專利名稱：CoNiP膜的電沉積的制作方法
CoNi P膜的電沉積
背景技術(shù)：
CoNiP是基于鈷的具有相對(duì)較高的垂直矯頑力和最大磁能積((BH)max)的硬磁材料。這使CoNiP可用于數(shù)種應(yīng)用，包括例如微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)應(yīng)用。已在文獻(xiàn)中報(bào)告了具有良好的磁性質(zhì)的薄(約10納米)CoNiP膜，然而較厚的膜(約50微米)已報(bào)告具有較差的磁性質(zhì)。因此，仍然存在對(duì)用于制造具有良好的磁性質(zhì)的較厚的CoNiP膜的方法的需要。

發(fā)明內(nèi)容
一種用于在襯底上形成CoNiP的方法包括以下步驟在電鍍?cè)≈蟹胖靡r底，該電鍍?cè)“婂兘M合物，該電鍍組合物包括鎳源；鈷源；和至少約0. IM的磷源；以及對(duì)該襯底施加沉積電流，其中對(duì)該襯底施加沉積電流將使具有至少約500納米的厚度的CoNiP層被電沉積在該襯底上。一種用于在襯底上形成CoNiP的方法，包括以下步驟在電鍍?cè)≈蟹胖靡r底，該電鍍?cè)“婂兘M合物，該電鍍組合物具有從約3到4的pH并且包括鎳鹽；鈷鹽；以及至少約0. 15M的Na&P02、Iffl2P02、Ca(H2PO2)2、Mg(H2PO2)2、磷酸、或其組合；以及對(duì)該襯底施加至少約8mA/cm2的沉積電流，其中對(duì)該襯底施加沉積電流將使CoNiP在該襯底上被電沉積導(dǎo)至少約5微米的厚度。一種制品，包括襯底；以及襯底上經(jīng)電沉積的CoNiP層，其中該CoNiP具有從約25 微米(μ m)到約65微米的厚度，并且該CoNiP具有至少約0. 2特斯拉(Tesla)的殘余磁通量。通過閱讀下面的詳細(xì)描述，這些以及各種其它的特征和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)顯而易見。


考慮以下聯(lián)系附圖對(duì)本公開的各種實(shí)施例的詳細(xì)描述，能更完整地理解本公開， 在附圖中圖1是對(duì)可在本文中利用的解說性電沉積系統(tǒng)的示意性描繪。圖2是示出在示例3中獲得的M-H磁滯現(xiàn)象的圖表；以及圖3A和;3B是示例4中形成的制品的IOOX放大率(圖3A)和1500X放大率(圖 3B)的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像。這些附圖不一定按比例示出。附圖中使用的相同數(shù)字表示相同部件。然而，將理解在給定附圖中使用數(shù)字來指代部件不旨在限制另一附圖中用同一數(shù)字標(biāo)記的部件。
具體實(shí)施例方式在以下描述中，參照形成本說明書一部分的附圖集，其中通過圖示示出了若干特定實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解的是，可構(gòu)想并可作出其他實(shí)施例，而不背離本公開的范圍或精神。因此，以下詳細(xì)描述不應(yīng)按照限定的意義來理解。除非另外指明，否則在說明書和權(quán)利要求書中使用的表示特征大小、量、以及物理性質(zhì)的所有數(shù)字應(yīng)被理解為在任何情況下均由術(shù)語“約”修飾。因此，除非相反地指明，否則在上述說明書和所附權(quán)利要求中陳述的數(shù)值參數(shù)是近似值，這些近似值可根據(jù)利用本文中公開的示教的本領(lǐng)域技術(shù)人員所尋求獲得的期望性質(zhì)而變化。藉由端點(diǎn)對(duì)數(shù)值范圍的陳述包括歸入在該范圍內(nèi)的所有數(shù)字(例如1到5包括1、 1. 5、2、2. 75,3,3. 80,4以及5)以及該范圍內(nèi)的任何范圍。如本說明書以及所附權(quán)利要求書中所使用的，單數(shù)形式“一”、“某”以及“該”涵蓋具有復(fù)數(shù)引用物的實(shí)施例，除非該內(nèi)容明確地指示并非如此。如本說明書以及所附權(quán)利要求書中所使用的，術(shù)語“或”一般以其包括“和/或”的意義來使用，除非該內(nèi)容明確地指出并非如此?！鞍ā?、“包含”或類似術(shù)語表示涵蓋但不受限于，即表示包括但不排他。本文中公開了在襯底上形成CoNiP的方法和包括具有特定性質(zhì)的CoNiP的襯底。 CoMP可被表征為層、膜、沉積物、或其他類似的結(jié)構(gòu)。所公開的方法是電沉積方法。電沉積方法使用電能和電位梯度來將陽離子沉積到襯底的導(dǎo)電部分上。諸方法可包括在電鍍?cè)≈蟹胖靡r底和對(duì)該襯底施加沉積電流的步驟。圖1是對(duì)可在本文中利用的示例性系統(tǒng)的示意性描繪。該系統(tǒng)示出了可任選的襯底保持器105中的襯底110。襯底110可電連接至電源130，該電源130還可電連接至反電極125。襯底110(連同反電極12 能被可移除地置于可填充有電鍍組合物120的電鍍?cè)?115內(nèi)。諸如圖1中所描述的系統(tǒng)之類的系統(tǒng)可任選地被包括在可用于電鍍的較大系統(tǒng)中。 此類較大系統(tǒng)的示例包括SEMITOOL CFD 電鍍工具(應(yīng)用材料公司，美國加利福尼亞州圣克拉拉)。從電源130向襯底110施加電流可使出自電鍍組合物120的材料被沉積到襯底110上。可在本文中利用的襯底包括期望在其上形成CoNiP層的任何東西。襯底可以是導(dǎo)電的、可具有導(dǎo)電部分、或者可具有形成于其上的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(材料層或其他)。在諸實(shí)施例中，襯底可以是不導(dǎo)電的并且可具有形成于其上的導(dǎo)電層。導(dǎo)電層可用于將對(duì)襯底的某個(gè)部分施加的電流傳導(dǎo)至將要電沉積CoMP層的位置。導(dǎo)電層也可被稱為籽層。籽層可例如使用包括濺射沉積的各種沉積技術(shù)來沉積。在諸實(shí)施例中，籽層可包括例如銅(Cu)、金 (Au)、釕(Ru)、鎳鐵(NiFe)合金、鈷鐵(CoFe)合金、或鈷鎳鐵(CoNiFe)合金。在諸實(shí)施例中，籽層可包括合金，這些合金包括例如Nii^e (80 20) ,NiFe (45 55)和Coi^e (65 35)。 在諸實(shí)施例中，籽層可包括Cu。襯底還可包括可任選的粘附層。粘附層可用于促進(jìn)CoNiP 材料對(duì)襯底的粘附。粘附層可在籽層上(或如果不存在籽層則在襯底上)形成。粘附層可例如使用包括濺射沉積的各種沉積技術(shù)來沉積。在諸實(shí)施例中，粘附層可包括例如鉭(Ta)、 鉻(Cr)、鈦(Ti)、鉭化合物、和鈦化合物。在諸實(shí)施例中，粘附層可包括例如氮化鉭(TaN) 和氮化鈦(TiN)。在諸實(shí)施例匯總，粘附層可包括鉭。襯底也可任選地被圖案化。經(jīng)圖案化的襯底將使CoNiP僅被沉積在襯底的一些部分上。經(jīng)圖案化的襯底可基于在其中導(dǎo)電材料被放置在襯底上何處來形成。經(jīng)圖案化的襯底也可通過對(duì)襯底的導(dǎo)電表面的諸部分進(jìn)行覆蓋來形成。這些導(dǎo)電表面可使用不導(dǎo)電材料來覆蓋。在諸實(shí)施例中，例如，可使用不導(dǎo)電的帶子來覆蓋導(dǎo)電表面。本文中公開的方法可包括在保持或包含電鍍組合物的電鍍?cè)≈蟹胖靡r底的步驟。 電鍍組合物可包括鎳源、鈷源和磷源。還應(yīng)當(dāng)注意，電鍍組合物可包括其他可任選的組分。電鍍組合物還可包括水，例如，經(jīng)去離子的水。電鍍組合物可例如通過在水(例如，經(jīng)去離子的水)中溶解各種組分來制作。在諸實(shí)施例中，電鍍組合物可包括鎳源。鎳源可包括可在水中溶解的一種或多種無機(jī)或鎳化合物。在諸實(shí)施例中，鎳源可包括可在水中溶解的一種或多種無機(jī)鎳化合物 (例如，鎳鹽)。示例性的鎳源可包括例如氯化鎳(NiCl2或NiCl2 · 6H20)、溴化鎳(NiBr2)、 硫酸鎳(NiSO4)、氨基磺酸鎳(Ni (SO3NH2) ·4Η20)、四氟硼酸鎳(Ni (BF4) 2)、及其組合。在諸實(shí)施例中，可利用MC12。應(yīng)當(dāng)注意，可利用無水或水合形式的任何無機(jī)化合物。電鍍組合物可包括各種濃度的鎳源。在諸實(shí)施例中，電鍍組合物可包括從0.0. 05摩爾(M)到0.4M 的鎳源。在諸實(shí)施例中，電鍍組合物可包括從0. IM到0. 3M的鎳源。在諸實(shí)施例中，電鍍組合物可包括從0. 15M到0. 25M的鎳源。在諸實(shí)施例中，電鍍組合物可包括從0. 18M到0. 22M 的鎳源。在諸實(shí)施例中，電鍍組合物可包括0. 2M鎳源。在諸實(shí)施例中，電鍍組合物可包括鈷源。鈷源可包括可在水中溶解的一種或多種無機(jī)或鈷化合物。在諸實(shí)施例中，鈷源可包括可在水中溶解的一種或多種無機(jī)鈷化合物 (例如，鈷鹽)。示例性的鈷源可包括氯化鈷(CoCl2或CoCl2 · 6H20)、溴化鈷(CoBr2)、硫酸鈷(CoSO4)、及其組合。在諸實(shí)施例中，可利用CoCl2。應(yīng)當(dāng)注意，可利用無水或水合形式的任何無機(jī)化合物。電鍍組合物可包括各種濃度的鈷源。在諸實(shí)施例中，電鍍組合物可包括從0. 05M到0. 4M的鈷源。在諸實(shí)施例中，電鍍組合物可包括從0. IM到0. 3M的鈷源。在諸實(shí)施例中，電鍍組合物可包括從0. 15M到0. 25M的鈷源。在諸實(shí)施例中，電鍍組合物可包括從0. 18M到0. 22M的鈷源。在諸實(shí)施例中，電鍍組合物可包括0. 2M的鈷源。在諸實(shí)施例中，電鍍組合物可包括類似量的鎳源和鈷源。在諸實(shí)施例中，電鍍組合物可包括量在彼此0. 3M內(nèi)的鎳源和鈷源。在諸實(shí)施例中，電鍍組合物可包括量在彼此0. 2M 內(nèi)的鎳源和鈷源。在諸實(shí)施例中，電鍍組合物可包括量在彼此0. IM內(nèi)的鎳源和鈷源。電鍍組合物還包括磷源。磷源可包括可在水中溶解的一種或多種無機(jī)或磷化合物。在諸實(shí)施例中，磷源可包括可在水中溶解的一種或多種無機(jī)磷化合物。示例性的磷源可包括例如亞磷酸亞磷酸(H3PO3)、磷酸(H3PO4)、次磷酸(H3PO2)；亞磷酸鹽類磷酸二氫鈉(NaH2PO4)、磷酸氫二鈉(Na2HPO4)、磷酸鈉(Na3PO4)、磷酸二氫鈣(Ca(H2PO4))、磷酸氫鈣(CaHPO4)、磷酸三鈣(PO4) 2)、磷酸二氫鉀(KH2PO4)、磷酸氫二鉀(K2HPO4)、磷酸鉀(K3PO4)、磷酸二氫鎂(Mg (H2PO4)、磷酸氫鎂(MgHPO4)、磷酸三鎂(M& (PO4) 2)、亞磷酸鈉(HNa2O3P)、次磷酸鈉(NaH2PO2)、次磷酸鉀(KH2PO2)、次磷酸鈣(Ca (H2PO2) 2)、次磷酸鎂 (Mg(H2PO2)2)、及其組合。在諸實(shí)施例中，可利用次磷酸鈉(NaH2PO)、次磷酸鉀(KH2PO2)、次磷酸鈣(Ca(H2PO2)2)、次磷酸鎂(Mg(H2PO2)2)。應(yīng)當(dāng)注意，可利用無水或水合形式的任何無機(jī)化合物。電鍍組合物可包括各種濃度的磷源。在諸實(shí)施例中，電鍍組合物可包括至少0. IM 的磷源。在諸實(shí)施例中，電鍍組合物可包括至少0. 15M的磷源。在諸實(shí)施例中，電鍍組合物可包括至少0.2M的磷源。在諸實(shí)施例中，電鍍組合物可包括至少0.25M的磷源。在諸實(shí)施例中，電鍍組合物可包括至少0. 27M的磷源。本文中利用的電鍍組合物也可包括其他可任選的組合物。在諸實(shí)施例中，電鍍組合物可包括氯化鈉(NaCl)或氯化鉀(KCl)。氯化鈉和其他類似的如氯化鉀之類的化合物可用于增加電鍍?cè)〉膶?dǎo)電性。在NaCl (或KCl)被包括在電鍍組合物中的實(shí)施例中，NaCl (或KCl)可具有至少0. 3M的濃度。在諸實(shí)施例中，電鍍組合物可包括至少0. 5M的NaCl或KCl。 在諸實(shí)施例中，電鍍組合物可包括0. 7M的NaCl或KCl。電鍍組合物還可包括諸如舉例而言糖精、糖精鹽類、香豆素、硫脲和月桂烷硫酸酯之類的添加劑。在諸實(shí)施例中，可利用糖精。 糖精在被用在電鍍組合物中時(shí)可用于減輕電鍍系統(tǒng)中的應(yīng)力。在利用糖精的實(shí)施例中，糖精可具有至少ImM的濃度。在利用糖精的實(shí)施例中，糖精可具有至少2mM的濃度。在利用糖精的實(shí)施例中，糖精可具有小于50mM的濃度。在利用糖精的實(shí)施例中，糖精可具有小于 20mM的濃度。在利用糖精的實(shí)施例中，糖精可具有小于IOmM的濃度。在利用糖精的實(shí)施例中，糖精可具有2mM與SmM之間的濃度。其他可任選的組分也可被包括在本文中利用的電鍍組合物中。例如，可添加其他添加劑以增加沉積在CoNiP層中的磷的原子百分比。電鍍組合物還可由其pH來表征。在諸實(shí)施例中，電鍍組合物可具有從2. 5到4的 PH。在諸實(shí)施例中，電鍍組合物可具有從3到4的pH。在諸實(shí)施例中，電鍍組合物可具有為 3 的 pH。一旦襯底被放置在電鍍?cè)≈?，就可?duì)該襯底施加沉積電流。如圖1中所示，襯底可電連接至電源130。關(guān)于襯底如何連接至電源和反電極的具體細(xì)節(jié)可至少部分地取決于正被利用的特定系統(tǒng)。電源可向反電極提供直流電流或脈沖電流，并且溶解在電鍍組合物中的金屬離子可在襯底處減少并且在襯底上析出。沉積電流可以是每平方厘米至少6毫安 (mA/cm2)。在諸實(shí)施例中，沉積電流可以是至少8mA/cm2。在諸實(shí)施例中，沉積電流可以是 IOmA/cm2。沉積電流的施加時(shí)間可至少部分地取決于正被產(chǎn)生的CoNiP層的期望厚度、和 CoMP層正沉積于其上的襯底的類型。在襯底要被掩蓋(襯底的諸導(dǎo)電部分中沒有不用 CoNiP涂覆的部分)的實(shí)施例中，可以例如在約5個(gè)小時(shí)里沉積50微米(ym)的CoNiP層。 在襯底要被掩蓋的實(shí)施例中，可以在約2. 5小時(shí)里沉積25 μ m的CoNiP層。在襯底要被掩蓋的實(shí)施例中，可以在約1小時(shí)里沉積10 μ m的CoNiP層。在襯底被圖案化(襯底的諸導(dǎo)電部分中有不用CoMP涂覆的部分——這可通過用例如不導(dǎo)電帶子之類的不導(dǎo)電材料來覆蓋導(dǎo)電部分的諸部分的方式達(dá)成)的實(shí)施例中，可以例如在約7小時(shí)里沉積50 μ m的CoNiP 層。在襯底要被圖案化的實(shí)施例中，可以在約3. 5小時(shí)里沉積25μπι的CoNiP層。在襯底要被圖案化的實(shí)施例中，可以在約1. 4小時(shí)里沉積10 μ m的CoNiP層。對(duì)襯底施加沉積電流可使CoNiP層形成在襯底上。CoNiP層可具有各種厚度。此類膜可比先前產(chǎn)生的CoNiP層更厚，而同時(shí)仍然維持期望的磁性質(zhì)。在諸實(shí)施例中，CoNiP 層可具有至少500納米(nm)的厚度。在諸實(shí)施例中，CoNiP層可具有至少1微米(μ m)的厚度。在諸實(shí)施例中，CoNiP層可具有至少5μπι的厚度。在諸實(shí)施例中，CoNiP層可具有至少25 μ m的厚度。在諸實(shí)施例中，CoNiP層可具有至少35 μ m的厚度。在諸實(shí)施例中，CoNiP 層可具有至少50 μ m的厚度。在諸實(shí)施例中，CoNiP層可具有從25 μ m到65 μ m的厚度。經(jīng)電沉積的CoNiP可以是磁性的。CoNiP層的磁性質(zhì)可由殘余磁通量(Br)來量化。在諸實(shí)施例中，CoNiP層可具有至少0.2特斯拉(T)的殘余磁通量。在諸實(shí)施例中， CoNiP層可具有至少0. 23T的殘余磁通量。在諸實(shí)施例中，CoNiP層可具有至少0. 25T的殘余磁通量。CoNiP層的磁性質(zhì)還可由磁矯頑力(H。)來量化。在諸實(shí)施例中，CoNiP層可具有至少1. 5千奧斯特(KOe)的磁矯頑力。在諸實(shí)施例中，CoNiP層可具有至少IOe的磁矯頑力。在諸實(shí)施例中，CoNiP層可具有至少2. 2K0e的磁矯頑力。在諸實(shí)施例中，CoNiP層可具有2. 4K0e的磁矯頑力。諸方法還可包括本文中沒有討論的步驟。在諸實(shí)施例中，具有電沉積層的襯底可經(jīng)受進(jìn)一步處理。在諸實(shí)施例中，經(jīng)電沉積的CoNiP層不需要經(jīng)受為平滑CoNiP表面設(shè)計(jì)的進(jìn)一步處理。例如，經(jīng)電沉積的CoNiP層不需要經(jīng)受化學(xué)機(jī)械整平(CMP)以獲得相對(duì)平滑的CoNiP層。這可以是有利的，因?yàn)檫@減少了對(duì)于在襯底上形成CoNiP層而言所必需的處理步驟。本文中還公開了包括如以上討論的其上具有經(jīng)電沉積的CoNiP層的襯底的制品。 CoNiP層可具有如以上討論的厚度。CoNiP層可具有如以上討論的磁性質(zhì)。本文中公開的制品可以是較大制品或器件的一部分。在諸實(shí)施例中，包括如以上討論的CoNiP層的制品可被用在微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件中。在諸實(shí)施例中，包括如以上討論的CoNiP層的制品可被用作磁開關(guān)。示例材料和方法除非另外指出，否則所有化學(xué)制劑均是從Aldrich獲得的并且是在不進(jìn)行進(jìn)一步凈化的情況下使用的。除非另外指出，否則示例中的所有部分、百分比、比率等均是按重量計(jì)的。示例 1使用不同濃度的磷源來沉積一系列5μπι CoNiP層。用47. 5g/ L NiCl2 · 6Η20(0· 2M)、49· 03g/L CoCl2 · 6H20 (0· 2M)、24. 7g/L H3BO3 (0. 4M) ,40. 9g/ LNaCl (0. 7M)和0. 8g/L(3. 9mM)糖精鈉來制備水性基電鍍組合物。使用12g/L(0. 11M)、20g/ L(0. 19M)和31g/L(0. 29M)的NaH2PO2 · H2O來制作三種不同的電鍍組合物。在具有2000 A銅籽層和500 A鉭粘附層的150mm硅(Si)晶片上沉積CoNiP層。 在SEMITOOL CFD電鍍工具(應(yīng)用材料公司，美國加利福尼亞州圣克拉拉)內(nèi)配置該襯底。施加1. 65A的沉積電流約30分鐘。使用利用JE0LJSM-6460LV(JE0L有限公司，日本東京)的能量分散X射線(EDX)來分析結(jié)果得到的沉積物以確定Co、Ni和P的組成，并使用利用MicroMag 3900 (普林斯頓測(cè)量公司，美國新澤西州普林斯頓)的振動(dòng)探針式磁強(qiáng)計(jì) (VSM)來分析結(jié)果得到的沉積物以以確定殘余磁通量(Br)。以下在表1中示出此分析的結(jié)^ ο表 權(quán)利要求
1.一種在襯底上形成CoNiP的方法，包括以下步驟在電鍍?cè)≈蟹胖靡r底，所述電鍍?cè)“婂兘M合物，所述電鍍組合物包括鎳源；鈷源；和至少約0. IM的磷源；以及對(duì)所述襯底施加沉積電流，其中對(duì)所述襯底施加所述沉積電流將使具有至少約500納米的厚度的CoMP層被電沉積在所述襯底上。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述磷源選自亞磷酸。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述磷源選自次磷酸鈉(NaH2PO2)、次磷酸鉀 (KH2PO2)、次磷酸鈣(Ca (H2PO2) 2)、次磷酸鎂(Mg (H2PO2) 2)、或其組合。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述磷源具有至少約0.25M的濃度。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述鎳源選自NiCl2、NiBr2,NiSO4, Ni (SO3NH2) · 4H20、Ni (BF4)2、及其組合。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述鈷源選自CoCl2、CoBr2,CoSO4、及其組口 O
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述電鍍?cè)∵M(jìn)一步包括至少約0.5M的 NaCl。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述電鍍?cè)∵M(jìn)一步包括至少約ImM的糖精。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述電鍍?cè)【哂行∮诩s20mM的糖精濃度。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述電鍍?cè)【哂屑s為3的pH。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉積電流為至少約8mA/cm2。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉積電流為約lOmA/cm2。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述CoMP膜具有至少約1微米的厚度。
14.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述CoNiP膜具有約5微米的厚度。
15.一種在襯底上形成CoNiP的方法，包括以下步驟在電鍍?cè)≈蟹胖靡r底，所述電鍍?cè)“婂兘M合物，所述電鍍組合物具有從約3到4的 PH并且包括 鎳鹽； 鈷鹽；和至少約 0. 15M 的 NaH2P02、KH2PO2, Ca (H2PO2) 2、Mg (H2PO2) 2、磷酸、或其組合；以及對(duì)所述襯底施加至少約8mA/cm2的沉積電流，其中對(duì)所述襯底施加所述沉積電流將使CoMP在所述襯底上被電沉積到至少約5微米的厚度。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述鎳鹽選自約0.IM到0. 3M的NiCl2、 NiBr2、及其組合；并且所述鈷鹽選自約0. IM到0. 3M的CoCl2, CoBr2、及其組合。
17.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述NaH2P02、KH2PO2,Ca (H2PO2) 2、 Mg(H2PO2)2、或磷酸以至少約O. 25M存在。
18.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述CoMP層具有約25微米的厚度。
19.一種制品，包括 襯底；以及所述襯底上經(jīng)電沉積的CoNiP層，其中所述CoNiP具有從約25微米到約65微米的厚度，并且所述CoNiP具有至少約0. 2特斯拉的殘余磁通量。
20.如權(quán)利要求19所述的制品，其特征在于，所述CoNiP具有至少約35微米的厚度和至少約0. 25特斯拉的殘余磁通量。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于在襯底上形成CoNiP的方法，包括以下步驟在電鍍?cè)≈蟹胖靡r底，該電鍍?cè)“婂兘M合物，該電鍍組合物包括鎳源；鈷源；和至少約0.1M的磷源；以及對(duì)該襯底施加沉積電流，其中對(duì)該襯底施加沉積電流將使具有至少約500納米的厚度的CoNiP層被電沉積在該襯底上。
文檔編號(hào)H01F10/16GK102443826SQ20111030806
公開日2012年5月9日 申請(qǐng)日期2011年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月30日
發(fā)明者I·塔巴科維克, M·X·唐, M·孫, V·文卡塔薩米 申請(qǐng)人:希捷科技有限公司