶片；與所述IC晶片連接的天線，其中所述天線用于與連接于另一器件的另一天線通信；以及與所述IC晶片連接的第一無線使能功能塊，其中所述第一無線使能功能塊用于與所述連接于基底的第二無線使能功能塊通信。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC器件，其特征在于，所述天線包括偶極天線和貼片天線中的至少一個。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC器件，其特征在于，所述IC器件還包括包含所述天線的天線層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的IC器件，其特征在于，所述天線層包括電容器、電感器、線圈和不平衡轉(zhuǎn)換器中的至少一個。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的IC器件，其特征在于，所述天線層包括與所述IC晶片連接的金屬帶。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的IC器件，其特征在于，所述天線層包括與基底連接的可蝕刻
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC器件，其特征在于，所述天線從所述IC晶片向所述基底散布熱量。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC器件，其特征在于，所述天線與所述基底連接。
9.一種制造集成電路(IC)器件的方法，其特征在于，所述方法包括 提供IC晶片；在所述IC晶片上形成天線，其中所述天線用于與連接于另一器件的另一天線通信； 在所述IC晶片上形成第一無線使能功能塊；以及連接所述IC晶片與基底，其中所述第一無線使能功能塊用于與連接于所述基底的第二無線使能功能塊通信。
10.一種集成電路(IC)器件，其特征在于，包括 IC晶片；以及與所述IC晶片連接的天線，其中所述天線用于與連接于另一器件的另一天線通信。
全文摘要
本發(fā)明涉及集成電路器件及其制造方法。集成電路(IC)器件設(shè)置包含基底、與基底連接的IC晶片、與IC晶片連接的天線、以及與IC晶片連接的第一無線使能功能塊。第一無線使能功能塊用于與連接于基底的第二無線使能功能塊通信。天線用于與連接于另一器件的另一天線通信。
文檔編號H01L21/98GK102446906SQ201110301699
公開日2012年5月9日 申請日期2011年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月7日
發(fā)明者吉澤斯·卡斯塔涅達(dá), 薩姆·齊昆·趙, 邁克爾·伯爾斯, 阿瑪?shù)吕灼潯ち_弗戈蘭, 阿里亞·貝扎特 申請人:美國博通公司