專利名稱：有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法，更具體地涉及一種能夠在有機發(fā)光顯示裝置的制造期間減少掩膜使用的數目并且能夠糾正在焊盤區(qū)中涂覆有機層過程中的缺陷的有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
背景技術：
有機發(fā)光顯示裝置被制造在基板上，基板上形成有包括薄膜晶體管(TFT)、電容器以及連接TFT和電容器的布線的圖案。一般而言，包括TFT等的精細結構圖案通過使用印刷有精細結構圖案的掩膜轉移到陣列基板，從而能夠圖案化在其上制造有機發(fā)光顯示裝置的基板。使用掩膜的圖案轉移一般利用光刻方法而執(zhí)行。根據光刻方法，光刻膠均勻地施加于待形成圖案的基板上。光刻膠通過使用諸如步進機之類的光刻設備而曝光，并且感光光刻膠被顯影(在正性光刻膠的情況下)。此外，在光刻膠顯影之后，剩余的光刻膠用作刻蝕圖案的掩膜，然后去除剩余的光刻膠。如上所述，在通過使用掩膜轉移圖案的過程中，必須制備具有所需圖案的掩膜，因此隨著更多的操作利用掩膜來執(zhí)行，制造掩膜的成本會增加。因此，為了解決這個問題，需要能夠減少掩膜使用的數目的結構。作為減少掩膜使用的數目的方法，已經考慮了用于形成充當像素限定層的、具有 3ym或更大的大厚度的有機層的方案，以避免對形成獨立的間隔層(spacer)的需要。然而，在這個方案中，厚的有機層上的應力增加，使得特別是在作為有機層的端部的焊盤區(qū)中，不能準確地執(zhí)行涂覆，結果導致了剝離現象(lifting phenomenon)。因此，需要能夠減少掩膜使用的數目并避免由于有機層涂覆缺陷而導致的問題的方案。

發(fā)明內容
本發(fā)明提供一種有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法，從而可以減少使用掩膜進行圖案化的工藝數目，并且可以解決焊盤區(qū)中的有機層涂覆缺陷問題。根據本發(fā)明的一個方面，一種有機發(fā)光顯示裝置包括包括有機發(fā)光元件、薄膜晶體管(TFT)和電容器的發(fā)光區(qū)；和包括與所述發(fā)光區(qū)的布線連接的焊盤區(qū)的非發(fā)光區(qū)。所述焊盤區(qū)包括包括形成在基板上以突起的多個突起部分的突起層；包括焊盤下電極和焊盤上電極的焊盤電極，所述焊盤下電極包括沿所述突起層的突起輪廓形成的突起部分和沿所述基板形成的平坦部分，并且所述焊盤上電極形成在所述焊盤下電極的平坦部分上；形成在所述焊盤上電極上的源/漏電極層；形成在所述源/漏電極層上的有機層；和形成在所述焊盤下電極的突起部分和所述有機層上的對電極層，所述對電極層在所述突起部分上跟隨所述突起層的突起輪廓。緩沖層可以形成在所述基板和所述突起層之間。柵絕緣層可以形成在所述突起層和所述焊盤下電極之間，并且層間絕緣層可以形成在所述焊盤上電極和所述源/漏電極層之間。所述有機層可以形成以覆蓋所述源/漏電極層和所述焊盤上電極兩者。所述有機層可以形成以暴露所述源/漏電極層和焊盤上電極的部分，并且所述對電極層可以形成以接觸所述源/漏電極層和所述焊盤上電極的被暴露的部分。所述TFT可以包括形成在與所述突起層相同的層上的有源層、形成在與所述焊盤電極相同的層上的柵電極，和由與所述源/漏電極層相同的層形成的源/漏電極。所述有機發(fā)光元件可以包括形成在與所述焊盤電極相同的層上的像素電極、由與所述對電極層相同的層形成的對電極，和介于所述像素電極和所述對電極之間的發(fā)光層。所述電容器可以包括形成在與所述突起層相同的層上的電容器下電極、形成在與所述焊盤電極相同的層上的電容器上電極，和介于所述電容器下電極和所述電容器上電極之間的柵絕緣層。根據本發(fā)明的另一方面，一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法包括在基板上形成薄膜晶體管(TFT)的有源層、電容器的電容器下電極和焊盤區(qū)的突起層；在所述有源層上形成所述TFT的柵電極，在所述基板上形成有機發(fā)光元件的像素電極，在所述電容器下電極上形成所述電容器的電容器上電極，并且在所述突起層上形成所述焊盤區(qū)的焊盤電極； 形成包括用于分別暴露所述有源層、所述像素電極和所述電容器上電極的部分的開口的層間絕緣層，所述層間絕緣層也形成在所述焊盤區(qū)的所述焊盤電極上；形成接觸所述有源層和所述像素電極的被暴露部分的源/漏電極，并且在所述焊盤電極和所述層間絕緣層上布置源/漏電極層；形成暴露部分所述像素電極的部分并覆蓋所述TFT的源/漏電極、所述電容器的電容器上電極和所述焊盤區(qū)的源/漏電極層的有機層；形成接觸所述像素電極的被暴露部分的發(fā)光層；并且在所述有機層上形成對電極以面對所述像素電極，其中所述發(fā)光層介于所述對電極和所述像素電極之間，并且沿所述焊盤區(qū)中的所述突起層的突起輪廓形成對電極層。所述方法可以進一步包括在所述基板上形成緩沖層。所述方法可以進一步包括在所述有源層、所述電容器下電極和所述突起層上形成柵絕緣層。 所述焊盤電極可以包括焊盤下電極和焊盤上電極，所述焊盤下電極包括沿所述突起層的突起輪廓形成的突起部分和沿所述基板形成的平坦部分，并且所述焊盤上電極形成在所述焊盤下電極的平坦部分上。所述有機層可以形成以覆蓋所述源/漏電極層和所述焊盤上電極兩者。所述有機層可以形成以暴露所述源/漏電極層和所述焊盤上電極的部分，并且所述對電極層可以形成以接觸所述源/漏電極層和所述焊盤上電極的被暴露部分。


由于通過參考以下結合附圖考慮時的詳細描述，本發(fā)明變得更好理解，因此本發(fā)明的更完整理解以及伴隨本發(fā)明的諸多優(yōu)點會變得更容易明顯，在附圖中相同的附圖標記指代相同或相似的部件，附圖中圖1是根據本發(fā)明示例性實施例的有機發(fā)光顯示裝置的平面圖；圖2是示意性示出圖1所示的有機發(fā)光器件的一部分的截面圖；圖3A至圖3J是示意性示出根據本發(fā)明示例性實施例的制造圖2所示的有機發(fā)光顯示裝置的方法的截面圖；以及圖4是示出圖2所示的有機發(fā)光顯示裝置的改進的平面圖。
具體實施例方式下文中將參照附圖詳細描述本發(fā)明的示例性實施例。相同的附圖標記在整個說明書中指代相同的元件。當對已知的功能和結構的詳細描述會不必要地使本發(fā)明的主題模糊時，其將會被省略。為了清晰起見，在用于描述本發(fā)明的實施例的附圖中，層或區(qū)域的厚度被放大?？梢岳斫?，當諸如層、膜、區(qū)域或基板之類的元件被稱作位于另一元件“上”時，該元件可以“直接”位于另一元件“上”，或者也可以存在中間元件。圖1是示意性示出根據本發(fā)明示例性實施例的有機發(fā)光顯示裝置的結構的平面圖；并且圖2是示意性示出圖1所示的有機發(fā)光器件的一部分的截面圖。有機發(fā)光顯示裝置1包括包括薄膜晶體管(TFT)和有機發(fā)光元件EL的第一基板 10和通過密封被粘結至第一基板10的第二基板12。TFT、有機發(fā)光元件EL和電容器Cst等可以形成在第一基板10上。第一基板10 可以是低溫多晶硅(LTPQ基板、玻璃基板、塑料基板或不銹鋼(SUQ基板等。第二基板12可以是布置于第一基板10上以保護被提供在第一基板10上的TFT 和發(fā)光像素免受外部濕氣或空氣的封裝基板。第二基板12被設置為面對第一基板10，并且第一基板10和第二基板12通過以離第一基板10的邊緣一段距離布置的密封件14相互粘結。第一基板10包括發(fā)射光的發(fā)光區(qū)DA和環(huán)繞發(fā)光區(qū)DA的非發(fā)光區(qū)NDA。根據本發(fā)明的實施例，密封件14布置在位于發(fā)光區(qū)DA外部的非發(fā)光區(qū)DNA中，從而將第一基板10 和第二基板12相互粘結。如上所述，在第一基板10的發(fā)光區(qū)DA中，形成有機發(fā)光元件EL、被配置為驅動有機發(fā)光元件EL的TFT，和電連接至有機發(fā)光元件EL和TFT的布線。非發(fā)光區(qū)NDA可以包括焊盤區(qū)PA，從發(fā)光區(qū)DA的布線延伸的焊盤電極60位于焊盤區(qū)PA中。圖2示意性示出發(fā)光區(qū)DA和如圖1所示包括在非發(fā)光區(qū)NDA中的焊盤區(qū)PA。進一步參見圖2，根據本發(fā)明實施例的有機發(fā)光顯示裝置1的第一基板10包括像素區(qū)101、溝道區(qū)102、存儲區(qū)103和焊盤區(qū)PA以及形成在這些區(qū)域上的緩沖層13。溝道區(qū)102包括作為驅動元件的TFT。TFT包括有源層21、柵電極20、源電極27 和漏電極四。柵電極20包括柵下電極23和柵上電極25。柵下電極23由透明導電材料形成。在柵電極20和有源層21之間，形成用于提供柵電極20和有源層21之間的絕緣的柵絕緣層15。在有源層21兩側的端部，形成摻雜有高密度雜質并且分別連接至源電極27和漏電極四的源區(qū)21a和漏區(qū)21b。像素區(qū)101包括有機發(fā)光元件EL。有機發(fā)光元件EL包括像素電極31、對電極35 以及介于像素電極31和對電極35之間的發(fā)光層33。像素電極31由透明導電材料形成，并且與TFT的柵電極20同時形成。存儲區(qū)103包括電容器Cst。電容器Cst包括電容器下電極41和電容器上電極 43，柵絕緣層15介于電容器下電極41和電容器上電極43之間。電容器上電極43與TFT 的柵電極20和有機發(fā)光元件EL的像素電極31同時形成。焊盤區(qū)PA包括焊盤電極60，焊盤電極60包括焊盤下電極62和焊盤上電極63。焊盤下電極62可以由與像素電極31、柵下電極23和電容器上電極43相同的材料形成并形成在同一層上。焊盤上電極63可以由與柵上電極25相同的材料形成并形成在同一層上。附圖標記65指代由與TFT的源電極27和漏電極四相同的層形成的源/漏電極層。在第一基板10上的緩沖層13和柵絕緣層15之間，形成突起層61，其中多個突起部分61a、61b和 61c突起。因此，焊盤區(qū)PA包括存在突起層61的突起部分和存在焊盤上電極63的平坦部分。因為突起部分以這樣的方式形成，所以在形成對電極層64時提供了大的接觸面積，從而允許很好地執(zhí)行涂覆并且防止對電極層64下的有機層55被剝離。附圖標記51指代層間絕緣層，并且附圖標記55指代充當像素限定層(PDL)的有機層。按照慣例，有機層55首先形成，然后以同樣的方式在有機層55上進一步形成由與有機層陽相同材料形成的間隔層。然而，獨立的間隔層的形成意味著需要兩個光刻工藝來形成有機層，由此增加了制造成本和制造時間。為了解決這個問題，有機層55被形成為具有 3μπι或更大的大厚度。然而，如果有機層55形成以具有大的厚度，則涂覆可能被不正確地執(zhí)行，并且有機層55上可能會發(fā)生剝離現象，特別是在有機層55端部處的焊盤電極60上可能會發(fā)生剝離現象。為了解決上述問題，對電極層64通過利用如上所述的突起層61形成突起部分而堅固地涂覆在焊盤區(qū)PA中，使得對電極層64下的有機層55被保持而不會剝離。以這種方法，簡化了制造有機發(fā)光顯示裝置1的工藝，并且同時提高了焊盤電極 60和有機層55之間的粘合力，從而防止了缺陷。圖3Α至圖3J示意性示出根據本發(fā)明示例性實施例的制造圖2所示的有機發(fā)光顯示裝置的方法的截面圖。如圖3Α所示，緩沖層13形成在第一基板10上。更具體地，第一基板10可以由具有S^2作為其主要成分的透明玻璃材料形成。然而，第一基板 ο也可以由諸如透明塑料材料或金屬材料之類的各種材料形成，而并不限于透明玻璃材料。緩沖層13可以選擇性地形成在第一基板10上，以便防止雜質離子和濕氣或者外部空氣滲入第一基板10，并且平坦化第一基板10的表面。緩沖層13可以通過各種沉積方法被沉積，例如通過等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)方法、常壓CVD(APCVD)方法和使用SiA和/或SiNx的低壓CVD(LPCVD)方法被沉積。如圖;3Β所示，TFT的有源層21、電容器Cst的電容器下電極41和焊盤區(qū)PA的突起層61形成在緩沖層13上。更具體地，非晶硅沉積在緩沖層13上并且隨后結晶，從而形成多晶硅層(未示出)。非晶硅可以通過利用諸如快速熱退火(RTA)方法、固相結晶(SPC) 方法、準分子激光退火(ELA)方法、金屬誘導結晶(MIC)方法、金屬誘導橫向結晶(MILC)方法和連續(xù)橫向固化(SLQ方法之類的各種方法來結晶。這樣，通過利用第一掩膜(未示出) 的掩膜工藝，多晶硅層被圖案化成TFT的有源層21、電容器Cst的電容器下電極41和焊盤區(qū)PA的突起層61。如圖3C所示，在形成有源層21、電容器下電極41和突起層61的第一基板10的整個表面上，順序沉積柵絕緣層15、第一導電層17和第二導電層19。柵絕緣層15可以通過利用PECVD方法、APCVD方法或LPCVD方法被沉積為無機絕緣層，例如SiNx或SiOx。柵絕緣層15介于TFT的有源層21和柵電極20 (參見圖3D)之間以充當絕緣層，并且介于電容器上電極43和電容器下電極41之間以充當電容器Cst的介電層。在焊盤區(qū)PA中，突起層61沿突起輪廓被覆蓋。第一導電層17可以包括從諸如ΙΤ0、IZO、ZnO和In2O3之類的透明材料中選擇的一種或多種材料。第一導電層17隨后充當像素電極31、柵下電極23、電容器上電極43和焊盤下電極62。第二導電層19 可以包括從 Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、 W、MoW和Al/Cu中選擇的一種或多種材料。第二導電層19隨后被圖案化成柵上電極25和焊盤上電極63。進一步如3D所示，用于像素電極31的電極圖案30、柵電極20、用于電容器上電極 43的電極圖案40和焊盤電極60形成在第一基板10上。為了更具體些，第一導電層17和第二導電層19通過利用第二掩膜(未示出)的掩膜工藝被圖案化。在這種狀態(tài)下，在溝道區(qū)102中，柵電極20形成在有源層21上，柵電極20包括由第一導電層17的一部分形成的柵下電極23和由第二導電層19的一部分形成的柵上電極25。柵電極20對應于有源層21的中央，并且通過利用柵電極20作為掩膜，將η型或 P型雜質注入有源層21中，由此在有源層21的對應于柵電極20兩側的兩側端部形成源區(qū) 21a和漏區(qū)21b，并且在源區(qū)21a和漏區(qū)21b之間形成溝道區(qū)。用于形成像素電極31的電極圖案30形成在像素區(qū)101中，并且用于形成電容器上電極43的電極圖案40形成在存儲區(qū)103中的電容器下電極41上。在焊盤區(qū)PA中，焊盤電極60形成在柵絕緣層15上。焊盤電極60包括由第一導電層17的一部分形成的焊盤下電極62和由第二導電層19的一部分形成的焊盤上電極63。 焊盤下電極62沿突起層61的突起輪廓形成突起部分。接下來，如圖3E所示，層間絕緣層51被沉積在第一基板10的整個表面上。層間絕緣層51通過利用旋涂等方法，由從聚酰亞胺、聚酰胺、丙烯酸樹脂、苯并環(huán)丁烯和酚醛樹脂所組成的組中選擇的一種或多種有機絕緣層而形成。除了有機絕緣材料， 層間絕緣層51也可以由無機絕緣材料形成，并且還可以通過交替有機絕緣材料和無機絕緣材料而形成。接下來，如圖3F所示，在層間絕緣層51中，形成暴露電極圖案30和40的部分以及源區(qū)21a和漏區(qū)21b的部分的開口 H1、H2、H3、H4*H5。開口 HI、H2、H3、H4和H5通過利用第三掩膜(未示出)的掩膜工藝進行圖案化而形成。在這種狀態(tài)下，焊盤區(qū)PA的層間絕緣層51也被圖案化，如圖3F所示。
這里，開口 Hl和H2暴露源區(qū)21a和漏區(qū)21b的部分，開口 H3和H4暴露第二導電層19的形成電極圖案30上部的部分，并且開口 H5暴露第二導電層19的形成電極圖案40 上部的部分。接下來，如圖3G所示，第三導電層53沉積在第一基板10的整個表面上以覆蓋層間絕緣層51。第三導電層53可以由但不限于形成第一導電層17或第二導電層19的導電材料形成，或者由其它各種導電材料形成。導電材料沉積足夠大的厚度以填充開口 HI、H2、H3、 H4 禾口 H5。如圖3H所示，形成源電極27、漏電極四、像素電極31、電容器上電極43和焊盤區(qū) PA中的源/漏電極層65。更具體地，第三導電層53通過利用第四掩膜(未示出)的掩膜工藝被圖案化，從而形成源電極27和漏電極四以及源/漏電極層65。在這種狀態(tài)下，源電極27或漏電極四(在當前實施例中為源電極27)被形成為在待形成像素電極31的電極圖案30的第二導電層19上部的邊緣處通過開口 H3連接至像素電極31。在源電極27和漏電極四形成之后，像素電極31和電容器上電極43通過額外的刻蝕而形成。換句話說，通過從電極圖案30中去除由開口 H4暴露的第二導電層19上部， 形成像素電極31。然后，從電極圖案40中去除由開口 H5暴露的第二導電層19上部，從而形成電容器上電極43。因此，像素電極31、柵下電極23、電容器上電極43和焊盤下電極62形成在同一層上，并且柵上電極25和焊盤上電極63形成在同一層上。 接下來，如圖31所示，通過開口 H5注入η型或ρ型雜質以摻雜電容器下電極41。如圖3J所示，有機層55形成在第一基板10上以充當PDL。更具體地，有機層55 沉積在其上形成有像素電極31、源電極27、漏電極29、電容器上電極43和源/漏電極層65 的第一基板10的整個表面上。有機層55可以通過旋涂等方法，由從聚酰亞胺、聚酰胺、丙烯酸樹脂、苯并環(huán)丁烯和酚醛樹脂所組成的組中選擇的一種或多種有機絕緣材料而形成。有機層55通過利用第五掩膜(未示出)的掩膜工藝被圖案化，以便形成用于暴露像素電極31的中央部分的開口 Η6，從而限定像素。此后，如圖2所示，在圖3J的暴露像素電極31的開口 Η6中形成發(fā)光層33，并且對電極35形成在第一基板10的整個表面上。發(fā)光層33包括有機發(fā)射層(EML)，并且可以進一步包括空穴傳輸層(HTL)、空穴注入層(HIL)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)中的一個或多個。對電極35沉積在第一基板10的整個表面上以形成為公共電極。在根據本發(fā)明當前實施例的有機發(fā)光顯示裝置1中，像素電極31用作陽極，并且對電極35用作陰極。然而， 不必說，像素電極31和對電極35的極性可互換。如之前所述，在焊盤區(qū)PA中，對電極層64 沿突起層61的突起輪廓由與對電極35相同的層形成。在這種情況下，對電極層64可以以大的接觸面積粘結到突起層61上的焊盤下電極62，從而堅固地支撐形成在對電極層64下的有機層55。圖4是示出圖2所示的有機發(fā)光顯示裝置的改進的平面圖。
在當前的實施例中，有機層55被形成以覆蓋焊盤區(qū)PA中的源/漏電極層65和焊盤上電極63兩者。然而可以改進該結構，使得如圖4所示，有機層55被形成以暴露源/漏電極層65和焊盤上電極63的部分，并且使得對電極層64接觸被暴露的部分。在這種情況下，對電極層64的接觸面積增加，從而更有力地抑制有機層55的剝離。從前面的描述中可以理解，利用根據本發(fā)明實施例的有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法，僅僅使用五個掩膜就能完成制造，從而在掩膜使用的數目減少的情況下降低成本并簡化制造工藝。另外，由焊盤區(qū)中的有機層涂覆缺陷所導致的問題也能得以解決。盡管參考本發(fā)明的示例性實施例具體示出并描述了本發(fā)明，但提供這些的目的在于圖示，并且本領域普通技術人員會理解，各種改變和其它等同實施例能夠從本發(fā)明中得出。因此，本發(fā)明的真正的技術范圍應當由所附權利要求的技術精神來限定。
權利要求
1.一種有機發(fā)光顯示裝置，包括發(fā)光區(qū)，包括有機發(fā)光元件、薄膜晶體管和電容器；和非發(fā)光區(qū)，包括連接至所述發(fā)光區(qū)的布線的焊盤區(qū)； 其中所述焊盤區(qū)包括包括形成在基板上以突起的多個突起部分的突起層；包括焊盤下電極和焊盤上電極的焊盤電極，所述焊盤下電極包括沿所述突起層的突起輪廓形成的突起部分和沿所述基板形成的平坦部分，所述焊盤上電極形成在所述焊盤下電極的平坦部分上；形成在所述焊盤上電極上的源/漏電極層； 形成在所述源/漏電極層上的有機層；和形成在所述焊盤下電極的突起部分上和所述有機層上的對電極層，所述對電極層在所述突起部分上跟隨所述突起層的突起輪廓。
2.如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，進一步包括形成在所述基板和所述突起層之間的緩沖層。
3.如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，進一步包括形成在所述突起層和所述焊盤下電極之間的柵絕緣層，和形成在所述焊盤上電極和所述源/漏電極層之間的層間絕緣層。
4.如權利要求1至3中任一項所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述有機層被形成以覆蓋所述源/漏電極層和所述焊盤上電極兩者。
5.如權利要求1至3中任一項所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述有機層被形成以暴露所述源/漏電極層和所述焊盤上電極的部分，并且所述對電極層被形成以接觸所述源/ 漏電極層和所述焊盤上電極的被暴露的部分。
6.如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述薄膜晶體管包括形成在與所述突起層相同的層上的有源層、形成在與所述焊盤電極相同的層上的柵電極，和由與所述源/ 漏電極層相同的層形成的源/漏電極。
7.如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述有機發(fā)光元件包括形成在與所述焊盤電極相同的層上的像素電極、由與所述對電極層相同的層形成的對電極，和介于所述像素電極和所述對電極之間的發(fā)光層。
8.如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述電容器包括形成在與所述突起層相同的層上的電容器下電極、形成在與所述焊盤電極相同的層上的電容器上電極，和介于所述電容器下電極和所述電容器上電極之間的柵絕緣層。
9.一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括以下步驟在基板上形成薄膜晶體管的有源層、電容器的電容器下電極和焊盤區(qū)的突起層； 在所述有源層上形成所述薄膜晶體管的柵電極，在所述基板上形成有機發(fā)光元件的像素電極，在所述電容器下電極上形成所述電容器的電容器上電極，并且在所述突起層上形成所述焊盤區(qū)的焊盤電極；形成包括用于分別暴露所述有源層、所述像素電極和所述電容器上電極的部分的開口的層間絕緣層，所述層間絕緣層形成在所述焊盤區(qū)的焊盤電極上；并且形成所述薄膜晶體管的接觸所述有源層和所述像素電極的被暴露部分的源/漏電極，并且在所述焊盤電極和所述層間絕緣層上形成所述焊盤區(qū)的源/漏電極層；形成暴露所述像素電極的部分并覆蓋所述薄膜晶體管的源/漏電極、所述電容器的電容器上電極和所述焊盤區(qū)的源/漏電極層的有機層； 形成接觸所述像素電極的被暴露部分的發(fā)光層；并且在所述有機層上形成對電極以面對所述像素電極，其中所述發(fā)光層介于所述對電極和所述像素電極之間，并且沿所述焊盤區(qū)中的所述突起層的突起輪廓形成對電極層。
10.如權利要求9所述的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，進一步包括在所述基板上形成緩沖層的步驟。
11.如權利要求9所述的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，進一步包括在所述有源層、所述電容器下電極和所述突起層上形成柵絕緣層的步驟。
12.如權利要求9至11中任一項所述的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，其中所述焊盤電極包括焊盤下電極和焊盤上電極，所述焊盤下電極包括沿所述突起層的突起輪廓形成的突起部分和沿所述基板形成的平坦部分，并且所述焊盤上電極形成在所述焊盤下電極的平坦部分上。
13.如權利要求12所述的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，其中所述有機層被形成以覆蓋所述源/漏電極層和所述焊盤上電極兩者。
14.如權利要求12所述的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，其中所述有機層被形成以暴露所述源/漏電極層和所述焊盤上電極的部分，并且所述對電極層被形成以接觸所述源/ 漏電極層和所述焊盤上電極的被暴露部分。
全文摘要
在有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法中，有機發(fā)光顯示裝置的焊盤區(qū)包括突起層、焊盤下電極和焊盤上電極，所述突起層包括形成在基板上以突起的多個突起部分，所述焊盤下電極包括沿突起層的突起輪廓形成的突起部分和沿所述基板形成的平坦部分，并且所述焊盤上電極形成在所述焊盤下電極的平坦部分上。源/漏電極層形成在焊盤上電極上，有機層形成在所述源/漏電極層上，并且對電極層形成在所述焊盤下電極的突起部分和所述有機層上。所述對電極層在所述突起部分上跟隨所述突起層的突起輪廓。根據這種結構，成本由于掩膜數目的減少而降低，制造工藝得以簡化，并且所述焊盤區(qū)中的有機層的剝離現象得以解決。
文檔編號H01L21/77GK102487071SQ201110305609
公開日2012年6月6日 申請日期2011年10月11日 優(yōu)先權日2010年12月2日
發(fā)明者樸鐘賢, 樸鮮, 李律圭, 柳春其, 金廣海 申請人:三星移動顯示器株式會社